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TWI363665B - - Google Patents

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TWI363665B
TWI363665B TW094139547A TW94139547A TWI363665B TW I363665 B TWI363665 B TW I363665B TW 094139547 A TW094139547 A TW 094139547A TW 94139547 A TW94139547 A TW 94139547A TW I363665 B TWI363665 B TW I363665B
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TW
Taiwan
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substrate
field
cut
crack
processing method
Prior art date
Application number
TW094139547A
Other languages
English (en)
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TW200621409A (en
Inventor
Takeshi Sakamoto
Ryuji Sugiura
Original Assignee
Hamamatsu Photonics Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics Kk filed Critical Hamamatsu Photonics Kk
Publication of TW200621409A publication Critical patent/TW200621409A/zh
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Publication of TWI363665B publication Critical patent/TWI363665B/zh

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Description

1363665 - 九、發明說明: . 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種其將具備有基板、含功能元件而在基 •扳之表面形成的積層部之加工對象物,沿著切斷預定線而 加以切斷的雷射加工方法。 【先前技術】 以往在這種技術方面,係藉由將焦點對準於含有複數個 •功能元件之積層部所形成的基板之內部來照射雷射光,以 φ 在基板之內部沿著切斷預定線形成改質領域,並以該改質 領域作爲起點而將基板及積層部加以切斷之雷射加工方法 (例如參考專利文獻1)。 專利文獻1 :日本特開2003-3348 1 2號公報 發明所欲解決的課題 上述之雷射加工方法,係在可高精度地切斷基板及積層 部之點爲有效的技術。與該技術有關連,在含有複數個功 能元件之積層部所形成的基板之內部,沿著切斷預定線形 φ 成改質領域之情況,以該改質領域作爲起點,尤其可更高 精度地切斷積層部之技術最爲業界所盼望。 . 因而,本發明係鑑於此事而開發者,其目的在提供一種 雷射加工方法’其將具備有基板、含功能元件而在基板之 表面形成的積層部之加工對象物切斷之時,尤其可以高精 度來切斷積層部。 【發明內容】 解決課題之手段 爲了達成上述目的’本發明之雷射加工方法,其將具備 1363665 . 有基板、含功能元件而在基板之表面形成含功能的積層部 • 之加工對象物,沿著切斷預定線加以切斷,其特徵爲:該 方法包含有:將保護構件安裝在積層部之表面的步驟、在 礞 安裝保護構件之後,藉將基板之背面作爲雷射光射入面, 使焦點對準基板之內部來照射雷射光,沿著基板之切斷預 定線使成爲切斷之起點的改質領域在基板之內部形成,以 產生從改質領域之表面側端部到達至少基板之表面的龜裂 * 的步驟、在龜裂產生之後,將可擴張構件安裝在基板之背 φ 面之步驟、在安裝可擴張構件之後,藉由擴張構件進行擴 張,而使加工對象物沿著切斷預定線加以切斷的步驟。 . 該雷射加工方法中,在將保護構件安裝在積層部之表面 的狀態下,藉將基板之背面作爲雷射光射入面,使焦點對 準基板之內部來照射雷射光,沿著基板之切斷預定線使成 爲切斷之起點的改質領域在基板之內部形成,以產生從改 質領域之表面側端部到達至少基板之表面的龜裂。然後, 在產生如此的龜裂之狀態,將可擴張的構件安裝在基板的 Φ 背面而擴張之時,不僅可將基板尤其可將積層部沿著切斷 預定線而精度良好地切斷。從而,依照該雷射加工方法的 ^ 話,其將具備有基板、含功能元件而在基板之表面形成含 ^ 功能的積層部之加工對象物加以切斷之時,尤其可將積層 部高精度地切斷。 而,所謂功能元件,係指例如利用結晶成長所形成的半 導體動作層、光二極體等之受光元件、雷射二極體等之發 光元件、作爲電路用而形成的電路元件等。並且,改質領 域係將焦點對準基板之內部來照設雷射光,而藉由在基板 1363665 - 之內部產生多光子吸收或和其同等之光吸收來形 . 並且,在上述雷射加工方法中’可產生從改質 面側端部到達積層部之內部的龜裂’亦可產生從 4 之表面側端部到達積層部之表面的龜裂。 並且,在基板之厚度方向中,係使改質領域的 板的中心更位於基板的表面側,來形成改質領 佳。藉形成如此的改質領域,可以容易地產生從 ’ 之表面側端部到達至少基板之表面的龜裂。 φ 在此,基板係指半導體基板,改質領域係爲含 理領域之情況。該熔融處理領域係爲上述改質領 例子,因此即使在該情況,其將具備有基板、含 而在基板之表面形成含功能的積層部之加工對象 時,尤其可高精度地來切斷積層部。 並且’基板係指半導體基板,改質領域係爲含 理領域、及相對於該熔融處理領域位於基板之表 小空洞之情況。該熔融處理領域及微小空洞係爲 φ 領域之一個例子’因此即使在該情況,其將具備 含功能元件而在基板之表面形成含功能的積層部 ^ 象物切斷之時,尤其可高精度地來切斷積層部。 • 並且’本發明之雷射加工方法,對積層部爲含 率膜之情況特別有效。低介電率膜一般具有機械 且難以與其它材料親和的性質,因此容易引起拉 離’但是依照本發明之雷射加工方法的話,可防 膜剝離,使低介電率膜和基板—起被高精度地切 發明之效果 成。 領域之表 改質領域 中心比基 域時爲較 改質領域 有熔融處 域之一個 功能元件 物切斷之 有熔融處 面側的微 上述改質 有基板、 之加工對 有低介電 強度低、 裂或膜剝 止拉裂或 斷。 1363665 - 依照本發明的話,在其將具備有基板、含功能元件而在 * 基板之表面形成含功能的積層部之加工對象物切斷之時, 尤其可以高精度來切斷積層部。 9 【實施方式】 以下,將參照附圖來詳細地說明本發明之較佳實施形 態。在本實施形態之雷射加工方法中,爲了在加工對象物 之內部形成改質領域,而利用所謂的多光子吸收現象。因 ' 而’首先將說明利用多光子吸收來形成改質領域的雷射加 φ 工方法》 當光子之能h y比材料之吸收的能帶隙EC更小之時,會 變成光學上的透明。因而,在材料上產生吸收的條件係 > E。。但是,即使光學上的透明時,將雷射光之強度作成 大時,在nhv >Ec。之條件(n = 2,3,4,…)下,在材料上產生 吸收。將該現象稱爲多光子吸收。脈衝波之情況,雷射光 之強度係由雷射光之聚光點的尖峰功率密度(W/cm2)所決 定,例如尖峰功率密度爲lxl08(W/cm2)以上之條件下,會 φ 發生多光子吸收。尖峰功率密度係由(聚光點中雷射光之每 個脈衝之能量)+ (雷射光之光束點剖面積X脈衝寬)而求得。 . 並且,連續波之情形,雷射光之強度係由雷射光之聚光點 的電場強度(W/cm2)所決定β 利用這種多光子吸收之本實施形態之雷射加工方法的 原理,將參照第1圖~第6圖來說明。如第1圖所示,在板 狀之加工對象物1的表面3,有切斷加工對象物1用的切斷 預定線5。切斷預定線5係直線狀延伸的假定線。本實施 形態之雷射加工方法中,如第2圖所示,在多光子吸收產 1363665 - 生的條件下將聚光點P對準加工對象物1的內部來照射雷 • 射光L ’以形成改質領域7。而’所謂聚光點p係指聚光之 • 處。並且,切斷預定線5並不限於直線,亦可爲曲線,且 並不限於假想線,亦可爲實際上拉到加工對象物1的線。 接著’藉著使雷射光L沿著切斷預定線5 (即朝第1圖之 箭頭A方向)相對地移動時,可使聚光點p沿著切斷預定線 5移動。因而,如第3〜5圖所示,改質領域7沿著切斷預定 線5而形成於加工對象物1的內部,該改質領域7成爲切 9 斷起點領域8。在此’所謂切斷起點領域8,係指加工對象 物1被切斷之時成爲切斷(龜裂)起點之領域。該切斷起點 領域8有在改質領域7連續地形成之時被形成之情況,亦 有改質領域7斷續地形成之時被形成之情況。 本實施形態之雷射加工方法’並非加工對象物1藉由吸 收雷射光L,使加工對象物1發熱而形成改質領域7者。 而係雷射光L透過加工對象物1,而在加工對象物1之內 部產生多光子吸收,來形成改質領域7者。因而,在加工 φ 對象物1的表面3上幾乎不吸收雷射光L,因此加工對象 物1的表面3上並不熔融。 . 在加工對象物1之.內部形成切斷起點領域8之時,將該 切斷起點領域8作爲起點,容易產生龜裂,因此如第6圖 所示,可使用比較小的力量來切斷加工對象物1。於是, 加工對象物1之表面3上並不產生不需要的龜裂,故可高 精度地切斷加工對象物1。 以該切斷起點領域8作爲起點的加工對象物丨之切斷 中’可考慮下列兩個方式。其一,在切斷起點領域8形成 -]〇- ⑧ 1363665 - 後,藉人爲的力量施加於加工對象物1之時,有:以該切 • 斷起點領域8作爲起點的加工對象物1產生龜裂而使加工 r 對象物1被切斷之情況。所謂藉人爲的力量施加,是指例 如沿著加工對象物1之切斷起點領域8施加彎曲應力或剪 斷力,或者藉由將溫度差賦予加工對象物1,而產生熱應 力之謂。另外一個,係藉形成切斷起點領域8,將切斷起 點領域8作爲起點而朝向加工對象物1的剖面方向(厚度方 ' 向)自然地龜裂,結果使加工對象物1被切斷的情況。這是 φ 例如在加工對象物1的厚度爲小之場合中,可藉一列之改 質領域7來形成切斷起點領域8,在加工對象物1的厚度爲 大之場合中,在切斷之處,對應於未形成切斷起點領域8 的部位之部分的表面3上,龜裂並未先走動,僅對應於形 成切斷起點領域8的部位之部分可被割斷,因此可良好地 控制割斷。近年來,矽晶圓等之加工對象物1的厚度有變 薄的傾向,因此此種控制性良好的割斷方法非常有效。 而,本實施形態之雷射加工方法中,藉多光子吸收形成 φ 的改質領域方面,有下列(1)~(4)之情況。 (1)改質領域爲含有一個或複數個之龜裂之龜裂領域之 - 情況 _ 將聚光點對準加工對象物(例如玻璃或由LiTa03形成的 壓電材料)之內部,聚光點中之電場強度爲lxl〇8(W/cm2)以 上且脈衝寬爲1 V s以下之條件,來照射雷射光。該脈衝寬 之大小,係一面產生多光子吸收、一面不會對加工對象物 之表面造成多餘的傷害,而僅可在加工對象物之內部形成 龜裂領域之條件。因而,在加工對象物之內部藉由多光子 • 11 - 1363665 吸收產生光學的損傷之現象。藉該光學的損傷在加工對象 -物之內部感應熱歪,因而在加工對象物之內部形成龜裂領 域。電場強度之上限値方面’可爲例如1 X 1 0l2(w/cm2)。脈
W 衝寬可爲例如Ins〜200ns爲較佳。而,多光子吸收之龜裂 領域的形成,例如記載於第45次雷射熱加工硏究論文集 (1998年12月)之第23頁〜第28頁之「固體雷射高調波對 * 玻璃基板之內部的劃記」一文中。 •本發明人利用實驗而求出電場強度和龜裂之大小的關 φ 係。實驗條件係如下列方式。 (A) 加工對象物:派立克斯(註冊商標)玻璃(厚度700 // m) (B) 雷射 光源:半導體雷射激發Nd: YAG雷射 波長:1064nm 雷射光點剖面積:3.14xl〇_8cm2 振盪形態:Q開關脈衝 重複頻率:l〇〇kHz φ 脈衝寬:30ns 輸出:輸出<lm〗/脈衝 . 雷射光品質:TEM。。 偏光特性:直線偏光 (C) 聚光用透鏡 對雷射光波長的透過率:60% (D) 載置加工對象物的載置台之移動速度:lOOmm/秒 而所謂雷射光品質TEM。。,是指聚光性高雷射光之波長 左右均可聚光之意。 •12- 1363665 ' 第7圖係顯示上述實驗之結果的曲線。橫軸爲尖峰功率 • 密度’雷射光係爲脈衝光,因此電場強度係以尖峰功率來 . 表示。縱軸係顯示1個脈衝之雷射光對加工對象物之內部 所形成的龜裂部分(龜裂點)的大小。龜裂點集中時形成龜 裂領域。龜裂點之大小,係指龜裂點的形狀之中爲最大之 長度的部分之大小。曲線中之黑點所表示的資料,係聚光 用透鏡(C)之倍率爲100倍,開口數(NA)爲0.80之情形。另 ' —方面’曲線中之白點所表示的資料,係聚光用透鏡(C)之 # 倍率爲·50倍’開口數(NA)爲0.55之情形。尖峰功率密度 從10M(W/ cm2)左右在加工對象物之內部產生龜裂點,隨著 尖峰功率密度變大時,龜裂點亦變大係周知者。 其次,將參照第8圖~第1 1圖來說明龜裂領域形成造成 加工對象物之切斷的機制。如第8圖所示,在產生多光子 吸引之條件下將聚光點P對準加工對象物丨的內部來照射 雷射光L ’而沿著切斷預定線在內部形成龜裂領域9。龜裂 領域9係含有一個或複數個龜裂之領域。如此形成的龜裂 @ 領域9係成爲切斷起點領域。如第9圖所示,以龜裂領域 9作爲起點(即,將切斷起點領域作爲起點),使龜裂更進一 * 步成長’如第10圖所示,龜裂到達加工對象物1的表面3 . 及背面2 1 ’如第1 1圖所示’藉加工對象物1之裂痕而使加 工對象物1被切斷。到達加工對象物1的表面3及背面21 的龜裂,有自然成長的情況’亦有將力量施加於加工對象 物1上而成長的情形。 (2)改質領域爲熔融處理領域之情況 將聚光點對準加工對象物(例如矽之半導體材料)的內 -13- !363665 ' 部’聚光點中之電場強度爲lxl08(W/cm2)以上且脈衝寬爲 • 1 ^ s以下之條件,來照射雷射光。於是,在加工對象物之 - 內部藉由多光子吸收而產生局部的加熱。藉此加熱在加工 對象物之內部形成熔融處理領域。所謂熔融處理領域,係 指一旦熔融後再固化之狀態的領域,亦可稱爲相變化後領 . 域或結晶構造變化後領域。並且,熔融處理領域亦可稱爲: 在單結晶構造、非晶質構造、多結晶構造中,某個構造變 化成另一個構造之領域。亦即,例如從單結晶構造變化爲 ® 非晶質構造之領域 '從單結晶構造變化爲多結晶構造之領 域、從單結晶構造變化爲含有非晶質構造及多結晶構造之 • 構造的領域之意。加工對象物爲矽單結晶構造之情況,熔 . 融處理領域例如爲非晶質矽構造。電場強度之上限値方 面’可爲例如lxl〇l2(W/cm2)。脈衝寬可爲例如ins〜200ns 爲較佳。 本發明人利用實驗而確認在矽晶圓之內部形成熔融處 理領域之事。實驗條件係如下列方式》 ® (A)加工對象物:矽晶圓(厚度350/zm,外徑4英吋) (B)雷射 ' 光源:半導體雷射激發Nd: YAG雷射 . 波長:1 0 6 4 n m 雷射光點剖面積:3.14xl〇_8cm2 振盪形態:Q開關脈衝 重複頻率:l〇〇kHz 脈衝寬:30ns 輸出:20μ】/脈衝 1363665 - 雷射光品質:ΤΕΜ。。 • 偏光特性:直線偏光 > (C)聚光用透鏡 倍率:5 0倍 Ν.Α. : 0.55 對雷射光波長的透過率:60% (D)載置加工對象物的載置台之移動速度:100mm/秒 ' 第1 2圖係顯示利用上述條件的雷射加工所切斷的矽晶 φ 圓之一部分中表示剖面的照相圖。在矽晶圓1 1之內部形成 熔融處理領域1 3。而,利用上述條件形成的熔融處理領域 13之厚度方向的大小係爲l〇〇/zm左右。 將說明熔融處理領域13藉由多光子吸收來形成之事》 第1 3圖係顯示雷射光的波長和矽基板之內部的透過率 之關係的曲線圖。但是,將矽基板之表面側及背面側分別 的反射成分加以去除,僅顯示內部之透過率。矽基板之厚 度爲 50/zm、100//m、200#m、500/im、ΙΟΟΟ/im 時顯示 φ 上述之關係。 例如,在Nd: YAG雷射之波長爲1064nm之時,矽基板 - 之厚度爲500 // m以下之情況,可瞭解在矽基板之內部雷射 光爲80%以上透過。第12圖所示之矽晶圓11之厚度爲 350vm,因此藉由多光子吸收而在矽晶圓U之中心附近, 即從表面算起175em之部分中形成熔融處理領域13。此 情況之透過率,參考厚度200# m之砂晶圓時爲90%以上’ 因此雷射光在矽晶圓1 1之內部僅少量被吸收,幾乎大部分 透過。此事並非雷射光在矽晶圓11之內部被吸收,因而熔 -15- ⑧1 1363665 - 融處理領域1 3在矽晶圓Π之內部形成(即由於雷射光利用 . 通常之加熱形成熔融處理領域),而是熔融處理領域1 3利 用多光子吸收而形成之意。利用多光子吸收而形成熔融處 ψ 理領域,例如係記載於焊接學會全國大會講演槪要第66集 (2000年4月)之第72頁〜第73頁之「微微秒脈衝雷射之矽 的加工特性評價j中。 ' 而,矽晶圓,係將藉由熔融處理領域形成的切斷起點領 '域作爲起點而朝向剖面方向產生裂痕,藉該裂痕到達矽晶 % 圓之表面及背面,結果產生切斷。到達矽晶圓之表面及背 面的該裂痕,有自然成長的情形,亦有力量施加於矽晶圓 上而成長的情形。接著,從切斷起點領域到矽晶圓之表面 及背面,該裂痕爲自然成長的情形中,有下列的任何一種 情況:裂痕從形成切斷起點領域的熔融處理領域產生熔融 的狀態之後開始成長之情況,及裂痕從形成切斷起點領域 的熔融處理領域產生熔融的狀態之後再固化之時開始成長 之情況。但是,無論任何一個情況,熔融處理領域均僅在 φ 矽晶圓之內部形成,切斷後之切斷面中,如第12圖僅在內 部形成熔融處理領域。因而,在加工對象物之內部藉由熔 . 融處理領域形成切斷起點領域之時,在割斷時難以產生從 切斷起點領域脫離的不必要之裂痕,因此使割斷控制變成 容易。 (3)改質領域爲熔融處理領域及微小空洞之情況 將聚光點對準加工對象物(例如矽之半導體材料)的內 部,聚光點中之電場強度爲lxl〇8(W/cm2)以上且脈衝寬爲 1 // s以下之條件,來照射雷射光。於是’在加工對象物之 1363665 - 內部有形成熔融處理領域及微小空洞之情況。而,電場強 - 度之上限値方面,可爲例如lxlOl2(W/cm2)。脈衝寬可爲例 如lns~200ns爲較佳。 ψ 如第14圖所示,當雷射光L從矽晶圓11的表面3射入 之情況,微小空洞1 4相對於熔融處理領域1 3係形成於背 面2 1側。第1 4圖中,雖然熔融處理領域1 3及微小空洞1 4 係分離而形成,但是亦有熔融處理領域1 3及微小空洞1 4 ' 係連續地形成之情況。亦即,藉由多光子吸收來形成熔融 φ 處理領域1 3及微小空洞1 4之對的情況,微小空洞1 4係相 對於熔融處理領域1 3被形成在矽晶圓1 1中光射入面之相 . 反側》 依此方式,使雷射光L透過矽晶圓11而在矽晶圓11之 內部產生多光子吸收來形成熔融處理領域13之情況,形成 對應於個別熔融處理領域1 3之微小空洞1 4的原理不一定 很明朗。在此處,關於在熔融處理領域1 3及微小空洞1 4 爲成對的狀態下形成的原理,本發明人將以推測之2個假 φ 設來說明。 本發明人推測之第1個假設如下。即,如第1 5圖所示, . 將聚光點對準加工對象物(例如矽之半導體材料)的內部之 聚光點P,來照射雷射光L時,在聚光點P之附近形成熔 融處理領域1 3。以往,該雷射光L方面,係使用從雷射光 源照射的雷射光L之中心部分的光(第1 5圖中係相當於L4 及L5之部分的光)。此乃是爲了使用雷射光L之高斯分布 的中心部分之緣故。 本發明人爲了減少雷射光L對矽晶圓11的表面3的影 -17- 1363665 響,而將雷射光L擴大。其中一個方法上,係將從雷射光 . 源照射的雷射光L以既定之光學系統加以擴大’以擴大高 斯分布的地帶,以將雷射光L之周邊部分的光(第15圖中 ψ 爲相當於L1-L3及L6〜L8之部分的光)之雷射強度相對地提 昇。使依此方式擴張的雷射光L透過矽晶圓]I時,如已說 明的方式.,在聚光點P的附近形成熔融處理領域13,在對 ' 應於該熔融處理領域1 3的部分形成微小空洞1 4。亦即,熔 * 融處理領域1 3及微小空洞1 4係形成於沿著雷射光L之光 φ 軸(第15圖中之一點破折線)的位置上。形成微小空洞14 的位置,係相當於周邊部分的光(第15圖中爲相當於L1~L3 及L6~L8之部分的光),在理論上聚光的部分。 因而,雷射光L之中心部分的光(第1 5圖中係相當於L4 及L5之部分的光)' 及雷射光L之周邊部分的光(第15圖 中爲相當於U〜L3及L6~L8之部分的光)分別聚光的部分, 在矽晶圓11之厚度方向中相異的部分,應爲由將雷射光L 聚光之透鏡的透鏡球面像差(spherical abberation)所導致 •者。 本發明人推測之第2個假設,係雷射光L之周邊部分的 . 光(弟15圖中爲相當於L1~L3及L6~L8之部分的光)所聚光 的部分,係爲理論上之雷射聚光點,因此該部分之光強度 高,且引起微細構造變化,因而其周圍形成實質上結晶構 造未變化的微小空洞1 4,形成熔融處理領域1 3的部分,係 受到熱的影響很大,而單純地熔解且再固化者。 在此處,雖然熔融處理領域13係上述(2)所敘述之方式 者,但是微小空洞14係其周圍實質上結晶構造未變化者。 -18- ⑧ 丄地665 @晶圓1 1爲單結晶構造之情況,微小空洞1 4的周圍係大 多保持單結晶構造之情況。 本發明人利用實驗而確認在矽晶圓11之內部形成熔融 處理領域1 3及微小空洞1 4之事。實驗條件係如下列方式。. (A) 加工對象物:矽晶圓(厚度100 y m) (B) 雷射 光源:半導體雷射激發Nd: Y AG雷射 波長:1 Ο 6 4 n m 重複頻率:40kHz 脈衝寬:3 0 n s 脈衝間距:7 // m 加工深度:8 /z m 脈動能量:50/z〗/脈衝 偏光特性:直線偏光 (C) 聚光用透鏡 NA : 0.55 (D) 載置加工對象物的載置台之移動速度:280mm/秒 第1 6圖係顯示利用上述條件的雷射加工所切斷的矽晶 圓1 1之切斷面的照相圖。在第16圖中,(a)及(b)係顯示同 一切斷面之照片但比例不同者。如同一圖所示,在矽晶圓 11之內部,藉由1個脈衝之雷射光L的照射所形成的熔融 處理領域1 3及微小空洞1 4之對,係沿著切斷面(即,沿著 切斷預定線)以既定之間距而形成。 而,第16圖所示之切斷面的熔融處理領域13,其在矽 晶圓11之厚度方向(圖中之上下方向)的寬度爲13ΑΙΉ左 -19- 1363665 - 右’移動雷射光L的方向(圖中之左右方向)的寬度爲3/zm - 左右。並且,微小空洞14,其在矽晶圓11之厚度方向的寬 . 度爲左右,移動雷射光l的方向)的寬度爲左 右。熔融處理領域13及微小空洞14之間隔爲1.2/zm左右。 (4)改質領域爲折射率變化領域之情況 將聚光點對準加工對象物(例如玻璃)之內部,以聚光點 中之電場強度爲lxl08(W/cm2)以上且脈衝寬爲1ms以下之 •條件’來照射雷射光。將脈衝寬作成極短,在加工對象物 φ 之內部引起多光子吸收,使多光子吸收的能量不轉化成熱 能’而在加工對象物之內部引起離子價變化、結晶化、或 分極配向等之永久的構造變化,而形成折射率變化領域。 電場強度之上限値方面,可爲例如lxl〇l2(W/cm2)。脈衝寬 可爲例如1 n s以下較佳,1 p s以下更佳。多光子吸收引起折 射率變化領域之形成,例如記載於第4 2次雷射熱加工硏究 論文集( 1 997年11月)之第105頁~第111頁之「飛秒雷射 照射對玻璃基板內部之光引起構造的形成」一文中。 ϋ 以上利用多光子吸收來形成改質領域方面,雖然已說明 於(1)〜(4)之情形中’但是考慮晶圓狀之加工對象物的結晶 . 構造或其劈開性等,而使切斷起點領域以如下方式形成的 話,將該切斷起點領域作爲起點,則可使用更小的力,而 且精度良好地將加工對象物切斷。 即’由矽等之鑽石構造的單結晶半導體所形成之基板的 情況’以沿著(ill)面(第1劈開面)或(110)面(第2劈開面) 之方向來形成切斷起點領域爲較佳。並且,由GaAs等之閃 鋅礦型構造之ΠΙ-V足化合物半導體所形成之基板的情 -20- 1363665 況,以沿著(1 10)面之方向來形成切斷起點領域爲較佳。又, • 具有藍寶石(A1203)等之六方晶系之結晶構造的基板之情 況,以 (0001)面(C面)作爲主面而沿著(1120)面(A面)之方 向來形成切斷起點領域爲較佳。 而,沿著欲形成上述切斷起點領域的方向(例如,沿著 單結晶矽基板中(1 11)面的方向)、或沿著與欲形成切斷起點 領域的方向正交之方向在基·板上形成指向平坦部的話,藉 •由以該指向平坦部作爲基準,可使切斷起點領域沿著欲形 Φ 成切斷起點領域的方向,容易且正確地形成於基板上。 其次,將說明本發明之較佳實施形態。第1 7圖係本實 施形態的雷射加工方法之對象的加工對象物之平面圖,第 18圖係沿著第17圖所示之加工對象物的XVIII-XVIII線之 局部剖面圖。參照第1 7圖,爲晶圓之加工對象物1爲平板 狀且成大致圓盤狀。在該加工對象物1的表面,設定有縱 橫交叉的複數之切斷預定線5(格子狀之切斷預定線)。切斷 預定線5係將加工對象物1切斷成複數之晶片狀的部分用 φ 之推測的假想線。. 如第17及1 8圖所示,加工對象物1具備有:具有 . 30/zm~150/im之厚度的矽製之基板4、及形成在含有複數 個功能元件15之基板4的表面4a上之積層部16。功能元 件】5具有:積層於基板4的表面4a上之層間絕緣膜1 7a、 形成於層間絕緣膜17a上之配線層19a、以覆蓋配線層19a 的方式積層於層間絕緣膜17a上之層間絕緣膜17b、及形成 於層間絕緣膜1 7b上之配線層1 9b。配線層1 9a及基板4係 藉由貫通層間絕緣膜1 7a之導電性插槽20b而電性地連接。 1363665 而,雖然功能元件1 5係在平行於基板4之指向平坦部6 , 的方向及垂直的方向上多數地形成矩陣狀,但是層間絕緣 膜17a,17b係涵蓋在相鄰的功能元件15,15之間來形成, 以覆蓋基板4的表面4a之全體。 將由以上方式構成的加工對象物1,如以下方式切斷成 每個功能元件1 5。首先,如第19(a)圖所示,將保護膠帶(保 ' 護構件)22黏貼在積層部16之表面16a上,以覆蓋各功能 - 元件15。接著,如第19(b)圖所示,將基板4之背面朝向上 φ 方,以使加工對象物1被固定到雷射加工裝置的載置台(未 圖示)上。此時,積層部16藉由保護膠帶22來避免和載置 台直接接觸,因此可保護各功能元件15。 接著,以通過相鄰的功能元件1 5, 1 5之間的方式,將切 斷預定線5設定成格子狀(參照第1 7圖之虛線),使基板4 之背面作爲雷射光射入面,將聚光點P對準基板4之內部, 一面使雷射光L在產生多光子吸收的條件下照射,一面藉 載置台的移動而使雷射光L之聚光點P沿著切斷預定線5 φ 掃瞄。於是,成爲切斷之起點的改質領域7,係使其表面 側端部7a之位置和基板4之表面4a的距離(尤其只要未預 . 告的話,係指基板4之厚度方向中之距離)成爲3从m〜40 // m 的方式,形成在基板4之內部。在此條件下形成改質領域 7時,會產生從改質領域7的表面側端部7 a到達基板4之 表面4a的龜裂24。 依此方式,將雷射光L照射在加工對象物1之時,係將 基板4之背面4b作爲雷射光射入面,因此即使在積層部1 6 之切斷預定線5上存在有將雷射光L反射的構件(例如TEG) -22- ⑧ 1363665 之時’改質領域7亦可沿著切斷預定線5而確實地形成於 , 基板4之內部。而,基板4係爲矽所形成的半導體基板, , 因此改質領域7係爲熔融處理領域13。並且,在此,改質 領域7相對於一條切斷預定線5係以一列之比例而形成於 基板4之內部。 形成改質領域7且產生龜裂24之後,如第20(a)圖所示, 將擴張膠帶(可擴張構件)23黏貼在基板4之背面4b。接著, ' 如第20(b)圖所示,將紫外線照射在保護膠帶22上,使其 • 黏著力降低,如第21(a)圖所示將保護膠帶22從積層部16 之表面1 6 a剝離。 將保護膠帶22剝離之後,如第21(b)圖所示,將擴張膠 帶23加以擴張,以改質領域7作爲起點產生裂痕,使基板 4及積層部1 6沿著切斷預定線5切斷,同時使被切斷而獲 得的各半導體晶片25互相地分離。於是,可獲得:具備有 基板4、及含有功能元件1 5且形成於基板4之表面4a的積 層部1 6,且表面側端部7a之位置和基板4之表面4a的距 ^ 離係爲3//m〜4〇em的方式,使改質領域7形成在基扳4 之側面4c上的半導體晶片25。 • 如以上所說明,在上述雷射加工方法中,在將保護膠帶 . 22黏貼在積層部1 6之表面1 6a後的狀態下,藉由將基板4 之背面4b作爲雷射光射入面來照射雷射光L,改質領域7 沿著切斷預定線5而確實地形成於基板4之內部,並產生 從改質領域7的表面側端部7a到達基板4之表面4a的龜 裂24。產生如此之龜裂24的狀態下,將擴張膠帶23黏貼 在基板4之背面4b並加以擴張時’不僅基板4且切斷預定 -23- (S)· 1363665 - 線5上之積層部16,即層間絕緣膜17a,17b沿著切斷預定 線5可精度良好地切斷。亦即,切斷所獲得的半導體晶片 . 25 ’如第21 (b)圖所示,對應於形成改質領域7的基板4之 側面4 c的積層部1 6之側面1 6 c,亦可高精度地切斷。 並且,在上述加工對象物1中,基板4係具有30 150/im的厚度,依此方式基板4的厚度爲30//m~150;wm « 之時’將1列之改質領域7作爲起點,不僅積層部16且基 - 板4亦可高精度地切斷。 φ 而,在上述雷射加工方法中,雖然藉由改質領域7沿著 切斷預定線5而形成於基板4之內部,而產生從改質領域 7的表面側端部7 a到達基板4之表面4 a上的龜裂2 4,但 是,如第2 2圖所示,可產生從改質領域7的表面側端部7 a 到達積層部16之內部的龜裂24,亦可如第23圖所示,亦 可產生從改質領域7的表面側端部7 a到達積層部1 6之表 面16a之龜裂24。亦即,藉由改質領域7沿著切斷預定線 5而形成於基板4之內部,而產生從改質領域7的表面側端 φ 部7a至少到達基板4之表面4a上之龜裂24的話,使具備 有基板4、及含有功能元件15且形成於基板4之表面4a . 的積層部16之加工對象物1被切斷之際,尤其更可使積層 部1 6被高精度地切斷。 並且’在上述雷射加工方法中,雖然係使表面側端部7a 之位置和基板4之表面4a的距離爲3νιη·~40μιη的方式, 使改質領域7形成在基板4之內部,但是在基板4之厚度 方向中,亦可使改質領域7之中心比基板4之中心更位於 基板4之表面4 a側的方式,來形成改質領域7。藉此方式 -24- © 1363665 - 來形成改質領域7,可容易地產生從改質領域7的表面側 - 端部7a至少到達基板4之表面4a上之龜裂24。 . 其次,將說明從改質領域7的表面側端部7 a至少到達 基板4之表面4a上而產生龜裂24之情況時,可使積層部 16被高精度地切斷之理由。而,在此,在矽製之基板4的 表面4a上係積層低介電率膜(low-k膜)’以作爲積層部16。 (1)產生從改質領域7的表面側端部7a到達基板4之表 ' 面4a上的龜裂24之情況 • 第24圖係在產生從改質領域7的表面側端部7 a到達基 板4之表面4a上的龜裂24之情況時,說明可將低介電率 膜26高精度地切斷之第1理由的加工對象物1之局部剖面 圖。 如第24(a)圖所示,產生從改質領域7的背面側端部7b 到達基板4之背面4b上的龜裂24之狀態下將擴張膠帶23 加以擴張時,可使龜裂24非常順利地延伸到基板4之表面 4a側。因此,產生從改質領域7的背面側端部7b到達基板 φ 4之背面4b上的龜裂24之狀態,可說是爲容易地將基板4 切斷之狀態。 . 另一方面,如第24(b)圖所示,產生從改質領域7的表 面側端部7a到達基板4之表面4a上的龜裂24之狀態,可 說係比產生從改質領域7的背面側端部7b到達基板4之背 面4b上的龜裂24之狀態,爲更難以將基板4切斷之狀態。 產生從改質領域7的表面側端部7a到達基板4之表面 4a上的龜裂24之狀態,即難以將基板4切斷之狀態下,將 擴張膠帶23加以擴張時,隨著將擴張膠帶23之擴張,並 -25· 1363665 ' 非慢慢地而係瞬間即將基板4切斷。於是,低介電率膜26 - 之機械強度低,一般具有和其它材料難以親和的性質,因 ^ 此容易引起拉裂或膜剝離,因此考慮防止此現象,而可將 低介電率膜26及基板4 一起加以高精度地切斷。 第25圖係在產生從改質領域7的表面側端部7a到達基 板4之表面4a上的龜裂24之情況中,說明可將低介電率 膜26高精度地切斷之第2理由的加工對象物1之局部剖面 ' 圖。 φ 如第25(a)圖所示,產生從改質領域7的背面側端部7b 到達基板4之背面4b上的龜裂24之狀態下將擴張膠帶23 加以擴張時,隨著將擴張膠帶23之擴張,而慢慢地將基板 4切斷。因此,龜裂24到達低介電率膜26之時,低介電率 膜26朝谷部凹折方向翹曲,保持此狀態下被拉裂。 另一方面,如第25(b)圖所示,產生從改質領域7的表 面側端部7 a到達基板4之表面4 a上的龜裂2 4之狀態,將 擴張膠帶23加以擴張時,在既定之擴張力作用於基板4之 φ 時點,瞬間即將基板4切斷。因此,可防止低介電率膜26 朝谷部凹折方向翹曲的狀態下被拉裂。 . 從而,產生從改質領域7的表面側端部7a到達基板4 之表面4a上的龜裂24之狀態,係比產生從改質領域7的 背面側端部7b到達基板4之背面4b上的龜裂24之狀態, 更可考慮將低介電率膜26及基板4 一起加以高精度地切 斷。 (2)產生從改質領域7的表面側端部7a到達低介電率膜 26之表面26a上的龜裂24之情況 -26- 1363665 • 第2 6圖係在產生從改質領域7的表面側端部7 a到達低 • 介電率膜26之表面26a上的龜裂24之情況中,說明可將 ¥ 低介電率膜26高精度地切斷之理由的加工對象物1之局部 剖面圖。如同一圖所示,在情況時,在沿著切斷預定線5 使改質領域7形成於基板4之內部的時點,低介電率膜26 被切斷。從而,應可防止低介電率膜26被拉裂或膜剝離, 可使低介電率膜26被高精度地切斷。 ' 上述(1), (2)之各情況中,切斷結果係如下列之方式。如 # 第27圖所示,龜裂24到達基板4之表面4a上的情況,及 龜裂24到達低介電率膜26之表面26a上的情況,均可使 低介電率膜26被極高精度地切斷(參照下段之照片)。然 後,在切斷預定線5上形成A1接墊27之部分中,亦可抑 制低介電率膜26之拉裂到不足5 # m(參照中段之照片)。 而,所謂改質領域的表面側端部距離,係指改質領域7 的表面側端部7a之位置和基板4之表面4a的距離之意, 而所謂改質領域的背面側端部距離,係指改質領域7的背 φ 面側端部7b之位置和基板4之背面4b的距離之意。並且, 所謂改質領域7的寬度,係指改質領域7的表面側端部7 a . 之位置和背面側端部7b之位置的距離之意。然後’所謂改 質領域7的表面側端部7 a之位置,係指沿著切斷預定線5 而形成之改質領域7的「基板4之表面4 a側的端部」之「基 板4之厚度方向中平均的位置」之意’所謂改質領域7的 背面側端部7 b之位置,係指係指沿著切斷預定線5而形成 後之改質領域7的「基板4之背面4b側的端部」之「基板 4之厚度方向中平均的位置」之意(參照第27圖之上段之照 -27- 1363665 - 片)。 - 其次,將說明改質領域7的表面側端部7a之位置和基 板4之表面4a之位置的距離,和基板4狀態之關係。 第28圖〜第31圖係分別顯示厚度爲30#m、50/zm、 1 00/zm、150 之基板4的「改質領域7的表面側端部7a 之位置和基板4之表面4a之位置的距離 '和基板4狀態之 * 關係j之圖。
* 在各圖中,U)係爲使雷射光L之聚光點P沿著切斷預定 0 線5作1次掃瞄的情況,(b)係爲使雷射光L之聚光點P 沿著切斷預定線5作2次掃瞄的情況。並且,基板4之狀 態DM係在基板4之表面4a有一點一點的傷痕出現之狀 態,基板4之狀態FL係龜裂24到達基板4之表面4a的狀 態》又,基板4之狀態ST係無論在基板4之表面4a或背 面4b均無任何的變化出現之狀態,基板4之狀態HC係龜 裂24到達基板4之背面4b的狀態。 而,驗證「改質領域7的表面側端部7a之位置和基板4 φ 之表面4a之位置的距離、和基板4狀態之關係」之時,係 使用矽製之裸晶作爲基板4。並且,雷射光L沿著切斷預 . 定線5之照射條件如下。
重複頻率:8〇kHz 脈衝寬:150ns 脈動能量:1 5 μ J 加工速度(聚光點Ρ對基板4之移動速度):3 0 0mm/秒 由第28(a)圖〜第31(a)圖清楚瞭解,雷射光L之聚光點P 沿著切斷預定線5作1次掃瞄的情況中’當使改質領域7 *28' ® 1363665 ' 的表面側端部7a之位置和基板4之表面4 a之位置的距離 ' 爲3//m〜35/im來形成改質領域7時,可使從改質領域7 . 的表面側端部7a到達至少基板4之表面4a的龜裂24確實 地產生(基板4之狀態FL)。 由第28(b)圖-第31(b)圖清楚瞭解,雷射光l之聚光點P 沿著切斷預定線5作2次掃瞄的情況中,當使改質領域7 的表面側端部7a之位置和基板4之表面4a之位置的距離 • 爲3//m~40//m來形成改質領域7時,可使從改質領域7 # 的表面側端部7a到達至少基板4之表面4a的龜裂24確實 地產生(基板4之狀態FL)。 本發明並不限定於上述之實施形態。 例如’第3 2圖所示,亦可使改質領域7沿著切斷預定 線5形成於基板4之內部,而使改質領域7的表面側端部 7a在基板4之表面4a上成血管狀延伸(第32圖中(a)及(b) 係同一切斷面之照片但以不同的比例顯示)。形成如此的改 質領域7之時,產生從改質領域7之表面側端部7a至少到 φ 達基板4之表面4a的龜裂24。然後,在產生如此的龜裂 24之狀態時,將擴張膠帶23黏貼在基板4之背面4b且加 . 以擴張時,不僅基板4而且積層部16(第32圖中爲低介電 率膜26)可沿著切斷預定線5而精度良好地切斷。而積層部 1 6中之切斷預定線5上,當存在有反射雷射光L之構件(例 如,金屬配線或金屬接墊等)之時,使改質領域7的表面側 端部7a大多在基板4之表面4a上成血管狀延伸。 並且,上述實施形態,雖然係在矽等之半導體基板之內 部形成熔融處理領域1 3來作爲改質領域7之情況,但是改 -29- 1363665 - 質領域7方面,亦可形成熔融處理領域1 3、及相對於該熔 . 融處理領域1 3位於基板4之表面4a側的微小空洞1 4。依 n 此方式’當相對於該熔融處理領域13位於基板4之表面4a 側的微小空洞14之時,至少到達基板4之表面4a的龜裂 24會提高其直進性,其結果,尤其使積層部16可沿著切斷 預定線5而精度良好地切斷。 並且,上述實施形態,雖然係在基板4之內部產生多光 •子吸收以形成改質領域7之情況,但是亦有在基板4之內 φ 部產生和多光子吸收同等的光吸收,以形成改質領域7之 情況。 並且,在切斷預定線上所形成的積層部方面,可考慮有 機絕緣膜或無機絕緣膜、該等之複合膜、低介電率膜、TEG 或金屬配線或電極等之導電膜等,包含將此等形成1層以 上者。 產業上利用之可能性 根據本發明的話,其將具備有基板、含功能元件而在基 φ 板之表面形成含功能的積層部之加工對象物切斷之時,尤 其可以高精度來切斷積層部。 . 【圖式簡單說明】 _ 第1圖係本實施形態的雷射加工方法之雷射加工中的加 工對象物之平面圖。 第2圖係沿著第1圖所示之加工對象物的II-II線之剖面 圖。 第3圖係本實施形態的雷射加工方法之雷射加工後的加 工對象物之平面圖。 -30- 1363665 第4圖係沿著第3圖所示之加工對象物的IV-IV線之剖 面圖。 第5圖係沿著第3圖所示之加工對象物的V-V線之剖面 圖。 第6圖係利用本實施形態的雷射加工方法所切斷的加工 對象物之平面圖。 第7圖係顯示本實施形態的雷射加工方法中電場強度和 龜裂點之大小的關係之曲線圖。 第8圖係本實施形態的雷射加工方法之第1步驟中的加 工對象物之剖面圖。 第9圖係本實施形態的雷射加工方法之第2步驟中的加 工對象物之剖面圖。 第1 0圖係係本實施形態的雷射加工方法之第3步驟中 的加工對象物之剖面圖。 第11圖係本實施形態的雷射加工方法之第4步驟中的 加工對象物之剖面圖。 第1 2圖係顯示係利用本實施形態的雷射加工方法所切 斷的矽晶圓之一部分中之剖面之照相圖。 第1 3圖係顯示本實施形態的雷射加工方法中雷射光的 波長和矽基板之內部的穿透率之關係的曲線圖。 第14圖係藉由本實施形態的雷射加工方法來形成熔融 處理領域及微小空洞後的矽晶圓之剖面圖。 第1 5圖係說明藉由本實施形態的雷射加工方法來形成 熔融處理領域及微小空洞的原理用之矽晶圓之剖面圖。 第1 6圖係藉由本實施形態的雷射加工方法來形成熔融
-31- 1363665 - 處理領域及微小空洞的矽晶圓之切斷面的照相圖。 第1 7圖係爲本實施形態的雷射加工方法之對象的加工 對象物之平面圖。 第18圖係沿著第π圖所示之加工對象物的XVIII-XVIII 線之局部剖面圖。 第1 9圖係說明本實施形態的雷射加工方法用之加工對 象物之局部剖面圖,(a)係將保護膠帶黏貼在加工對象物上 之狀態,(b)係將雷射光照射在加工對象物上之狀態。 ► 第20圖係說明本實施形態的雷射加工方法用之加工對 象物之局部剖面圖,(a)係將擴張膠帶黏貼在加工對象物上 之狀態,(b)係將紫外線光照射在保護膠帶上之狀態。 第21圖係說明本實施形態的雷射加工方法用之加工對 象物之局部剖面圖,(a)係從加工對象物將保護膠帶剝離之 狀態,(b)係將擴張膠帶加以擴張之狀態。 第2 2圖係產生從改質領域之表面側端部到達積層部之 內部的龜裂之加工對象物之局部剖面圖。 > 第2 3圖係產生從改質領域之表面側端部到達積層部之 表面的龜裂之加工對象物之局部剖面圖。 第24圖係說明產生從改質領域之表面側端部到達基板 之表面的龜裂之情況時,可將低介電率膜高精度地切斷之 第1個理由之加工對象物之局部剖面圖。 第25圖係說明產生從改質領域之表面側端部到達低介 電率膜之表面的龜裂之情況時,可將低介電率膜高精度地 切斷之第2個理由之加工對象物之局部剖面圖。 第2 6圖係說明產生從改質領域之表面側端部到達低介 -32- 1363665 - 電率膜之表面的龜裂之情況時,可將低介電率膜高精度地 * 切斷之理由之加工對象物之局部剖面圖。 , 第27圖係表示龜裂到達基板之表面之情況時,及龜裂 到達低介電率膜之表面之情況時,顯示加工對象物之切斷 結果的照相圖。 第28圖係顯示厚度爲30;zm之基板的「改質領域之表 面側端部和基板之表面的距離、及基板之狀態的關係」之 圖。 # 第29圖係顯示厚度爲50 // m之基板的「改質領域之表 面側端部和基板之表面的距離、及基板之狀態的關係」之 圖。 第30圖係顯示厚度爲100//m之基板的「改質領域之表 面側端部和基板之表面的距離、及基板之狀態的關係」之 圖。 第31圖係顯示厚度爲150/zm之基板的「改質領域之表 面側端部和基扳之表面的距離、及基板之狀態的關係」之 _ 圖。 第3 2圖係顯示改質領域之表面側端部以筋狀延伸到基 . 板之表面的方式,來形成改質領域後之基板的切斷面的照 相圖。 【主要元件符號說明】 1…加工對象物 4…基板、 a…基板之表面 4b…基板之背面
-33 1363665 - 4c···基板之側面 、 5…切斷預定線 • 7…改質領域 7a…改質領域之表面側端部 13…熔融處理領域 1 4…微小空洞 • 15…功能元件 • 1 6…積層部 ^ 16a…積層部之表面 22…保護膠帶(保護構件) 23…擴張膠帶(可擴張構件) 24…龜裂 25···半導體晶片 2 6…低介電率膜 L…雷身寸光 P…聚光點 -34-

Claims (1)

1^68665 第09彳139547號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國100年12月9日修正 十、申請專利範圍 1. 一種雷射加工方法,其將具備有基板、含功能元件而形 成在基板之表面的積層部之加工對象物,沿著切斷預定 線加以切斷,該方法之特徵爲包含有: 將保護構件安裝在上述積層部之表面的步驟;
在上述安裝保護構件之後,藉將上述基板之背面作爲 雷射光射入面,使焦點對準上述基板之內部來照射雷射 光,沿著上述切斷預定線使成爲切斷之起點的改質領域 在上述基板之內部形成,以產生龜裂之步驟,該龜裂從 上述改質領域未到達上述基板之背面,且從上述改質領 域之表面側端部到達上述基板之表面但未到達上述積層 部之表面;
在上述龜裂產生之後,將可擴張構件安裝在上述基板 之背面之步驟; 在安裝上述可擴張構件之後’藉由擴張上述擴張構件 ,而使上述加工對象物沿著切斷預定線加以切斷的步驟 2·如申請專利範圍第1項之雷射加工方法,其中產生從上 述改質領域之表面側端部到達上述積層部之內部的龜裂 3.—種雷射加工方法,其將具備有基板、含功能元件而形 成在基板之表面的積層部之加工對象物,沿著切斷預定 1363665 ____ 1¾¾午气EHK更)正替換頁 線加以切斷,該方法之特徵爲包含有: 將保護構件安裝在上述積層部之表面的步驟; 在上述安裝保護構件之後’藉將上述基板之背面作爲 雷射光射入面’使焦點對準上述基板之內部來照射雷射光 ’沿著上述切斷預定線使成爲切斷之起點的改質領域在上 述基板之內部形成,以產生龜裂之步驟,該龜裂從上述改 質領域未到達上述基板之背面,從上述改質領域之表面側 端部到達上述基板之表面且到達上述積層部之表面; 在上述龜裂產生之後,將可擴張構件安裝在上述基板 之背面之步驟; 在安裝上述可擴張構件之後’藉由擴張上述擴張構件 ’而使上述加工對象物沿著切斷預定線加以切斷的步驟 〇 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之雷射加工方法, 其中在上述基板之厚度方向中,上述改質領域的中心係 比基板的中心更位於基板的表面側的方式,來形成改質 領域。 5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之雷射加工方法, 其中上述基板係指半導體基板,上述改質領域係爲含有 熔融處理領域》 6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之雷射加工方法, 其中上述基板係指半導體基板,上述改質領域係爲含有 熔融處理領域、及相對於該熔融處理領域位於基板之表 面側的微小空洞。 -2-
1^63665^__ _比正替換頁 1,1 7.如申請專利範圍第1至3項中任一項之雷 其中上述積層部爲含有低介電率膜。 8 ·如申請專利範圍第4項之雷射加工方法, 係指半導體基板,上述改質領域係爲含有 9.如申請專利範圍第4項之雷射加工方法, 係指半導體基板,上述改質領域係爲含有 、及相對於該熔融處理領域位於基板之表 洞。 10.如申請專利範圍第4項之雷射加工方法 層部爲含有低介電率膜。 11 ·如申請專利範圍第8項之雷射加工方法 層部爲含有低介電率膜。 12.如申請專利範圍第9項之雷射加工方法 層部爲含有低介電率膜。 射加工方法, 其中上述基板 熔融處理領域 其中上述基板 熔融處理領域 面側的微小空 ,其中上述積 ,其中上述積 ,其中上述積
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