JPH0740336A - ダイヤモンドの加工方法 - Google Patents
ダイヤモンドの加工方法Info
- Publication number
- JPH0740336A JPH0740336A JP5208711A JP20871193A JPH0740336A JP H0740336 A JPH0740336 A JP H0740336A JP 5208711 A JP5208711 A JP 5208711A JP 20871193 A JP20871193 A JP 20871193A JP H0740336 A JPH0740336 A JP H0740336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- light
- processing
- plasma
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 110
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 110
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 36
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 11
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤモンド本体になんら影響を与えること
なく、加工により除去された炭素等に由来するグラファ
イトや無定形炭素の付着を無くして、ダイヤモンドを高
速で高精度に加工でき、平滑な加工面を得ることのでき
るダイヤモンドの加工方法を提供する。 【構成】 酸素、水素、不活性ガス等の雰囲気ガスのプ
ラズマ8中で、ダイヤモンド1にレーザー光10のよう
な波長が190〜360nmの光を照射することによ
り、ダイヤモンド1を加工する。
なく、加工により除去された炭素等に由来するグラファ
イトや無定形炭素の付着を無くして、ダイヤモンドを高
速で高精度に加工でき、平滑な加工面を得ることのでき
るダイヤモンドの加工方法を提供する。 【構成】 酸素、水素、不活性ガス等の雰囲気ガスのプ
ラズマ8中で、ダイヤモンド1にレーザー光10のよう
な波長が190〜360nmの光を照射することによ
り、ダイヤモンド1を加工する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンドに光を照
射することにより切断あるいは表面の研削等を行う、ダ
イヤモンドの加工方法に関する。
射することにより切断あるいは表面の研削等を行う、ダ
イヤモンドの加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ダイヤモンドは全ての物質中で最も高い
硬度と熱伝導率を有する等、優れた特性を数多く有して
おり、これらの特性を利用して半導体装置のヒートシン
クや切削工具等の各種の工具類として広く使用されてい
る。ダイヤモンドをこれらの用途に使用する場合には、
所定の形状や表面状態に加工する必要があるが、ダイヤ
モンドは全ての物質中で硬度が最も高いので加工が非常
に困難である。
硬度と熱伝導率を有する等、優れた特性を数多く有して
おり、これらの特性を利用して半導体装置のヒートシン
クや切削工具等の各種の工具類として広く使用されてい
る。ダイヤモンドをこれらの用途に使用する場合には、
所定の形状や表面状態に加工する必要があるが、ダイヤ
モンドは全ての物質中で硬度が最も高いので加工が非常
に困難である。
【0003】従来、単結晶のダイヤモンドの加工に関し
ては、比較的加工し易い面方位及び方向がある程度把握
されており、その制限された範囲ではスカイフ研磨によ
り研削加工が行われている。しかし、多結晶ダイヤモン
ドの場合にはダイヤモンド粒子の面方位はあらゆる方向
を向いているため、スカイフ研磨によっても表面の平滑
化は難しかった。又、気相合成ダイヤモンドでは反りが
発生し易く、大面積のものでは反りが数十μmにも及ぶ
場合があるため、スカイフ研磨等の機械研磨では研磨時
の機械的圧力により割れが発生して研磨不可能なことが
あった。
ては、比較的加工し易い面方位及び方向がある程度把握
されており、その制限された範囲ではスカイフ研磨によ
り研削加工が行われている。しかし、多結晶ダイヤモン
ドの場合にはダイヤモンド粒子の面方位はあらゆる方向
を向いているため、スカイフ研磨によっても表面の平滑
化は難しかった。又、気相合成ダイヤモンドでは反りが
発生し易く、大面積のものでは反りが数十μmにも及ぶ
場合があるため、スカイフ研磨等の機械研磨では研磨時
の機械的圧力により割れが発生して研磨不可能なことが
あった。
【0004】しかも、スカイフ研磨は加工速度が1μm
/h程度と非常に遅く、加工効率が極めて悪いという欠
点があった。又、スカイフ研磨においては試料の固定方
法に難しさがあるため、形状が小さすぎたり不定形の場
合には作業性が悪く、時として加工が不可能な場合もあ
った。
/h程度と非常に遅く、加工効率が極めて悪いという欠
点があった。又、スカイフ研磨においては試料の固定方
法に難しさがあるため、形状が小さすぎたり不定形の場
合には作業性が悪く、時として加工が不可能な場合もあ
った。
【0005】一方、ダイヤモンドの切断加工に関して
は、導電性の焼結助剤を用いて焼結したダイヤモンド焼
結体の場合は、放電加工により切断が可能であった。し
かし、非導電性の焼結助剤を用いたダイヤモンド焼結体
や、単結晶ダイヤモンド及び気相合成ダイヤモンド等の
電気伝導性のないダイヤモンドには放電加工が使用でき
ない。そこでレーザーによる切断が考えられ、CO2レ
ーザー、COレーザー、YAGレーザーを用いた切断加
工が従来から実施されている。
は、導電性の焼結助剤を用いて焼結したダイヤモンド焼
結体の場合は、放電加工により切断が可能であった。し
かし、非導電性の焼結助剤を用いたダイヤモンド焼結体
や、単結晶ダイヤモンド及び気相合成ダイヤモンド等の
電気伝導性のないダイヤモンドには放電加工が使用でき
ない。そこでレーザーによる切断が考えられ、CO2レ
ーザー、COレーザー、YAGレーザーを用いた切断加
工が従来から実施されている。
【0006】しかし、これらのレーザーは波長が1μm
以上の赤外線を使用し、ダイヤモンドを加熱溶融させて
加工するため、熱により加工部周辺のダイヤモンドに劣
化が生じる欠点があった。又、ダイヤモンドの加熱溶融
により除去された炭素が加工面近くにグラファイトや無
定形炭素として堆積したり、レーザー光の照射により大
気中のCO2が分解して生成したすすの様な無定形炭素
がダイヤモンド表面に付着する欠点があった。
以上の赤外線を使用し、ダイヤモンドを加熱溶融させて
加工するため、熱により加工部周辺のダイヤモンドに劣
化が生じる欠点があった。又、ダイヤモンドの加熱溶融
により除去された炭素が加工面近くにグラファイトや無
定形炭素として堆積したり、レーザー光の照射により大
気中のCO2が分解して生成したすすの様な無定形炭素
がダイヤモンド表面に付着する欠点があった。
【0007】ダイヤモンドの加工面付近に付着堆積した
グラファイトや無定形炭素は、照射されるレーザー光を
吸収するので、エネルギー効率が低下して加工速度が非
常に遅くなり、更には加工面の形状に影響を与えて加工
精度を悪化させ、加工面の平滑度を低下させる。又、付
着したグラファイトや無定形炭素を除去するため、加工
後に機械的研削やレーザーによる蒸散あるいは酸による
エッチング処理等が必要であったり、低下した精度や平
滑度を向上させる目的で機械研磨による仕上げ加工が必
要であった。
グラファイトや無定形炭素は、照射されるレーザー光を
吸収するので、エネルギー効率が低下して加工速度が非
常に遅くなり、更には加工面の形状に影響を与えて加工
精度を悪化させ、加工面の平滑度を低下させる。又、付
着したグラファイトや無定形炭素を除去するため、加工
後に機械的研削やレーザーによる蒸散あるいは酸による
エッチング処理等が必要であったり、低下した精度や平
滑度を向上させる目的で機械研磨による仕上げ加工が必
要であった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
の事情に鑑み、光を照射してダイヤモンドを加工する方
法において、ダイヤモンド本体になんら影響を与えるこ
となく、加工により除去されたダイヤモンドの炭素等に
由来するグラファイトや無定形炭素の付着を無くして、
ダイヤモンドを高速で高精度に加工でき、平滑な加工面
を得ることのできるダイヤモンドの加工方法を提供する
ことを目的とする。
の事情に鑑み、光を照射してダイヤモンドを加工する方
法において、ダイヤモンド本体になんら影響を与えるこ
となく、加工により除去されたダイヤモンドの炭素等に
由来するグラファイトや無定形炭素の付着を無くして、
ダイヤモンドを高速で高精度に加工でき、平滑な加工面
を得ることのできるダイヤモンドの加工方法を提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明が提供するダイヤモンドの加工方法は、ダイ
ヤモンドに光を照射して加工する方法において、雰囲気
ガスのプラズマ中でダイヤモンドに波長が190〜36
0nmの光を照射することを特徴とする。
め、本発明が提供するダイヤモンドの加工方法は、ダイ
ヤモンドに光を照射して加工する方法において、雰囲気
ガスのプラズマ中でダイヤモンドに波長が190〜36
0nmの光を照射することを特徴とする。
【0010】
【作用】本発明者らは、波長が190〜360nmの光
(紫外光)を照射することにより、ダイヤモンドを構成
している炭素−炭素結合が影響を受け、ダイヤモンドが
分解されることを見いだし、この知見に基づいてダイヤ
モンドを加工する新しい方法を提案するものである。即
ち、上記波長の光を集光して高いエネルギー密度の光を
照射することにより、多光子吸収が起こり入射光の大部
分がダイヤモンド表面で吸収され、ダイヤモンドにダメ
ージを全く与えることなく、効率の良い加工を行うこと
ができる。
(紫外光)を照射することにより、ダイヤモンドを構成
している炭素−炭素結合が影響を受け、ダイヤモンドが
分解されることを見いだし、この知見に基づいてダイヤ
モンドを加工する新しい方法を提案するものである。即
ち、上記波長の光を集光して高いエネルギー密度の光を
照射することにより、多光子吸収が起こり入射光の大部
分がダイヤモンド表面で吸収され、ダイヤモンドにダメ
ージを全く与えることなく、効率の良い加工を行うこと
ができる。
【0011】上記波長の光によりダイヤモンドを加工し
得るのは、下記の理由によるものと考えられる。即ち、
ダイヤモンドによる光の吸収は、高純度のIIa型単結晶
ダイヤモンドの場合で図1に示す吸収曲線となる。図1
から解るように、ダイヤモンドによる光の吸収は、波長
が400nmから240nmの領域で短波長になるほど
徐々に増加し、220nm付近で急激に増加して完全に
吸収される。
得るのは、下記の理由によるものと考えられる。即ち、
ダイヤモンドによる光の吸収は、高純度のIIa型単結晶
ダイヤモンドの場合で図1に示す吸収曲線となる。図1
から解るように、ダイヤモンドによる光の吸収は、波長
が400nmから240nmの領域で短波長になるほど
徐々に増加し、220nm付近で急激に増加して完全に
吸収される。
【0012】この領域の光は紫外光であり、物質に吸収
されると主として化学結合の電子を励起させることが知
られている。特にダイヤモンドにおいては、波長が19
0〜360nmの範囲の光が炭素−炭素結合に大きな影
響を与え、しかも内部まで浸透せずに表面層でほぼ10
0%吸収されるため、光の照射された表面部分でのみダ
イヤモンドの分解が進み、高速で効率の良い加工が可能
になる。
されると主として化学結合の電子を励起させることが知
られている。特にダイヤモンドにおいては、波長が19
0〜360nmの範囲の光が炭素−炭素結合に大きな影
響を与え、しかも内部まで浸透せずに表面層でほぼ10
0%吸収されるため、光の照射された表面部分でのみダ
イヤモンドの分解が進み、高速で効率の良い加工が可能
になる。
【0013】しかしながら、上記の波長範囲の光を照射
してダイヤモンドの加工を行うと、従来の赤外線レーザ
ーによる加工の場合と同様に、ダイヤモンドから除去さ
れた炭素が加工面近くにグラファイトや無定形炭素とし
て堆積したり、光の照射により大気中のCO2が分解し
て生成したすすの様な無定形炭素がダイヤモンド表面に
付着することが避けられない。その結果、光のエネルギ
ー効率が低下して加工速度が遅くなったり、加工精度の
悪化や加工面の平滑度を低下させる等の不都合が認めら
れた。
してダイヤモンドの加工を行うと、従来の赤外線レーザ
ーによる加工の場合と同様に、ダイヤモンドから除去さ
れた炭素が加工面近くにグラファイトや無定形炭素とし
て堆積したり、光の照射により大気中のCO2が分解し
て生成したすすの様な無定形炭素がダイヤモンド表面に
付着することが避けられない。その結果、光のエネルギ
ー効率が低下して加工速度が遅くなったり、加工精度の
悪化や加工面の平滑度を低下させる等の不都合が認めら
れた。
【0014】このグラファイトや無定形炭素の付着堆積
による不都合を解消するため、鋭意研究の結果、雰囲気
ガスのプラズマ中で波長190〜360nmの光を照射
して加工することにより、ダイヤモンドから除去された
物質の飛行行程を延ばし、加工面の周辺に付着すること
を防止できることが判った。しかも、反応性の高いプラ
ズマを使用すれば、ダイヤモンドの表面でプラズマによ
るエッチング現象が起こるため、より高速の加工が可能
になることも確認された。
による不都合を解消するため、鋭意研究の結果、雰囲気
ガスのプラズマ中で波長190〜360nmの光を照射
して加工することにより、ダイヤモンドから除去された
物質の飛行行程を延ばし、加工面の周辺に付着すること
を防止できることが判った。しかも、反応性の高いプラ
ズマを使用すれば、ダイヤモンドの表面でプラズマによ
るエッチング現象が起こるため、より高速の加工が可能
になることも確認された。
【0015】具体的には、水素又は不活性ガスのプラズ
マを使用すれば、これらのプラズマによってグラファイ
トや無定形炭素は速やかにエッチングされ、ダイヤモン
ド表面に付着することなく除去される。これに対して上
記プラズマによるダイヤモンドのエッチング速度は極め
て遅いので、ダイヤモンドの加工は主に照射された光と
の反応によって進行する結果、非常に平滑な加工面が得
られる。尚、不活性ガスとしては、波長190〜360
nmの紫外域に吸収端を持たないHe、Ne、Ar、K
r、Xe等の不活性ガス、中でもAr又はHeが好まし
い。
マを使用すれば、これらのプラズマによってグラファイ
トや無定形炭素は速やかにエッチングされ、ダイヤモン
ド表面に付着することなく除去される。これに対して上
記プラズマによるダイヤモンドのエッチング速度は極め
て遅いので、ダイヤモンドの加工は主に照射された光と
の反応によって進行する結果、非常に平滑な加工面が得
られる。尚、不活性ガスとしては、波長190〜360
nmの紫外域に吸収端を持たないHe、Ne、Ar、K
r、Xe等の不活性ガス、中でもAr又はHeが好まし
い。
【0016】一方、酸素のプラズマを使用した場合に
は、このプラズマによってグラファイトや無定形炭素の
みならずダイヤモンドも高速でエッチングされる。従っ
て、酸素プラズマ中で上記光の照射によりダイヤモンド
を加工すると、グラファイトや無定形炭素の付着を防ぐ
と同時に、ダイヤモンドは照射された光との反応による
加工に加えて酸素プラズマによりエッチングされるの
で、他の雰囲気中での加工よりも非常に高速な加工が可
能となる。
は、このプラズマによってグラファイトや無定形炭素の
みならずダイヤモンドも高速でエッチングされる。従っ
て、酸素プラズマ中で上記光の照射によりダイヤモンド
を加工すると、グラファイトや無定形炭素の付着を防ぐ
と同時に、ダイヤモンドは照射された光との反応による
加工に加えて酸素プラズマによりエッチングされるの
で、他の雰囲気中での加工よりも非常に高速な加工が可
能となる。
【0017】しかしながら、酸素プラズマによるダイヤ
モンドのエッチング速度は酸素プラズマの濃度分布に鋭
敏に左右されるため、エッチング速度のばらつきで加工
面が粗れ易く、得られる加工面は水素又は不活性ガスの
プラズマの場合よりも平滑度において劣る。
モンドのエッチング速度は酸素プラズマの濃度分布に鋭
敏に左右されるため、エッチング速度のばらつきで加工
面が粗れ易く、得られる加工面は水素又は不活性ガスの
プラズマの場合よりも平滑度において劣る。
【0018】酸素プラズマによる加工面の粗れを防ぐた
めには、酸素に不活性ガスを混合してプラズマ化させ、
この混合ガスのプラズマ中で加工することが有効であ
り、高い加工速度で平滑度の高い加工面を得ることがで
きる。この場合、加工速度及び加工面の平滑度は混合ガ
ス中の酸素濃度に依存し、酸素濃度が高くなるほど加工
速度も速くなるが加工面の平滑度は低下する。望ましい
加工面の平滑度を得るためには、酸素濃度を20体積%
以下とすることが好ましい。
めには、酸素に不活性ガスを混合してプラズマ化させ、
この混合ガスのプラズマ中で加工することが有効であ
り、高い加工速度で平滑度の高い加工面を得ることがで
きる。この場合、加工速度及び加工面の平滑度は混合ガ
ス中の酸素濃度に依存し、酸素濃度が高くなるほど加工
速度も速くなるが加工面の平滑度は低下する。望ましい
加工面の平滑度を得るためには、酸素濃度を20体積%
以下とすることが好ましい。
【0019】光源は波長190〜360nmの紫外域の
光を照射できるものであれば良く、例えばArF、Kr
Cl、KrF、XeCl、N2、XeF等の固有の発振
波長を持つエキシマレーザーのようなレーザー、あるい
は上記紫外域を含む連続した波長帯を持つ水銀灯等を使
用することができる。水銀灯のような連続した波長帯を
持つ光源の場合は、そのまま連続波長帯の光を使用して
も良いが、光学フィルター等により波長帯域を狭帯域化
することが好ましい。尚、ArFエキシマレーザーは酸
素の吸収によるエネルギーの減衰が考えられるので、酸
素を含むプラズマ中での使用は避けることが望ましい。
光を照射できるものであれば良く、例えばArF、Kr
Cl、KrF、XeCl、N2、XeF等の固有の発振
波長を持つエキシマレーザーのようなレーザー、あるい
は上記紫外域を含む連続した波長帯を持つ水銀灯等を使
用することができる。水銀灯のような連続した波長帯を
持つ光源の場合は、そのまま連続波長帯の光を使用して
も良いが、光学フィルター等により波長帯域を狭帯域化
することが好ましい。尚、ArFエキシマレーザーは酸
素の吸収によるエネルギーの減衰が考えられるので、酸
素を含むプラズマ中での使用は避けることが望ましい。
【0020】照射する光のエネルギー密度は、小さ過ぎ
るとダイヤモンドが分解されず、逆に大きすぎると加工
面以外を劣化させるので、10〜1011W/cm2の範
囲が好ましい。パルスレーザー光を用いる場合には、1
パルス当たりのエネルギーの密度が10-1〜106J/
cm2の範囲が好ましい。上記の範囲内では、エネルギ
ー密度が高いほど加工速度が高くなる傾向があるので、
高エネルギーを発生できる装置を用いることが好まし
い。又、パルスレーザー光を用いる場合には、加工速度
はパルスの繰り返し周波数に比例して増加するので、装
置としては高繰り返しのレーザー発振器を使用すること
が好ましい。
るとダイヤモンドが分解されず、逆に大きすぎると加工
面以外を劣化させるので、10〜1011W/cm2の範
囲が好ましい。パルスレーザー光を用いる場合には、1
パルス当たりのエネルギーの密度が10-1〜106J/
cm2の範囲が好ましい。上記の範囲内では、エネルギ
ー密度が高いほど加工速度が高くなる傾向があるので、
高エネルギーを発生できる装置を用いることが好まし
い。又、パルスレーザー光を用いる場合には、加工速度
はパルスの繰り返し周波数に比例して増加するので、装
置としては高繰り返しのレーザー発振器を使用すること
が好ましい。
【0021】レーザー光はビーム内のエネルギー分布が
不均一であり、一般的にはこれが加工面の平滑さや精度
を低下させる原因となり得る。エネルギー分布を均質に
補正するビームホモジナイザー等も市販されているが、
これらの装置はビームのエネルギーを6割程度に減衰さ
せるためエネルギー効率が低下する欠点がある。しか
し、本発明のダイヤモンドの加工方法においては、レー
ザー光を円筒型レンズ又は円筒型ミラーにより線状に集
光して照射すれば、特にエネルギーの均質化を行わなく
ても、ビーム内のエネルギー分布と無関係に平滑な加工
面を得ることができる。
不均一であり、一般的にはこれが加工面の平滑さや精度
を低下させる原因となり得る。エネルギー分布を均質に
補正するビームホモジナイザー等も市販されているが、
これらの装置はビームのエネルギーを6割程度に減衰さ
せるためエネルギー効率が低下する欠点がある。しか
し、本発明のダイヤモンドの加工方法においては、レー
ザー光を円筒型レンズ又は円筒型ミラーにより線状に集
光して照射すれば、特にエネルギーの均質化を行わなく
ても、ビーム内のエネルギー分布と無関係に平滑な加工
面を得ることができる。
【0022】円筒型レンズ又は円筒型ミラーでレーザー
光を集光する場合、レーザー発振器から発振されるレー
ザー光の広がり角度を5×10-1mrad以下と小さく
することで、レンズによる集光性を高めることが可能と
なるので、加工面のシャープさ及び平滑さの点で有利で
ある。更に精密な加工を要する場合には波長の狭帯域化
が有効であり、その場合には波長のバンド幅の半価幅を
10-4〜10-1nmの範囲とすることが好ましい。狭帯
域化の方法としては、エタロンを使用する方法とインジ
ェクションロック方式とがある。
光を集光する場合、レーザー発振器から発振されるレー
ザー光の広がり角度を5×10-1mrad以下と小さく
することで、レンズによる集光性を高めることが可能と
なるので、加工面のシャープさ及び平滑さの点で有利で
ある。更に精密な加工を要する場合には波長の狭帯域化
が有効であり、その場合には波長のバンド幅の半価幅を
10-4〜10-1nmの範囲とすることが好ましい。狭帯
域化の方法としては、エタロンを使用する方法とインジ
ェクションロック方式とがある。
【0023】
【実施例】実施例1 気相合成法により基板上に形成したダイヤモンド膜を、
図2及び図3に示す装置により水素プラズマ中にてエキ
シマレーザーを照射することにより加工した。即ち、表
面粗さRaが3μmであり、大きさが10mm角で厚さ
が350μmの板状のダイヤモンド1を支持台2に保持
し、反応室となる石英管3内に支持した後、石英管3内
に水素ガスを供給した。
図2及び図3に示す装置により水素プラズマ中にてエキ
シマレーザーを照射することにより加工した。即ち、表
面粗さRaが3μmであり、大きさが10mm角で厚さ
が350μmの板状のダイヤモンド1を支持台2に保持
し、反応室となる石英管3内に支持した後、石英管3内
に水素ガスを供給した。
【0024】次に、図2のプラズマ発生装置により、マ
グネトロン4から2450MHzのマイクロ波を発振さ
せ、導波管5を通して石英管3を挟んで設けた共振器6
に導き、プランジャー7で定在波の発生を制御しながら
石英管3内のダイヤモンド1の表面に水素のプラズマ8
を発生させた。この時、石英管3内の圧力は50Tor
r、及びマイクロ波の出力は500Wとした。
グネトロン4から2450MHzのマイクロ波を発振さ
せ、導波管5を通して石英管3を挟んで設けた共振器6
に導き、プランジャー7で定在波の発生を制御しながら
石英管3内のダイヤモンド1の表面に水素のプラズマ8
を発生させた。この時、石英管3内の圧力は50Tor
r、及びマイクロ波の出力は500Wとした。
【0025】この状態で、図3のレーザー光照射装置を
用いて、レーザー発振器9から248nmの発振波長を
有するKrFエキシマレーザーのレーザー光10を発振
させ、このレーザー光10をマスク11で絞った後、誘
電体多層ミラーからなる反射ミラー12及び合成石英の
凸型レンズからなる円筒型レンズ13を通して長さ10
mm幅100μmの線状に集光し、石英管3の石英窓1
4を通して水素のプラズマ8中でダイヤモンド1の表面
に照射した。照射したレーザー光10のエネルギー密度
は7J/cm2、及びパルスの繰り返しは100Hzと
した。
用いて、レーザー発振器9から248nmの発振波長を
有するKrFエキシマレーザーのレーザー光10を発振
させ、このレーザー光10をマスク11で絞った後、誘
電体多層ミラーからなる反射ミラー12及び合成石英の
凸型レンズからなる円筒型レンズ13を通して長さ10
mm幅100μmの線状に集光し、石英管3の石英窓1
4を通して水素のプラズマ8中でダイヤモンド1の表面
に照射した。照射したレーザー光10のエネルギー密度
は7J/cm2、及びパルスの繰り返しは100Hzと
した。
【0026】レーザー光10は、反射ミラー12の角度
及び円筒型レンズ13の位置をそれぞれ図3の矢印方向
に連動して移動させることにより、ダイヤモンド1の表
面に1mm/分の速度で4回走査させた。即ち、長さ1
0mm幅100μmの線状に集光したレーザー光10で
ダイヤモンド1の10mmの左右長さ方向を加工しなが
ら、1mm/分の速度でその直角方向に4回走査させる
ことにより、ダイヤモンド1の表面を除去した。
及び円筒型レンズ13の位置をそれぞれ図3の矢印方向
に連動して移動させることにより、ダイヤモンド1の表
面に1mm/分の速度で4回走査させた。即ち、長さ1
0mm幅100μmの線状に集光したレーザー光10で
ダイヤモンド1の10mmの左右長さ方向を加工しなが
ら、1mm/分の速度でその直角方向に4回走査させる
ことにより、ダイヤモンド1の表面を除去した。
【0027】加工後、ダイヤモンド1の厚さを測定した
ところ200μmになっており、その表面粗さRaは
0.1μmに平滑化されていた。又、得られたダイヤモ
ンド1の加工面は、仕上げ研磨や表面処理を行わなくて
もラマン分光分析に供することができ、ラマン散乱によ
るスペクトルの観察により1333cm-1にダイヤモン
ド特有のシャープなピークが認められた。
ところ200μmになっており、その表面粗さRaは
0.1μmに平滑化されていた。又、得られたダイヤモ
ンド1の加工面は、仕上げ研磨や表面処理を行わなくて
もラマン分光分析に供することができ、ラマン散乱によ
るスペクトルの観察により1333cm-1にダイヤモン
ド特有のシャープなピークが認められた。
【0028】実施例2 気相合成法により基板上に形成したダイヤモンド膜を、
実施例1と同様の装置を用いて、酸素プラズマ中でエキ
シマレーザーを照射することにより加工した。即ち、表
面粗さRaが5μmであり、大きさが25mm角で厚さ
が500μmの板状のダイヤモンドを石英管内に支持
し、石英管内に供給した酸素ガスにマイクロ波を導入し
て酸素のプラズマを発生させた。この時、石英管内の圧
力は50Torr、及びマイクロ波の出力は500Wと
した。
実施例1と同様の装置を用いて、酸素プラズマ中でエキ
シマレーザーを照射することにより加工した。即ち、表
面粗さRaが5μmであり、大きさが25mm角で厚さ
が500μmの板状のダイヤモンドを石英管内に支持
し、石英管内に供給した酸素ガスにマイクロ波を導入し
て酸素のプラズマを発生させた。この時、石英管内の圧
力は50Torr、及びマイクロ波の出力は500Wと
した。
【0029】エキシマレーザーには308nmの発振波
長を有するXeClエキシマレーザーを使用し、このレ
ーザー光を実施例1と同様にして長さ25mm幅100
μmの線状に集光して石英管内に導き、酸素のプラズマ
中でダイヤモンドの表面に照射した。照射したレーザー
光のエネルギー密度は7J/cm2、及びパルスの繰り
返しは100Hzとした。レーザー光は、反射ミラーの
角度及び円筒型レンズの位置を連動して移動させること
により、実施例1と同様にダイヤモンドの表面に2mm
/分の速度で4回走査させた。
長を有するXeClエキシマレーザーを使用し、このレ
ーザー光を実施例1と同様にして長さ25mm幅100
μmの線状に集光して石英管内に導き、酸素のプラズマ
中でダイヤモンドの表面に照射した。照射したレーザー
光のエネルギー密度は7J/cm2、及びパルスの繰り
返しは100Hzとした。レーザー光は、反射ミラーの
角度及び円筒型レンズの位置を連動して移動させること
により、実施例1と同様にダイヤモンドの表面に2mm
/分の速度で4回走査させた。
【0030】加工後、ダイヤモンドの厚さを測定したと
ころ280μmになっており、その表面粗さRaは0.
3μmまで平滑化されていた。又、得られたダイヤモン
ドの加工面は、仕上げ研磨や表面処理を行わなくてもラ
マン分光分析に供することができ、ラマン散乱によるス
ペクトルの観察により1333cm-1にダイヤモンド特
有のシャープなピークが認められた。
ころ280μmになっており、その表面粗さRaは0.
3μmまで平滑化されていた。又、得られたダイヤモン
ドの加工面は、仕上げ研磨や表面処理を行わなくてもラ
マン分光分析に供することができ、ラマン散乱によるス
ペクトルの観察により1333cm-1にダイヤモンド特
有のシャープなピークが認められた。
【0031】比較のため、表面粗さRaが4μmであ
り、大きさが25mm角で厚さが350μmの板状のダ
イヤモンドを、酸素ガスを吹き付けながらXeClエキ
シマレーザーを照射して加工した。レーザー光は図3の
装置と同じマスク、反射ミラー及び円筒型レンズを用い
て集光し、実施例1と同様に2mm/分の速度で4回走
査させた。レーザー光のエネルギー密度は10J/cm
2、及びパルスの繰り返しは100Hzとした。加工後
のダイヤモンドの厚さは200μm、その表面粗さRa
は0.5μmであった。
り、大きさが25mm角で厚さが350μmの板状のダ
イヤモンドを、酸素ガスを吹き付けながらXeClエキ
シマレーザーを照射して加工した。レーザー光は図3の
装置と同じマスク、反射ミラー及び円筒型レンズを用い
て集光し、実施例1と同様に2mm/分の速度で4回走
査させた。レーザー光のエネルギー密度は10J/cm
2、及びパルスの繰り返しは100Hzとした。加工後
のダイヤモンドの厚さは200μm、その表面粗さRa
は0.5μmであった。
【0032】実施例3 気相合成法により基板上に形成したダイヤモンド膜を、
実施例1と同様の装置を用いて、Arプラズマ中でエキ
シマレーザーを照射することにより加工した。即ち、表
面粗さRaが2.7μmであり、大きさが25mm角で
厚さが350μmの板状のダイヤモンドを石英管内に支
持し、石英管内に供給したArガスにマイクロ波を導入
してArのプラズマを発生させた。この時、石英管内の
圧力は50Torr、及びマイクロ波の出力は500W
とした。
実施例1と同様の装置を用いて、Arプラズマ中でエキ
シマレーザーを照射することにより加工した。即ち、表
面粗さRaが2.7μmであり、大きさが25mm角で
厚さが350μmの板状のダイヤモンドを石英管内に支
持し、石英管内に供給したArガスにマイクロ波を導入
してArのプラズマを発生させた。この時、石英管内の
圧力は50Torr、及びマイクロ波の出力は500W
とした。
【0033】エキシマレーザーには193nmの発振波
長を有するArFエキシマレーザーを使用し、このレー
ザー光を実施例1と同様にして長さ25mm幅100μ
mの線状に集光して石英管内に導き、Arのプラズマ中
でダイヤモンドの表面に照射した。照射したレーザー光
のエネルギー密度は10J/cm2、及びパルスの繰り
返しは100Hzとした。レーザー光は、反射ミラーの
角度及び円筒型レンズの位置を連動して移動させること
により、実施例1と同様にダイヤモンドの表面に2mm
/分の速度で4回走査させた。
長を有するArFエキシマレーザーを使用し、このレー
ザー光を実施例1と同様にして長さ25mm幅100μ
mの線状に集光して石英管内に導き、Arのプラズマ中
でダイヤモンドの表面に照射した。照射したレーザー光
のエネルギー密度は10J/cm2、及びパルスの繰り
返しは100Hzとした。レーザー光は、反射ミラーの
角度及び円筒型レンズの位置を連動して移動させること
により、実施例1と同様にダイヤモンドの表面に2mm
/分の速度で4回走査させた。
【0034】加工後、ダイヤモンドの厚さを測定したと
ころ200μmになっており、その表面粗さRaは0.
1μmまで平滑化されていた。又、得られたダイヤモン
ドの加工面は、仕上げ研磨や表面処理を行わなくてもラ
マン分光分析に供することができ、ラマン散乱によるス
ペクトルの観察により1333cm-1にダイヤモンド特
有のシャープなピークが認められた。
ころ200μmになっており、その表面粗さRaは0.
1μmまで平滑化されていた。又、得られたダイヤモン
ドの加工面は、仕上げ研磨や表面処理を行わなくてもラ
マン分光分析に供することができ、ラマン散乱によるス
ペクトルの観察により1333cm-1にダイヤモンド特
有のシャープなピークが認められた。
【0035】実施例4 気相合成法により基板上に形成したダイヤモンド膜を、
実施例1と同様の装置を用いて、Arと5体積%の酸素
の混合ガスのプラズマ中でエキシマレーザーを照射する
ことにより加工した。即ち、表面粗さRaが3μmであ
り、大きさが10mm角で厚さが400μmの板状のダ
イヤモンドを石英管内に支持し、石英管内に供給した混
合ガスにマイクロ波を導入してArと酸素の混合ガスプ
ラズマを発生させた。この時、石英管内の圧力は50T
orr、及びマイクロ波の出力は500Wとした。
実施例1と同様の装置を用いて、Arと5体積%の酸素
の混合ガスのプラズマ中でエキシマレーザーを照射する
ことにより加工した。即ち、表面粗さRaが3μmであ
り、大きさが10mm角で厚さが400μmの板状のダ
イヤモンドを石英管内に支持し、石英管内に供給した混
合ガスにマイクロ波を導入してArと酸素の混合ガスプ
ラズマを発生させた。この時、石英管内の圧力は50T
orr、及びマイクロ波の出力は500Wとした。
【0036】エキシマレーザーには308nmの発振波
長を有するXeClエキシマレーザーを使用した。この
レーザー光を実施例1と同様にして長さ10mm幅10
0μmの線状に集光して石英管内に導き、Arと酸素の
混合ガスプラズマ中でダイヤモンドの表面に照射した。
照射したレーザー光のエネルギー密度は20J/c
m2、及びパルスの繰り返しは100Hzとした。レー
ザー光は、反射ミラーの角度及び円筒型レンズの位置を
連動して移動させることにより、実施例1と同様にダイ
ヤモンドの表面に2mm/分の速度で4回走査させた。
長を有するXeClエキシマレーザーを使用した。この
レーザー光を実施例1と同様にして長さ10mm幅10
0μmの線状に集光して石英管内に導き、Arと酸素の
混合ガスプラズマ中でダイヤモンドの表面に照射した。
照射したレーザー光のエネルギー密度は20J/c
m2、及びパルスの繰り返しは100Hzとした。レー
ザー光は、反射ミラーの角度及び円筒型レンズの位置を
連動して移動させることにより、実施例1と同様にダイ
ヤモンドの表面に2mm/分の速度で4回走査させた。
【0037】加工後、ダイヤモンドの厚さを測定したと
ころ200μmになっており、その表面粗さRaは0.
2μmまで平滑化されていた。又、得られたダイヤモン
ドの加工面は、仕上げ研磨や表面処理を行わなくてもラ
マン分光分析に供することができ、ラマン散乱によるス
ペクトルの観察により1333cm-1にダイヤモンド特
有のシャープなピークが認められた。
ころ200μmになっており、その表面粗さRaは0.
2μmまで平滑化されていた。又、得られたダイヤモン
ドの加工面は、仕上げ研磨や表面処理を行わなくてもラ
マン分光分析に供することができ、ラマン散乱によるス
ペクトルの観察により1333cm-1にダイヤモンド特
有のシャープなピークが認められた。
【0038】実施例5 単結晶Ib型ダイヤモンドを、実施例1と同様の装置を
用いて、Arと酸素の混合ガスプラズマ中でエキシマレ
ーザーを照射することにより切断した。即ち、大きさが
5mm角で厚さが1mmの単結晶Ib型ダイヤモンドを
石英管内に支持し、石英管内にArと酸素の混合ガスを
圧力50Torrにて供給し、出力500Wのマイクロ
波を導入してプラズマを発生させた。
用いて、Arと酸素の混合ガスプラズマ中でエキシマレ
ーザーを照射することにより切断した。即ち、大きさが
5mm角で厚さが1mmの単結晶Ib型ダイヤモンドを
石英管内に支持し、石英管内にArと酸素の混合ガスを
圧力50Torrにて供給し、出力500Wのマイクロ
波を導入してプラズマを発生させた。
【0039】エキシマレーザーには193nmの発振波
長を有するArFエキシマレーザーを使用し、不安定共
振器とインジェクションロック機構を備えることにより
レーザー光の平行性を高め且つ発振波長を狭帯域化させ
た。このレーザー光を実施例1と同様にして長さ5mm
で幅10μmの線状に集光して石英管内に導き、Arと
酸素の混合ガスプラズマ中でダイヤモンドの表面に照射
した。照射したレーザー光のエネルギー密度は100J
/cm2、及びパルスの繰り返しは100Hzとした。
長を有するArFエキシマレーザーを使用し、不安定共
振器とインジェクションロック機構を備えることにより
レーザー光の平行性を高め且つ発振波長を狭帯域化させ
た。このレーザー光を実施例1と同様にして長さ5mm
で幅10μmの線状に集光して石英管内に導き、Arと
酸素の混合ガスプラズマ中でダイヤモンドの表面に照射
した。照射したレーザー光のエネルギー密度は100J
/cm2、及びパルスの繰り返しは100Hzとした。
【0040】この様にして、ダイヤモンド表面の法線方
向に平行にレーザー光を約150秒間照射することによ
り、上記の単結晶Ib型ダイヤモンドを切断することが
できた。得られた切断面は非常に平滑であり、表面粗さ
Raは0.2μmであった。
向に平行にレーザー光を約150秒間照射することによ
り、上記の単結晶Ib型ダイヤモンドを切断することが
できた。得られた切断面は非常に平滑であり、表面粗さ
Raは0.2μmであった。
【0041】
【発明の効果】本発明によれば、光を照射してダイヤモ
ンドを加工する方法において、ダイヤモンド本体になん
ら影響を与えることなく、しかもグラファイトや無定形
炭素のダイヤモンドへの付着を防止しながら、ダイヤモ
ンドの切断や表面の研削を高速で実施することができ、
高精度で平滑化された加工面を得ることができる。
ンドを加工する方法において、ダイヤモンド本体になん
ら影響を与えることなく、しかもグラファイトや無定形
炭素のダイヤモンドへの付着を防止しながら、ダイヤモ
ンドの切断や表面の研削を高速で実施することができ、
高精度で平滑化された加工面を得ることができる。
【0042】従って、本発明のダイヤモンドの加工方法
は、ダイヤモンドの高硬度及び比較的弱い耐酸化性のた
め、従来は加工が困難であったり又は加工コストが非常
に高くなっていた分野に極めて有用である。
は、ダイヤモンドの高硬度及び比較的弱い耐酸化性のた
め、従来は加工が困難であったり又は加工コストが非常
に高くなっていた分野に極めて有用である。
【図1】IIa型単結晶ダイヤモンドの吸収曲線である。
【図2】本発明方法を実施するための装置の一具体例
で、プラズマ発生装置を含む部分を示す概略の側面図で
ある。
で、プラズマ発生装置を含む部分を示す概略の側面図で
ある。
【図3】本発明方法を実施するための装置の一具体例
で、レーザー光照射装置を含む部分を示す概略の側面図
である。
で、レーザー光照射装置を含む部分を示す概略の側面図
である。
1 ダイヤモンド 2 支持台 3 石英管 4 マグネトロン 5 導波管 6 共振器 7 プランジャー 8 プラズマ 9 レーザー発振器 10 レーザー光 11 マスク 12 反射ミラー 13 円筒型レンズ 14 石英窓
Claims (4)
- 【請求項1】 ダイヤモンドに光を照射して加工する方
法において、雰囲気ガスのプラズマ中でダイヤモンドに
波長が190〜360nmの光を照射することを特徴と
するダイヤモンドの加工方法。 - 【請求項2】 水素又は不活性ガスのプラズマ中で光を
照射し、平滑な加工面を得ることを特徴とする、請求項
1に記載のダイヤモンドの加工方法。 - 【請求項3】 酸素のプラズマ中で光を照射し、高速で
ダイヤモンドを加工することを特徴とする、請求項1に
記載のダイヤモンドの加工方法。 - 【請求項4】 不活性ガスと20体積%以下の酸素ガス
との混合ガスのプラズマ中で光を照射することを特徴と
する、請求項1に記載のダイヤモンドの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5208711A JPH0740336A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | ダイヤモンドの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5208711A JPH0740336A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | ダイヤモンドの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0740336A true JPH0740336A (ja) | 1995-02-10 |
Family
ID=16560821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5208711A Pending JPH0740336A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | ダイヤモンドの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740336A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0859409A3 (en) * | 1997-02-14 | 1999-01-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing diamond heat sink |
| US6992026B2 (en) | 2000-09-13 | 2006-01-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| JP2009500667A (ja) * | 2005-07-08 | 2009-01-08 | エレメント シックス リミテッド | 凸面を有する単結晶ダイヤモンド素子及びその加工方法 |
| US7566635B2 (en) | 2002-03-12 | 2009-07-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US7605344B2 (en) | 2003-07-18 | 2009-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product |
| US8058103B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
| US9511449B2 (en) | 2004-01-09 | 2016-12-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and device |
| JP2020531407A (ja) * | 2017-08-22 | 2020-11-05 | ダイアムテック リミテッド | ダイヤモンドバルクから所定の構造を生成するためのシステムおよび方法 |
| KR20210027441A (ko) | 2018-08-01 | 2021-03-10 | 고쿠리쓰다이가쿠호진 규슈다이가쿠 | 다이아몬드 평활화 방법 |
| CN113215554A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-08-06 | 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心) | 基于氢离子刻蚀反应辅助激光刻蚀的金刚石微加工方法 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5208711A patent/JPH0740336A/ja active Pending
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6007730A (en) * | 1997-02-14 | 1999-12-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing diamond heat sink |
| EP0859409A3 (en) * | 1997-02-14 | 1999-01-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing diamond heat sink |
| US8937264B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US6992026B2 (en) | 2000-09-13 | 2006-01-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US7396742B2 (en) | 2000-09-13 | 2008-07-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method for cutting a wafer-like object by using a laser to form modified regions within the object |
| US10796959B2 (en) | 2000-09-13 | 2020-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US9837315B2 (en) | 2000-09-13 | 2017-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8946591B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method |
| US8946592B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US9543256B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9711405B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-07-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US11424162B2 (en) | 2002-03-12 | 2022-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10622255B2 (en) | 2002-03-12 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10068801B2 (en) | 2002-03-12 | 2018-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9142458B2 (en) | 2002-03-12 | 2015-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9287177B2 (en) | 2002-03-12 | 2016-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US7566635B2 (en) | 2002-03-12 | 2009-07-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9553023B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9543207B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9548246B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
| US8852698B2 (en) | 2003-07-18 | 2014-10-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product |
| US7605344B2 (en) | 2003-07-18 | 2009-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product |
| US8058103B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
| US11241757B2 (en) | 2004-01-09 | 2022-02-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and device |
| US9511449B2 (en) | 2004-01-09 | 2016-12-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and device |
| US10293433B2 (en) | 2004-01-09 | 2019-05-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and device |
| JP2009500667A (ja) * | 2005-07-08 | 2009-01-08 | エレメント シックス リミテッド | 凸面を有する単結晶ダイヤモンド素子及びその加工方法 |
| US8309205B2 (en) | 2005-07-08 | 2012-11-13 | Element Six Limited | Single crystal diamond elements having convex surfaces and methods of its fabrication |
| JP2020531407A (ja) * | 2017-08-22 | 2020-11-05 | ダイアムテック リミテッド | ダイヤモンドバルクから所定の構造を生成するためのシステムおよび方法 |
| US11559858B2 (en) | 2017-08-22 | 2023-01-24 | Diamtech Ltd. | System and method for creation of a predetermined structure from a diamond bulk |
| KR20210027441A (ko) | 2018-08-01 | 2021-03-10 | 고쿠리쓰다이가쿠호진 규슈다이가쿠 | 다이아몬드 평활화 방법 |
| CN112513345A (zh) * | 2018-08-01 | 2021-03-16 | 国立大学法人九州大学 | 金刚石平滑化方法 |
| US11986905B2 (en) | 2018-08-01 | 2024-05-21 | Kyushu University, National University Corporation | Diamond smoothing method |
| CN113215554A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-08-06 | 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心) | 基于氢离子刻蚀反应辅助激光刻蚀的金刚石微加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0567129B1 (en) | Method of working diamond | |
| US5669979A (en) | Photoreactive surface processing | |
| JP3530114B2 (ja) | 単結晶の切断方法 | |
| KR20030045082A (ko) | 레이저 제거 방법을 이용한 박막의 증착 | |
| JPH0740336A (ja) | ダイヤモンドの加工方法 | |
| Windholz et al. | Nanosecond pulsed excimer laser machining of chemical vapour deposited diamond and highly oriented pyrolytic graphite: Part I An experimental investigation | |
| EP3291279B1 (en) | Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy | |
| EP0571914B1 (en) | Method to work cubic boron nitride article | |
| US20020145235A1 (en) | Process and apparatus for sequential multi-beam laser processing of materials | |
| JPH11207478A (ja) | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
| JP2002184724A (ja) | シリコンインゴット切断装置、シリコンインゴットの切断方法、及びシリコンウェハ | |
| JP2682230B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
| Gorbunov et al. | Carbon films deposited from UV laser plasma | |
| US20020069966A1 (en) | Scanning plasma reactor | |
| JPH0741387A (ja) | ダイヤモンドの加工方法 | |
| JPH06316406A (ja) | ダイヤモンドの加工方法 | |
| JP2000103607A (ja) | 励起窒素発生装置及び方法 | |
| Toenshoff et al. | Absorption behavior of ceramic materials irradiated with excimer lasers | |
| JP2009141825A (ja) | 大気圧プラズマを用いた水晶振動子の周波数調整方法及びそれに用いる装置 | |
| EP0669298A1 (en) | Method of working silicon nitride ceramics | |
| Ralchenko et al. | Processing of CVD diamond with UV and green lasers | |
| JP2004160478A (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 | |
| KR100359136B1 (ko) | 레이저 애블레이션법과 고전압 방전 플라즈마 cvd법의 혼합 방식에 의한 다이아몬드 박막과 벌크의 형성 방법 | |
| JPH07284967A (ja) | 窒化ケイ素セラミックスの加工方法 | |
| JPH1160376A (ja) | ダイヤモンドの加工方法および装置 |