+

TWI424240B - 液晶顯示裝置及電子裝置 - Google Patents

液晶顯示裝置及電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI424240B
TWI424240B TW102109015A TW102109015A TWI424240B TW I424240 B TWI424240 B TW I424240B TW 102109015 A TW102109015 A TW 102109015A TW 102109015 A TW102109015 A TW 102109015A TW I424240 B TWI424240 B TW I424240B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid crystal
oxide semiconductor
transistor
display device
crystal display
Prior art date
Application number
TW102109015A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201324012A (zh
Inventor
Shunpei Yamazaki
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Publication of TW201324012A publication Critical patent/TW201324012A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI424240B publication Critical patent/TWI424240B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
    • G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02483—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
    • H10D30/6706—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device for preventing leakage current 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H10D86/423—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer comprising semiconductor materials not belonging to the Group IV, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/481—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/045—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using resistive elements, e.g. a single continuous surface or two parallel surfaces put in contact
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/04—Partial updating of the display screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/08—Details of timing specific for flat panels, other than clock recovery
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0209—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
    • G09G2320/0214—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display with crosstalk due to leakage current of pixel switch in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0247—Flicker reduction other than flicker reduction circuits used for single beam cathode-ray tubes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/10—Special adaptations of display systems for operation with variable images
    • G09G2320/103—Detection of image changes, e.g. determination of an index representative of the image change
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

液晶顯示裝置及電子裝置
本發明相關於液晶顯示裝置以及包括該液晶顯示裝置的電子裝置。
液晶顯示裝置廣泛地使用為範圍從大尺寸顯示裝置，諸如電視機，至小尺寸顯示裝置，諸如行動電話，的顯示裝置。因此，液晶顯示裝置的發展旨在實現成本降低或提供高附加價值的液晶顯示裝置。特別在近年，對全球環境的關注已然漸增且消耗較少電力之液晶顯示裝置的發展已因此吸引注意。
用於降低液晶顯示裝置之電力消耗的技術揭示在專利文件1中。具體地說，揭示所有資料訊號線在所有掃描線及資料訊號線均在非選擇狀態的非主動週期中係與資料訊號驅動器電性分離的液晶顯示裝置，使得到高阻抗狀態。
[參考文件]
[專利文件1]日本已公告專利申請案案號第2001-312253號
液晶顯示裝置通常包括具有配置成矩陣形式之複數個像素的像素部。像素包括控制影像訊號之輸入的電晶體、將依據輸入之影像訊號的電壓施加至其的液晶元件、以及儲存施加至該液晶元件之電壓的輔助電容器。液晶元件包括依據施加電壓改變其配向的液晶材料。藉由控制液晶材料的配向，控制各像素的顯示。
在揭示於專利文件1中的液晶顯示裝置中，影像訊號在非主動週期中不輸入至包括在像素部中的各像素。亦即，用於控制影像訊號之輸入的電晶體維持長時間週期的關閉，而將影像訊號保持在各像素中。因此，影像訊號通過電晶體的漏損對各像素之顯示所具有的影響變得明顯。具體地說，施加至液晶元件的電壓減少，因此包括液晶元件之像素的影像退化(改變)變得明顯。
此外，影像訊號通過電晶體的漏損量依據電晶體的操作溫度而改變。具體地說，影像訊號通過電晶體的漏損量隨操作溫度的增加而增加。因此，當揭示於專利文件1中的液晶顯示裝置使用在環境廣泛地變化的戶外時，難以維持均勻的顯示品質。
因此，本發明實施例之目的係降低液晶顯示裝置的電力消耗並抑制顯示退化(顯示品質的降低)。
本發明實施例的目的係提供抑制由外部因子，諸如溫度，導致之顯示退化(顯示品質的降低)的液晶顯示裝置。
上述問題可藉由將其通道形成區域係使用氧化物半導體層形成之電晶體使用為設置在各像素中的電晶體而解決。須注意該氧化物半導體層係藉由徹底地移除係電子供應者(施體)之雜質(氫、或水等)而高度純化的氧化物半導體層。在具有10μm之通道長度的電晶體中，每微米通道寬度在室溫的截止狀態電流可為10aA(1×10-17 A)或以下(該值以10aA/μm表示)。
另外，該氧化物半導體層具有2.0eV或以上的能帶隙，2.5eV或以上為佳，3.0eV或以上更佳。此外，氧化物半導體層之純度的增加容許該氧化物半導體層之導電性儘可能地接近本質導電性。因此，在該氧化物半導體層中，可抑制由於熱激發導致的載體產生。因此，可降低電晶體之截止狀態電流隨操作溫度增加的增加量。具體地說，在具有10μm之通道長度的電晶體中，每微米通道寬度在85℃的截止狀態電流可為100aA(1×10-16 A)或以下(該值以100aA/μm表示)。
具體地說，本發明的實施例係包括配置成矩陣形式之複數個像素的液晶顯示裝置，且各像素具有：電晶體，其切換係由掃描線驅動器電路所控制；液晶元件，包括將影像訊號從訊號線驅動器電路經由該電晶體輸入至其的一終端，以及將共同電位供應至其的另一終端，使得依據該影像訊號施加電壓；以及電容器，其儲存施加至該液晶元件的電壓。該液晶顯示裝置另外包括控制該掃描線驅動器電路及該訊號線驅動器電路的操作並選擇輸入至各像素之該 影像訊號的控制電路。在該液晶顯示裝置中，該電晶體包括包含氧化物半導體層的通道形成區域。在該液晶顯示裝置中，該影像訊號通過在截止狀態之該電晶體的漏損量小於該影像訊號通過該液晶元件的漏損量。
在係本發明之實施例的液晶顯示裝置中，將其通道形成區域係使用氧化物半導體層形成之電晶體使用為設置在各像素中的電晶體。須注意隨著高純度氧化物半導體層的使用，該電晶體在室溫的截止狀態電流可為10aA/μm或以下，且在85℃的截止狀態電流可為100aA/μm或以下。因此，可降低影像訊號通過該電晶體的漏損量。亦即，可抑制當影像訊號至包括在該電晶體中之像素的寫入頻率降低時發生的顯示退化(改變)。因此，可降低液晶顯示裝置的電力消耗並可抑制顯示退化(顯示品質的降低)。
另外，如上文所述，該電晶體在高達85℃之溫度的截止狀態電流可係100aA/μm或以下。亦即，該電晶體係截止狀態電流隨操作溫度增加之增加明顯地小的電晶體。因此，將此種電晶體使用為設置在液晶顯示裝置之各像素中的電晶體，可降低外部因子，諸如溫度，對像素中的影像訊號之漏損所具有的影響。亦即，該液晶顯示裝置係甚至在將該液晶顯示裝置使用在環境廣泛地變化的戶外等時，仍可抑制顯示退化(顯示品質的降低)的液晶顯示裝置。
10‧‧‧控制電路
11、508‧‧‧掃描線驅動器電路
12、509‧‧‧訊號線驅動器電路
13‧‧‧像素部
14‧‧‧像素
15‧‧‧電晶體
16、507‧‧‧液晶元件
17‧‧‧電容器
20‧‧‧訊號產生電路
21‧‧‧記憶體電路
22‧‧‧比較電路
23‧‧‧選擇電路
24‧‧‧顯示控制電路
25‧‧‧記憶體
400‧‧‧基材
402‧‧‧閘極絕緣層
403‧‧‧保護絕緣層
410‧‧‧薄膜電晶體
411‧‧‧閘極電極層
413‧‧‧通道形成區域
414a‧‧‧源極區域
414b‧‧‧汲極區域
415a‧‧‧源極電極層
415b‧‧‧汲極電極層
416‧‧‧氧化物絕緣層
430‧‧‧氧化物半導體膜
431‧‧‧氧化物半導體層
501‧‧‧液晶顯示面板
502‧‧‧觸控面板單元
503、2202、2221、2223、2240、2241、2271‧‧‧外殼
504‧‧‧液晶顯示裝置
505‧‧‧像素
506‧‧‧光感測器
510‧‧‧光感測器驅動器電路
2201、2211、2261‧‧‧主體
2203、2213、2225、2227、2273、2277‧‧‧顯示部
2204‧‧‧鍵盤
2212‧‧‧觸控筆
2214、2233、2245、2279‧‧‧操作鍵
2215‧‧‧外部介面
2220‧‧‧電子書閱讀器
2231‧‧‧電源
2235、2243‧‧‧揚聲器
2237‧‧‧軸部
2242‧‧‧顯示面板
2244‧‧‧麥克風
2246‧‧‧指標裝置
2247‧‧‧相機鏡頭
2248‧‧‧外部連接終端
2249‧‧‧太陽能電池
2250‧‧‧外部記憶體插槽
2263‧‧‧接目鏡
2264‧‧‧操作開關
2265‧‧‧顯示部(B)
2266‧‧‧電池
2267‧‧‧顯示部(A)
2270‧‧‧電視機
2275‧‧‧腳架
2280‧‧‧分離式遙控器
A、B、C、D‧‧‧路徑
CK‧‧‧時鐘訊號
CLC 、CS ‧‧‧電容器
Data‧‧‧影像訊號
L‧‧‧通道長度
RLC 、RTr-Off ‧‧‧電阻器
SP‧‧‧開始脈衝訊號
Vcom ‧‧‧共同電位
Vdd ‧‧‧高電源供應電位
Vss ‧‧‧低電源供應電位
W‧‧‧通道寬度
圖1A及1B描繪依據實施例1的液晶顯示裝置。
圖2描繪依據實施例1的液晶顯示裝置。
圖3A至3C描繪依據實施例1的液晶顯示裝置。
圖4A至4D描繪依據實施例2的電晶體。
圖5A及5B各者描繪依據實施例3的液晶顯示裝置。
圖6A至6F各者描繪依據實施例4的電子裝置。
圖7係顯示依據範例1之電晶體的初始特徵之圖。
圖8A及8B係用於依據範例1之電晶體的測試元件之頂視圖。
圖9A及9B係顯示用於依據範例1之電晶體的測試元件之Vg-Id特徵的圖。
將參考該等圖式於下文詳細描述本發明之實施例。須注意本發明未受限於以下描述，且熟悉本發明之人士能輕易地理解可無須脫離本發明之精神及範圍而產生各種變化及修改。因此，本發明不應受以下實施例的描述所限制。
須注意電晶體之源極終端及汲極終端係依據該電晶體的結構、及操作條件等而改變。因此，在此文件中，為了區分，將作為電晶體之源極及汲極使用的終端之一者稱為第一終端並將彼等之另一者稱為第二終端。
須注意在實施例中描繪於圖式等中的尺寸、層的厚度、或各結構之區域在部分情形中係為了簡化而誇大。因 此，本發明之實施例未受限於此種比例。另外，在此說明書中，使用有序數字，諸如「第一」、「第二」、以及「第三」，以避免組件之間的混淆，且該等術詞並未在數字上限制該等組件。
(實施例1)
在此實施例中，描述主動式矩陣液晶顯示裝置的範例。具體地說，參考圖1A及1B、圖2、以及圖3A至3C描述可選擇輸入至像素部之影像訊號的主動式矩陣液晶顯示裝置。
參考圖1A及1B於下文描述此實施例之液晶顯示裝置的結構範例。圖1A及1B描繪液晶顯示裝置的結構範例。描繪於圖1A中的液晶顯示裝置包括控制電路10、掃描線驅動器電路11、訊號線驅動器電路12、以及像素部13。像素部13包括配置成矩陣形式的複數個像素14。圖1B描繪像素14之一者的結構範例。描繪於圖1B中的像素14包括具有電性連接至掃描線驅動器電路11之閘極終端，以及電性連接至訊號線驅動器電路12之第一終端的電晶體15；具有電性連接至電晶體15之第二終端的一終端，以及電性連接至供應共同電位(Vcom )的佈線之另一終端的液晶元件16；以及具有電性連接至電晶體15之第二終端及液晶元件16的該一終端之一終端，以及電性連接至供應共同電位(Vcom )的佈線之另一終端的電容器17。
在此實施例的液晶顯示裝置中，電晶體15的切換係由掃描線驅動器電路11所控制，且影像訊號係從訊號線驅動器電路12經由電晶體15輸入至液晶元件16。須注意液晶元件16包括夾於該一終端及該另一終端之間的液晶層。將與影像訊號及共同電位(Vcom )之間的電位差對應之電壓施加至液晶層。使用該電壓，控制液晶層的配向狀態。在此實施例的液晶顯示裝置中，各像素14的顯示係使用配向控制。須注意提供電容器17，以儲存施加至液晶元件16的電壓。
另外，在此實施例的液晶顯示裝置中，掃描線驅動器電路11及訊號線驅動器電路12的操作係由控制電路10所控制，因此可選擇輸入至像素部13的影像訊號。
其次，描述此實施例的液晶顯示裝置之組件的具體範例。
<控制電路10>
圖2描繪控制電路10的結構範例。描繪於圖2中的控制電路10包括訊號產生電路20、記憶體電路21、比較電路22、選擇電路23、以及顯示控制電路24。
訊號產生電路20係產生用於操作掃描線驅動器電路11及訊號線驅動器電路12的訊號以及用於在像素部13中形成影像之訊號的電路。具體地說，訊號產生電路20係產生並輸出輸入至在像素部13中配置成矩陣形式之複數個像素的影像訊號(Data)、用於控制掃描線驅動器電 路11或訊號線驅動器電路12之操作的訊號(例如，開始脈衝訊號(SP)、或時鐘訊號(CK)等)、係電源供應電位之高電源供應電位(Vdd )、及低電源供應電位(Vss )等的電路。在描繪於圖2的控制電路10中，訊號產生電路20將影像訊號(Data)輸出至記憶體電路21，並將用於控制掃描線驅動器電路11或訊號線驅動器電路12之操作的訊號輸出至顯示控制電路24。在從訊號產生電路20輸出至記憶體電路21之影像訊號(Data)係類比訊號的情形中，影像訊號(Data)可經由A/D轉變器等轉變為數位訊號。
記憶體電路21包括複數個記憶體25，彼等儲存從在像素部13中用於形成第一影像的影像訊號至用於形成第n影像之影像訊號的影像訊號(n係大於或等於2的自然數)。須注意各記憶體25可能使用記憶體元件形成，諸如動態隨機存取記憶體(DRAM)或靜態隨機存取記憶體(SRAM)。只要記憶體25針對在像素部13中形成的各影像儲存影像訊號，記憶體25的數量並無特別限制。另外，儲存在複數個記憶體25中的影像訊號係藉由比較電路22及選擇電路23選擇性地讀取。
比較電路22係選擇性地讀取儲存在記憶體電路21中之用於形成第k個影像(k係大於或等於1且少於n的自然數)的影像訊號以及用於形成第(k+1)個影像之影像訊號、比較該等影像訊號、並偵測該等影像訊號之間的差異之電路。須注意第k個影像及第(k+1)個影像係連續 地顯示在像素部13中的影像。在藉由比較電路22比較該等影像訊號而偵測到差異的情形中，將待使用該等影像訊號形成的二影像假設為動畫。另一方面，在藉由比較電路22比較該等影像訊號而偵測不到差異的情形中，將待使用該等影像訊號形成的二影像假設為靜態影像。亦即，比較電路22係藉由比較電路22所偵測之差異，判定用於形成連續顯示影像的影像訊號係用於顯示動畫之影像訊號或係用於顯示靜態影像的影像訊號之其中一者的電路。須注意可能將比較電路22設定成偵測當差超過特定等級時的差。
選擇電路23係基於由比較電路22所偵測的差異，選擇輸出至像素部之影像訊號的電路。具體地說，選擇電路23係將比較電路22自其偵測到差異之用於形成影像的影像訊號輸出，但不將比較電路22未自其偵測到差異之用於形成影像的影像訊號輸出之電路。
顯示控制電路24係控制供應控制訊號，諸如開始脈衝訊號(SP)、時鐘訊號(CK)、高電源供應電位(Vdd )、以及低電源供應電位(Vss )，至掃描線驅動器電路11及訊號線驅動器電路12的電路。具體地說，在藉由比較電路22將影像假設為動畫的情形中(在連續顯示影像之間偵測到差異的情形中)，將供應自選擇電路23的影像訊號(Data)輸出至訊號線驅動器電路12，並將控制訊號(開始脈衝訊號(SP)、時鐘訊號(CK)、高電源供應電位(Vdd )、及低電源供應電位(Vss )等)供應 至掃描線驅動器電路11及訊號線驅動器電路12。另一方面，在藉由比較電路22將影像假設為靜態影像的情形中(在連續顯示影像之間未偵測到差異的情形中)，不從選擇電路23供應影像訊號(Data)，且不將控制訊號(開始脈衝訊號(SP)、時鐘訊號(CK)、高電源供應電位(Vdd )、及低電源供應電位(Vss )等)供應至掃描線驅動器電路11及訊號線驅動器電路12。亦即，在藉由比較電路22將影像假設為靜態影像的情形中(在連續顯示影像之間未偵測到差異的情形中)，掃描線驅動器電路11及訊號線驅動器電路12的操作完全停止。須注意在其期間藉由該比較電路將影像假設為靜態影像之週期甚短的情形中，可持續供應高電源供應電位(Vdd )及低電源供應電位(Vss )。須注意「高電源供應電位(Vdd )及低電源供應電位(Vss )的供應」意指將給定佈線的電位固定在高電源供應電位(Vdd )或低電源供應電位(Vss )。亦即，將該佈線的給定電位改變為高電源供應電位(Vdd )或低電源供應電位(Vss )。因為電位的改變伴隨著電力消耗，高電源供應電位(Vdd )或低電源供應電位(Vss )之供應的頻繁停止及重啟可能導致電力消耗增加。在此種情形中，持續地供應高電源供應電位(Vdd )及低電源供應電位(Vss )為佳。須注意在以上描述中，「不供應訊號」意指將與預定電位不同之電位供應至供應該訊號的佈線，或該佈線係在浮動狀態中。
在控制電路10中，如上文所述地控制掃描線驅動器 電路11及訊號線驅動器電路12的操作。因此，可降低該液晶顯示裝置的電力消耗。
<電晶體15>
電晶體15係其通道形成區域係使用氧化物半導體層形成的電晶體。該氧化物半導體層係藉由刻意地移除導致該氧化物半導體層變異之雜質，諸如氫、濕氣、羥、或氫化物(也稱為氫化合物)，以抑制電特徵中的變異，並藉由供應係氧化物半導體之主成份且在移除雜質之步驟中降低的氧，而高度純化並使其在電性上為i型(本質)的氧化物半導體層。須注意該氧化物半導體的能帶隙為2eV或以上，為2.5eV或以上為佳，為3.0eV或以上更佳。
另外，該高純度氧化物半導體中的載體數量非常小(接近零)，且載體密度少於1×1014 /cm3 、少於或等於1×1012 /cm3 為佳。亦即，將該氧化物半導體層中的載體密度儘可能地降低至極接近零。因為在氧化物半導體層中有極少的載體，截止狀態電流可甚低。截止狀態電流的量越小越好。因此，在上述電晶體中，每微米通道寬度(W)在室溫的截止狀態電流可為10aA/μm(1×10-17 A/μm)或以下，且每微米通道寬度(W)在85℃的截止狀態電流可為100aA/μm(1×10-16 A/μm)或以下。通常，在包括非晶矽的電晶體中，截止狀態電流在室溫下為1×10-13 A/μm或以上。另外，因為沒有pn接面且沒有熱載體退化，該電晶體的電特徵不受不利的影響。因此，可延伸各像素14的 影像訊號保持週期。亦即，可增加靜態影像顯示中之影像訊號的重寫間隔。例如，影像訊號的寫入間隔可為10秒或更長，30秒或更長為佳，一分鐘或更甚且短於10分鐘更佳。寫入間隔的增加使抑制電力消耗的效果增強變得可能。
須注意可將截止狀態電流在電晶體中流動的困難度稱為截止狀態電阻率。該截止狀態電阻率係指通道形成區域在該電晶體關閉時的電阻率，且截止狀態電阻率可從截止狀態電流計算。
具體地說，當該電晶體關閉時的電阻(截止狀態電阻R)可使用歐姆定律從截止狀態電路及汲極電壓計算，其導致可使用方程式ρ=RA/L(R係截止狀態電阻)，從通道形成區域的橫剖面面積A以及通道形成區域之長度L(其對應於源極電極及汲極電極之間的距離)計算的截止狀態電阻率ρ。
此處，橫剖面面積A可依據方程式A=dW(d：通道形成區域的厚度，W：通道長度)得到。此外，通道形成區域的長度L係通道長度L。以此種方式，截止狀態電阻率可從截止狀態電流計算。
包括氧化物半導體層之電晶體的截止狀態電阻率在此實施例中為1×1011 Ω．cm或以上為佳，1×1012 Ω．cm或以上最佳。
將如上文所述地藉由激烈地移除包括在氧化物半導體層中的雜質而高度純化之氧化物半導體層使用在電晶體的 通道形成區域中，因此可得到具有極小量之截止狀態電流的電晶體。此外，在電路設計中，當該電晶體係在關閉狀態中時，可將該氧化物半導體層視為係絕緣器。另外，可期待包括氧化物半導體層的電晶體在導通狀態中比包括非晶矽層之電晶體具有更高的電流供應能力。
當設計等實施時，假設包括低溫多晶矽層之電晶體在室溫的截止狀態電流約為包括氧化物半導體層之電晶體的截止狀態電流的10000倍。因此，在包括氧化物半導體層的電晶體與包括低溫多晶矽層之電晶體比較的情形中，當彼等的儲存電容相同或彼此實質相同時(約0.1pF)，包括氧化物半導體層之電晶體的電壓保持週期可約為包括低溫多晶矽之電晶體的電壓保持週期的10000倍。例如，當動畫以每秒60圖框的速度顯示時，包括氧化物半導體層的電晶體針對一訊號寫入的保持週期可約為160秒，其係包括低溫多晶矽層之電晶體的保持週期的10000倍。以此方式，甚至可藉由更不頻繁的影像訊號寫入在顯示部上實施靜態影像顯示。
長保持週期容許將影像訊號供應至像素的頻率降低。特別係使用上述電晶體對如上文所述之影像訊號可選擇性地輸入至像素部的液晶顯示裝置非常有效。亦即，雖然有可能在長時間週期內不將影像訊號輸入至液晶顯示裝置中的像素，藉由將上述電晶體使用為控制輸入至像素之影像訊號的電晶體，可抑制像素中的顯示退化(改變)。
另外，當將該電晶體使用為用於控制輸入至像素之影 像訊號的開關時，可減少設置在像素中之電容器的尺寸。因此，該像素可有高孔徑比，且例如，影像訊號可用高速輸入至該像素。
<液晶元件16及電容器17>
當將上述電晶體使用為控制影像訊號之輸入的電晶體15時，將具有高特定電阻率之物質使用為包括在液晶元件16中的液晶材料為佳。此處，參考圖3A至3C描述使用具有高特定電阻率之物質的原因。圖3A至3C係用於描繪影像訊號在設有包括非晶矽層的電晶體之像素中的漏損路徑及影像訊號在設有包括上述氧化物半導體層的電晶體之像素中的漏損路徑之示意圖。
如圖1B所描繪的，該像素包括電晶體15、液晶元件16、以及電容器17。當電晶體15在關閉狀態中時，該像素等同於描繪於圖3A中的電路。亦即，該像素等同於將電晶體15假設成電阻器(RTr-Off )，並將液晶元件16假設成包括電阻器(RLC )及電容器(CLC )的電路。當影像訊號輸入至像素時，將該影像訊號儲存在電容器17(CS )及液晶元件16的電容器(CLC )中。當使電晶體15進入關閉狀態之後，該影像訊號如圖3B及3C所描繪地通過電晶體15及液晶元件16漏損。圖3B係在電晶體15為包括非晶矽層的電晶體之情形中描繪漏損影像訊號的示意圖，且圖3C係在電晶體15為包括氧化物半導體層的電晶體之情形中描繪漏損影像訊號的示意圖。包括非晶 矽層之電晶體的截止狀態電阻低於液晶元件之電阻。因此，如圖3B所描繪的，該影像訊號主要經由包括非晶矽層之該電晶體漏損(亦即，該影像訊號主要經由圖3B中的路徑A及路徑B漏損)。另一方面，包括高純度氧化物半導體層之電晶體的截止狀態電阻高於液晶元件之電阻。因此，如圖3C所描繪的，該影像訊號主要經由液晶元件漏損(亦即，該影像訊號主要經由圖3C中的路徑C及路徑D漏損)。
亦即，儘管液晶顯示裝置之各像素中的電晶體之特徵已習知地係各像素之影像訊號保持特徵中的速率控制點，在將包括高純度氧化物半導體層之電晶體使用為各像素中的電晶體之情形中，將其中的速率控制點移向液晶元件的電阻。因此，將具有高特定電阻率的物質使用為包括在液晶元件16中的液晶材料為佳。
具體地說，在其像素設有包括高純度氧化物半導體層之電晶體的液晶顯示裝置中，液晶材料的特定電阻率為1×1012 Ω．cm或以上為佳，在1×1013 Ω．cm之上較佳，在1×1014 Ω．cm以上更佳。在液晶元件係使用該液晶材料形成的情形中，由於雜質從對準膜或密封劑進入的可能性，該電阻率為1×1011 Ω．cm或以上為佳，在1×1012 Ω．cm之上較佳。該特定電阻率在此說明書中的值係在20℃量測。
在靜態影像顯示的保持週期中，液晶元件16的該另一終端可在浮動狀態中，無須供應共同電位(Vcom )至該 終端。具體地說，可能將開關設置在該終端及用於供應共同電位(Vcom )的電源之間。該開關可能在寫入週期中開啟，因此可能從電源供應共同電位(Vcom )。然後，該開關可能在其餘的保持週期中關閉，因此可能使該終端進入浮動狀態。也將上述之包括高純度氧化物半導體層的電晶體使用為該開關為佳。藉由使液晶元件16的該另一終端進入浮動狀態，可降低由於不規律脈衝等所導致之在像素14中的顯示退化(改變)。該原因描述如下。當在關閉狀態的電晶體15之第一終端的電位為不規律脈衝改變時，液晶元件16之該一終端的電位也由電容耦合所改變。此時，在共同電位(Vcom )供應至液晶元件16之該另一終端的情形中，電位的改變直接關聯於施加至液晶元件16之電壓的改變。另一方面，在該液晶元件之該另一終端係在浮動狀態中的情形中，該液晶元件之該另一終端的電位也由電容耦合所改變。因此，即使當電晶體15之第一終端的電位為不規律脈衝改變時，可將施加至液晶元件16之電壓的改變降低。因此，可降低像素14中的顯示退化(改變)。
電容器17(CS )的電容係考慮各像素中之電晶體的截止狀態電流等而判定。然而，在如上文所述之將包括高純度氧化物導電層的電晶體使用為像素中之電晶體的情形中，設計電容器17所需的條件大幅地改變。該內容於下文中使用具體數字描述。
通常，在將包括非晶矽層的電晶體使用為像素中之電 晶體的情形中，截止狀態電阻約為1×1012 Ω，且液晶元件的電阻約為1×1015 Ω。因此，在將包括高純度氧化物半導體層的電晶體使用為像素中之電晶體的情形中，可將像素中之影像訊號的漏損量降低至約為1/1000。亦即，可將電容器17(CS )的電容降低至約為1/1000，或可將像素之靜態影像顯示中的影像訊號之重寫頻率降低至約為1/1000。例如，在影像訊號的寫入係以每秒60次的速率實施時，該寫入頻率可降低至約為每15秒一次。另外，使用具有約50fF之電容的元件作為電容器17，影像訊號可在像素中保持約30秒。例如，為在各像素中將影像訊號保持5秒至5分鐘(含)，電容器17(CS )的電容為0.5pF或以上為佳，為1pF或以上更佳。須注意在以上描述中的各種數值係估計值。
須注意實施例1的內容或其之一部分可自由地與實施例2、3、以及4的內容或彼等之一部分、或範例1的內容或其之一部分組合。
(實施例2)
在此實施例中，參考圖4A至4D描述實施例1中之電晶體的範例。
圖4A至4D描繪用於製造實施例1之電晶體的具體結構及製程之範例。須注意描繪於圖4A至4D中的薄膜電晶體410具有稱為通道蝕刻型的底閘極結構，並也稱為反交錯薄膜電晶體。雖然將單閘極薄膜電晶體描繪於圖 4A至4D中，包括複數個通道形成區域的多閘極薄膜電晶體可視需要形成。
參考圖4A至4D於下文描述在基材400上方製造薄膜電晶體410的處理。
首先，將導電膜形成在具有絕緣表面的基材400上方，然後，經由第一光微影步驟形成閘極電極層411。須注意使用在該步驟中的光阻遮罩可能藉由噴墨法形成。藉由噴墨法形成光阻遮罩不需要光罩；因此，可降低製造成本。
雖然可使用為具有絕緣表面之基材400的基材並無特別限制，該基材至少必須對稍後實施的熱處理具有足夠的耐熱性。例如，可使用以鋇硼矽酸玻璃基材、或鋁硼矽酸玻璃基材等形成的玻璃基材。在使用玻璃基材且待於稍後實施之熱處理的溫度甚高的情形中，使用應變點大於或等於730℃的玻璃基材為佳。
另外，可能將作為基膜使用的絕緣膜設置在基材400及閘極電極層411之間。該基膜具有防止雜質元素從基材400擴散的功能，並可使用一或多層氮化矽膜、氧化矽膜、氮化氧化矽膜、及氮氧化矽膜形成為具有單層結構或疊層結構。
閘極電極層411可用使用金屬材料，諸如鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、或鈧，或將任何此等材料包含為其主成份之合金材料的單層結構或疊層結構形成。
例如，將下列結構作為閘極電極層411的二層結構為 佳：將鉬層堆疊在鋁層上方的結構、將鉬層堆疊在銅層上方的結構、將氮化鈦層或氮化鉭層堆疊在銅層上方的結構、或將氮化鈦層及鉬層堆疊的結構。作為三層結構，鎢層或氮化鎢層、鋁及矽的合金或鋁及鈦之合金的層、以及氮化鈦層或鈦層的三層結構較佳。
然後，將閘極絕緣層402形成在閘極電極層411上方。
閘極絕緣層402可用使用一或多層氧化矽層、氮化矽層、氮氧化矽層、氮化氧化矽層、及氧化鋁層的單層結構或疊層結構藉由電漿CVD法、或濺鍍法等形成。例如，氮氧化矽層可能使用包含矽烷(SiH4 )、氧、以及氮之沈積氣體藉由電漿CVD法形成。此外，可將高-k材料，諸如氧化鉿(HfOx )或氧化鉭(TaOx )，使用為該閘極絕緣層。將閘極絕緣層402形成至100nm至500nm(含)的厚度；在閘極絕緣層402係使用疊層結構形成的情形中，例如，堆疊具有50nm至200nm(含)之厚度的第一閘極絕緣層以及具有5nm至300nm之厚度的第二閘極絕緣層。
此處，藉由電漿CVD法將作為閘極絕緣層402的氮氧化矽層形成至100nm或以下的厚度。
此外，作為閘極絕緣層402的氮氧化矽膜可能使用高密度電漿設備形成。此處，高密度電漿設備係指可實現高於或等於1×1011 /cm3 之電漿密度的設備。例如，電漿係藉由施加3kW至6kW之微波電力而產生，使得絕緣膜形成。
將矽烷氣體(SiH4 )、一氧化二氮(N2 O)、以及稀有氣體作為來源氣體引入室中，以在10帕至30帕的壓力產生高密度電漿，並將該絕緣膜形成在具有絕緣表面的基材上方，諸如玻璃基材。之後，停止矽烷(SiH4 )的供應，並可能藉由引入一氧化二氮(N2 O)及稀有氣體在該絕緣膜的表面上實施電漿處理而不曝露在空氣中。藉由引入一氧化二氮(N2 O)及稀有氣體而在該絕緣膜的表面上實施的電漿處理至少在該絕緣膜形成之後實施。經由上述處理程序形成的絕緣膜具有小厚度並對應於，例如，即使其具有少於100nm的厚度，其可靠性仍可受確保的絕緣膜。
在閘極絕緣層402形成時，引入室中之矽烷(SiH4 )對一氧化二氮(N2 O)的流動率在1：10至1：200的範圍中。此外，可將氦、氬、氪、或氙等使用為引入室中的稀有氣體。特別係使用不昂貴的氬為佳。
此外，因為藉由使用高密度電漿設備形成的絕緣膜可具有特定厚度，該絕緣膜具有優秀的階覆蓋性。另外，至於藉由使用該高密度電漿設備形成的絕緣膜，可精確地控制薄膜的厚度。
經由上述處理程序形成的絕緣膜與使用習知平行板電漿CVD設備形成之絕緣膜非常地不同。在使用相同蝕刻劑之蝕刻率彼此比較的情形中，經由上述處理程序形成之絕緣膜的蝕刻率比使用習知平行板電漿CVD設備形成之絕緣膜的蝕刻率低10%或以上或20%或以上。因此，可說 使用高密度電漿設備形成的絕緣膜係緻密膜。
在稍後步驟中使其成為本質(i型)或實質本質的氧化物半導體層(高純度氧化物半導體層)對介面狀態及介面變化係高度靈敏的；因此，在氧化物半導體層及閘極絕緣層之間的介面係重要的。因此，與高純度氧化物半導體層接觸的閘極絕緣層需要有高品質。因此，採用使用微波(2.45GHz)的高密度電漿CVD設備為佳，因為可形成具有高承受電壓之緻密及高品質的絕緣膜。當該高純度氧化物半導體層及該高品質閘極絕緣層彼此緊密接觸時，可降低介面狀態密度並可得到有利的介面特徵。該閘極絕緣層除了具有如閘極絕緣層的有利膜品質之外，與氧化物半導體層具有較低之介面狀態密度並具有有利介面係重要的。
然後，在閘極絕緣層402上方，將氧化物半導體膜430形成至2nm至200nm(含)的厚度。須注意在藉由濺鍍法形成氧化物半導體膜430之前，藉由引入氬氣並產生電漿的反轉濺鍍將附於閘極絕緣層402之表面上的粉末物質(也稱為粒子或灰塵)移除為佳。反轉濺鍍係指未應用電壓至目標側，而在氬大氣中將RF電源使用為應用至基材側的電壓，以修改表面的方法。須注意，可能使用氮大氣、氦大氣、或氧大氣等取代氬大氣。
將In-Ga-Zn-O-基氧化物半導體膜、In-Sn-O-基氧化物半導體膜、In-Sn-Zn-O-基氧化物半導體膜、In-Al-Zn-O-基氧化物半導體膜、Sn-Ga-Zn-O-基氧化物半導體膜、Al-Ga-Zn-O-基氧化物半導體膜、Sn-Al-Zn-O-基氧化物半導 體膜、In-Zn-O-基氧化物半導體膜、Sn-Zn-O-基氧化物半導體膜、Al-Zn-O-基氧化物半導體膜、In-O-基氧化物半導體膜、Sn-O-基氧化物半導體膜、或Zn-O-基氧化物半導體膜使用為氧化物半導體膜430。在此實施例中，氧化物半導體膜430係使用In-Ga-Zn-O-基金屬氧化物靶材藉由濺鍍法形成。此階段的橫剖面圖描繪於圖4A中。或者，氧化物半導體膜430可在稀有氣體(典型係氬)大氣、氧大氣、或包含稀有氣體(典型為氬)及氧之混合大氣中藉由濺鍍法形成。須注意當使用濺鍍法時，使用包括2重量百分率或以上及10重量百分率或以下之SiO2 的靶材實施沈積，並使氧化物半導體膜430包括抑制結晶的SiOx (X>0)，使得當在稍後步驟中實施用於脫水或脫氫的熱處理時可抑制結晶。
此處，膜沈積係使用包含In、Ga、以及Zn(In2 O3 ：Ga2 O3 ：ZnO=1：1：1[莫耳]，In：Ga：Zn=1：1：0.5[原子])之金屬氧化物靶材實施。該沈積條件設定如下：基材及靶材之間的距離為100mm、壓力為0.2帕、直流(DC)功率為0.5kW、且大氣為氬及氧的混合大氣(氬：氧=30sccm：20sccm且氧流動率為40%)。須注意脈衝直流(DC)電源較佳，因為可減少在沈積時產生的粉末物質且可使膜厚度均勻。將In-Ga-Zn-O-基膜形成至5nm至200nm(含)的厚度。在此實施例中，作為氧化物半導體膜之20nm厚的In-Ga-Zn-O-基膜係使用In-Ga-Zn-O-基金屬氧化物靶材藉由濺鍍法形成。也可將具有In： Ga：Zn=1：1：1[原子]之組成比率的靶材或具有In：Ga：Zn=1：1：2[原子]之組成比率的靶材使用為包含In、Ga、以及Zn的金屬氧化物靶材。
濺鍍法的範例包括將高頻電源使用為濺鍍電源之RF濺鍍法、DC濺鍍法、以及以脈衝方式施加偏壓的脈衝DC濺鍍法。RF濺鍍法主要使用在形成絕緣膜的情形中，且DC濺鍍法主要使用在形成金屬膜的情形中。
此外，也有可設定複數個不同材料之靶材的多源濺鍍設備。使用該多源濺鍍設備，可形成待於相同室中堆疊之不同材料的膜，或可在同室中藉由同時放電形成複數種材料的膜。
此外，有在該室內側設有磁系統並用於磁控濺鍍的濺鍍設備，以及用於使用以微波製造的電漿而不使用輝光放電之ECR濺鍍的濺鍍設備。
此外，作為藉由濺鍍法的沈積法，也有靶材物質及濺鍍氣體成份在沈積期間彼此化學反應，以形成其之薄化合物膜的反應濺鍍法，以及在沈積期間也將電壓施加至基材的偏壓濺鍍。
然後，經由第二光微影步驟，將氧化物半導體膜430處理成島形氧化物半導體層。須注意使用在該步驟中的光阻遮罩可能藉由噴墨法形成。藉由噴墨法形成光阻遮罩不需要光罩；因此，可降低製造成本。
其次，實施該氧化物半導體層的脫水或脫氫。用於脫水或脫氫之第一熱處理的溫度高於或等於400℃且低於或 等於750℃，高於或等於400℃且低於該基材的應變點為佳。此處，將該基材導入係熱處理設備之一種的電爐中，該熱處理在氮大氣中以450℃在該等氧化物半導體層上實施一小時，然後，不將該氧化物半導體層曝露在空氣中，使得防止水及氫進入該氧化物半導體層中；因此，得到氧化物半導體層431(參見圖4B)。
須注意熱處理設備並未受限於電爐，且可能包括藉由來自加熱元件，諸如電阻加熱元件，之熱傳導或熱幅射加熱待處理物件的裝置。例如，可使用RTA(快速熱退火)設備，諸如GRTA(氣體快速熱退火)設備或LRTA(射線照射快速熱退火)設備。LRTA設備藉由發射自燈，諸如鹵素燈、金屬鹵化物燈、氙弧燈、碳弧燈、高壓鈉燈、或高壓汞燈，之光幅射(電磁波)加熱待處理物件的設備。GRTA設備係使用高溫氣體之用於熱處理的設備。將不藉由熱處理而與待處理物件反應之惰性氣體，諸如氮，或稀有氣體，諸如氬，使用為該氣體。
例如，實施將該基材移入加熱至高達650℃至700℃之溫度的惰性氣體中、加熱數分鐘、並將加熱至該高溫的惰性氣體移出之作為第一熱處理的GRTA。使用GRTA，可在短時間週期中實現高溫熱處理。
須注意在該第一熱處理中，不將水、及氫等包含在氮或稀有氣體，諸如氦、氖、或氬，的大氣中為佳。將導入熱處理設備中的氮或稀有氣體，諸如氦、氖、或氬，的純度設定為6N(99.9999%)或更高，7N(99.99999%)或 更高為佳(亦即，雜質濃度為1ppm或以下，0.1ppm或以下為佳)。
該第一熱處理可能在尚未處理為島形氧化物半導體層的氧化物半導體膜430上實施。在該情形中，在第一熱處理之後，將該基材從該熱處理設備取出，然後實施第二光微影步驟。
用於該氧化物半導體層之脫水或脫氫的熱處理可能在下列任何時機實施：在該氧化物半導體層形成之後；在源極電極層及汲極電極層形成在該氧化物半導體層上方之後；以及在保護絕緣膜形成在該源極電極層及汲極電極層上方之後。
另外，在開口部形成在閘極絕緣層402中的情形中，形成開口部的步驟可能在氧化物半導體膜430受脫水或脫氫處理之前或之後實施。
須注意氧化物半導體膜430的蝕刻並未受限於濕蝕刻，也可能使用乾蝕刻。
將包括氯(氯基氣體，諸如氯(Cl2 )、三氯化硼(BCl3 )、四氯化矽(SiCl4 )、或四氯化碳(CCl4 ))之氣體使用為用於乾蝕刻的蝕刻氣體為佳。
或者，可使用包含氟(氟基氣體，諸如四氟化碳(CF4 )、六氟化硫(SF6 )、三氟化氮(NF3 )、或三氟甲烷(CHF3 ))之氣體；溴化氫(HBr)；氧(O2 )；加入稀有氣體，諸如氦(He)或氬(Ar)，之任何此等氣體等。
可將平行板RIE(反應性離子蝕刻)法或ICP(感應耦合電漿)蝕刻法使用為該乾蝕刻法。為將該膜蝕刻為期望形狀，視情況調整蝕刻條件(施加至線圈形電極的電力量、施加至基材側上之電極的電力量、或在基材側上之電極的溫度等)。
可將磷酸、乙酸及硝酸的混合溶液等使用為用於濕蝕刻的蝕刻劑。此外，也可能使用ITO07N(由KANTO CHEMICAL CO.,INC.製造)。
藉由清洗將濕蝕刻後的蝕刻劑與已蝕除材料共同移除。可能將包括該蝕刻劑及已蝕除材料的廢液純化，並可能重用該材料。當包括在該氧化物半導體層中的材料，諸如銦，係從蝕刻後的廢液收集並重用時，該等資源可有效率地使用且可降低成本。
該等蝕刻條件(諸如，蝕刻劑、蝕刻時間、及溫度)取決於該材料而適當地調整，使得可將該材料蝕刻成期望形狀。
其次，將金屬導電膜形成在閘極絕緣層402及氧化物半導體層431上方。該金屬導電膜可能藉由濺鍍法或真空蒸鍍法形成。可將鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、以及鎢(W)之元素、將任何此等元素包含為成分的合金、或將任何此等元素包含在組合中的合金等提供為該金屬導電膜的材料。或者，可能使用選自錳(Mn)、鎂(Mg)、鋯(Zr)、鈹(Be)、以及釔(Y)之一或多種材料。另外，該金屬導 電膜可能具有單層結構或二或多層的疊層結構。例如，可提供下列結構：包括矽之鋁膜的單層結構、銅膜的單層結構、或將銅包括為主成份的膜、將鈦膜堆疊在鋁膜上方的二層結構、將銅膜形成在氮化鉭膜或氮化銅膜上方的二層結構、以及將鋁膜堆疊在鈦膜上方並將另一鈦膜堆疊在該鋁膜上方的三層結構。或者，可能使用包含鋁(Al)及選自鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、釹(Nd)、以及鈧(Sc)之一或多種元素的膜、合金膜、或氮化物膜。
若熱處理係在金屬導電膜形成之後實施，該金屬導電膜具有足以承受該熱處理的耐熱性為佳。
實施第三光微影步驟。將光阻遮罩形成在該金屬導電膜上方並選擇性地實施蝕刻，使得源極電極層415a及汲極電極層415b形成。然後，移除該光阻遮罩(參見圖4C)。
須注意視情況將材料及蝕刻條件調整成使得氧化物半導體層431不為金屬導電膜的蝕刻所移除。
須注意，在第三光微影步驟中，僅蝕刻氧化物半導體層431的一部分，因此在部分情形中形成具有溝槽(凹陷部)的氧化物半導體層。或者，使用在該步驟中的光阻遮罩可能藉由噴墨法形成。藉由噴墨法形成光阻遮罩不需要光罩；因此，可降低製造成本。
為減少使用在光微影步驟中的光遮罩數量及光微影步驟的數量，蝕刻步驟可能使用多色調遮罩實施，該多色調 遮罩係將光透射過其以具有複數種強度的曝光遮罩。因為使用多色調遮罩形成的光阻遮罩具有複數個厚度，且另外可藉由實施蝕刻改變形狀，可將該光阻遮罩使用在複數個蝕刻步驟中，以提供不同型樣。因此，對應於至少二種或以上之不同型樣的光阻遮罩可藉由一多色調遮罩形成。因此，曝光遮罩的數量可減少且對應之光微影步驟的數量也可減少，從而可實現處理的簡化。
其次，使用諸如一氧化二氮(N2 O)、氮(N2 )、或氬(Ar)之氣體實施電漿處理。藉由此電漿處理，移除吸收在該氧化物半導體層之表面上的水等。電漿處理也可能使用氧及氬的混合氣體實施。
在該電漿處理之後，作為保護絕緣膜使用並與氧化物半導體層之一部分接觸的氧化物絕緣層416可無須曝露於空氣中而形成。
可視情況藉由濺鍍法等形成具有至少1nm或以上之厚度的氧化物絕緣層416，此係使雜質，諸如水及氫，不混入氧化物絕緣層416中的方法。當氫包含在氧化物絕緣層416中時，導致氫進入該氧化物絕緣層，因此使氧化物半導體層431的背通道具有較低電阻(具有n型導電性)並形成寄生通道。因此，重點係使用不用氫的形成方法，以形成包含儘可能少之氫的氧化物絕緣層416。
此處，藉由濺鍍法將200nm厚的氧化矽膜沈積為氧化物絕緣層416。在沈積時的基材溫度可能高於或等於室溫並低於或等於300℃，且在此實施例中為100℃。藉由 濺鍍法的氧化矽膜形成可在稀有氣體(典型為氬)大氣、氧大氣、或稀有氣體(典型為氬)及氧的大氣中實施。可能將氧化矽靶材或矽靶材使用為靶材。例如，該氧化矽膜可在包括氧及氮之大氣中，藉由濺鍍法使用矽靶材形成。
其次，第二熱處理在惰性氣體大氣或氧氣體大氣中實施為佳(以200℃至400℃(含)為佳，例如，250℃至350℃(含))。例如，該第二熱處理在氮大氣中以250℃實施一小時。經由該第二熱處理，氧化物半導體層(通道形成區域)的一部分在與氧化物絕緣層416接觸的同時加熱。因此，將氧供應至一部分的氧化物半導體層(通道形成區域)。
經由上述處理程序，該氧化物半導體層受用於脫水或脫氫的熱處理，然後，選擇性地使一部分的氧化物半導體層(通道形成區域)在過氧狀態中。結果，與閘極電極層411重疊的通道形成區域413變成i型，且與源極電極層415a重疊之源極區域414a及與汲極電極層415b重疊的汲極區域414b係以自對準方式形成。因此，形成薄膜電晶體410。
在12小時之在85℃具有2×106 V/cm的閘極偏壓-溫度應力測試(BT測試)中，若將雜質加至氧化物半導體，藉由高電場(B：偏壓)及高溫度(T：溫度)使雜質及氧化物半導體的主成份之間的鍵破裂，且產生之懸空鍵導致臨界電壓(Vth )漂移。另一方面，可藉由儘可能地移除氧化物半導體中的雜質，特別係氫或水，並使用高密度 電漿CVD設備，得到如上文所述之具有高承受電壓且在該絕緣膜及氧化物半導體之間具有良好介面特徵的緻密及高品質絕緣膜；因此，甚至在該BT測試中，可得到穩定的電晶體。
另外，熱處理可能在空氣中以100℃至200℃(含)實施一小時至30小時。此處，該熱處理以150℃實施10小時。此熱處理可能以固定加熱溫度實施。或者，可能將下列加熱溫度中的改變重複實行複數次：將加熱溫度從室溫增加至100℃至200℃，然後降低至室溫。另外，此熱處理可能在該氧化物絕緣膜形成之前在降壓下實施。在降壓下，可將該熱處理時間縮短。藉由該熱處理，使氫從該氧化物半導體層攜入氧化物絕緣層中。
藉由將汲極區域414b形成在氧化物半導體層之與汲極電極層415b重疊的部分中，可改善該薄膜電晶體的可靠性。具體地說，藉由形成汲極區域414b，可得到導電性可經由汲極區域414b從汲極電極層415b改變至通道形成區域413的結構。
另外，在該氧化物半導體層之厚度為15nm或以下的情形中，該氧化物半導體層中的源極區域或汲極區域係在整體厚度的方向上形成。在氧化物半導體層的厚度為30nm至50nm(含)的情形中，當可使氧化物半導體層中之接近閘極絕緣層的區域變為i型時，在一部分的該氧化物半導體層中，亦即，在氧化物半導體層中之與源極電極層或汲極電極層接觸的區域中及其附近的電阻減少並形成 源極區域及汲極區域。
可能將保護絕緣層另外形成在氧化物絕緣層416上方。例如，藉由RF濺鍍法形成氮化矽膜。因為RF濺鍍法具有高生產性，將其使用為該保護絕緣層的膜形成方法為佳。將不包括雜質，諸如濕氣、氫離子、以及OH- ，並阻擋彼等從外側進入的無機絕緣膜使用為該保護絕緣層：將氮化矽膜、氮化鋁膜、氮化氧化矽膜、或氮氧化鋁膜等使用為該保護絕緣層。在此實施例中，使用氮化矽膜將保護絕緣層403形成為該保護絕緣層(參見圖4D)。
須注意實施例2的內容或其之一部分可自由地與實施例1、3、以及4的內容或彼等之一部分、或範例1的內容或其之一部分組合。
(實施例3)
在此實施例中，參考圖5A及5B描述於實施例1中描述之具有觸控面板功能的液晶顯示裝置之結構。
圖5A係此實施例之液晶顯示裝置的示意圖。圖5A描繪將觸控面板單元502堆疊在係實施例1之液晶顯示裝置的液晶顯示面板501上並將彼等附於外殼503的結構。可視情況將電阻觸控感測器、表面電容觸控感測器、或投影電容觸控感測器等使用為觸控面板單元502。
液晶顯示面板501及觸控面板單元502係分別製造並如圖5A所描繪地堆疊，因此可降低製造具有觸控面板功能之液晶顯示裝置的成本。
圖5B描繪具有觸控面板功能之液晶顯示裝置的結構，其與描繪於圖5A的結構不同。描繪於圖5B的液晶顯示裝置504包括各者具有光感測器506及液晶元件507的複數個像素505。因此，無須堆疊觸控面板單元502，其與描繪於圖5A的結構不同。因此，可將液晶顯示裝置薄化。另外，將掃描線驅動器電路508、訊號線驅動器電路509、以及光感測器驅動器電路510製造在與像素505相同的基材上方。因此，可在尺寸上減少液晶顯示裝置。須注意光感測器506可能使用非晶矽等形成，並堆疊在包括氧化物半導體的電晶體上。
將包括氧化物半導體層的電晶體使用在具有觸控面板功能的液晶顯示裝置中，因此可改善靜態影像顯示中的影像保持特徵。另外，可藉由停止驅動器電路部在靜態影像顯示中的操作而降低電力消耗。
須注意實施例3的內容或其之一部分可自由地與實施例1、2、以及4的內容或彼等之一部分，或範例1的內容或其之一部分組合。
(實施例4)
在實施例4中，參考圖6A至6F描述載置實施例1之液晶顯示裝置的電子裝置之範例。須注意將依據實施例1的液晶顯示裝置使用為電子裝置的顯示部。
圖6A描繪膝上型電腦，其包括主體2201、外殼2202、顯示部2203、及鍵盤2204等。將實施例1之液晶 顯示裝置使用為膝上型電腦等的顯示部具有深遠效果，不僅降低電力消耗，也因為下列原因減輕由長期使用所導致的眼睛疲勞。膝上型電腦等的顯示主要係隨使用者的操作而改變。亦即，膝上型電腦等在使用者操作之間的間隔期間顯示靜態影像。另外，通常在液晶顯示裝置上實施反相驅動，以抑制液晶材料的退化。若該反相驅動在顯示靜態影像的週期中實施，則影像閃爍被使用者認出。該閃爍促成使用者的眼睛疲勞。然而，使用描述於實施例1中的液晶顯示裝置，可在各像素中將影像訊號保持長時間週期，因此可減少在靜態影像顯示週期中為使用者認出的閃爍。因此，可說將實施例1中的液晶顯示裝置用於膝上型電腦等對減輕使用者的眼睛疲勞具有深遠效果。
圖6B描繪個人數位助理(PDA)，其包括具有顯示部2213、外部介面2215、及操作鍵2214等的主體2211。將用於操作的觸控筆2212包括為周邊。
圖6C將電子書閱讀器2220描繪為電子紙的範例。電子書閱讀器2220包括二外殼：外殼2221及2223。外殼2221及2223係藉由軸部2237彼此結合，該電子書閱讀器2220可沿著其開啟及關閉。使用此種結構，電子書閱讀器2220可像紙質書似地使用。
將顯示部2225併入外殼2221中，並將顯示部2227併入外殼2223中。顯示部2225及顯示部2227可能顯示一影像或不同影像。在該等顯示部顯示彼此不同之影像的結構中，例如，右顯示部(圖6C中的顯示部2225)可顯 示文字且左顯示部(圖6C中的顯示部2227)可顯示影像。
另外，在圖6C中，外殼2221設有操作部等。例如，外殼2221設有電源2231、操作鍵2233、及揚聲器2235等。可使用操作鍵2233翻頁。須注意也可能將鍵盤、或指標裝置等設置在顯示部設置於其上之外殼的表面上。此外，可能將外部連接終端(耳機終端、USB終端、可連接至各種纜線的終端，諸如AC配接器、或USB纜線等)、及記錄媒體插入部等設置在外殼的背表面或側表面上。另外，電子書閱讀器2220可能具有電子字典的功能。
可能將電子書閱讀器2220組態成無線地傳輸及接收資料。經由無線通訊，可從電子書伺服器購買及下載所期望的書籍資料等。
須注意只要裝置顯示資訊，可將電子紙施用至各種領域的裝置。例如，除了電子書閱讀器外，可將電子紙用於海報、交通工具上的廣告，諸如火車、及各種卡片之顯示等，諸如信用卡。
圖6D描繪行動電話。行動電話包括二外殼：外殼2240及2241。外殼2241設有顯示面板2242、揚聲器2243、麥克風2244、指標裝置2246、相機鏡頭2247、及外部連接終端2248等。外殼2240設有使行動電話充電的太陽能電池2249、及外部記憶體插槽2250等。將天線併入外殼2241中。
顯示面板2242具有觸控面板功能。在圖6D中，藉由 虛線描繪顯示為影像的複數個操作鍵2245。須注意該行動電話包括用於將從太陽能電池2249輸出的電壓增加至各電路所需之電壓的昇壓器電路。此外，除了上述結構外，該行動電話可包括非接觸式IC晶片、或小型記錄裝置等。
顯示面板2242的顯示定向依據應用模式視情況改變。另外，將相機鏡頭2247設置在與顯示面板2242相同的表面上，且因此可使用為視訊電話。可將揚聲器2243及麥克風2244用於視訊電話、記錄、及播放聲音等，以及語音電話。此外，開發成如圖6D所描繪之狀態的外殼2240及2241係可滑動的，使得一者重疊在另一者的上方；因此，可減少該可攜式電話的尺寸，其使該可攜式電話適於攜帶。
外部連接終端2248可連接至AC配接器及各種纜線，諸如USB纜線，其致能該行動電話的充電及資料通訊。此外，更大量的資料可藉由插入記錄媒體至外部記憶體插槽2250而儲存及移動。另外，除了上述功能外，可能提供紅外線通訊功能、或電視接收功能等。
圖6E描繪數位相機，其包括主體2261、顯示部(A)2267、接目鏡2263、操作開關2264、顯示部(B)2265、及電池2266等。
圖6F描繪電視機2270，其包括併入外殼2271的顯示部2273。顯示部2273可顯示影像。此處，外殼2271係藉由腳架2275支撐。
電視機2270可藉由外殼2271或分離式遙控器2280的操作開關操作。頻道及音量可使用遙控器2280的操作鍵2279控制，使得可控制顯示在顯示部2273上的影像。此外，遙控器2280可能具有將從遙控器2280輸出的資訊顯示於其中的顯示部2277。
須注意電視機2270設有接收器、及數據機等為佳。可使用該接收器接收一般的電視廣播。此外，當該電視機經由數據機使用或不使用佈線連接至通訊網路時，可實施單向(從傳送器至接收器)或雙向(例如，在傳送器及接收器之間或在接收器之間)資料通訊。
須注意實施例4的內容或其之一部分可自由地與實施例1、2、以及3的內容或彼等之一部分，或範例1的內容或其之一部分組合。
[範例1]
在此範例中，將於下文描述使用測試元件族(也稱為TEG)的截止狀態電流之量測值。
圖7顯示具有L/W=3μm/10000μm之電晶體的初始特徵，其中將各者具有L/W=3μm/50μm的200個電晶體並聯連接。此外，圖8A為其頂視圖且圖8B係其之部分放大頂視圖。由圖8B中之點虛線所圍繞的區域係具有L/W=3μm/50μm及Lov =1.5μm之一級的電晶體。此處，Lov 代表源極或汲極與氧化物半導體層重疊之區域在通道長度方向上的長度。為量測電晶體的初始特徵，在將基材溫度 設定至室溫、將源極及汲極之間的電壓(在下文中，汲極電壓或Vd)設定至10V、並將源極及閘極之間的電壓(在下文中，閘極電壓或Vg)從-20V改變至+20V的條件下，量測源極-汲極電流(在下文中稱為汲極電流或Id)的改變特徵，亦即，Vg-Id特徵。須注意圖7顯示在從-20V至+5V之範圍中的Vg。
如圖7所示，具有10000μm之通道寬度W的電晶體在1V及10V之Vd具有1×10-13 A或以下的截止狀態電流，其少於或等於量測裝置(半導體參數分析儀，由安捷倫科技製造的Agilent 4156C)的解析度(100fA)。亦即，在通道長度為3μm的情形中，該電晶體之在每微米通道寬度上估算的截止狀態電流為10aA/μm或以下。此外，在通道長度為3μm或以上的情形中，所估算的該電晶體之截止狀態電流為10aA/μm或以下。
描述製造用於該量測之電晶體的方法。
首先，藉由CVD法將氮化矽層形成為玻璃基材上方的基層，並將氮氧化矽層形成在氮化矽層上方。藉由濺鍍法將鎢層形成為在該氮氧化矽層上方的閘極電極層。此處，將該鎢層選擇性地蝕刻為閘極電極層。
然後，藉由CVD法將具有100nm之厚度的氮氧化矽層形成為在閘極電極層上方的閘極絕緣層。
然後，使用In-Ga-Zn-O-基金屬氧化物靶材(以In2 O3 ：Ga2 O3 ：ZnO=1：1：2的莫耳比率)藉由濺鍍法將具有50nm之厚度的氧化物半導體層形成在閘極絕緣層上 方。此處，將該氧化物半導體層選擇性地頻率為島形氧化物半導體層。
然後，第一熱處理在潔淨烤箱中的氮大氣中以450℃在該氧化物半導體層上實施一小時。
然後，藉由濺鍍法將鈦層(具有150nm的厚度)形成為在氧化物半導體層上方的源極電極層及汲極電極層。此處，選擇性地蝕刻該源極電極層及該汲極電極層，使得具有3μm的通道長度L及50μm之通道寬度W的200個電晶體並聯連接，以得到具有L/W=3μm/10000μm的電晶體。
其次，藉由反應濺鍍法將具有300nm厚度之氧化矽層形成為與氧化物半導體層接觸的保護絕緣層。此處，選擇性地蝕刻係保護層的氧化矽層，以在閘極電極層、源極電極層、以及汲極電極層上方形成開口部。之後，第二熱處理在氮大氣中以250℃實施一小時。
然後，在Vg-Id特徵量測之前，該熱處理以150℃實施10小時。
經由上述處理，製造底閘極電晶體。
該電晶體為何具有如圖7所示之約1×10-13 A的截止狀態電流之原因係在上述製程中可將氧化物半導體層中的氫濃度充份地降低。該氧化物半導體層中的氫濃度為1×1016 /cm3 或以下。須注意氧化物半導體層中的氫濃度係藉由二次離子質譜儀(SIMS)量測。
雖然描述使用In-Ga-Zn-O-基氧化物半導體的範例， 範例1並末特別受限於此。也可使用其他氧化物半導體材料，諸如In-Sn-Zn-O-基氧化物半導體、Sn-Ga-Zn-O-基氧化物半導體、Al-Ga-Zn-O-基氧化物半導體、Sn-AI-Zn-O-基氧化物半導體、In-Zn-O-基氧化物半導體、In-Sn-O-基氧化物半導體、Sn-Zn-O-基氧化物半導體、Al-Zn-O-基氧化物半導體、In-O-基氧化物半導體、Sn-O-基氧化物半導體、或Zn-O-基氧化物半導體。可將混有2.5重量百分比至10重量百分比之AlOx 的In-Al-Zn-O-基氧化物半導體、或混有2.5重量百分比至10重量百分比之SiOx 的In-Zn-O-基氧化物半導體使用為氧化物半導體材料。
氧化物半導體層之藉由載體量測裝置量測的載體濃度少於1×1014 /cm3 ，1×1012 /cm3 或以下為佳。換言之，可使該氧化物半導體層的載體濃度儘可能接近零。
該電晶體也可具有少於或等於10nm且少於或等於1000nm的通道長度L，其導致電路操作速度的增加，且截止狀態電流極小，其導致電力消耗的更行降低。
此外，在電路設計中，當該電晶體係在關閉狀態中時，可將該氧化物半導體層視為係絕緣器。
之後，評估在此範例中製造的電晶體之截止狀態電流的溫度特徵。溫度特徵在考慮使用該電晶體之終端產品的環境阻力、或效能維護等時係重要的。待理解較小的改變量係較佳的，其增加產品設計的自由度。
針對該等溫度特徵，在將設有電晶體的基材保持在-30℃、0℃、25℃、40℃、60℃、80℃、100℃、及120℃ 的個別恆溫、將汲極電壓設定至6V、並將閘極電壓從-20V改變至+20V之條件下使用恆溫室得到Vg-Id特徵。
圖9A顯示在上述溫度量測且相互重疊的Vg-Id特徵，且圖9B顯示由圖9A中的虛線所圍繞之截止狀態電流範圍的放大圖。由該圖中之箭號所指示的最右側曲線係在-30℃得到的曲線；最左側的曲線係在120℃得到的曲線；且在其他溫度得到的曲線位於彼等之間。可難以觀察到開啟狀態電流的溫度相依性。另一方面，如也在圖9B之放大圖中清楚地顯示的，除了在-20V之閘極電壓的附近，截止狀態電流在所有溫度均少於或等於1×10-12 A，其接近該量測裝置的解析度，且未觀察到其之溫度相依性。換言之，即使在120℃的高溫，將截止狀態電流保持為少於或等於1×10-12 A，且設若通道寬度W為10000μm，可看出截止狀態電流顯著地小。亦即，在通道長度為3μm的情形中，該電晶體之在每微米通道寬度上估算的截止狀態電流為100aA/μm或以下。此外，在通道長度為3μm或以上的情形中，所估算的該電晶體之截止狀態電流為100aA/μm或以下。另外，圖9A及9B中的資料顯示依據此範例製造之電晶體的截止狀態電流在-30℃至120℃(含)為100aA/μm或以下。此外，自然地估算在85℃之100aA/μm的截止狀態電流。亦即，在圖9A及9B的資料顯示，在將此範例中製造之電晶體使用為各像素中的電晶體之液晶顯示裝置上實施85℃之固定溫度保存測試的情形中，降低影像訊號在像素中的漏損量並抑制影像退化 (改變)。
如上文所述地包括純化氧化物半導體(已純化OS)的電晶體顯示截止狀態電流對溫度幾乎無相依性。可說當氧化物半導體純化時不顯示溫度相依性，因為導電性變得極接近本質型且費米等級位於禁帶中間。此也由該氧化物半導體具有較大能帶隙且包括非常少的熱激發載體所導致。此外，源極區域及汲極區域係在退化狀態中，其也係顯示無溫度相依性的因子。該電晶體主要使用從退化源極區域注入至氧化物半導體的載體操作，且上述特徵(截止狀態電流對溫度的無關性)可藉由載體濃度對溫度的無關性解釋。
上述結果顯示在載體密度少於1×1014 /cm3 的電晶體中，少於或等於1×1012 /cm3 較佳，在室溫的截止狀態電流為10aA/μm或以下且在85℃的截止狀態電流為100aA/μm或以下。另外，該等結果顯示藉由將該電晶體使用為包括在液晶顯示裝置之各像素中的電晶體，可降低該液晶顯示裝置的電力消耗並可抑制該液晶顯示裝置之顯示退化(顯示品質的降低)。另外，該等結果顯示可提供將由於外部因子，諸如溫度，所導致之顯示退化(改變)降低的液晶顯示裝置。
此申請案基於2009年12月18日向日本特許廳申請的日本專利申請案編號第2009-288312號，以及2010年4月13日向日本特許廳申請的日本專利申請案編號第2010-092111號，該等專利之教示全文以提及之方式併入本文 中。
10‧‧‧控制電路
11‧‧‧掃描線驅動器電路
12‧‧‧訊號線驅動器電路
13‧‧‧像素部
14‧‧‧像素

Claims (6)

  1. 一種液晶顯示裝置，包含：複數個像素，配置成矩陣形式，各像素包括電晶體，其切換係由掃描線驅動器電路所控制；液晶元件，包括將影像訊號從訊號線驅動器電路經由該電晶體輸入至其的一終端，以及將共同電位供應至其的另一終端，使得將對應該影像訊號的電壓施加至其；以及電容器，其儲存施加至該液晶元件的電壓，其中包括控制該掃描線驅動器電路及該訊號線驅動器電路的操作並選擇輸入至各像素之該影像訊號的控制電路，其中該電晶體包括包含氧化物半導體層的通道形成區域，且其中該影像訊號通過在截止狀態之該電晶體的漏損量小於該影像訊號通過該液晶元件的漏損量。
  2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中包括在該液晶元件中的液晶材料之特定電阻率高於1×1014 Ω．cm。
  3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中包括控制該共同電位至該液晶元件之供應的開關。
  4. 如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置，其中該開關係其通道形成區域包含氧化物半導體層的 電晶體。
  5. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該電容器的電容為1pF或以上。
  6. 一種電子裝置，包含如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置。
TW102109015A 2009-12-18 2010-12-03 液晶顯示裝置及電子裝置 TWI424240B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009288312 2009-12-18
JP2010092111 2010-04-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201324012A TW201324012A (zh) 2013-06-16
TWI424240B true TWI424240B (zh) 2014-01-21

Family

ID=44150572

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102109015A TWI424240B (zh) 2009-12-18 2010-12-03 液晶顯示裝置及電子裝置
TW107106642A TWI676850B (zh) 2009-12-18 2010-12-03 液晶顯示裝置及電子裝置
TW105104748A TWI663457B (zh) 2009-12-18 2010-12-03 液晶顯示裝置及電子裝置
TW103126203A TWI533068B (zh) 2009-12-18 2010-12-03 液晶顯示裝置及電子裝置
TW099142149A TWI457677B (zh) 2009-12-18 2010-12-03 液晶顯示裝置及電子裝置

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107106642A TWI676850B (zh) 2009-12-18 2010-12-03 液晶顯示裝置及電子裝置
TW105104748A TWI663457B (zh) 2009-12-18 2010-12-03 液晶顯示裝置及電子裝置
TW103126203A TWI533068B (zh) 2009-12-18 2010-12-03 液晶顯示裝置及電子裝置
TW099142149A TWI457677B (zh) 2009-12-18 2010-12-03 液晶顯示裝置及電子裝置

Country Status (7)

Country Link
US (7) US8823893B2 (zh)
EP (1) EP2513893A4 (zh)
JP (12) JP5025784B2 (zh)
KR (8) KR102352590B1 (zh)
CN (3) CN105140245B (zh)
TW (5) TWI424240B (zh)
WO (1) WO2011074391A1 (zh)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8330492B2 (en) 2006-06-02 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR101751908B1 (ko) 2009-10-21 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전압 조정 회로
KR102352590B1 (ko) * 2009-12-18 2022-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR102135326B1 (ko) 2010-01-24 2020-07-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20190093706A (ko) 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
TWI493518B (zh) * 2012-02-01 2015-07-21 Mstar Semiconductor Inc 以顯示面板實現觸控螢幕的方法與相關裝置
CN102629591B (zh) * 2012-02-28 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器
JP2013229010A (ja) 2012-03-30 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd タッチパネルとその駆動方法、タッチパネルモジュール
KR102025722B1 (ko) * 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
US9134864B2 (en) 2012-05-31 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device with controller and touch panel for rapid restoration from power-saving mode
KR102099262B1 (ko) * 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
KR20140013931A (ko) * 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
US9984644B2 (en) 2012-08-08 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for driving the same
KR102114212B1 (ko) 2012-08-10 2020-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2014034235A1 (ja) * 2012-08-30 2014-03-06 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその駆動方法
US9535277B2 (en) 2012-09-05 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Conductive oxide film, display device, and method for forming conductive oxide film
US9569992B2 (en) 2012-11-15 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving information processing device, program, and information processing device
KR20150085035A (ko) 2012-11-15 2015-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치
WO2014084153A1 (en) 2012-11-28 2014-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6205249B2 (ja) 2012-11-30 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 情報処理装置の駆動方法
US20140184484A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI722545B (zh) * 2013-03-15 2021-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TWI636309B (zh) * 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
TWI507948B (zh) * 2013-08-28 2015-11-11 Au Optronics Corp 具有觸控功能之基板以及採用此基板之顯示器
JP2015102596A (ja) * 2013-11-21 2015-06-04 ラピスセミコンダクタ株式会社 表示デバイスの駆動装置
JP6462208B2 (ja) * 2013-11-21 2019-01-30 ラピスセミコンダクタ株式会社 表示デバイスの駆動装置
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP2016006640A (ja) 2014-05-30 2016-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 検知器、入力装置、入出力装置
JP6518133B2 (ja) 2014-05-30 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 入力装置
US9455281B2 (en) 2014-06-19 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, touch panel module, and display device
JP2016066065A (ja) * 2014-09-05 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および電子機器
US9933903B2 (en) 2014-10-02 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input device and input/output device
KR102500994B1 (ko) 2014-10-17 2023-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
US9933872B2 (en) 2014-12-01 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
US10706790B2 (en) 2014-12-01 2020-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US20160299387A1 (en) * 2015-04-13 2016-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel
CN106155404A (zh) * 2015-04-27 2016-11-23 上海和辉光电有限公司 显示装置
US10684500B2 (en) 2015-05-27 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
TWI576815B (zh) * 2015-12-10 2017-04-01 矽創電子股份有限公司 電源供應系統及方法
WO2017103731A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
WO2017178923A1 (en) 2016-04-15 2017-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR102365490B1 (ko) * 2016-07-13 2022-02-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입출력 패널, 입출력 장치, 반도체 장치
US10679545B2 (en) 2016-08-17 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Operation method of display device
US10620689B2 (en) * 2016-10-21 2020-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and operation method thereof
WO2018073690A1 (en) 2016-10-21 2018-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, display device, display module, and electronic device
JP2018072821A (ja) 2016-10-26 2018-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその動作方法
WO2019186320A1 (ja) 2018-03-30 2019-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び表示装置の駆動方法
JP7084770B2 (ja) * 2018-04-27 2022-06-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7429431B2 (ja) 2020-02-27 2024-02-08 国立研究開発法人産業技術総合研究所 情報処理装置および情報処理装置の駆動方法
CN116129823A (zh) * 2023-03-09 2023-05-16 义乌清越光电技术研究院有限公司 电子纸的驱动电路及电子纸
CN120032600A (zh) * 2023-11-23 2025-05-23 群创光电股份有限公司 电子装置
CN118294362B (zh) * 2024-03-22 2025-01-10 江苏科技大学 一种钢筋受力状态下腐蚀率室内定量标定装置及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002098990A (ja) * 2000-09-21 2002-04-05 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2009010362A (ja) * 2007-05-31 2009-01-15 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP2009021612A (ja) * 2005-09-29 2009-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2009267399A (ja) * 2008-04-04 2009-11-12 Fujifilm Corp 半導体装置，半導体装置の製造方法，表示装置及び表示装置の製造方法

Family Cites Families (237)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3638003A (en) 1968-09-12 1972-01-25 Heller & Co Walter E Credit-accumulating arrangement
US4205518A (en) * 1975-09-27 1980-06-03 Citizen Watch Co., Ltd. Voltage conversion system for electronic timepiece
JPS58178564A (ja) * 1982-04-13 1983-10-19 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ
US5736751A (en) * 1982-04-13 1998-04-07 Seiko Epson Corporation Field effect transistor having thick source and drain regions
US5698864A (en) 1982-04-13 1997-12-16 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a liquid crystal device having field effect transistors
US6294796B1 (en) 1982-04-13 2001-09-25 Seiko Epson Corporation Thin film transistors and active matrices including same
JP2622661B2 (ja) * 1982-04-13 1997-06-18 セイコーエプソン株式会社 液晶表示パネル
FR2527385B1 (fr) * 1982-04-13 1987-05-22 Suwa Seikosha Kk Transistor a couche mince et panneau d'affichage a cristaux liquides utilisant ce type de transistor
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPS63186216A (ja) 1987-01-28 1988-08-01 Nec Corp アクテイブマトリツクス液晶表示器
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH023988A (ja) * 1988-06-20 1990-01-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の電極構造
US5162901A (en) * 1989-05-26 1992-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto
US5247375A (en) * 1990-03-09 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Display device, manufacturing method thereof and display panel
JPH0772821B2 (ja) * 1990-06-25 1995-08-02 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の製造方法
TW222345B (en) * 1992-02-25 1994-04-11 Semicondustor Energy Res Co Ltd Semiconductor and its manufacturing method
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
KR970010685B1 (ko) * 1993-10-30 1997-06-30 삼성전자 주식회사 누설전류가 감소된 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
KR100394896B1 (ko) 1995-08-03 2003-11-28 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 투명스위칭소자를포함하는반도체장치
JP3625598B2 (ja) * 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US7663607B2 (en) * 2004-05-06 2010-02-16 Apple Inc. Multipoint touchscreen
CN1089624C (zh) * 1998-06-09 2002-08-28 中国石油化工集团公司 催化裂化再生烟气管道混合燃烧技术
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP3462135B2 (ja) * 1999-01-14 2003-11-05 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
CN1220098C (zh) 2000-04-28 2005-09-21 夏普株式会社 显示器件、显示器件驱动方法和装有显示器件的电子设备
JP3766926B2 (ja) 2000-04-28 2006-04-19 シャープ株式会社 表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置ならびに携帯機器
US7240364B1 (en) * 2000-05-20 2007-07-03 Ciena Corporation Network device identity authentication
US20020057018A1 (en) * 2000-05-20 2002-05-16 Equipe Communications Corporation Network device power distribution scheme
US7225244B2 (en) 2000-05-20 2007-05-29 Ciena Corporation Common command interface
US20020001307A1 (en) * 2000-05-20 2002-01-03 Equipe Communications Corporation VPI/VCI availability index
US6880086B2 (en) * 2000-05-20 2005-04-12 Ciena Corporation Signatures for facilitating hot upgrades of modular software components
US7222147B1 (en) * 2000-05-20 2007-05-22 Ciena Corporation Processing network management data in accordance with metadata files
US7143153B1 (en) 2000-11-09 2006-11-28 Ciena Corporation Internal network device dynamic health monitoring
US7111053B1 (en) 2000-05-20 2006-09-19 Ciena Corporation Template-driven management of telecommunications network via utilization of operations support services clients
US7266595B1 (en) 2000-05-20 2007-09-04 Ciena Corporation Accessing network device data through user profiles
US20020116485A1 (en) * 2001-02-21 2002-08-22 Equipe Communications Corporation Out-of-band network management channels
US20020118031A1 (en) * 2001-02-27 2002-08-29 Equipe Communications Corporation Connector test card
US7039046B1 (en) * 2000-05-20 2006-05-02 Ciena Corporation Network device including central and distributed switch fabric subsystems
US6934749B1 (en) * 2000-05-20 2005-08-23 Ciena Corporation Tracking distributed data retrieval in a network device
US6332198B1 (en) 2000-05-20 2001-12-18 Equipe Communications Corporation Network device for supporting multiple redundancy schemes
US6658580B1 (en) 2000-05-20 2003-12-02 Equipe Communications Corporation Redundant, synchronous central timing systems with constant master voltage controls and variable slave voltage controls
US6868092B1 (en) * 2000-05-20 2005-03-15 Ciena Corporation Network device with embedded timing synchronization
US6654903B1 (en) 2000-05-20 2003-11-25 Equipe Communications Corporation Vertical fault isolation in a computer system
US6658579B1 (en) 2000-05-20 2003-12-02 Equipe Communications Corporation Network device with local timing systems for automatic selection between redundant, synchronous central timing systems
US7054272B1 (en) * 2000-07-11 2006-05-30 Ciena Corporation Upper layer network device including a physical layer test port
US6639910B1 (en) 2000-05-20 2003-10-28 Equipe Communications Corporation Functional separation of internal and external controls in network devices
US7280529B1 (en) 2000-05-20 2007-10-09 Ciena Corporation Providing network management access through user profiles
US6930890B1 (en) * 2000-05-20 2005-08-16 Ciena Corporation Network device including reverse orientated modules
US6876652B1 (en) * 2000-05-20 2005-04-05 Ciena Corporation Network device with a distributed switch fabric timing system
WO2001090865A1 (en) 2000-05-20 2001-11-29 Equipe Communications Corporation Time synchronization within a distributed processing system
US20030120822A1 (en) * 2001-04-19 2003-06-26 Langrind Nicholas A. Isolated control plane addressing
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
JP3674488B2 (ja) * 2000-09-29 2005-07-20 セイコーエプソン株式会社 表示コントロール方法、表示コントローラ、表示ユニット及び電子機器
JP4554798B2 (ja) 2000-10-30 2010-09-29 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR20020038482A (ko) * 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7263597B2 (en) * 2001-04-19 2007-08-28 Ciena Corporation Network device including dedicated resources control plane
JP2003058114A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子およびその駆動方法
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
WO2003040441A1 (fr) * 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Film mince monocristallin homologue a super-reseau naturel, procede de preparation et dispositif dans lequel est utilise ledit film mince monocristallin
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP3845579B2 (ja) * 2001-12-26 2006-11-15 株式会社東芝 表示装置の駆動方法
JP4083486B2 (ja) * 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) * 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7189992B2 (en) 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
KR100587370B1 (ko) * 2003-10-29 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치
KR100987859B1 (ko) * 2003-11-03 2010-10-13 엘지디스플레이 주식회사 다결정실리콘 액정표시소자 및 그 제조방법
US20050195149A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-08 Satoru Ito Common voltage generation circuit, power supply circuit, display driver, and common voltage generation method
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
CN1998087B (zh) 2004-03-12 2014-12-31 独立行政法人科学技术振兴机构 非晶形氧化物和薄膜晶体管
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) * 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) * 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
JP4385912B2 (ja) * 2004-10-01 2009-12-16 日本ビクター株式会社 液晶表示装置
US7298084B2 (en) * 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7829444B2 (en) * 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
JP5118810B2 (ja) * 2004-11-10 2013-01-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
KR100953596B1 (ko) * 2004-11-10 2010-04-21 캐논 가부시끼가이샤 발광장치
US7453065B2 (en) * 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
EP2453481B1 (en) * 2004-11-10 2017-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor with amorphous oxide
AU2005302964B2 (en) * 2004-11-10 2010-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
JP5053537B2 (ja) * 2004-11-10 2012-10-17 キヤノン株式会社 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7863611B2 (en) * 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI445178B (zh) * 2005-01-28 2014-07-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) * 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US20090122207A1 (en) * 2005-03-18 2009-05-14 Akihiko Inoue Image Display Apparatus, Image Display Monitor, and Television Receiver
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
US8847861B2 (en) * 2005-05-20 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device, method for driving the same, and electronic device
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) * 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
US8284169B2 (en) 2005-09-01 2012-10-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
JP2007073705A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP5116225B2 (ja) * 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4560502B2 (ja) 2005-09-06 2010-10-13 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP4280736B2 (ja) * 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5064747B2 (ja) * 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101577231B (zh) * 2005-11-15 2013-01-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101221951B1 (ko) * 2005-12-28 2013-01-15 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
TWI292281B (en) * 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) * 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) * 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) * 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
US8259078B2 (en) 2006-06-09 2012-09-04 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
US7863612B2 (en) 2006-07-21 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
JP4999400B2 (ja) * 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) * 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) * 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
TWM313819U (en) 2006-10-27 2007-06-11 Heng-Lan Tsau Integrated structure of a touch panel and a liquid crystal display
US7772021B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
WO2008069255A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
KR101146574B1 (ko) * 2006-12-05 2012-05-16 캐논 가부시끼가이샤 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치
JP5305630B2 (ja) 2006-12-05 2013-10-02 キヤノン株式会社 ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
US8207944B2 (en) * 2006-12-19 2012-06-26 3M Innovative Properties Company Capacitance measuring circuit and method
KR101303578B1 (ko) * 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
JP5508662B2 (ja) * 2007-01-12 2014-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
TWI478347B (zh) * 2007-02-09 2015-03-21 Idemitsu Kosan Co A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP4727684B2 (ja) 2007-03-27 2011-07-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
CN101663762B (zh) * 2007-04-25 2011-09-21 佳能株式会社 氧氮化物半导体
JPWO2008136505A1 (ja) 2007-05-08 2010-07-29 出光興産株式会社 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
WO2009014289A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for preparing succinic acid using sucrose as a carbon source
JP5143514B2 (ja) 2007-09-21 2013-02-13 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置及び表示装置の製造方法
TWI350474B (en) * 2007-09-29 2011-10-11 Au Optronics Corp Capacitive touch panel with low impedance and method of manufacturing capacitive touch panels with low impedance
JP2009099887A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP5357493B2 (ja) 2007-10-23 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5489446B2 (ja) * 2007-11-15 2014-05-14 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP5489445B2 (ja) 2007-11-15 2014-05-14 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
US20110052490A1 (en) 2007-11-29 2011-03-03 Plur0Med, Inc Endoscopic mucosal resectioning using purified inverse thermosensitive polymers
JP5213422B2 (ja) 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
CN101897031B (zh) * 2007-12-13 2013-04-17 出光兴产株式会社 使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法
US8202365B2 (en) * 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
KR100936874B1 (ko) * 2007-12-18 2010-01-14 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법
TWI374379B (en) * 2007-12-24 2012-10-11 Wintek Corp Transparent capacitive touch panel and manufacturing method thereof
JP5061366B2 (ja) * 2008-01-04 2012-10-31 Ｎｅｃカシオモバイルコミュニケーションズ株式会社 ヒンジ構造、及び折り畳み式電子機器
JP5219529B2 (ja) * 2008-01-23 2013-06-26 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及び、該電界効果型トランジスタを備えた表示装置
WO2009093625A1 (ja) 2008-01-23 2009-07-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 電界効果型トランジスタ及びその製造方法、それを用いた表示装置、並びに半導体装置
JP2009206508A (ja) 2008-01-31 2009-09-10 Canon Inc 薄膜トランジスタ及び表示装置
KR100963003B1 (ko) 2008-02-05 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
JP5305696B2 (ja) * 2008-03-06 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の処理方法
US7749820B2 (en) * 2008-03-07 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof
JP4555358B2 (ja) * 2008-03-24 2010-09-29 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
US7998801B2 (en) * 2008-04-25 2011-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor having altered semiconductor layer
JP5305730B2 (ja) 2008-05-12 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の製造方法ならびにその製造装置
JP5305731B2 (ja) * 2008-05-12 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の閾値電圧の制御方法
JP5288141B2 (ja) 2008-05-22 2013-09-11 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、それを用いたアモルファス酸化物薄膜の形成方法、及び薄膜トランジスタの製造方法
JP5616038B2 (ja) * 2008-07-31 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI627757B (zh) * 2008-07-31 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR100975204B1 (ko) * 2008-08-04 2010-08-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
JP4623179B2 (ja) * 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) * 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
WO2010050419A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and display device
KR101515468B1 (ko) 2008-12-12 2015-05-06 삼성전자주식회사 표시장치 및 그 동작방법
KR101658256B1 (ko) * 2008-12-15 2016-09-20 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 복합 산화물 소결체 및 그것으로 이루어지는 스퍼터링 타겟
US8217913B2 (en) * 2009-02-02 2012-07-10 Apple Inc. Integrated touch screen
CN101840936B (zh) * 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
JP5185155B2 (ja) * 2009-02-24 2013-04-17 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 液晶表示装置
JP2010243707A (ja) 2009-04-03 2010-10-28 Asahi Glass Co Ltd 液晶光学変調装置、光強度変調装置および光ヘッド装置
TWI397184B (zh) * 2009-04-29 2013-05-21 Ind Tech Res Inst 氧化物半導體薄膜電晶體
JP5240059B2 (ja) 2009-05-14 2013-07-17 トヨタ自動車株式会社 排気還流装置の異常検出装置
JP5195650B2 (ja) 2009-06-03 2013-05-08 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置、制御方法および電子機器
TWI494828B (zh) * 2009-07-29 2015-08-01 Cando Corp 具降低感測結構可視性之電容式觸控面板
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP2011070092A (ja) 2009-09-28 2011-04-07 Sharp Corp 液晶表示装置
KR101772639B1 (ko) * 2009-10-16 2017-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101751908B1 (ko) * 2009-10-21 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전압 조정 회로
SG10201406869QA (en) * 2009-10-29 2014-12-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
KR101511076B1 (ko) * 2009-12-08 2015-04-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102352590B1 (ko) 2009-12-18 2022-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR102020739B1 (ko) * 2009-12-18 2019-09-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
KR102257564B1 (ko) * 2009-12-18 2021-05-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
KR101791279B1 (ko) * 2010-01-15 2017-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011096262A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101814222B1 (ko) * 2010-02-12 2018-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 장치
US8830424B2 (en) * 2010-02-19 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having light-condensing means
US20110267303A1 (en) 2010-05-02 2011-11-03 Acer Incorporated Capacitive touch panel
JP5248653B2 (ja) 2010-05-27 2013-07-31 富士フイルム株式会社 導電シート及び静電容量方式タッチパネル
US8605059B2 (en) * 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
JP5993141B2 (ja) * 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR102279459B1 (ko) * 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP6108103B2 (ja) 2013-06-06 2017-04-05 トヨタ自動車株式会社 巻線装置及び巻線方法
JP7101049B2 (ja) 2018-06-06 2022-07-14 朋和産業株式会社 食品用包装袋
JP7114059B2 (ja) 2018-06-07 2022-08-08 三甲株式会社 トレー
JP6991930B2 (ja) 2018-06-07 2022-01-13 相互印刷株式会社 プレススルーパックの包装体
JP6594576B1 (ja) 2018-06-07 2019-10-23 キヤノン株式会社 光学系、それを備える撮像装置及び撮像システム
JP6788174B1 (ja) 2019-06-11 2020-11-25 馨 林谷 母板に雑草粘着液排除孔のある刈り払い刃。
JP2022186216A (ja) 2021-06-04 2022-12-15 Tdk株式会社 音響デバイス
JP2024178564A (ja) 2023-06-13 2024-12-25 トヨタ自動車株式会社 暖房システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002098990A (ja) * 2000-09-21 2002-04-05 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2009021612A (ja) * 2005-09-29 2009-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2009010362A (ja) * 2007-05-31 2009-01-15 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP2009267399A (ja) * 2008-04-04 2009-11-12 Fujifilm Corp 半導体装置，半導体装置の製造方法，表示装置及び表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160071890A1 (en) 2016-03-10
KR101867003B1 (ko) 2018-06-12
KR101998737B1 (ko) 2019-07-10
JP2017161913A (ja) 2017-09-14
US12317599B2 (en) 2025-05-27
CN103219390B (zh) 2014-11-12
TW201619680A (zh) 2016-06-01
US20190288013A1 (en) 2019-09-19
CN105140245A (zh) 2015-12-09
JP2013008027A (ja) 2013-01-10
JP2020010061A (ja) 2020-01-16
EP2513893A4 (en) 2016-09-07
US11282864B2 (en) 2022-03-22
JP2014178695A (ja) 2014-09-25
KR102135817B1 (ko) 2020-07-20
JP2013101350A (ja) 2013-05-23
KR101282383B1 (ko) 2013-07-04
CN102667910A (zh) 2012-09-12
WO2011074391A1 (en) 2011-06-23
KR20130030827A (ko) 2013-03-27
TWI457677B (zh) 2014-10-21
KR20190083673A (ko) 2019-07-12
KR102197397B1 (ko) 2020-12-31
CN103219390A (zh) 2013-07-24
JP2023138583A (ja) 2023-10-02
KR102275522B1 (ko) 2021-07-08
JP5799128B2 (ja) 2015-10-21
JP7323665B2 (ja) 2023-08-08
JP5025784B2 (ja) 2012-09-12
TW201835662A (zh) 2018-10-01
US11798952B2 (en) 2023-10-24
US20140293167A1 (en) 2014-10-02
CN105140245B (zh) 2018-07-17
US9244323B2 (en) 2016-01-26
JP2021036611A (ja) 2021-03-04
JP6126656B2 (ja) 2017-05-10
TW201443534A (zh) 2014-11-16
JP5690777B2 (ja) 2015-03-25
JP2025061961A (ja) 2025-04-11
KR20210084709A (ko) 2021-07-07
US20240047468A1 (en) 2024-02-08
JP2015222443A (ja) 2015-12-10
US20110149185A1 (en) 2011-06-23
US20220199654A1 (en) 2022-06-23
JP5341245B2 (ja) 2013-11-13
JP2019016808A (ja) 2019-01-31
US20170039977A1 (en) 2017-02-09
KR20120105505A (ko) 2012-09-25
TW201202819A (en) 2012-01-16
KR101765849B1 (ko) 2017-08-08
KR20200145866A (ko) 2020-12-30
CN102667910B (zh) 2015-11-25
KR20170091787A (ko) 2017-08-09
EP2513893A1 (en) 2012-10-24
US8823893B2 (en) 2014-09-02
JP2022066286A (ja) 2022-04-28
JP6598956B2 (ja) 2019-10-30
KR20180063378A (ko) 2018-06-11
JP2011237760A (ja) 2011-11-24
US9620525B2 (en) 2017-04-11
KR20200088505A (ko) 2020-07-22
TW201324012A (zh) 2013-06-16
US10256254B2 (en) 2019-04-09
KR102352590B1 (ko) 2022-01-17
TWI676850B (zh) 2019-11-11
TWI533068B (zh) 2016-05-11
JP6797263B2 (ja) 2020-12-09
TWI663457B (zh) 2019-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI424240B (zh) 液晶顯示裝置及電子裝置
点击 这是indexloc提供的php浏览器服务，不要输入任何密码和下载