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TWI452384B - 具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI452384B
TWI452384B TW100128394A TW100128394A TWI452384B TW I452384 B TWI452384 B TW I452384B TW 100128394 A TW100128394 A TW 100128394A TW 100128394 A TW100128394 A TW 100128394A TW I452384 B TWI452384 B TW I452384B
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Han Seok Lee
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Description

具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置及其製造方法
本發明涉及一種平板顯示裝置，尤其涉及一種具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其增強了驅動性能，並藉由一種簡化的製造過程而降低了製造成本，及其製造方法。
近期在如行動終端機和筆記型電腦等的各種行動電子裝置之發展已增加了適用平板顯示裝置的需求。
平板顯示裝置包括液晶顯示裝置(liquid crystal display，LCD)、電漿顯示面板(plasma display panel，PDP)、場發射顯示裝置(field emission display，FED)、發光二極體顯示裝置(light-emitting diode，LED)等。在各種平板顯示裝置中，LCD裝置由於擁有例如大規模生產的技術開發、驅動方法簡單、低功率消耗、高品質解析度和大尺寸螢幕等各種優勢而被廣泛使用。
取代利用現有技術滑鼠或鍵盤作為輸入裝置，觸控螢幕近來已被用作平板顯示裝置的一種新型輸入裝置，其中觸控螢幕讓使用者藉由使用手指或筆來直接輸入資訊。
觸控螢幕已被廣泛應用在各種領域中，例如，行動終端機如導航、工業用終端機、筆記本電腦、自動取款機(automatic teller machine，ATM)、行動電話、MP3、PDA、PMP、PSP、行動遊戲機，DMB接收器以及平板PC；以及如冰箱、微波爐和洗衣機等電器。此外，觸控螢幕的簡單操作方法迅速擴大了其應用領域。
現已對纖薄的平板顯示裝置如具有內建觸控螢幕的LCD裝置進行了研究及開發。尤其，內嵌式接觸LCD裝置已被廣泛地研究及開發，其中內嵌式接觸LCD裝置指的是利用現有技術結構中存在的元件的一種LCD裝置，如下基板上的公共電極作為接觸-感測電極。
第1圖說明瞭根據現有技術具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其驅動方法。
參見第1圖，根據現有技術的具有內建觸控螢幕的LCD裝置包含下基板50和上基板60，該等基板使用插入其間的液晶層(未顯示)以相互連接。
在上基板60上，有一黑色矩陣62；紅色彩色濾光片64R、綠色彩色濾光片64G和藍色彩色濾光片64B；以及一外層66。在這種情況下，黑色矩陣62界定了對應複數個像素的每一個的像素區域。又，紅色彩色濾光片64R、綠色彩色濾光片64G和藍色彩色濾光片64B分別形成在由黑色矩陣62所界定的各自像素區域內。外層66覆蓋紅色、綠色和藍色彩色濾光片64R、64G和64B以及黑色矩陣62，從而平坦化該上基板60。
在下基板50上，有一像素陣列40，該像素陣列40包括複數個像素以驅動液晶層並檢測手指或筆的接觸點。
複數個像素的每一個由相互交叉的閘極線和資料線所界定。在閘極線和資料線的交叉點處，有一薄膜電晶體(thin film transistor，以下稱為“TFT”)。複數個像素的每一個包括一公共電極和一像素電極。
第2圖為根據現有技術說明具有內建觸控螢幕的LCD裝置中下基板的剖面圖。第2圖顯示了處於邊緣電場轉換(fringe field switch，FFS)模式中的下基板。
參見第2圖，下基板50的每個像素形成在玻璃基板上。每個像素包括遮光層71，用於阻擋入射光；遮光層71上的緩衝層51；緩衝層51上的主動層72；主動層72上的閘極絕緣層52；以及閘極絕緣層52上金屬材料的閘極電極73，其中閘極電極73與主動層72部分重疊。
存在層間絕緣(interlayer dielectric，ILD)53和資料電極74。層間絕緣53形成在閘極電極73上，從而使閘極電極73與資料電極74絕緣。資料電極74電氣連接主動層72，其中主動層72通過藉由蝕刻閘極絕緣層52和層間絕緣53而形成的接觸孔而部分暴露。
這時，藉由將金屬材料埋在暴露部分主動層72的接觸孔中，形成資料電極74。資料電極74電氣連接像素電極77。
在下基板50的每個像素中，有第一鈍化層(PAS0)54、第二鈍化層(PAS1)55以及相繼形成在層間絕緣53上的公共電極75。形成第一鈍化層(PAS0)54和第二鈍化層(PAS1)55以覆蓋閘極電極71和資料電極74。公共電極75形成在第二鈍化層55上，其中公共電極75由如氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)的透明導電材料形成。
在下基板50的每個像素中，有一導線(第三金屬)76、第三鈍化層(PAS2)56以及像素電極77。導線76形成在公共電極75上並與公共電極75的預定部分電氣連接。形成第三鈍化層56以覆蓋公共電極75和導線76。像素電極77電氣連接第三鈍化層56的上部以及資料電極74，其中像素電極77由透明導電材料形成。
藉由部分蝕刻第一鈍化層(PAS0)54、第二鈍化層(PAS1)55和第三鈍化層(PAS2)以形成該接觸孔。通過該接觸孔，資料電極74的上部被暴露。
在這種情況下，形成在第一鈍化層(PAS0)54上的第二鈍化層(PAS1)55的預定部分首先被蝕刻，以及接著第一鈍化層(PAS0)54和第三鈍化層(PAS2)56的預定部分被蝕刻，從而暴露閘極電極74的上部。
藉由蝕刻第一鈍化層(PAS0)54、第二鈍化層(PAS1)55和第三鈍化層(PAS2)，像素電極77形成在該接觸孔內以及第三鈍化層56上。因此，像素電極77電氣連接資料電極74。
在現有技術結構中，對於資料電極74和像素電極77之間電氣連接的接觸孔的開口區域依賴第一鈍化層54、第二鈍化層55和第三鈍化層中蝕刻的區域而確定。尤其，對於資料電極74和像素電極77之間電氣連接的接觸孔的開口區域依賴第二鈍化層55的蝕刻區域來主要確定。
因此，資料電極74的暴露區域被減小，從而資料電極74和像素電極77之間接觸區域也被減小，進而使接觸效率惡化。
在第二鈍化層55之後蝕刻第三鈍化層的微影期間，可能有對準失效及由外界因素引起的接觸失效。
在根據具有上述結構之現有技術的內建觸控螢幕的LCD裝置中，公共電極75用作非顯示模式的接觸-感測電極，從而基於使用者接觸而感測電容(Ctc)，並藉由感測的電容檢測接觸點。
根據現有技術之具有內建觸控螢幕的LCD裝置以以下方式形成，該方式為公共電極75排列在每個單獨的像素中，並且各個公共電極75藉由使用導線76而相互連接。
因此，形成公共電極75的製程與形成導線76的製程是分開地執行，從而增加了生產成本並且由於複雜的製造過程而導致產率降低。
非晶矽(amorphous silicon，a-Si)TFT具有低驅動速度以及細線寬度設計受限的缺陷。為了克服該等缺陷，下基板50的元件(如TFT)可由低溫多晶矽(low temperature polysilicon，LTPS)形成。
如果下基板50的元件(如TFT)由低溫多晶矽(LTPS)形成，如第3圖所示，該過程不可避免地使用十道光罩。又，藉由利用十道光罩而執行複數個製程(如155個步驟)。
尤其，用於形成公共電極75和導線76的各個製程使用額外光罩(“光罩7”用於形成公共電極，以及“光罩8”用於形成導線)，從而執行複數個製程。
如上所述，相對於非晶矽(a-Si)，低溫多晶矽(LTPS)促進實現了高解析度，且還促進得到良好的TFT-操作特性。然而，與使用非晶矽(a-Si)相比，增加的光罩製程引起複雜的製造過程，從而降低價格競爭和效率。
因此，本發明旨在提供一種具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法，其基本上避免了由於現有技術的限制級缺點而導致的一個或多個問題。
本發明的目的在於提供一種具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法，藉由利用低溫多晶矽(LTPS)的下基板，從而增強了驅動效率。
本發明的另一目的在於提供一種具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法，藉由減小用於形成下基板過程的光罩的數量，從而降低了製造成本。
本發明的再一目的在於提供一種具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法，藉由簡化下基板的製造過程，從而增強了製造效率。
本發明的又一目的在於提供一種具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法，藉由增加下基板上資料電極和像素電極之間的接觸，從而增強了接觸效率。
對於本發明額外的優點，目的和特點將在隨後的描述中闡明，部分內容將對於此領域具有技術者將在審視隨後的描述，或者可以藉由實施本發明瞭解到而顯而易見。本發明的目的和其他優點將藉由特別在描述中指出的結構和在此的申請專利範圍以及所附附圖說明實現和獲得。
為了實現上述目標和其他優點並依據本發明的目的，此處具體並大體描述，提供一種具有內建觸控螢幕的液晶顯示裝置，包括：一基板，具有一像素區域；一薄膜電晶體，形成在該像素區域中，該薄膜電晶體包括至少一主動層，一閘極電極，一絕緣層以及一資料電極；一第一鈍化層，形成在該薄膜電晶體上；一第一接觸孔，通過第一鈍化層的一部分形成，用以暴露出該資料電極；一公共電極，形成在內部包括第一接觸孔的第一鈍化層的至少一部分上，該公共電極用於感測接觸；一導線，形成在內部包括第一接觸孔的第一鈍化層的至少一部分上；一第二鈍化層，形成在該公共電極和該導線上；一第二接觸孔，通過第二鈍化層的一部分形成，用以暴露對應該資料電極的導線；以及一像素電極，與導線電氣連接，該像素電極形成在第二鈍化層上及第二接觸孔內，其中該資料電極經由該公共電極和導線與該像素電極電氣連接。
在本發明的另一方面，提供一種用於製造具有內建觸控螢幕的液晶顯示裝置的方法，包括以下步驟：形成一具有一像素區域的基板；在該像素區域內形成一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括至少一主動層，一閘極電極，一絕緣層以及一資料電極；在該薄膜電晶體上形成一第一鈍化層；通過第一鈍化層的一部分形成一第一接觸孔，用以暴露該資料電極；在內部包括第一接觸孔的第一鈍化層的至少一部分上形成一公共電極，該公共電極用於感測接觸；在內部包括第一接觸孔的第一鈍化層的至少一部分上形成一導線；在該公共電極和該導線上形成一第二鈍化層；通過第二鈍化層的一部分形成一第二接觸孔，用以暴露對應該資料電極的導線；以及形成與導線電氣連接的一像素電極，該像素電極形成在第二鈍化層上及第二接觸孔內，其中該資料電極經由該公共電極和導線與該像素電極電氣連接。
在本發明的又一方面中，提供一種用於製造具有內建觸控螢幕的液晶顯示裝置的方法，包括以下步驟：在一基板的每個像素區域內形成一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括一主動層，一閘極電極，一絕緣層以及一資料電極；藉由在該薄膜電晶體上形成一第一鈍化層並部分地蝕刻該第一鈍化層，形成一第一接觸孔，用以暴露該資料電極；利用一光罩藉由微影、蝕刻及灰化製程，在該第一鈍化層上及第一接觸孔內形成一公共電極和一導線，其中該公共電極與導線連接；藉由在公共電極和導線上形成一第二鈍化層並部分地蝕刻該第二鈍化層，形成一第二接觸孔，用以暴露對應資料電極的導線；以及在第二鈍化層上及第二接觸孔內形成一像素電極，該像素電極與導線電氣連接。
可以理解的是，上文的概括說明和下文的詳細說明都具有示例性和解釋性，並意圖在於為本發明所提出的申請專利範圍作進一步的解釋說明。
參考所附圖式描述實施例，將詳細描述本發明的示例實施例。在任何可能的情況下，貫穿附圖使用相同的附圖標記代表相同或相似的部分。
以下，參見所附圖式將描述根據本發明的具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法。
為了本發明實施例的以下描述，如果第一結構(如電極，線，層，接觸等)描述為形成在第二結構“之上”或“之下”，第一和第二結構可相互接觸，或者存在一第三結構，插在第一和第二結構之間。
依賴於液晶層的對準模式，LCD裝置可分為扭曲向列(twisted-nematic，TN)模式、垂直對準(vertical alignment，VA)模式、共面轉換(in-plane switching，IPS)模式以及邊緣電場轉換(FFS)模式。
在IPS模式和FFS模式的情況下，像素電極和公共電極形成在下基板上，進而依賴像素電極和公共電極之間的電場來對準液晶層的液晶分子。尤其，在IPS模式中，該像素電極和公共電極交替平行排列，從而共面模式電場發生在像素電極和公共電極之間，進而對準液晶層的液晶分子。
然而，在IPS模式中，該等液晶分子在像素電極和公共電極上並未被正確對準，從而該像素電極和公共電極上的透光率相對降低。
為了克服IPS模式的該問題，建議使用FFS模式。在FFS模式中，一絕緣層插在像素電極和公共電極之間。
在這種情況下，像素電極和公共電極的任意一個形成板形或圖案，並且另一個形成指形，進而一邊緣場發生在該像素電極和公共電極之間。因此，通過在該像素電極和公共電極之間發生的邊緣場而對準液晶層的液晶分子。
根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置形成在FFS模式中。
根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置包含一具有內建觸控螢幕的內嵌式接觸液晶面板，用於使用者接觸點的檢測；一背光單元，用於將光提供至該液晶面板；以及一驅動電路。
該驅動電路包括一時序控制器(T-con)、一資料驅動器(D-IC)、一閘極驅動器(G-IC)、一接觸-感測驅動器、一背光驅動器以及一電源。
該驅動電路可全部或部分地形成在玻璃上置晶片(chip-on-glass，COG)或薄膜上置晶片(chip-on-film，COF，在撓性印刷電路上設置晶片)中。
該液晶面板包括下基板和上基板，該上基板和下基板使用插入其間的液晶層而相互連接。又以矩陣結構排列的複數個像素形成在該液晶面板中。
依據資料電壓，該液晶面板控制通過每個像素內液晶層的光的透過率，進而根據視訊信號顯示一影像。又，下基板上的公共電極可被驅動為感測電極，用以依據使用者的接觸來感測電容的變化，進而藉由由公共電極感測的電容而檢測使用者的接觸點。
在上基板上，存在一黑色矩陣(black matrix，BM)；紅色、綠色和藍色彩色濾光片；以及一外層。在這種情況中，黑色矩陣界定了對應複數個像素的每一個的像素區域。又，紅色、綠色和藍色彩色濾光片分別形成在由黑色矩陣所界定的各自像素區域內。外層覆蓋紅色、綠色和藍色彩色濾光片以及該黑色矩陣，從而平坦化該上基板。
在下基板上，存在一像素陣列，該像素陣列包括複數個像素，用以驅動液晶層並藉由依據使用者的接觸而感測電容來檢測接觸點。
該像素陣列包括一即將描述的薄膜電晶體；公共電極；以及導線(第三金屬)，用於各個像素內公共電極的連接。下基板和上基板利用密封劑相互連接。又，液晶面板的顯示區域(主動區域)通過該密封劑而被保護。
儘管下基板中未顯示，形成相互交叉的閘極和資料線以界定複數個像素。
一薄膜電晶體(TFT)形成在每個像素中，其中該TFT用作一開關元件。與TFT電氣連接的像素電極形成在複數個像素的每一個內。
這時，該TFT包括一閘極電極、一主動層(半導體層)、一絕緣層以及一資料電極(源極或汲極電極)。該TFT可形成底部閘極結構，在該結構中閘極電極位於主動層的下面。或者，該TFT可形成頂部閘極結構，在該結構中該閘極電極位於該主動層上面。
第4圖說明瞭根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置中的下基板。在根據本發明實施例的具有內建觸控螢幕的LCD裝置中，該下基板可由低溫多晶矽(LTPS)形成。
參見第4圖，複數個像素形成在該下基板100上。
每個像素包括一TFT，該TFT包含閘極電極150、資料電極170和絕緣層；像素電極(像素ITO)220，該像素電極與TFT連接，用以根據視訊信號提供像素電壓；公共電極190，用於將公共電壓(Vcom)提供至該像素；以及導線200，用於各個像素內公共電極190的連接。
這時，導線200作為一接觸線，使得公共電極190驅動為一接觸-感測電極以檢測使用者的接觸點。
更詳細地，下基板100的每個像素包括遮光層110，阻止光入射至主動層(半導體層)130上；該遮光層110上的緩衝層120；該緩衝層120上的主動層130；該主動層130上的閘極絕緣層(gate insulator，GI)140；以及閘極電極150，該閘極電極150與主動層130部分重疊並由閘極絕緣層140上的金屬形成。
存在一層間絕緣(ILD)160和資料電極170。層間絕緣160形成在閘極電極150上，從而使閘極電極150與資料電極170絕緣。閘極電極170電氣連接主動層130，其中主動層130通過一凹槽被部分暴露。
藉由蝕刻閘極絕緣層140和層間絕緣160的預定部分形成該凹槽，進而該凹槽暴露出了主動層130的預定部分。
藉由將一金屬材料埋在該凹槽中，形成資料電極170。資料電極170經由公共電極190和導線200電氣連接至像素電極220。
在下基板100的每個像素中，存在第一鈍化層(PAS1)180、公共電極190、以及導線200。形成第一鈍化層(PAS1)180以覆蓋閘極電極150和資料電極170。公共電極190形成在第一鈍化層180的上部，並與資料電極170接觸，其中該公共電極190由如氧化銦錫(ITO)的透明導電材料形成。導線200形成在公共電極190的預定部分上，並與公共電極190電氣連接。
這時，利用一半色調式光罩(half-tone mask，HTM)藉由一光罩製程形成公共電極190和導線200。
藉由部分蝕刻第一鈍化層180形成第一接觸孔以暴露出資料電極170的上部。接著，公共電極190和導線200相繼形成在該第一接觸孔內。因此，資料電極170、公共電極190和導線200與該接觸孔電氣連接。
下基板100的每個像素包括第二鈍化層(PAS2)210，用以覆蓋公共電極190和導線200；以及像素電極220，與第二鈍化層210的上部和資料電極170電氣連接，其中該像素電極220由透明導電材料形成。
藉由部分蝕刻第二鈍化層210形成第二接觸孔，用以暴露出與資料電極170連接的導線200。接著，像素電極220形成在該第二接觸孔內。因此，該像素電極220經由公共電極190和導線200與資料線170電氣連接。
在根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置中，在一畫面的顯示期間內，一資料電壓被提供至像素電極220，以及一公共電壓被提供至公共電極190，用以顯示一影像。
在一畫面的非顯示期間內，在每個像素內形成且藉由導線200所連接的公共電極190被驅動為接觸-感測電極，用以依據使用者的接觸來檢測電容(Ctc)的變化。
為此，在一畫面的顯示期間內，公共電極190提供公共電壓至該像素，並且在一畫面的非顯示期間內公共電極190被驅動為接觸-感測電極以檢測使用者的接觸。
依據使用者的接觸，在上基板和下基板的公共電極190之間形成接觸電容。藉由對比依據使用者的接觸之接觸電容與參考電容，檢測該接觸點。
在根據本發明實施例的具有內建觸控螢幕的LCD裝置中，資料電極170通過第一接觸孔而被暴露，該第一接觸孔通過蝕刻下基板100的第一鈍化層180而形成。
利用一半色調式光罩藉由一光罩製程，將公共電極190和導線200同時形成在第一接觸孔內，其中藉由部分蝕刻第一鈍化層180形成第一接觸孔。因此，像素電極220經由公共電極190和導線200與資料電極170接觸。
這時，公共電極190和導線200用於資料電極170和像素電極200之間的連接，其中公共電極190和導線200形成在第一接觸孔內以暴露資料電極170的上部。
形成在第一接觸孔內的公共電極與形成在第一鈍化層180上的公共電極電絕緣。
額外公共電壓未被施加至形成在第一接觸孔內的公共電極190。同時，在一畫面的顯示期間內，公共電壓被施加至形成在第一鈍化層180上的公共電極。
根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置係依照以下方式形成，即第一鈍化層(PAS0)從現有技術的層間絕緣移除，並且公共電極190和導線200藉由一半色調式光罩同時形成。因此，在用於形成第二鈍化層(PAS2)210的以下過程中，根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置可確保足夠的對準界限。
因此，通過藉由蝕刻第二鈍化層(PAS2)210所形成之第二接觸孔的足夠的尺寸，確保資料電極170和像素電極220之間足夠的接觸區域，進而提高資料電極170和像素電極220之間的接觸效率。
又，在資料電極170和像素電極220之間接觸的製造過程中，可減小由異物引起的接觸失效，從而由於資料電極170和像素電極220之間改進的接觸結構，提高了LCD裝置的驅動效率。
參見第5圖至第9圖，將描述用於製造根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法。
如第5圖所示，利用一半色調式光罩藉由一光罩製程形成導線200，該導線200用於連接下基板100的公共電極190和每個像素的公共電極190。
與現有技術相比，該製造過程所使用的光罩數量減少，從而減少了伴隨的製程。又，因為省略了移除現有技術的第一鈍化層(PAS0)的過程，所以簡化了本發明的製造過程。
如第6圖(a)所示，如金屬材料的遮光材料形成在一基板上。接著，利用一光罩藉由微影及濕蝕刻製程圖案化該遮光材料，從而形成遮光層110。將遮光層110與通過以下過程形成的主動層130對準。
該基板可由透明玻璃或透明塑膠形成。第6圖顯示了利用玻璃基板的示例性情況。
之後，形成緩衝層120以覆蓋遮光層110，並且非晶矽(a-Si)沉積在該緩衝層120上，從而形成半導體層。然後，利用一光罩藉由微影及乾蝕刻製程圖案化該半導體層，進而形成主動層130。在該基板的一側對準主動層130和遮光層110。
如第6圖(b)所示，矽酸四乙酯(Tetra Ethyl Ortho Silicate，TEOS)或中溫氧化物(Middle Temperature Oxide，MTO)可以藉由化學氣相沉積通過(chemical vapor desopsition，CVD)沉積在該基板的整個表面上，從而形成閘極絕緣層140。
然後，一金屬材料沉積在該閘極絕緣層140上，同時與主動層130重疊。然後，利用一光罩藉由微影及蝕刻製程形成閘極電極150，並且該閘極電極150被少量地摻雜N型摻雜劑(N-)。
當形成閘極電極150時，執行濕蝕刻製程和乾蝕刻製程。在濕蝕刻製程和乾蝕刻製程之間，主動層130大量摻雜N型摻雜劑(N+)。隨著閘極電極150形成在主動層130上，未與閘極電極150重疊的主動層130的預定區域大量摻雜N型摻雜劑(N+)。
如第6圖(c)所示，一絕緣材料沉積在該基板上，進而閘極電極150和閘極絕緣層140被覆蓋有該絕緣材料，其形成層間絕緣160以使閘極電極150與下基板的其他元件絕緣。
然後，利用一光罩將微影及乾蝕刻製程應用在與主動層130部分重疊的層間絕緣160的預定部分以及閘極絕緣層140的預定部分，進而形成暴露主動層130上部的凹槽162。
如第7圖(a)所示，一金屬材料沉積在該基板的整個表面上及凹槽162內(其中該金屬材料被埋在凹槽162內)。之後，利用一光罩藉由微影及濕蝕刻製程形成資料電極170。
在凹槽162內，資料電極170電氣連接主動層130。
如第7圖(b)所示，形成第一鈍化層(PAS1)180以覆蓋層間絕緣160和資料電極170。然後，利用一光罩藉由微影及蝕刻製程形成用於暴露資料電極170的第一接觸孔182。
接著，相繼沉積一透明導電材料和一金屬材料在第一鈍化層(PAS1)180上和第一接觸孔182內。
如第7圖(c)所示，利用一半色調式光罩藉由微影、蝕刻及灰化製程，將公共電極190和導線200形成在第一鈍化層(PAS1)180的預定部分上以及第一接觸孔182內。
公共電極190與導線200電氣連接。在一畫面的顯示期間，公共電壓(Vcom)被提供至形成在第一鈍化層(PAS1)180上的公共電極190。
同時，形成在第一接觸孔182內的公共電極190作為接觸電極，用以電氣連接上述資料電極170和像素電極220，進而該公共電壓(Vcom)未被提供至形成在第一接觸孔182內的公共電極190。
以下將詳細解釋利用一半色調式光罩形成公共電極190和導線200的詳細方法。
如第8圖(a)所示，ITO(氧化銦錫)及金屬材料相繼沉積在預定結構(如第一鈍化層PAS1,180)上，從而依次形成ITO層192和金屬層202。
然後，藉由塗佈光阻劑形成光阻層230(以下稱為“PR層”)，更具體地，形成光丙烯酸在金屬層202之上。
如第8圖(b)所示，利用半色調式光罩240藉由微影，形成具有凹凸圖案的光阻圖案232(以下稱為“PR圖案”)於金屬層202上。也就是藉由使用半色調式光罩240用光照射PR層230，從而形成複數個PR圖案232，作為用於形成公共電極190和導線200的遮罩。
該半色調式光罩240包括一非透光區域，光線無法穿透該非透光區域；一半透光區域，光線部分穿透該半透光區域；以及一透光區域，光線穿透該透光區域。因此，由於利用半色調式光罩240圖案化PR層230，能夠形成具有不同寬度和厚度的複數個PR圖案232。
如果利用半色調式光罩240，對應於非透光區域的PR層230保持原樣；對應於半透光區域的PR層230留下部分；以及對應於透光區域的PR層230被完全移除。
例如，當將50mJ~100mJ發光曝光的光線施加至PR層230時，可形成複數個PR圖案232。也就是，非透光區域的PR圖案具有1.5-3.0μm的“h1”高度；以及半透光區域的PR圖案具有0.2-1.0μm的“h2”高度。
在複數個PR圖案中，第一PR圖案的寬度(a)和第二PR圖案的寬度(b)可設計在2-5μm的範圍內。第一PR圖案的寬度(a)可不同於第二PR圖案的寬度(b)。為了獲得該線的直線度，第一PR圖案的寬度(a)相對較小，以及第二PR圖案的寬度(b)相對較大。
如第8圖(c)所示，利用複數個PR圖案232作為一遮罩，首先灰化金屬層202，從而形成金屬圖案204。由第一蝕刻形成的PR圖案232和金屬圖案204的臨界尺寸“c”可不超過0.5μm。
如第8圖(d)所示，在灰化複數個PR圖案232之後，在金屬圖案204被作為遮罩的情況下蝕刻ITO層192，進而形成ITO圖案194。這時，當蝕刻ITO層192時，藉由電漿破壞一有機膜，也就是，可以藉由電漿破壞光丙烯酸。因此，當驅動液晶面板時，由於破壞的光丙烯酸可發生污染。為了防止該等污染，在ITO層192的蝕刻製程之前可執行PR圖案232的灰化過程。
如第8圖(e)所示，在PR圖案232的灰化過程之後剩餘的PR圖案作為遮罩的情況下，藉由第一次蝕刻金屬層202所形成的金屬圖案204被第二次蝕刻。這時，由第二次蝕刻所形成的PR圖案232和金屬圖案204的臨界尺寸“d”可不超過0.5μm。
如第8F圖所示，藉由蝕刻基板上剩餘的PR圖案232，形成ITO的公共電極190，並且導線200由金屬材料形成。
如第7圖所示，公共電極190和導線200同時形成在第一接觸孔182內，其中該第一接觸孔180用於暴露第一鈍化層(PAS1)180的上部和資料電極170。
參見第8圖，利用一半色調式光罩藉由一光罩製程，同時形成公共電極190和導線200。
如第9圖(a)所示，第二鈍化層(PAS2)210形成在第一鈍化層(PAS1)180上，從而覆蓋公共電極190和導線200。
然後，利用光罩藉由微影及蝕刻製程，第二接觸孔212形成在第二鈍化層(PAS2)210的預定部分中。這時，第二接觸孔212形成在對應於資料電極170的區域內，其中第二接觸孔212暴露與資料電極170電氣連接的導線200。
如第9圖(b)所示，如ITO的透明導電材料的像素電極220可形成在第二鈍化層(PAS2)210上，且還可形成在第二接觸孔212內。
在第二接觸孔212內，像素電極220與導線200電氣連接。因此，資料電極170經由形成在第一接觸孔182內的公共電極190和導線200與像素電極220電氣連接。
對於上述解釋，主動層摻雜有N型摻雜劑，但不是必需。根據本發明另一實施例，主動層可摻雜有P型摻雜劑。
在用於製造根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的上述方法中，藉由一光罩使用的光罩的數量小於現有技術的方法中使用的光罩數量。與現有技術的方法相比，在用於製造根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的上述方法中的伴隨過程下降了7.7%(現有技術的方法需要155個步驟，本發明的方法需要143個步驟)，從而用於製造根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法實現了降低的製造成本以及提高的製造效率。
在根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法中，公共電極190和導線200可利用一半色調式光罩同時形成，從而確保下述過程的界限。
在根據本發明實施例的具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法中，由於下基板100上的資料電極170和像素電極220之間增加的接觸效率，進而提高了驅動效率。
在根據本發明實施例的具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法中，下基板100由低溫多晶矽(LTPS)形成，從而提高了驅動效率。
可以理解地是，對於本領域具有技術者能夠在不脫離本領域的精神及範疇而做出各種修飾及變更。因此，這表示本發明意圖涵蓋了落入本本發明申請專利範圍及其等效之發明的各種修飾及變更。
本申請案主張於2010年9月20日在韓國提交之申請第10-2010-0092368號專利的權益，並在此結合引用。
40．．．像素陣列
50．．．下基板
51．．．緩衝層
52．．．閘極絕緣層
53．．．層間絕緣
54．．．第一鈍化層
55．．．第二鈍化層
56．．．第三鈍化層
60．．．上基板
62．．．黑色矩陣
64R．．．紅色彩色濾光片
64G．．．綠色彩色濾光片
64B．．．藍色彩色濾光片
66．．．外層
71．．．遮光層
72．．．主動層
73．．．閘極電極
74．．．資料電極
75．．．公共電極
76．．．導線
77．．．像素電極
100．．．下基板
110．．．遮光層
120．．．緩衝層
130．．．主動層
140．．．閘極絕緣層
150．．．閘極電極
160．．．層間絕緣
162．．．凹槽
170．．．資料電極
180．．．第一鈍化層
182．．．第一接觸孔
190．．．公共電極
192．．．ITO層
200．．．導線
202．．．金屬層
210．．．第二鈍化層
212．．．第二接觸孔
220．．．像素電極
230．．．光阻層
232．．．光阻圖案
240．．．半色調式光罩
所附圖式其中提供關於本發明實施例的進一步理解並且結合與構成本說明書的一部份，說明本發明的實施例並且與描述一同提供對於本發明實施例之原則的解釋。圖式中：
第1圖說明根據現有技術之具有內建觸控螢幕的LCD裝置及其製造方法；
第2圖為說明根據現有技術之具有內建觸控螢幕的LCD裝置中下基板的剖面圖；
第3圖說明用於製造根據現有技術之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第4圖說明根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置中的下基板；
第5圖說明用於製造根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第6圖(a)至(c)說明用於製造根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第7圖(a)至(c)說明用於製造根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；
第8圖(a)至(f)說明用於製造根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法；以及
第9圖(a)與(b)說明用於製造根據本發明實施例之具有內建觸控螢幕的LCD裝置的方法。
100．．．下基板
110．．．遮光層
120．．．緩衝層
130．．．主動層
140．．．閘極絕緣層
150．．．閘極電極
160．．．層間絕緣
170．．．資料電極
180．．．第一鈍化層
190．．．公共電極
200．．．導線
210．．．第二鈍化層
220．．．像素電極

Claims (21)

  1. 一種具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，包括：一基板，具有一像素區域；一薄膜電晶體，形成在該像素區域中，該薄膜電晶體至少包括一主動層、一閘極電極、一絕緣層、以及一資料電極；一第一鈍化層，形成在該薄膜電晶體上；一第一接觸孔，通過該第一鈍化層的一部分而形成，用以暴露出該資料電極；一公共電極，形成於在其內部包括該第一接觸孔之該第一鈍化層的至少一部分上，該公共電極用於感測接觸；一導線，形成於在其內部包括該第一接觸孔的該第一鈍化層的至少一部分上；一第二鈍化層，形成在該公共電極和該導線上；一第二接觸孔，通過該第二鈍化層的一部分而形成，用以暴露出對應於該資料電極的該導線；以及一像素電極，與該導線電氣連接，該像素電極形成在該第二鈍化層上及該第二接觸孔內，其中該資料電極經由該公共電極和該導線與該像素電極電氣連接，以及其中該公共電極在一非顯示期間感測接觸，並且在該液晶顯示裝置的一顯示期間提供一公共電壓。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中該公共電極和該導線藉由利用一半色調式光罩的一光罩製程來形成。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述的具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中該薄膜電晶體由低溫多晶矽(low-temperature poly silicon，LTPS)所形成。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述的具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中該導線連接該像素區域中的該公共電極。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述的具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中藉由蝕刻該第一鈍化層的一預定部分形成該第一接觸孔。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述的具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中藉由蝕刻該第二鈍化層的一預定部分形成該第二接觸孔。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述的具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置，其中該導線形成在該公共電極上且在該第一接觸孔內。
  8. 一種用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，包括以下步驟：形成具有一像素區域的一基板；在該像素區域內形成一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括至少一主動層、一閘極電極、一絕緣層、以及一資料電極；在該薄膜電晶體上形成一第一鈍化層；形成通過該第一鈍化層之一部分的一第一接觸孔，用以暴露出該資料電極；在內部包括該第一接觸孔的該第一鈍化層的至少一部分上形成一公共電極，該公共電極用於感測接觸；在內部包括該第一接觸孔的該第一鈍化層的至少一部分上形成一導線；在該公共電極和該導線上形成一第二鈍化層；形成通過該第二鈍化層之一部分的一第二接觸孔，用以暴露出對應於該資料電極的該導線；以及形成與該導線電氣連接的一像素電極，該像素電極形成在該第二鈍化層上及該第二接觸孔內，其中該資料電極經由該公共電極和該導線與該像素電極電氣連接，以及其中該公共電極在一非顯示期間感測接觸，並且在該液晶顯示裝置的一顯示期間提供一公共電壓。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述之用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示 裝置的方法，其中該公共電極和該導線藉由利用一半色調式光罩的一光罩製程來形成。
  10. 依據申請專利範圍第9項所述之用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中該半色調式光罩包括：一非透光區域，光線無法穿透該非透光區域；一半透光區域，光線部分穿透該半透光區域；以及一透光區域，光線穿透該透光區域。
  11. 依據申請專利範圍第8項所述之用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中該薄膜電晶體由低溫多晶矽所形成。
  12. 依據申請專利範圍第8項所述之用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中該導線連接該像素區域中的該公共電極。
  13. 依據申請專利範圍第8項所述之用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中藉由蝕刻該第一鈍化層的一預定部分，形成該第一接觸孔。
  14. 依據申請專利範圍第8項所述之用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中藉由蝕刻該第二鈍化層的一預定部分，形成該第二接觸孔。
  15. 依據申請專利範圍第8項所述之用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中該導線形成在該公共電極上該第一接觸孔內。
  16. 一種用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，包括以下步驟：在一基板的每個像素區域內形成一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括一主動層、一閘極電極、一絕緣層、以及一資料電極；藉由在該薄膜電晶體上形成一第一鈍化層，並部分地蝕刻該第一鈍化 層，形成一第一接觸孔，該第一接觸孔用以暴露出該資料電極；利用一光罩藉由微影、蝕刻及灰化過程，在該第一鈍化層上及該第一接觸孔內形成一公共電極和一導線，其中該公共電極與該導線連接；藉由在該公共電極和該導線上形成一第二鈍化層，並部分地蝕刻該第二鈍化層，形成一第二接觸孔，該第二接觸孔用以暴露出對應於該資料電極的該導線；以及在該第二鈍化層上及該第二接觸孔內形成一像素電極，該像素電極與該導線電氣連接，其中該公共電極在一非顯示期間感測接觸，並且在該液晶顯示裝置的一顯示期間提供一公共電壓。
  17. 依據申請專利範圍第16項所述之用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中該資料電極經由形成在該第一接觸孔內的該公共電極和該導線與該像素電極電氣連接。
  18. 依據申請專利範圍第16項所述之用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中該薄膜電晶體由低溫多晶矽所形成。
  19. 依據申請專利範圍第16項所述之用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中，該導線連接各個像素區域中的該等公共電極。
  20. 依據申請專利範圍第16項所述之用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中該半色調式光罩包括：一非透光區域，光線無法穿透該非透光區域；一半透光區域，光線部分穿透該半透光區域；以及一透光區域，光線穿透該透光區域。
  21. 依據申請專利範圍第20項所述之用於製造具有內建觸控螢幕之液晶顯示裝置的方法，其中形成該公共電極和該導線的過程包括以下步驟：在該第一鈍化層上及該第一接觸孔內相繼形成一氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)層和一金屬層； 在該金屬層上形成一光阻層；透過使用該半色調式光罩藉由將該光阻層圖案化，在該金屬層上形成複數個光阻圖案，該等光阻圖案具有不同的寬度和厚度；蝕刻該氧化銦錫層和該金屬層，從而該複數個光阻圖案被用作一遮罩；以及灰化該複數個光阻圖案。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101380479B1 (ko) * 2012-03-30 2014-04-01 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서 일체형 표시장치 및 그 제조방법
KR101484022B1 (ko) 2012-05-31 2015-01-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR101936773B1 (ko) * 2012-07-03 2019-01-09 엘지디스플레이 주식회사 액정 디스플레이 장치의 제조방법
JP6050728B2 (ja) * 2012-07-24 2016-12-21 株式会社ジャパンディスプレイ タッチセンサ付き液晶表示装置、及び電子機器
JP5968275B2 (ja) * 2012-08-07 2016-08-10 株式会社ジャパンディスプレイ タッチセンサ付き表示装置、及び電子機器
CN103904086B (zh) 2012-12-24 2017-10-27 上海天马微电子有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板
TWI475444B (zh) * 2012-12-26 2015-03-01 Acer Inc 觸控顯示面板與觸控顯示裝置
TWI498780B (zh) * 2013-01-22 2015-09-01 Henghao Technology Co Ltd 觸控面板
CN103207719A (zh) * 2013-03-28 2013-07-17 北京京东方光电科技有限公司 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置
CN103762245B (zh) * 2013-12-13 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103713792B (zh) * 2013-12-23 2016-06-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和触摸显示装置
KR102177128B1 (ko) * 2013-12-30 2020-11-10 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 일체형 표시장치
CN103885259B (zh) * 2014-03-07 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
CN104020892B (zh) 2014-05-30 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏及显示装置
TW201545030A (zh) * 2014-05-30 2015-12-01 Henghao Technology Co Ltd 觸控面板及其形成方法
KR101655410B1 (ko) 2014-08-26 2016-09-07 엘지디스플레이 주식회사 인셀 터치 방식 액정표시장치
CN104461142B (zh) * 2014-12-10 2017-06-30 京东方科技集团股份有限公司 触控显示基板及其制备方法、触控显示装置
KR101661039B1 (ko) * 2014-12-30 2016-10-11 엘지디스플레이 주식회사 인-셀 방식 터치 센서를 구비한 초고 해상도 평판 표시장치
KR101798433B1 (ko) * 2014-12-31 2017-11-17 엘지디스플레이 주식회사 인셀 터치 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법
CN104503647B (zh) * 2014-12-31 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸显示屏的基板及其制造方法、触摸屏及显示装置
KR101728793B1 (ko) * 2014-12-31 2017-04-21 엘지디스플레이 주식회사 인셀 터치 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법
KR102417266B1 (ko) * 2015-01-27 2022-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 접촉 감지 방법
CN104793388A (zh) * 2015-05-12 2015-07-22 江苏锦润光电有限公司 一种触控液晶屏制作工艺
CN104867878A (zh) * 2015-05-26 2015-08-26 武汉华星光电技术有限公司 一种ltps阵列基板及其制作方法
CN105093755A (zh) * 2015-08-28 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板
CN105355631A (zh) 2015-10-10 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置、掩膜板
CN105355632A (zh) * 2015-10-14 2016-02-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种ltps阵列基板以及液晶显示面板
CN105242435A (zh) * 2015-11-02 2016-01-13 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及制作方法、液晶显示面板
CN105467644B (zh) * 2015-12-07 2019-01-22 武汉华星光电技术有限公司 In Cell触控显示面板
CN105573549B (zh) * 2015-12-08 2018-12-25 上海天马微电子有限公司 阵列基板、触控屏和触控显示装置及其制作方法
KR102439350B1 (ko) * 2015-12-31 2022-09-02 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 내장형 표시장치 및 그 제조방법
CN105527767B (zh) * 2016-01-25 2019-05-03 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板以及液晶显示器
JP6637344B2 (ja) * 2016-03-09 2020-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置、表示装置及び電子機器
KR20170111827A (ko) * 2016-03-29 2017-10-12 삼성전자주식회사 디스플레이 및 카메라를 포함하는 전자 장치
KR102542844B1 (ko) * 2016-04-07 2023-06-12 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN105977261B (zh) 2016-05-27 2019-01-04 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置
US11061263B2 (en) * 2016-07-28 2021-07-13 Sharp Kabushiki Kaisha Touch-panel-equipped display device
CN106098710A (zh) * 2016-08-29 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
TWI613493B (zh) * 2016-12-20 2018-02-01 財團法人工業技術研究院 具感測之顯示畫素陣列結構
JP2018147396A (ja) * 2017-03-08 2018-09-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106896609B (zh) * 2017-04-28 2019-11-19 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及包括其的显示装置
CN107024813B (zh) * 2017-06-06 2020-10-02 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、液晶显示面板及显示装置
US10371979B2 (en) * 2017-06-22 2019-08-06 Hannstar Display Corporation Display panel and manufacturing method thereof
CN107731748B (zh) * 2017-09-26 2020-08-04 武汉华星光电技术有限公司 显示装置、阵列基板及其制造方法
CN107577099B (zh) * 2017-09-28 2020-11-06 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置
US10882042B2 (en) * 2017-10-18 2021-01-05 E Ink Corporation Digital microfluidic devices including dual substrates with thin-film transistors and capacitive sensing
CN108364988A (zh) * 2018-02-27 2018-08-03 京东方科技集团股份有限公司 触控显示基板及其制作方法、显示装置
KR102534051B1 (ko) 2018-04-06 2023-05-18 삼성디스플레이 주식회사 도전층의 연결 구조
KR102513405B1 (ko) * 2018-08-31 2023-03-22 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN109887885A (zh) * 2019-03-01 2019-06-14 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板的制作方法及阵列基板
JP2023002378A (ja) * 2021-06-22 2023-01-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060214168A1 (en) * 2003-03-25 2006-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
TW200849212A (en) * 2007-03-27 2008-12-16 Seiko Epson Corp Liquid crystal device, method of driving the same and electronic apparatus
TW201001258A (en) * 2008-06-23 2010-01-01 Flatfrog Lab Ab Determining the location of one or more objects on a touch surface
US20100193257A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Steven Porter Hotelling Touch sensor panels with reduced static capacitance

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060132372A (ko) * 2005-06-17 2006-12-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 이미지 센싱 기능을 가지는 액정표시장치 및 그 제조방법
JP5301294B2 (ja) * 2008-05-30 2013-09-25 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置
US7995041B2 (en) * 2009-02-02 2011-08-09 Apple Inc. Integrated touch screen
JP5140018B2 (ja) * 2009-02-24 2013-02-06 株式会社ジャパンディスプレイイースト 入力機能付き液晶表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060214168A1 (en) * 2003-03-25 2006-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
TW200849212A (en) * 2007-03-27 2008-12-16 Seiko Epson Corp Liquid crystal device, method of driving the same and electronic apparatus
TW201001258A (en) * 2008-06-23 2010-01-01 Flatfrog Lab Ab Determining the location of one or more objects on a touch surface
US20100193257A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Steven Porter Hotelling Touch sensor panels with reduced static capacitance

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI690838B (zh) * 2019-05-03 2020-04-11 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板

Also Published As

Publication number Publication date
EP2431847A1 (en) 2012-03-21
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CN102411237A (zh) 2012-04-11

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