JPH0990331A

JPH0990331A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH0990331A
Application number: JP24806895A
Authority: JP
Inventors: Takushi Nakazono; 卓志中園
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1995-09-26
Filing date: 1995-09-26
Publication date: 1997-04-04

Abstract

(57)【要約】【課題】移動度やしきい値特性が良好でかつ信頼性の
高い多結晶シリコン薄膜トランジスタ素子を備えて、優
れた表示性能を実現する液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板用の基
体として、ＯＨ基を 200ｐｐｍ以上含有するように形成
された石英基板１が用いられている。これにより、ｐ−
Ｓｉからなる活性層２の水素化処理を効果的に行なうこ
とができ、その結果、優れた表示性能の液晶表示装置を
実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に移動度やしきい値特性の良好な多結晶シリコン
薄膜トランジスタ素子を備えて優れた表示性能を実現で
きる液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、各種情報処理機器の画
像表示装置あるいはポータブルテレビや壁掛けテレビな
どに好適に用いられ、特に薄型・軽量化が可能なディス
プレイデバイスである。

【０００３】そのような液晶表示装置の中でも特に多結
晶シリコン（以下、ｐ−Ｓｉと略称）で形成された薄膜
トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称）をスイッチング素
子として画素部に設ける一方、同様な構造のＴＦＴをス
イッチング素子アレイ基板の周縁部にも設けて液晶駆動
回路を形成した、いわゆる駆動回路一体型のアクティブ
マトリックス型液晶表示装置は、駆動回路系も含めた液
晶表示装置全体としての小型・薄型化を実現できる液晶
表示装置として、研究・開発が盛んに行なわれている。

【０００４】特に、ｐ−ＳｉＴＦＴは、液晶駆動回路を
上記のようにスイッチング素子アレイ基板の周縁部に一
体に形成することが可能で、しかも高精細な液晶表示装
置に対応した性能を実現できるＴＦＴであることから、
特に投射型液晶表示装置としての利用に大きな期待を集
めている。

【０００５】このような液晶表示装置においては、ＴＦ
Ｔの高速な動作特性および高い信頼性が必要とされる。

【０００６】即ち、ＴＦＴの代表的特性である移動度と
して30cm²/vs 以上が必要である。これはａ−Ｓｉの 1
cm²/vs 程度に比べると、格段に高い値である。

【０００７】また、液晶駆動電圧としては一般に15Ｖ程
度が必要であり、その電圧で正常に動作し続ける信頼性
が要求される。

【０００８】そのような高性能で信頼性も高いＴＦＴ
は、その主要部である活性層等を備えた半導体層を製作
するにあたって一般的に高温プロセスと呼ばれている 6
00℃以上の温度のプロセスを用いて製造されることが必
要である。

【０００９】これは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活
性層の電気的特性としてその移動度を高くするために
は、その活性層に用いられる多結晶シリコン（ｐ−Ｓ
ｉ）の粒径を大粒径に形成する必要があるためである。

【００１０】また、ゲート酸化膜の形成時に熱酸化を使
用する場合、高い信頼性を得るためには 800℃以上の高
温プロセスが必要であるためである。

【００１１】このような高温プロセスに対応するために
は、電気絶縁性基板として石英基板のような高耐熱性基
板を使用する必要があった。特に高温での熱応力等に起
因した基板の面的な歪みを抑えるために、いわゆる高耐
熱用の石英基板が高的な基板として用いられてきた。例
えば特開平4-320064号公報に示されているように、いわ
ゆる高耐熱基板を使用して、なるべく基板の熱変形が起
こらないようにしながら上記のような動作特性および信
頼性に優れたＴＦＴを得る手法が検討され、またそれに
よってＴＦＴが形成されていきた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いわゆ
る高耐熱基板を用いると、上記のような動作特性の点で
も信頼性の点でも上記のような十分な性能を備えたＴＦ
Ｔを得ることができないことが判明した。

【００１３】これは、ｐ−ＳｉＴＦＴの形成には水素化
処理が必須であるが、この効果は高耐熱基板に対しては
充分に得ることができない、ということに起因している
ものと考えられる。

【００１４】水素化処理とは、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）形成工程中の金属配線を形成した段階で、ＴＦＴス
イッチ素子アレイ基板全体を水素プラズマに曝してｐ−
Ｓｉ膜を水素化処理する方法である。

【００１５】600℃以上で形成されたｐ−Ｓｉには結晶
粒が大きく成長しており、これによって高い移動度が実
現されるわけだが、その結晶粒界や結晶粒中にはダング
リングボンドをはじめとする多くの結晶欠陥を含んでい
る。そこで、この結晶欠陥をターミネート（終端）して
ＴＦＴとしての動作特性の向上を図るために、前記の水
素化処理を施している。

【００１６】このような水素化処理の現象の理論的説明
としては、水素化時の水素の通過経路は、下記の文献に
詳しく解析されている。即ち、 J.Electrochem.Soc.,vol138(11)3240 Uday Mitra et al その主旨を図４に基づいて説明すると、水素化処理を行
なった際の、水素が活性層まで拡散して行く経路は、図
４中に示した経路Ｃが主要な経路となっている。プラズ
マで励起した水素は一旦、石英基板５０１のような電気
絶縁性基板に到達すると、その中へと侵入し、それから
さらにその内側へと拡散して行く。そして水素はさらに
ＴＦＴの活性層であるｐ−Ｓｉ層５０２の裏面まで到達
し、このｐ−Ｓｉの中に拡散する。こうして水素が拡散
したｐ−Ｓｉ５０２層の中ではダングリングボンドが終
端されていくので、水素の拡散も減速されて、最終的に
所定の濃度の水素でダングリングボンドが終端されて平
衡状態となって水素化現象も停止する、というものであ
る。

【００１７】しかしながら、上記のような高耐熱基板５
０１を用いたスイッチ素子アレイ基板に形成されたｐ−
Ｓｉ層５０２からなる半導体層に対しては、水素化が十
分効果的には作用せず、その結果、完成したＴＦＴの移
動度やしきい値などの動作特性や信頼性が不十分なもの
となるという問題がある。

【００１８】ただしここで、水素化処理の効果はその処
理時間に依存して増大するので、水素化処理を長時間に
わたって行なうことで、完成したＴＦＴの移動度やしき
い値などの動作特性や信頼性を十分なものとする、とい
う手法を採用することも考えられる。

【００１９】しかし、そのような手法では、水素化処理
のスループット等を考慮すると、製造上の観点からも現
実的ではなく、またそのような長時間の加熱処理によっ
てＴＦＴの超微細な配線構造などの各種構造物が製造時
点で劣化を引き起こしたり、またそれらによって信頼性
が失われるなどの問題もある。

【００２０】本発明は、このような問題を解決するため
に成されたもので、特に移動度やしきい値特性が良好で
かつ信頼性の高い多結晶シリコン薄膜トランジスタ素子
を備えて、優れた表示性能を実現できる液晶表示装置を
提供することを目的としている。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、液晶駆動回路および画素部スイッチ素子のうち少な
くともいずれか一方を形成する素子として多結晶シリコ
ン薄膜トランジスタ素子と、前記画素部スイッチ素子に
接続されて電圧印加を制御される画素電極とが、第１の
電気絶縁性基板上に形成されたスイッチ素子アレイ基板
と、前記画素電極に間隙を有して対向配置される対向電
極が第２の電気絶縁性基板上に形成されており、前記ス
イッチ素子アレイ基板に対して前記間隙を保持しつつ対
向配置された対向基板と、前記間隙に封入・挟持された
液晶層とを有する液晶表示装置において、前記スイッチ
素子アレイ基板の前記第１の電気絶縁性基板が、シリコ
ンと酸素を分子構造のネットワークの骨格に有する材料
で形成された電気絶縁性基板であって、該電気絶縁性基
板を形成している材質の分子構造がＯＨ基を 200ｐｐｍ
以上含んでいる電気絶縁性基板であることを特徴として
いる。

【００２２】あるいは、上記の液晶表示装置において、
前記スイッチ素子アレイ基板の前記第１の電気絶縁性基
板が、シリコンと酸素を分子構造のネットワークの骨格
に有する材料で形成された電気絶縁性基板であって、該
電気絶縁性基板を形成している材質の分子構造がＯＨ基
を 200ｐｐｍ以上〜1000ｐｐｍ以下含んでいる電気絶縁
性基板であることを特徴としている。

【００２３】なお、後述するように、理論的には基板の
組成中における上記のＯＨ基のｐｐｍが多ければ多いほ
ど効果的な水素処理効果を得ることができる。故に、理
論的にはその上限値は無い。

【００２４】ただし、実際上、基板中にＯＨ基を余りに
も多量に含有すると、その基板は液晶表示装置のＴＦＴ
アレイ基板としての使用に不適格なものとなってしま
う。何故なら、熱処理時に基板の収縮が大きくなり、特
にアレイ基板を形成する場合パターンずれが発生し、Ｔ
ＦＴアレイ基板を形成することができなくなる。

【００２５】上述のように、スイッチ素子アレイ基板用
の基体としていわゆる高耐熱基板を用いた構造の液晶表
示装置の場合には、そのＴＦＴの特性を十分なものにす
ることは困難である。

【００２６】これは、ｐ−ＳｉＴＦＴの形成には水素化
処理が必須であるが、この水素化処理の十分な効果を得
ることは、高耐熱基板を用いた場合には極めて困難なた
めであるということが判明した。その水素化処理が不十
分となってしまうことの原因を調べた結果、水素化処理
の際の水素のパスとしての高耐熱基板に問題があること
が判明した。

【００２７】即ち、前記の文献等にも述べられているよ
うに、水素の拡散の進行具合に依存して水素化の効果が
決まることは知られているが、このとき、水素を拡散さ
せやすい基板は水素化が効きやすく、その逆に、水素の
拡散の小さい基板は水素化の効きがよくないものと考え
られた。

【００２８】石英基板の形成材料である石英基板の分子
配列的な構造の骨格にはＳｉとＯとが結合してなるネッ
トワークが形成されている。

【００２９】上記のＳｉとＯは結合して、基本的にはＳ
ｉＯ₂という形での結合を成しており、この結合はＳｉ
を中心としてＯがその正四面体の頂点に位置した結晶状
態を形成している。そしてこれがさらに規則正しい状態
にまで結晶化すると水晶となる。

【００３０】ところで、通常のガラス基板のような電気
絶縁性基板の分子レベルでの構造は、一般にガラス状
（アモルファス状）である。つまり、Ｓｉ−Ｏのネット
ワークは形成されているが、それは上記の水晶ほどには
結晶化していない。換言すれば、Ｓｉ−Ｏが組み合わさ
れて形成されたネットワークは、短距離での秩序性はあ
るが、結晶ほどまでの長距離の秩序性は無い。このた
め、結合の緩み／縮みが発生する。

【００３１】つまり、結晶であればＳｉとＯとの結合は
厳格に規則的に定まっているが、ガラス状態ではある程
度の結合の自由度がある。このため、ガラス状態では各
元素どうしの距離が縮んだ短い距離で結合している部分
がある一方、各元素どうしの距離が緩んだ長い距離で結
合している部分や、結合の緩みからさらに進んだ未結合
手も混在して結合している。

【００３２】水素化処理の際には、石英基板のような電
気絶縁性基板中のネットワークの中を水素が進行むこと
となる。つまり前述の文献に従えば、水素化処理の際に
水素は基板中を通って拡散するが、その基板の材質をミ
クロ的な観点から見ると、その構造はシリコン（Ｓｉ）
と酸素（Ｏ）とを骨格とするネットワークで形成されて
おり、水素はこのネットワークの中を走って拡散してい
ることになる。

【００３３】その水素の拡散の際に、上記の混在してい
る結合のうち緩んで未結合手となった結合の骨格中を拡
散するときに、その未結合手が不安定であるため安定化
しようとして水素と結合する。このため、基板中の組成
の未結合手のうちのＳｉに捕らわれた水素（Ｈ）はＳｉ
−Ｈ結合を形成し、酸素（Ｏ）に捕らわれた水素（Ｈ）
はＯＨ基を形成する。その結果、本来はＴＦＴの活性層
に投入したかった水素が、その進行経路中の基板内の未
結合手に捕らわれてしまい、活性層のｐ−Ｓｉの水素化
が効果的に行なわれなくなると考えられる。そこで、あ
らかじめ基板内にＯＨ基を 200ｐｐｍ以上含有させてお
けば、そのような問題を解消することができる。

【００３４】また、あらかじめ基板内にＯＨ基が 200ｐ
ｐｍ以上のような過剰な量が含有されていれば、水素化
処理などの加熱処理時にそのＯＨ基が水素（Ｈ）を放出
する確率も高くなるので、その放出された水素も利用で
き、水素化処理にはさらに好適である。

【００３５】しかも、そのようなＯＨ基が多くなると、
基板の材質を分子レベルで形成するＳｉ−Ｏの組み合わ
せによるネットワークの各骨格は緩い結合で広くなり、
水素がその中を通過しやすくなることも考えられる。

【００３６】そこで、本発明においては、電気絶縁性基
板としてあらかじめ 200ｐｐｍ以上のＯＨ基が含有され
た基板を用いることにより、効果的にＴＦＴの活性層の
ｐ−Ｓｉに対して水素化処理を施して、液晶表示装置と
しての電気的動作特性や信頼性を向上することができ
る。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る液晶表示装置
の発明の実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明す
る。

【００３８】図１は本発明に係る液晶表示装置に用いら
れるｐ−ＳｉＴＦＴの断面構造を示す図である。以下、
その構造を、その製造工程にほぼ従って説明する。

【００３９】液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板用の基体
として、ＯＨ基を 200ｐｐｍ以上、具体的には本発明の
実施の形態では 500＋ 200ｐｐｍ含有するように形成さ
れた石英基板１が用いられている。この石英基板１の板
厚は 1.1ｍｍである。

【００４０】その石英基板１上に膜厚 100ｎｍのｐ−Ｓ
ｉ膜からなる活性層２が配設されている。この活性層２
は、アモルファスシリコンを出発材料として用いてこれ
を固相成長法で多結晶化してｐ−Ｓｉ化して得られたも
のである。この活性層２は、前記のｐ−Ｓｉ膜を形成し
た後に素子分離されて、いわゆる島状のパターンに形成
される。

【００４１】ゲート酸化膜（ゲート絶縁膜）３は、熱酸
化法により形成された酸化膜で、その膜厚は70ｎｍであ
る。

【００４２】ゲート電極４は、燐（Ｐ）をドープして低
抵抗化されたｐ−Ｓｉ膜をエッチング等によりパターニ
ングして形成された電極で、その膜厚は 400ｎｍであ
る。

【００４３】第１層間絶縁膜５は、膜厚 800ｎｍの酸化
膜で形成されたもので、これに穿設されたコンタクトホ
ールを通ってＡｌからなる金属配線６が前記の活性層２
のソース領域７の上部に接続されている。

【００４４】活性層２のｐ−Ｓｉの水素化処理は、この
状態まで形成した後に行なわれる。つまり、この状態ま
で形成されたＴＦＴアレイ基板全体を、水素プラズマに
曝し、水素を活性層２まで拡散させることで、活性層２
のｐ−Ｓｉのダングリングボンドが石英基板１の組成に
よって効果的にターミネートされて、液晶表示装置用の
ＴＦＴとして用いられる活性層２の電気的特性および信
頼性が、効果的に向上する。

【００４５】そして、第２層間絶縁膜８を窒化膜／酸化
膜の積層膜から形成し、これにコンタクトホールを穿設
し、これを通って活性層２のドレイン領域９の上部に接
続する透明電極１０がＩＴＯ（インジウム・錫酸化化合
物）を材料として用いて形成されて、図３に示すような
ＴＦＴアレイ基板１１の、ＴＦＴ部分の主要部が形成さ
れている。

【００４６】さらに、このＴＦＴアレイ基板１１と対向
電極（図示省略）が形成されている対向基板１２とを間
隙を有して対向配置し、それら両基板間の間隙に液晶層
１３を挟持させ、その周囲を封止材１４で封止し、さら
に外装アセンブリ１５が施されて、本発明の液晶表示装
置の主要部が形成されている。また、駆動回路一体型の
液晶表示装置の場合には、石英基板１の表示領域外の周
辺部には、図１の右側に示すようにスイッチング素子と
してのＴＦＴ１７とほぼ同様の構造であって液晶駆動回
路用素子として好適な仕様に設定されたＴＦＴ１８が、
上記のＴＦＴ１７と同様のプロセスで配設されている。

【００４７】ここで、本発明の効果を確認するために、
我々は上記のような本発明に係る液晶表示装置用のＴＦ
Ｔアレイ基板１１（の上に形成されたＴＦＴ１７）を用
いて、以下のような実験を行なった。

【００４８】本発明に係る基板１０１として、（１）Ｏ
Ｈ基を 200ｐｐｍ含有している基板と、従来の基板１０
２として、（２）ＯＨ基を50ｐｐｍ含有している基板と
の上に、それぞれ上述のような構造のｐ−ＳｉＴＦＴを
形成し、そのｐ−ＳｉＴＦＴの特に活性層２のチャネル
領域１６への水素化処理を行なった。

【００４９】その水素化の処理時間は、いずれの基板
も、 1時間の場合と 3時間の場合について実験した。

【００５０】このときの最終的に得られたＴＦＴ１７の
電気的動作特性として、移動度およびしきい値電圧を評
価した。その結果を図２に示す。

【００５１】まず、移動度を確認したところ、処理時間
1時間の本発明に係る基板１０１では、65ｃｍ²/vs
と、十分な速さであるが、基板１０２では、25ｃｍ²/v
s 程度の速さに止まった。

【００５２】さらに、処理時間を 3時間にした場合に
は、いずれの基板も移動度は絶対値としては向上した
が、（１）の本発明に係る基板１０１は 115ｃｍ²/vs
となり、約 2倍の向上を見せたが、（２）の従来の基板
１０２では、35ｃｍ²/vs となり、高々 1.4倍程度にし
か向上しない。このため、基板１０１の移動度と基板１
０２の移動度との比率については、0.38:1から0.30:1へ
と、さらに大きな差が生じている。

【００５３】つまり、水素化の処理時間を延ばすほど、
それにつれて基板１０１は順調に特性が向上して行く
が、基板１０２はそれよりも低い増加率に止まる。

【００５４】また、しきい値電圧も同様の傾向にある。
処理時間 1時間では、基板１０１は約 2.5Ｖであった
が、基板１０２は 8Ｖ程度と、高いしきい値電圧を示し
た。

【００５５】そしてこれを 3時間処理の場合について見
ると、基板１０１は 1Ｖ程度にまでも低減できたが、基
板１０２は 7Ｖ程度までにしか低減できなかった。

【００５６】石英基板を考察すると、基本的にはＳｉと
Ｏでネットワークが形成されている。しかし、ガラス状
の構造であるため結晶のように堅い構造ではない。その
ため、いろいろな結合、結合の緩みが発生する。（この
結合の状態はＦＴＩＲ法などで測定することができ
る。）ＯＨ基が少ないと言われている高耐熱基板は多員
環が比較的少ないので、従来の基板として用いられてい
たそれらの高耐熱基板を用いた場合にはその上に形成さ
れたＴＦＴに水素化が十分には効かなかったものと考え
られる。

【００５７】従って、ＯＨ基の多い基板を使用すること
により、水素化を十分行い、活性層及びゲート酸化膜と
の界面の欠陥を減少させることができる。このため、Ｔ
ＦＴの移動度、しきい値電圧、ドレインリーク電流等、
電気的特性が向上して、このようなＴＦＴを用いた液晶
表示装置においては、画素への電圧書き込みが十分に行
なうことができ、またＴＦＴのオフ時リーク電流も抑制
できるので書き込み後の画素電位の変動も小さくするこ
とができる。よって、表示品質が良好かつ信頼性の高い
液晶表示装置を実現することができる。

【００５８】ここで、一般にはＯＨ基の多い基板は熱処
理時に熱変形が生じやすい、と言われていた。確かに、
分子構造上、1000℃以上もの熱処理を施した場合には熱
変形が生じやすかった。しかしながら、 900℃程度以下
の熱処理プロセスの場合には、そのような熱変形はほと
んど実際上の問題は無いことも確認できた。

【００５９】ところで、本発明に係る電気絶縁性基板の
材料の組成として、ＯＨ基を 200ｐｐｍ以上としたの
は、前述したように、本発明に係る基板を用いて形成さ
れた液晶表示装置用のＴＦＴは、しきい値電圧を 1Ｖに
まで低下させることができるが、従来の基板を用いた場
合にはＴＦＴのしきい値電圧をせいぜい 7Ｖ程度にまで
しか低減できないので、従来の基板を用いた場合には、
液晶表示装置として好ましい駆動電圧として一般に採用
されている駆動電圧に対応できないためである。

【００６０】即ち、液晶表示装置の分野においては、一
般的な駆動電圧として信号側15Ｖ、走査側 6Ｖがサポー
トされており、しかも近年のさらなる液晶表示装置の小
型・薄型化および低消費電力化に対応するためには駆動
電圧のさらなる低電圧化が必要である。しかるに、従来
の基板を用いた場合には、ＴＦＴのしきい値は前記の図
２にも明らかなように 7Ｖよりも下げることはできず、
現在のＴＦＴのしきい値電圧にも合致しないだけでな
く、駆動電圧のさらなる低電圧化にも対応できないとい
う問題があった。しかし、本発明のようにＯＨ基の多い
基板を用いることにより、しきい値電圧も従来の 6Ｖ仕
様に適合できることは言うまでもなく、さらなる低電圧
化にも十分に対応することができ、上記のような従来の
問題はいずれも解消することができるのである。

【００６１】

【発明の効果】以上、詳細な説明で明示したように、本
発明によれば、特に移動度やしきい値特性が良好でかつ
信頼性の高い多結晶シリコン薄膜トランジスタ素子を備
えて、優れた表示性能を実現できる液晶表示装置を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】石英基板上に形成したｐ−ＳｉＴＦＴの構造の
概要を示す断面図である。

【図２】（１）本発明に係る基板１０１と（２）従来の
基板１０２との上にそれぞれ作成した薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）の動作特性のうち、水素化処理時間に依存し
て変化した移動度およびしきい値電圧の測定結果を示す
図である。

【図３】本発明の液晶表示装置の概要を示す図である。

【図４】一般的な水素化処理時の水素が基板を拡散して
行く拡散経路を示す図である。

【符号の説明】

１………石英基板２………活性層３………ゲート酸化膜４………ゲート電極５………第１層間絶縁膜６………金属配線７………ソース領域８………第２層間絶縁膜９………ドレイン領域１０………透明電極１１………ＴＦＴアレイ基板１２………対向基板１３………液晶層１４………封止材１５………外装アセンブリ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶駆動回路および画素部スイッチ素子
のうち少なくともいずれか一方を形成する素子として多
結晶シリコン薄膜トランジスタ素子と、前記画素部スイ
ッチ素子に接続されて電圧印加を制御される画素電極と
が、第１の電気絶縁性基板上に形成されたスイッチ素子
アレイ基板と、前記画素電極に間隙を有して対向配置さ
れる対向電極が第２の電気絶縁性基板上に形成されてお
り、前記スイッチ素子アレイ基板に対して前記間隙を保
持しつつ対向配置された対向基板と、前記間隙に封入・
挟持された液晶層とを有する液晶表示装置において、前記スイッチ素子アレイ基板の前記第１の電気絶縁性基
板が、シリコンと酸素を分子構造のネットワークの骨格
に有する材料で形成された電気絶縁性基板であって、該
電気絶縁性基板を形成している材質の分子構造がＯＨ基
を 200ｐｐｍ以上含んでいる電気絶縁性基板であること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】液晶駆動回路および画素部スイッチ素子
のうち少なくともいずれか一方を形成する素子として配
設された多結晶シリコン薄膜トランジスタ素子と、前記
画素部スイッチ素子に接続されて電圧印加を制御される
画素電極とが、第１の電気絶縁性基板上に形成されたス
イッチ素子アレイ基板と、前記画素電極に間隙を有して
対向配置される対向電極が第２の電気絶縁性基板上に形
成されており、前記スイッチ素子アレイ基板に対して前
記間隙を保持しつつ対向配置された対向基板と、前記間
隙に封入・挟持された液晶層とを有する液晶表示装置に
おいて、前記スイッチ素子アレイ基板の前記第１の電気絶縁性基
板が、シリコンと酸素を分子構造のネットワークの骨格
に有する材料で形成された電気絶縁性基板であって、該
電気絶縁性基板を形成している材質の分子構造がＯＨ基
を 200ｐｐｍ以上乃至1000ｐｐｍ以下含んでいる電気絶
縁性基板であることを特徴とする液晶表示装置。