TWI702457B - 反射式主動元件陣列基板及其製作方法與反射式顯示裝置及其製作方法 - Google Patents
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Abstract
一種反射式主動元件陣列基板，包括基板、多個主動元件、保護層以及多個金屬氧化物導體層。主動元件分散地配置於基板上。保護層配置於基板上且覆蓋主動元件。保護層具有多個開口，且每一開口分別暴露出相對應的主動元件的源極或汲極。金屬氧化物導體層配置於基板上且覆蓋保護層。每一金屬氧化物導體層透過對應的開口與相對應的主動元件的源極或汲極電性連接。
Description
本發明是有關於一種基板及其製作方法，且特別是有關於一種反射式主動元件陣列基板及其製作方法與採用此反射式主動元件陣列基板的反射式顯示裝置及其製作方法。
電泳式顯示裝置多為反射式顯示裝置，利用其內部的電泳粒子反射外界光束，進而達到顯示畫面的目的。目前，電泳式顯示裝置的主動元件陣列基板大都使用不透光的金屬材質作為導電電極。金屬材質的導電電極除了導電的效果之外，亦可遮光以避免主動元件因照光而有光電效應發生。然而，當顯示介質層發生破洞時，金屬材料的導電電極會直接反射光線，造成觀看者會看到明顯亮點，進而影響產品品質。
本發明提供一種反射式主動元件陣列基板，以金屬氧化物導體層取代習知的金屬材質的導電電極，具有較低的光反射率，可減少外界光線反射。
本發明提供一種反射式主動元件陣列基板的製作方法，用以製作上述的反射式主動元件陣列基板。
本發明提供一種反射式顯示裝置，包括上述的反射式主動元件陣列基板，具有較佳的顯示品質。
本發明提供一種反射式顯示裝置的製作方法，用以製作上述的反射式顯示裝置。
本發明的反射式主動元件陣列基板，其包括基板、多個主動元件、保護層以及多個金屬氧化物導體層。主動元件分散地配置於基板上。保護層配置於基板上且覆蓋主動元件。保護層具有多個開口，且每一開口分別暴露出相對應的主動元件的源極或汲極。金屬氧化物導體層配置於基板上且覆蓋保護層。每一金屬氧化物導體層透過對應的每一開口與相對應的每一主動元件的源極或汲極電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的每一金屬氧化物導體層的材質包括氧化鉬、氧化鉬鈮、氧化鉭或氧化鋁。
在本發明的一實施例中，上述的每一主動元件包括閘極、半導體通道層、閘絕緣層以及源極與汲極。閘極配置於基板上。閘絕緣層覆蓋閘極且位於閘極與半導體通道層之間。源極與汲極配置於半導體通道層的同一側，且暴露出部分的半導體通道層。
本發明的反射式主動元件陣列基板的製作方法，其包括以下步驟。提供一陣列基板。陣列基板包括基板、多個主動元件以及保護層。主動元件分散地形成在基板上，而保護層形成在基板上且覆蓋主動元件。保護層具有多個開口，而每一開口分別暴露出相對應的每一主動元件的源極或汲極。將陣列基板移至反應腔室內，其中反應腔室設置有金屬靶材。將反應氣體通入反應腔室，以與金屬靶材進行化學反應，而在陣列基板上形成多個金屬氧化物導體層。金屬氧化物導體層覆蓋保護層，且每一金屬氧化物導體層透過對應的每一開口與相對應的每一主動元件的源極或汲極電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的金屬靶材包括鉬、鉬鈮、鉭或鋁，而反應氣體包括氧。
在本發明的一實施例中，上述的每一主動元件包括閘極、半導體通道層、閘絕緣層以及源極與汲極。閘極配置於基板上。閘絕緣層覆蓋閘極且位於閘極與半導體通道層之間。源極與汲極配置於半導體通道層的同一側，且暴露出部分的半導體通道層。
本發明的反射式顯示裝置，其包括反射式主動元件陣列基板以及電泳顯示薄膜。反射式主動元件陣列基板包括基板、多個主動元件、保護層以及多個金屬氧化物導體層。主動元件分散地配置於基板上。保護層配置於基板上且覆蓋主動元件。保護層具有多個開口，且每一開口分別暴露出相對應的每一主動元件的源極或汲極。金屬氧化物導體層配置於基板上且覆蓋保護層。每一金屬氧化物導體層透過對應的每一開口與相對應的每一主動元件的源極或汲極電性連接。電泳顯示薄膜配置於反射式主動元件陣列基板上。
在本發明的一實施例中，上述的每一金屬氧化物導體層的材質包括氧化鉬、氧化鉬鈮、氧化鉭或氧化鋁。
在本發明的一實施例中，上述的每一主動元件包括閘極、半導體通道層、閘絕緣層以及源極與汲極。閘極配置於基板上。閘絕緣層覆蓋閘極且位於閘極與半導體通道層之間。源極與汲極配置於半導體通道層的同一側，且暴露出部分的半導體通道層。
在本發明的一實施例中，上述的電泳顯示薄膜包括可撓性基材、透明導電層以及顯示介質層。透明導電層配置於可撓性基材上，且位於反射式主動元件陣列基板與可撓性基材之間。顯示介質層配置於可撓性基材上，且位於反射式主動元件陣列基板與透明導電層之間。顯示介質層包括多個顯示介質。每一顯示介質包括電泳液以及分佈於電泳液中之多個帶電粒子。
本發明的反射式顯示裝置的製作方法，其包括以下步驟。形成一反射式主動元件陣列基板，包括：提供一陣列基板。陣列基板包括基板、多個主動元件以及保護層。主動元件分散地形成在基板上，而保護層形成在基板上且覆蓋主動元件。保護層具有多個開口，而每一開口分別暴露出相對應的每一主動元件的源極或汲極。將陣列基板移至反應腔室內，其中反應腔室設置有金屬靶材。將反應氣體通入反應腔室，以與金屬靶材進行化學反應，而在陣列基板上形成多個金屬氧化物導體層。金屬氧化物導體層覆蓋保護層，且每一金屬氧化物導體層透過對應的每一開口與相對應的每一主動元件的源極或汲極電性連接。組裝一電泳顯示薄膜於該反射式主動元件陣列基板上。
在本發明的一實施例中，上述的金屬氧化物導體層形成的方法包括：以電漿轟擊金屬靶材時，將氧氣體通入反應腔室。
基於上述，在本發明的反射式主動元件陣列基板的結構中，是以金屬氧化物導體層作為導電電極。相較於習知採用金屬材質作為導電電極而言，本發明的金屬氧化物導體層具有較低的光反射率，可減少外界光線反射。因此，採用本發明的反射式主動元件陣列基板的反射式顯示裝置，當其電泳顯示薄膜發生破洞時，金屬氧化物導體層可減少外界光線的反射而不產生亮點，可使反射式顯示裝置具有較佳的顯示品質。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是本發明一實施例的一種反射式主動元件陣列基板的剖面示意圖。請參照圖1，本實施例的反射式主動元件陣列基板100包括基板110、多個主動元件120（圖1僅示意地繪示二個）、保護層130以及多個金屬氧化物導體層140（圖1僅示意地繪示二個）。主動元件120分散地配置於基板110上。保護層130配置於基板110上且覆蓋主動元件120。保護層130具有多個開口132（圖1僅示意地繪示二個），且每一開口132分別暴露出相對應的主動元件120的源極122a或汲極122b。金屬氧化物導體層140配置於基板110上且覆蓋保護層130。每一金屬氧化物導體層140透過對應的每一開口132與相對應的每一主動元件120的源極122a或汲極122b電性連接。
詳細來說，本實施例的主動元件120包括閘極124、半導體通道層128、閘絕緣層126、源極122a及汲極122b。閘極124位於基板110上，且閘絕緣層126覆蓋閘極124及部分的基板110。半導體通道層128位於閘絕緣層126相對於閘極124的一側且不接觸閘極124，亦即，閘絕緣層126設置於閘極124及半導體層通層128之間。源極122a與汲極122b配置於半導體通道層128的同一側，且暴露出部分半導體通道層128。此處，由上述閘極124、閘絕緣層126、半導體通道層128、源極122a以及汲極122b的配置方式可得知，本實施例的主動元件120具體化為底閘極薄膜電晶體，但並不以此為限。本發明並不限定主動元件120的結構型態，在其他實施例中，亦可為頂閘極薄膜電晶體，此仍屬於本發明所欲保護的範圍。
請繼續照圖1，本實施例的保護層130的開口132是暴露出相對應的主動元件120的汲極122b。但，在其他未繪示的實施例中，保護層的開口亦可暴露出相對應的主動元件的源極。金屬氧化物導體層140透過對應的開口132與相對應的各主動元件120的汲極122b電性連接。此處，金屬氧化物導體層140具有不透光性（即遮光性）、導電性與低反射特性，其中金屬氧化物導體層140的材質可例如是氧化鉬、氧化鉬鈮、氧化鉭、氧化鋁或其他具有低反射率的金屬氧化物。
簡言之，在本實施例的反射式主動元件陣列基板100的結構中，是以金屬氧化物導體層140作為導電電極。相較於習知採用金屬材質作為導電電極而言，本實施例的金屬氧化物導體層140可具有較低的光反射率，可減少外界光線反射。再者，本實施例的金屬氧化物導體層140因材料特性仍具有不透光性（即遮光性）、導電性與反射特性，因此不影響反射式主動元件陣列基板100的產品特性。此外，相較於金屬材質的導電電極，本實施例的金屬氧化物導體層140的抗腐蝕能力佳，可使反射式主動元件陣列基板100具有較佳的產品可靠度。
以上僅說明本實施例的反射式主動元件陣列基板100的結構。以下將配合圖2的流程圖及圖3A及圖3B的剖面示意圖來說明本實施例的反射式主動元件陣列基板100的製作方法。
圖2是本發明一實施例的反射式主動元件陣列基板的製作方法的流程圖。圖3A至圖3B是圖2的反射式主動元件陣列基板的製作方法的剖面示意圖。請同時參照圖2及圖3A，首先，步驟S10，提供陣列基板100a，其中陣列基板100a包括基板110、主動元件120（圖3A僅示意地繪示二個）以及保護層100a。主動元件120分散地形成在基板110上，而保護層130形成在基板110上且覆蓋主動元件120。保護層130具有開口132（圖3A僅示意地繪示二個），而每一開口132分別暴露出相對應的每一主動元件120的汲極122b。
接著，請再同時參考圖2與圖3A，步驟S20，將陣列基板100a移至反應腔室（未繪示）內，其中反應腔室設置有金屬靶材（未繪示）。此處，金屬靶材例如是鉬、鉬鈮、鉭或鋁。
之後，請同時參考圖2與圖3B，步驟S30，當電漿（未繪示）轟擊金屬靶材時，將反應氣體（未繪示）通入反應腔室（未繪示），以與金屬靶材進行化學反應，而在陣列基板100a上形成金屬氧化物導體層140。此時，金屬氧化物導體層140覆蓋保護層130，且每一金屬氧化物導體層140透過對應的每一開口132與相對應的每一主動元件120的汲極122b電性連接。此處，反應氣體例如是氧。至此，已完成反射式主動元件陣列基板100的製作。
舉例來說，依照上述製程，若選用鉬作為金屬靶材，當電漿轟擊金屬靶材時通入氧氣，可形成氧化鉬。相較一般金屬鉬可反射約60 %的入射光，而相同厚度的氧化鉬則可反射約6 %的入射光，明顯降低光反射率。
簡言之，在本實施例的反射式主動元件陣列基板100的製作方法中，是以金屬氧化物導體層140來取代習知金屬材料的導電電極，因此除了具有導電性與遮光性之外，其具有較低的光反射率，可減少外界光線反射。
圖4是本發明另一實施例的一種反射式顯示裝置的剖面示意圖。請參照圖4，本實施例的反射式顯示裝置10包括上述的反射式主動元件陣列基板100以及電泳顯示薄膜200，其中電泳顯示薄膜200配置於反射式主動元件陣列基板100上。電泳顯示薄膜200包括可撓性基材210、透明導電層220以及顯示介質層230。透明導電層220配置於可撓性基材210上，且位於反射式主動元件陣列基板100與可撓性基材210之間。此處，可撓性基材210的材質例如是聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)或聚二甲酸乙二醇酯 (Polyethylene napthalate, PEN)，但不以此為限。透明導電層220的材質例如是氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO ），於此並不加以限制。顯示介質層230配置於可撓性基材210上，且位於反射式主動元件陣列基板100與透明導電層220之間。顯示介質層230包括多個顯示介質232（圖3僅示意地繪示二個），每一顯示介質232包括電泳液234以及分佈於電泳液234中之多個帶電粒子236。具體而言，帶電粒子236包含多個白色帶電粒子與多個黑色帶電粒子，可透過施加直流電壓或交流電壓的方式來驅動黑色帶電粒子與白色帶電粒子的移動，從而顯示黑色、白色或是不同階調的灰色。當然，於其他未繪示的實施例中，每一顯示介質亦可是包括電泳液以及分佈於電泳液中之多個白色帶電粒子，其中電泳液例如是黑色電泳液；或者是，電泳液與帶電粒子可以具有其他顏色，於此並不加以限制。
在反射式顯示裝置10的製程上，先透過圖2、圖3A至圖3B的方式形成反射式主動元件陣列基板100。之後，在如圖4，將電泳顯示薄膜200組裝於反射式主動元件陣列基板100上。至此，已完成反射式顯示裝置10的製作。
簡言之，本實施例的反射式顯示裝置10包括上述的反射式主動元件陣列基板100，其中的射式主動元件陣列基板100是以金屬氧化物導體層140作為導電電極。相較於習知採用金屬材料的導電電極而言，當電泳顯示薄膜200發生破洞時，本實施例的金屬氧化物導體層140可減少外界光線的反射而不產生亮點，可使反射式顯示裝置10具有較佳的顯示品質。
基於上述，在本發明的反射式主動元件陣列基板的結構中，是以金屬氧化物導體層作為導電電極。相較於習知採用金屬材質作為導電電極而言，本發明的金屬氧化物導體層具有較低的光反射率，可減少外界光線反射。因此，採用本發明的反射式主動元件陣列基板的反射式顯示裝置，當其電泳顯示薄膜發生破洞時，金屬氧化物導體層可減少外界光線的反射而不產生亮點，可使反射式顯示裝置具有較佳的顯示品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:反射式顯示裝置
100:反射式主動元件陣列基板
100a:陣列基板
110:基板
120:主動元件
122a:源極
122b:汲極
124:閘極
126:閘絕緣層
128:半導體通道層
130:保護層
132:開口
140:金屬氧化物導體層
200:電泳顯示薄膜
210:可撓性基材
220:透明導電層
230:顯示介質層
232:顯示介質
234:電泳液
236:帶電粒子
S10、S20、S30:步驟
圖1是本發明一實施例的一種反射式主動元件陣列基板的剖面示意圖。
圖2是本發明一實施例的反射式主動元件陣列基板的製作方法的流程圖。
圖3A至圖3B是圖2的反射式主動元件陣列基板的製作方法的剖面示意圖。
圖4是本發明另一實施例的一種反射式顯示裝置的剖面示意圖。
100:反射式主動元件陣列基板
110:基板
120:主動元件
122a:源極
122b:汲極
124:閘極
126:閘絕緣層
128:半導體通道層
130:保護層
132:開口
140:金屬氧化物導體層
Claims (12)
- 一種反射式主動元件陣列基板，包括：一基板；多個主動元件，分散地配置於該基板上；一保護層，配置於該基板上，且覆蓋該些主動元件，其中該保護層具有多個開口，且各該開口分別暴露出相對應的各該主動元件的一源極或一汲極；以及多個金屬氧化物導體層，配置於該基板上，且覆蓋該保護層，其中各該金屬氧化物導體層透過對應的各該開口與相對應的各該主動元件的該源極或該汲極電性連接，且各該金屬氧化物導體層具有不透光性。
- 如申請專利範圍第1項所述的反射式主動元件陣列基板，其中各該金屬氧化物導體層的材質包括氧化鉬、氧化鉬鈮、氧化鉭或氧化鋁。
- 如申請專利範圍第1項所述的反射式主動元件陣列基板，其中各該主動元件包括：一閘極，配置於該基板上；一半導體通道層；一閘絕緣層，覆蓋該閘極，且位於該閘極與該半導體通道層之間；以及該源極與該汲極，配置於該半導體通道層的同一側，且暴露出部分該半導體通道層。
- 一種反射式主動元件陣列基板的製作方法，包括：提供一陣列基板，該陣列基板包括一基板、多個主動元件以及一保護層，其中該些主動元件分散地形成在該基板上，而該保護層形成在該基板上且覆蓋該些主動元件，該保護層具有多個開口，而各該開口分別暴露出相對應的各該主動元件的一源極或一汲極；將該陣列基板移至一反應腔室內，其中該反應腔室設置有一金屬靶材；以及將一反應氣體通入該反應腔室，以與該金屬靶材進行一化學反應，而在該陣列基板上形成多個金屬氧化物導體層，其中該些金屬氧化物導體層覆蓋該保護層，各該金屬氧化物導體層透過對應的各該開口與相對應的各該主動元件的該源極或該汲極電性連接，且各該金屬氧化物導體層具有不透光性。
- 如申請專利範圍第4項所述的反射式主動元件陣列基板的製作方法，其中該金屬靶材包括鉬、鉬鈮、鉭或鋁，而該反應氣體包括氧。
- 如申請專利範圍第4項所述的反射式主動元件陣列基板的製作方法，其中各該主動元件包括：一閘極，配置於該基板上；一半導體通道層；一閘絕緣層，覆蓋該閘極，且位於該閘極與該半導體通道層之間；以及 該源極與該汲極，配置於該半導體通道層的同一側，且暴露出部分該半導體通道層。
- 一種反射式顯示裝置，包括：一反射式主動元件陣列基板，包括：一基板；多個主動元件，分散地配置於該基板上；一保護層，配置於該基板上，且覆蓋該些主動元件，其中該保護層具有多個開口，且各該開口分別暴露出相對應的各該主動元件的一源極或一汲極；以及多個金屬氧化物導體層，配置於該基板上，且覆蓋該保護層，其中各該金屬氧化物導體層透過對應的各該開口與相對應的各該主動元件的該源極或該汲極電性連接，且各該金屬氧化物導體層具有不透光性；以及一電泳顯示薄膜，配置於該反射式主動元件陣列基板上。
- 如申請專利範圍第7項所述的反射式顯示裝置，其中各該金屬氧化物導體層的材質包括氧化鉬、氧化鉬鈮、氧化鉭或氧化鋁。
- 如申請專利範圍第7項所述的反射式顯示裝置，其中各該主動元件包括：一閘極，配置於該基板上；一半導體通道層； 一閘絕緣層，覆蓋該閘極，且位於該閘極與該半導體通道層之間；以及該源極與該汲極，配置於該半導體通道層的同一側，且暴露出部分該半導體通道層。
- 如申請專利範圍第7項所述的反射式顯示裝置，其中該電泳顯示薄膜包括：一可撓性基材；一透明導電層，配置於該可撓性基材上，且位於該反射式主動元件陣列基板與該可撓性基材之間；以及一顯示介質層，配置於該可撓性基材上，且位於該反射式主動元件陣列基板與該透明導電層之間，該顯示介質層包括多個顯示介質，各該顯示介質包括一電泳液以及分佈於該電泳液中之多個帶電粒子。
- 一種反射式顯示裝置的製作方法，包括：形成一反射式主動元件陣列基板，包括：提供一陣列基板，該陣列基板包括一基板、多個主動元件以及一保護層，其中該些主動元件分散地形成在該基板上，而該保護層形成在該基板上且覆蓋該些主動元件，該保護層具有多個開口，而各該開口分別暴露出相對應的各該主動元件的一源極或一汲極；將該陣列基板移至一反應腔室內，其中該反應腔室設置有一金屬靶材；以及 將一反應氣體通入該反應腔室，以與該金屬靶材進行一化學反應，而在該陣列基板上形成多個金屬氧化物導體層，其中該些金屬氧化物導體層覆蓋該保護層，各該金屬氧化物導體層透過對應的各該開口與相對應的各該主動元件的該源極或該汲極電性連接，且各該金屬氧化物導體層具有不透光性；以及組裝一電泳顯示薄膜於該反射式主動元件陣列基板上。
- 如申請專利範圍第11項所述的反射式顯示裝置的製作方法，其中該些金屬氧化物導體層形成的方法包括：以電漿轟擊該金屬靶材時，將氧氣通入該反應腔室。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201216477A (en) * | 2004-03-09 | 2012-04-16 | Idemitsu Kosan Co | Thin film transistor and substrate with thin film transistor and production method of them and liquid crystal display apparatus and related apparatus and related method, sputtering target and transparent conductive film produced by using the same and tra |
| CN102955318A (zh) * | 2011-08-26 | 2013-03-06 | 索尼公司 | 电泳装置及其制造方法、显示器、显示基板和电子单元 |
| TW201415148A (zh) * | 2012-08-30 | 2014-04-16 | Sharp Kk | 薄膜電晶體基板及顯示裝置 |
| TW201541649A (zh) * | 2009-07-31 | 2015-11-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置 |
| TW201611252A (zh) * | 2014-09-10 | 2016-03-16 | 夏普股份有限公司 | 半導體裝置、液晶顯示裝置及半導體裝置的製造方法 |
| TW201804623A (zh) * | 2009-09-04 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 電晶體和顯示裝置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI270919B (en) * | 2002-04-15 | 2007-01-11 | Semiconductor Energy Lab | Display device and method of fabricating the same |
| US8059329B2 (en) | 2006-10-04 | 2011-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display substrate and method of manufacturing the same |
| KR101256023B1 (ko) | 2006-10-31 | 2013-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5371341B2 (ja) | 2007-09-21 | 2013-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気泳動方式の表示装置 |
| KR101670695B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2016-10-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
| CN102054873B (zh) | 2009-11-05 | 2014-03-05 | 元太科技工业股份有限公司 | 显示器及其薄膜晶体管阵列基板与薄膜晶体管 |
| US20120081406A1 (en) | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Integrated backlit frontlight for reflective display elements |
| KR20120053295A (ko) | 2010-11-17 | 2012-05-25 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치, 그리고 그 제조 방법 |
| TWI444742B (zh) | 2011-07-08 | 2014-07-11 | Au Optronics Corp | 電泳顯示面板 |
| CN102955301B (zh) | 2011-08-19 | 2015-12-16 | 乐金显示有限公司 | 用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法 |
| KR102028988B1 (ko) | 2013-04-02 | 2019-10-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| CN104570515A (zh) * | 2015-01-26 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
-
2019
- 2019-04-23 TW TW108114047A patent/TWI702457B/zh active
-
2020
- 2020-04-10 US US16/845,095 patent/US11921395B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201216477A (en) * | 2004-03-09 | 2012-04-16 | Idemitsu Kosan Co | Thin film transistor and substrate with thin film transistor and production method of them and liquid crystal display apparatus and related apparatus and related method, sputtering target and transparent conductive film produced by using the same and tra |
| TW201541649A (zh) * | 2009-07-31 | 2015-11-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置 |
| TW201804623A (zh) * | 2009-09-04 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 電晶體和顯示裝置 |
| CN102955318A (zh) * | 2011-08-26 | 2013-03-06 | 索尼公司 | 电泳装置及其制造方法、显示器、显示基板和电子单元 |
| CN102955318B (zh) | 2011-08-26 | 2017-11-24 | 索尼公司 | 电泳装置及其制造方法、显示器、显示基板和电子单元 |
| TW201415148A (zh) * | 2012-08-30 | 2014-04-16 | Sharp Kk | 薄膜電晶體基板及顯示裝置 |
| TW201611252A (zh) * | 2014-09-10 | 2016-03-16 | 夏普股份有限公司 | 半導體裝置、液晶顯示裝置及半導體裝置的製造方法 |
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