TWI363665B - - Google Patents

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1363665 - 九、發明說明： . 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種其將具備有基板、含功能元件而在基 •扳之表面形成的積層部之加工對象物，沿著切斷預定線而 加以切斷的雷射加工方法。 【先前技術】 以往在這種技術方面，係藉由將焦點對準於含有複數個 •功能元件之積層部所形成的基板之內部來照射雷射光，以 φ 在基板之內部沿著切斷預定線形成改質領域，並以該改質 領域作爲起點而將基板及積層部加以切斷之雷射加工方法 (例如參考專利文獻1)。 專利文獻1 :日本特開2003-3348 1 2號公報 發明所欲解決的課題 上述之雷射加工方法，係在可高精度地切斷基板及積層 部之點爲有效的技術。與該技術有關連，在含有複數個功 能元件之積層部所形成的基板之內部，沿著切斷預定線形 φ 成改質領域之情況，以該改質領域作爲起點，尤其可更高 精度地切斷積層部之技術最爲業界所盼望。 . 因而，本發明係鑑於此事而開發者，其目的在提供一種 雷射加工方法’其將具備有基板、含功能元件而在基板之 表面形成的積層部之加工對象物切斷之時，尤其可以高精 度來切斷積層部。 【發明內容】 解決課題之手段 爲了達成上述目的’本發明之雷射加工方法，其將具備 1363665 . 有基板、含功能元件而在基板之表面形成含功能的積層部 • 之加工對象物，沿著切斷預定線加以切斷，其特徵爲：該 方法包含有：將保護構件安裝在積層部之表面的步驟、在 礞 安裝保護構件之後，藉將基板之背面作爲雷射光射入面， 使焦點對準基板之內部來照射雷射光，沿著基板之切斷預 定線使成爲切斷之起點的改質領域在基板之內部形成，以 產生從改質領域之表面側端部到達至少基板之表面的龜裂 * 的步驟、在龜裂產生之後，將可擴張構件安裝在基板之背 φ 面之步驟、在安裝可擴張構件之後，藉由擴張構件進行擴 張，而使加工對象物沿著切斷預定線加以切斷的步驟。 . 該雷射加工方法中，在將保護構件安裝在積層部之表面 的狀態下，藉將基板之背面作爲雷射光射入面，使焦點對 準基板之內部來照射雷射光，沿著基板之切斷預定線使成 爲切斷之起點的改質領域在基板之內部形成，以產生從改 質領域之表面側端部到達至少基板之表面的龜裂。然後， 在產生如此的龜裂之狀態，將可擴張的構件安裝在基板的 Φ 背面而擴張之時，不僅可將基板尤其可將積層部沿著切斷 預定線而精度良好地切斷。從而，依照該雷射加工方法的 ^ 話，其將具備有基板、含功能元件而在基板之表面形成含 ^ 功能的積層部之加工對象物加以切斷之時，尤其可將積層 部高精度地切斷。 而，所謂功能元件，係指例如利用結晶成長所形成的半 導體動作層、光二極體等之受光元件、雷射二極體等之發 光元件、作爲電路用而形成的電路元件等。並且，改質領 域係將焦點對準基板之內部來照設雷射光，而藉由在基板 1363665 - 之內部產生多光子吸收或和其同等之光吸收來形 . 並且，在上述雷射加工方法中’可產生從改質 面側端部到達積層部之內部的龜裂’亦可產生從 4 之表面側端部到達積層部之表面的龜裂。 並且，在基板之厚度方向中，係使改質領域的 板的中心更位於基板的表面側，來形成改質領 佳。藉形成如此的改質領域，可以容易地產生從 ’ 之表面側端部到達至少基板之表面的龜裂。 φ 在此，基板係指半導體基板，改質領域係爲含 理領域之情況。該熔融處理領域係爲上述改質領 例子，因此即使在該情況，其將具備有基板、含 而在基板之表面形成含功能的積層部之加工對象 時，尤其可高精度地來切斷積層部。 並且’基板係指半導體基板，改質領域係爲含 理領域、及相對於該熔融處理領域位於基板之表 小空洞之情況。該熔融處理領域及微小空洞係爲 φ 領域之一個例子’因此即使在該情況，其將具備 含功能元件而在基板之表面形成含功能的積層部 ^ 象物切斷之時，尤其可高精度地來切斷積層部。 • 並且’本發明之雷射加工方法，對積層部爲含 率膜之情況特別有效。低介電率膜一般具有機械 且難以與其它材料親和的性質，因此容易引起拉 離’但是依照本發明之雷射加工方法的話，可防 膜剝離，使低介電率膜和基板—起被高精度地切 發明之效果 成。 領域之表 改質領域 中心比基 域時爲較 改質領域 有熔融處 域之一個 功能元件 物切斷之 有熔融處 面側的微 上述改質 有基板、 之加工對 有低介電 強度低、 裂或膜剝 止拉裂或 斷。 1363665 - 依照本發明的話，在其將具備有基板、含功能元件而在 * 基板之表面形成含功能的積層部之加工對象物切斷之時， 尤其可以高精度來切斷積層部。 9 【實施方式】 以下，將參照附圖來詳細地說明本發明之較佳實施形 態。在本實施形態之雷射加工方法中，爲了在加工對象物 之內部形成改質領域，而利用所謂的多光子吸收現象。因 ' 而’首先將說明利用多光子吸收來形成改質領域的雷射加 φ 工方法》 當光子之能h y比材料之吸收的能帶隙EC更小之時，會 變成光學上的透明。因而，在材料上產生吸收的條件係 > E。。但是，即使光學上的透明時，將雷射光之強度作成 大時，在nhv >Ec。之條件（n = 2,3,4,…）下，在材料上產生 吸收。將該現象稱爲多光子吸收。脈衝波之情況，雷射光 之強度係由雷射光之聚光點的尖峰功率密度（W/cm2)所決 定，例如尖峰功率密度爲lxl08(W/cm2)以上之條件下，會 φ 發生多光子吸收。尖峰功率密度係由（聚光點中雷射光之每 個脈衝之能量）+ (雷射光之光束點剖面積X脈衝寬）而求得。 . 並且，連續波之情形，雷射光之強度係由雷射光之聚光點 的電場強度（W/cm2)所決定β 利用這種多光子吸收之本實施形態之雷射加工方法的 原理，將參照第1圖~第6圖來說明。如第1圖所示，在板 狀之加工對象物1的表面3,有切斷加工對象物1用的切斷 預定線5。切斷預定線5係直線狀延伸的假定線。本實施 形態之雷射加工方法中，如第2圖所示，在多光子吸收產 1363665 - 生的條件下將聚光點P對準加工對象物1的內部來照射雷 • 射光L ’以形成改質領域7。而’所謂聚光點p係指聚光之 • 處。並且，切斷預定線5並不限於直線，亦可爲曲線，且 並不限於假想線，亦可爲實際上拉到加工對象物1的線。 接著’藉著使雷射光L沿著切斷預定線5 (即朝第1圖之 箭頭A方向）相對地移動時，可使聚光點p沿著切斷預定線 5移動。因而，如第3〜5圖所示，改質領域7沿著切斷預定 線5而形成於加工對象物1的內部，該改質領域7成爲切 9 斷起點領域8。在此’所謂切斷起點領域8，係指加工對象 物1被切斷之時成爲切斷（龜裂）起點之領域。該切斷起點 領域8有在改質領域7連續地形成之時被形成之情況，亦 有改質領域7斷續地形成之時被形成之情況。 本實施形態之雷射加工方法’並非加工對象物1藉由吸 收雷射光L，使加工對象物1發熱而形成改質領域7者。 而係雷射光L透過加工對象物1，而在加工對象物1之內 部產生多光子吸收，來形成改質領域7者。因而，在加工 φ 對象物1的表面3上幾乎不吸收雷射光L，因此加工對象 物1的表面3上並不熔融。 . 在加工對象物1之.內部形成切斷起點領域8之時，將該 切斷起點領域8作爲起點，容易產生龜裂，因此如第6圖 所示，可使用比較小的力量來切斷加工對象物1。於是， 加工對象物1之表面3上並不產生不需要的龜裂，故可高 精度地切斷加工對象物1。 以該切斷起點領域8作爲起點的加工對象物丨之切斷 中’可考慮下列兩個方式。其一，在切斷起點領域8形成 -]〇- ⑧ 1363665 - 後，藉人爲的力量施加於加工對象物1之時，有：以該切 • 斷起點領域8作爲起點的加工對象物1產生龜裂而使加工 r 對象物1被切斷之情況。所謂藉人爲的力量施加，是指例 如沿著加工對象物1之切斷起點領域8施加彎曲應力或剪 斷力，或者藉由將溫度差賦予加工對象物1，而產生熱應 力之謂。另外一個，係藉形成切斷起點領域8，將切斷起 點領域8作爲起點而朝向加工對象物1的剖面方向（厚度方 ' 向）自然地龜裂，結果使加工對象物1被切斷的情況。這是 φ 例如在加工對象物1的厚度爲小之場合中，可藉一列之改 質領域7來形成切斷起點領域8,在加工對象物1的厚度爲 大之場合中，在切斷之處，對應於未形成切斷起點領域8 的部位之部分的表面3上，龜裂並未先走動，僅對應於形 成切斷起點領域8的部位之部分可被割斷，因此可良好地 控制割斷。近年來，矽晶圓等之加工對象物1的厚度有變 薄的傾向，因此此種控制性良好的割斷方法非常有效。 而，本實施形態之雷射加工方法中，藉多光子吸收形成 φ 的改質領域方面，有下列（1)~(4)之情況。 (1)改質領域爲含有一個或複數個之龜裂之龜裂領域之 - 情況 _ 將聚光點對準加工對象物（例如玻璃或由LiTa03形成的 壓電材料）之內部，聚光點中之電場強度爲lxl〇8(W/cm2)以 上且脈衝寬爲1 V s以下之條件，來照射雷射光。該脈衝寬 之大小，係一面產生多光子吸收、一面不會對加工對象物 之表面造成多餘的傷害，而僅可在加工對象物之內部形成 龜裂領域之條件。因而，在加工對象物之內部藉由多光子 • 11 - 1363665 吸收產生光學的損傷之現象。藉該光學的損傷在加工對象 -物之內部感應熱歪，因而在加工對象物之內部形成龜裂領 域。電場強度之上限値方面’可爲例如1 X 1 0l2(w/cm2)。脈

W 衝寬可爲例如Ins〜200ns爲較佳。而，多光子吸收之龜裂 領域的形成，例如記載於第45次雷射熱加工硏究論文集 (1998年12月）之第23頁〜第28頁之「固體雷射高調波對 * 玻璃基板之內部的劃記」一文中。 •本發明人利用實驗而求出電場強度和龜裂之大小的關 φ 係。實驗條件係如下列方式。 (A) 加工對象物：派立克斯（註冊商標）玻璃（厚度700 // m) (B) 雷射 光源：半導體雷射激發Nd: YAG雷射 波長：1064nm 雷射光點剖面積：3.14xl〇_8cm2 振盪形態：Q開關脈衝 重複頻率：l〇〇kHz φ 脈衝寬：30ns 輸出：輸出<lm〗/脈衝 . 雷射光品質：TEM。。 偏光特性：直線偏光 (C) 聚光用透鏡 對雷射光波長的透過率：60% (D) 載置加工對象物的載置台之移動速度：lOOmm/秒 而所謂雷射光品質TEM。。，是指聚光性高雷射光之波長 左右均可聚光之意。 •12- 1363665 ' 第7圖係顯示上述實驗之結果的曲線。橫軸爲尖峰功率 • 密度’雷射光係爲脈衝光，因此電場強度係以尖峰功率來 . 表示。縱軸係顯示1個脈衝之雷射光對加工對象物之內部 所形成的龜裂部分（龜裂點）的大小。龜裂點集中時形成龜 裂領域。龜裂點之大小，係指龜裂點的形狀之中爲最大之 長度的部分之大小。曲線中之黑點所表示的資料，係聚光 用透鏡（C)之倍率爲100倍，開口數（NA)爲0.80之情形。另 ' —方面’曲線中之白點所表示的資料，係聚光用透鏡（C)之 # 倍率爲·50倍’開口數（NA)爲0.55之情形。尖峰功率密度 從10M(W/ cm2)左右在加工對象物之內部產生龜裂點，隨著 尖峰功率密度變大時，龜裂點亦變大係周知者。 其次，將參照第8圖~第1 1圖來說明龜裂領域形成造成 加工對象物之切斷的機制。如第8圖所示，在產生多光子 吸引之條件下將聚光點P對準加工對象物丨的內部來照射 雷射光L ’而沿著切斷預定線在內部形成龜裂領域9。龜裂 領域9係含有一個或複數個龜裂之領域。如此形成的龜裂 @ 領域9係成爲切斷起點領域。如第9圖所示，以龜裂領域 9作爲起點（即，將切斷起點領域作爲起點），使龜裂更進一 * 步成長’如第10圖所示，龜裂到達加工對象物1的表面3 . 及背面2 1 ’如第1 1圖所示’藉加工對象物1之裂痕而使加 工對象物1被切斷。到達加工對象物1的表面3及背面21 的龜裂，有自然成長的情況’亦有將力量施加於加工對象 物1上而成長的情形。 (2)改質領域爲熔融處理領域之情況 將聚光點對準加工對象物（例如矽之半導體材料）的內 -13- !363665 ' 部’聚光點中之電場強度爲lxl08(W/cm2)以上且脈衝寬爲 • 1 ^ s以下之條件，來照射雷射光。於是，在加工對象物之 - 內部藉由多光子吸收而產生局部的加熱。藉此加熱在加工 對象物之內部形成熔融處理領域。所謂熔融處理領域，係 指一旦熔融後再固化之狀態的領域，亦可稱爲相變化後領 . 域或結晶構造變化後領域。並且，熔融處理領域亦可稱爲： 在單結晶構造、非晶質構造、多結晶構造中，某個構造變 化成另一個構造之領域。亦即，例如從單結晶構造變化爲 ® 非晶質構造之領域 '從單結晶構造變化爲多結晶構造之領 域、從單結晶構造變化爲含有非晶質構造及多結晶構造之 • 構造的領域之意。加工對象物爲矽單結晶構造之情況，熔 . 融處理領域例如爲非晶質矽構造。電場強度之上限値方 面’可爲例如lxl〇l2(W/cm2)。脈衝寬可爲例如ins〜200ns 爲較佳。 本發明人利用實驗而確認在矽晶圓之內部形成熔融處 理領域之事。實驗條件係如下列方式》 ® (A)加工對象物：矽晶圓（厚度350/zm，外徑4英吋） (B)雷射 ' 光源：半導體雷射激發Nd: YAG雷射 . 波長：1 0 6 4 n m 雷射光點剖面積：3.14xl〇_8cm2 振盪形態：Q開關脈衝 重複頻率：l〇〇kHz 脈衝寬：30ns 輸出：20μ】/脈衝 1363665 - 雷射光品質：ΤΕΜ。。 • 偏光特性：直線偏光 > (C)聚光用透鏡 倍率：5 0倍 Ν.Α. ： 0.55 對雷射光波長的透過率：60% (D)載置加工對象物的載置台之移動速度：100mm/秒 ' 第1 2圖係顯示利用上述條件的雷射加工所切斷的矽晶 φ 圓之一部分中表示剖面的照相圖。在矽晶圓1 1之內部形成 熔融處理領域1 3。而，利用上述條件形成的熔融處理領域 13之厚度方向的大小係爲l〇〇/zm左右。 將說明熔融處理領域13藉由多光子吸收來形成之事》 第1 3圖係顯示雷射光的波長和矽基板之內部的透過率 之關係的曲線圖。但是，將矽基板之表面側及背面側分別 的反射成分加以去除，僅顯示內部之透過率。矽基板之厚 度爲 50/zm、100//m、200#m、500/im、ΙΟΟΟ/im 時顯示 φ 上述之關係。 例如，在Nd: YAG雷射之波長爲1064nm之時，矽基板 - 之厚度爲500 // m以下之情況，可瞭解在矽基板之內部雷射 光爲80%以上透過。第12圖所示之矽晶圓11之厚度爲 350vm，因此藉由多光子吸收而在矽晶圓U之中心附近， 即從表面算起175em之部分中形成熔融處理領域13。此 情況之透過率，參考厚度200# m之砂晶圓時爲90%以上’ 因此雷射光在矽晶圓1 1之內部僅少量被吸收，幾乎大部分 透過。此事並非雷射光在矽晶圓11之內部被吸收，因而熔 -15- ⑧1 1363665 - 融處理領域1 3在矽晶圓Π之內部形成（即由於雷射光利用 . 通常之加熱形成熔融處理領域），而是熔融處理領域1 3利 用多光子吸收而形成之意。利用多光子吸收而形成熔融處 ψ 理領域，例如係記載於焊接學會全國大會講演槪要第66集 (2000年4月）之第72頁〜第73頁之「微微秒脈衝雷射之矽 的加工特性評價j中。 ' 而，矽晶圓，係將藉由熔融處理領域形成的切斷起點領 '域作爲起點而朝向剖面方向產生裂痕，藉該裂痕到達矽晶 % 圓之表面及背面，結果產生切斷。到達矽晶圓之表面及背 面的該裂痕，有自然成長的情形，亦有力量施加於矽晶圓 上而成長的情形。接著，從切斷起點領域到矽晶圓之表面 及背面，該裂痕爲自然成長的情形中，有下列的任何一種 情況：裂痕從形成切斷起點領域的熔融處理領域產生熔融 的狀態之後開始成長之情況，及裂痕從形成切斷起點領域 的熔融處理領域產生熔融的狀態之後再固化之時開始成長 之情況。但是，無論任何一個情況，熔融處理領域均僅在 φ 矽晶圓之內部形成，切斷後之切斷面中，如第12圖僅在內 部形成熔融處理領域。因而，在加工對象物之內部藉由熔 . 融處理領域形成切斷起點領域之時，在割斷時難以產生從 切斷起點領域脫離的不必要之裂痕，因此使割斷控制變成 容易。 (3)改質領域爲熔融處理領域及微小空洞之情況 將聚光點對準加工對象物（例如矽之半導體材料）的內 部，聚光點中之電場強度爲lxl〇8(W/cm2)以上且脈衝寬爲 1 // s以下之條件，來照射雷射光。於是’在加工對象物之 1363665 - 內部有形成熔融處理領域及微小空洞之情況。而，電場強 - 度之上限値方面，可爲例如lxlOl2(W/cm2)。脈衝寬可爲例 如lns~200ns爲較佳。 ψ 如第14圖所示，當雷射光L從矽晶圓11的表面3射入 之情況，微小空洞1 4相對於熔融處理領域1 3係形成於背 面2 1側。第1 4圖中，雖然熔融處理領域1 3及微小空洞1 4 係分離而形成，但是亦有熔融處理領域1 3及微小空洞1 4 ' 係連續地形成之情況。亦即，藉由多光子吸收來形成熔融 φ 處理領域1 3及微小空洞1 4之對的情況，微小空洞1 4係相 對於熔融處理領域1 3被形成在矽晶圓1 1中光射入面之相 . 反側》 依此方式，使雷射光L透過矽晶圓11而在矽晶圓11之 內部產生多光子吸收來形成熔融處理領域13之情況，形成 對應於個別熔融處理領域1 3之微小空洞1 4的原理不一定 很明朗。在此處，關於在熔融處理領域1 3及微小空洞1 4 爲成對的狀態下形成的原理，本發明人將以推測之2個假 φ 設來說明。 本發明人推測之第1個假設如下。即，如第1 5圖所示， . 將聚光點對準加工對象物（例如矽之半導體材料）的內部之 聚光點P，來照射雷射光L時，在聚光點P之附近形成熔 融處理領域1 3。以往，該雷射光L方面，係使用從雷射光 源照射的雷射光L之中心部分的光（第1 5圖中係相當於L4 及L5之部分的光）。此乃是爲了使用雷射光L之高斯分布 的中心部分之緣故。 本發明人爲了減少雷射光L對矽晶圓11的表面3的影 -17- 1363665 響，而將雷射光L擴大。其中一個方法上，係將從雷射光 . 源照射的雷射光L以既定之光學系統加以擴大’以擴大高 斯分布的地帶，以將雷射光L之周邊部分的光（第15圖中 ψ 爲相當於L1-L3及L6〜L8之部分的光）之雷射強度相對地提 昇。使依此方式擴張的雷射光L透過矽晶圓]I時，如已說 明的方式.，在聚光點P的附近形成熔融處理領域13，在對 ' 應於該熔融處理領域1 3的部分形成微小空洞1 4。亦即，熔 * 融處理領域1 3及微小空洞1 4係形成於沿著雷射光L之光 φ 軸（第15圖中之一點破折線）的位置上。形成微小空洞14 的位置，係相當於周邊部分的光（第15圖中爲相當於L1~L3 及L6~L8之部分的光），在理論上聚光的部分。 因而，雷射光L之中心部分的光（第1 5圖中係相當於L4 及L5之部分的光）' 及雷射光L之周邊部分的光（第15圖 中爲相當於U〜L3及L6~L8之部分的光）分別聚光的部分， 在矽晶圓11之厚度方向中相異的部分，應爲由將雷射光L 聚光之透鏡的透鏡球面像差（spherical abberation)所導致 •者。 本發明人推測之第2個假設，係雷射光L之周邊部分的 . 光（弟15圖中爲相當於L1~L3及L6~L8之部分的光）所聚光 的部分，係爲理論上之雷射聚光點，因此該部分之光強度 高，且引起微細構造變化，因而其周圍形成實質上結晶構 造未變化的微小空洞1 4，形成熔融處理領域1 3的部分，係 受到熱的影響很大，而單純地熔解且再固化者。 在此處，雖然熔融處理領域13係上述（2)所敘述之方式 者，但是微小空洞14係其周圍實質上結晶構造未變化者。 -18- ⑧ 丄地665 @晶圓1 1爲單結晶構造之情況，微小空洞1 4的周圍係大 多保持單結晶構造之情況。 本發明人利用實驗而確認在矽晶圓11之內部形成熔融 處理領域1 3及微小空洞1 4之事。實驗條件係如下列方式。. (A) 加工對象物：矽晶圓（厚度100 y m) (B) 雷射 光源：半導體雷射激發Nd: Y AG雷射 波長：1 Ο 6 4 n m 重複頻率：40kHz 脈衝寬：3 0 n s 脈衝間距：7 // m 加工深度：8 /z m 脈動能量：50/z〗/脈衝 偏光特性：直線偏光 (C) 聚光用透鏡 NA : 0.55 (D) 載置加工對象物的載置台之移動速度：280mm/秒 第1 6圖係顯示利用上述條件的雷射加工所切斷的矽晶 圓1 1之切斷面的照相圖。在第16圖中，（a)及（b)係顯示同 一切斷面之照片但比例不同者。如同一圖所示，在矽晶圓 11之內部，藉由1個脈衝之雷射光L的照射所形成的熔融 處理領域1 3及微小空洞1 4之對，係沿著切斷面（即，沿著 切斷預定線）以既定之間距而形成。 而，第16圖所示之切斷面的熔融處理領域13，其在矽 晶圓11之厚度方向（圖中之上下方向）的寬度爲13ΑΙΉ左 -19- 1363665 - 右’移動雷射光L的方向（圖中之左右方向）的寬度爲3/zm - 左右。並且，微小空洞14，其在矽晶圓11之厚度方向的寬 . 度爲左右，移動雷射光l的方向）的寬度爲左 右。熔融處理領域13及微小空洞14之間隔爲1.2/zm左右。 (4)改質領域爲折射率變化領域之情況 將聚光點對準加工對象物（例如玻璃）之內部，以聚光點 中之電場強度爲lxl08(W/cm2)以上且脈衝寬爲1ms以下之 •條件’來照射雷射光。將脈衝寬作成極短，在加工對象物 φ 之內部引起多光子吸收，使多光子吸收的能量不轉化成熱 能’而在加工對象物之內部引起離子價變化、結晶化、或 分極配向等之永久的構造變化，而形成折射率變化領域。 電場強度之上限値方面，可爲例如lxl〇l2(W/cm2)。脈衝寬 可爲例如1 n s以下較佳，1 p s以下更佳。多光子吸收引起折 射率變化領域之形成，例如記載於第4 2次雷射熱加工硏究 論文集（ 1 997年11月）之第105頁~第111頁之「飛秒雷射 照射對玻璃基板內部之光引起構造的形成」一文中。 ϋ 以上利用多光子吸收來形成改質領域方面，雖然已說明 於（1)〜（4)之情形中’但是考慮晶圓狀之加工對象物的結晶 . 構造或其劈開性等，而使切斷起點領域以如下方式形成的 話，將該切斷起點領域作爲起點，則可使用更小的力，而 且精度良好地將加工對象物切斷。 即’由矽等之鑽石構造的單結晶半導體所形成之基板的 情況’以沿著（ill)面（第1劈開面）或（110)面（第2劈開面） 之方向來形成切斷起點領域爲較佳。並且，由GaAs等之閃 鋅礦型構造之ΠΙ-V足化合物半導體所形成之基板的情 -20- 1363665 況，以沿著（1 10)面之方向來形成切斷起點領域爲較佳。又， • 具有藍寶石（A1203)等之六方晶系之結晶構造的基板之情 況，以 （0001)面（C面）作爲主面而沿著（1120)面（A面）之方 向來形成切斷起點領域爲較佳。 而，沿著欲形成上述切斷起點領域的方向（例如，沿著 單結晶矽基板中（1 11)面的方向）、或沿著與欲形成切斷起點 領域的方向正交之方向在基·板上形成指向平坦部的話，藉 •由以該指向平坦部作爲基準，可使切斷起點領域沿著欲形 Φ 成切斷起點領域的方向，容易且正確地形成於基板上。 其次，將說明本發明之較佳實施形態。第1 7圖係本實 施形態的雷射加工方法之對象的加工對象物之平面圖，第 18圖係沿著第17圖所示之加工對象物的XVIII-XVIII線之 局部剖面圖。參照第1 7圖，爲晶圓之加工對象物1爲平板 狀且成大致圓盤狀。在該加工對象物1的表面，設定有縱 橫交叉的複數之切斷預定線5(格子狀之切斷預定線）。切斷 預定線5係將加工對象物1切斷成複數之晶片狀的部分用 φ 之推測的假想線。. 如第17及1 8圖所示，加工對象物1具備有：具有 . 30/zm~150/im之厚度的矽製之基板4、及形成在含有複數 個功能元件15之基板4的表面4a上之積層部16。功能元 件】5具有：積層於基板4的表面4a上之層間絕緣膜1 7a、 形成於層間絕緣膜17a上之配線層19a、以覆蓋配線層19a 的方式積層於層間絕緣膜17a上之層間絕緣膜17b、及形成 於層間絕緣膜1 7b上之配線層1 9b。配線層1 9a及基板4係 藉由貫通層間絕緣膜1 7a之導電性插槽20b而電性地連接。 1363665 而，雖然功能元件1 5係在平行於基板4之指向平坦部6 , 的方向及垂直的方向上多數地形成矩陣狀，但是層間絕緣 膜17a，17b係涵蓋在相鄰的功能元件15，15之間來形成， 以覆蓋基板4的表面4a之全體。 將由以上方式構成的加工對象物1，如以下方式切斷成 每個功能元件1 5。首先，如第19(a)圖所示，將保護膠帶（保 ' 護構件）22黏貼在積層部16之表面16a上，以覆蓋各功能 - 元件15。接著，如第19(b)圖所示，將基板4之背面朝向上 φ 方，以使加工對象物1被固定到雷射加工裝置的載置台（未 圖示）上。此時，積層部16藉由保護膠帶22來避免和載置 台直接接觸，因此可保護各功能元件15。 接著，以通過相鄰的功能元件1 5, 1 5之間的方式，將切 斷預定線5設定成格子狀（參照第1 7圖之虛線），使基板4 之背面作爲雷射光射入面，將聚光點P對準基板4之內部， 一面使雷射光L在產生多光子吸收的條件下照射，一面藉 載置台的移動而使雷射光L之聚光點P沿著切斷預定線5 φ 掃瞄。於是，成爲切斷之起點的改質領域7，係使其表面 側端部7a之位置和基板4之表面4a的距離（尤其只要未預 . 告的話，係指基板4之厚度方向中之距離）成爲3从m〜40 // m 的方式，形成在基板4之內部。在此條件下形成改質領域 7時，會產生從改質領域7的表面側端部7 a到達基板4之 表面4a的龜裂24。 依此方式，將雷射光L照射在加工對象物1之時，係將 基板4之背面4b作爲雷射光射入面，因此即使在積層部1 6 之切斷預定線5上存在有將雷射光L反射的構件（例如TEG) -22- ⑧ 1363665 之時’改質領域7亦可沿著切斷預定線5而確實地形成於 ， 基板4之內部。而，基板4係爲矽所形成的半導體基板， , 因此改質領域7係爲熔融處理領域13。並且，在此，改質 領域7相對於一條切斷預定線5係以一列之比例而形成於 基板4之內部。 形成改質領域7且產生龜裂24之後，如第20(a)圖所示， 將擴張膠帶（可擴張構件）23黏貼在基板4之背面4b。接著， ' 如第20(b)圖所示，將紫外線照射在保護膠帶22上，使其 • 黏著力降低，如第21(a)圖所示將保護膠帶22從積層部16 之表面1 6 a剝離。 將保護膠帶22剝離之後，如第21(b)圖所示，將擴張膠 帶23加以擴張，以改質領域7作爲起點產生裂痕，使基板 4及積層部1 6沿著切斷預定線5切斷，同時使被切斷而獲 得的各半導體晶片25互相地分離。於是，可獲得：具備有 基板4、及含有功能元件1 5且形成於基板4之表面4a的積 層部1 6，且表面側端部7a之位置和基板4之表面4a的距 ^ 離係爲3//m〜4〇em的方式，使改質領域7形成在基扳4 之側面4c上的半導體晶片25。 • 如以上所說明，在上述雷射加工方法中，在將保護膠帶 . 22黏貼在積層部1 6之表面1 6a後的狀態下，藉由將基板4 之背面4b作爲雷射光射入面來照射雷射光L，改質領域7 沿著切斷預定線5而確實地形成於基板4之內部，並產生 從改質領域7的表面側端部7a到達基板4之表面4a的龜 裂24。產生如此之龜裂24的狀態下，將擴張膠帶23黏貼 在基板4之背面4b並加以擴張時’不僅基板4且切斷預定 -23- (S)· 1363665 - 線5上之積層部16，即層間絕緣膜17a，17b沿著切斷預定 線5可精度良好地切斷。亦即，切斷所獲得的半導體晶片 . 25 ’如第21 (b)圖所示，對應於形成改質領域7的基板4之 側面4 c的積層部1 6之側面1 6 c，亦可高精度地切斷。 並且，在上述加工對象物1中，基板4係具有30 150/im的厚度，依此方式基板4的厚度爲30//m~150；wm « 之時’將1列之改質領域7作爲起點，不僅積層部16且基 - 板4亦可高精度地切斷。 φ 而，在上述雷射加工方法中，雖然藉由改質領域7沿著 切斷預定線5而形成於基板4之內部，而產生從改質領域 7的表面側端部7 a到達基板4之表面4 a上的龜裂2 4，但 是，如第2 2圖所示，可產生從改質領域7的表面側端部7 a 到達積層部16之內部的龜裂24，亦可如第23圖所示，亦 可產生從改質領域7的表面側端部7 a到達積層部1 6之表 面16a之龜裂24。亦即，藉由改質領域7沿著切斷預定線 5而形成於基板4之內部，而產生從改質領域7的表面側端 φ 部7a至少到達基板4之表面4a上之龜裂24的話，使具備 有基板4、及含有功能元件15且形成於基板4之表面4a . 的積層部16之加工對象物1被切斷之際，尤其更可使積層 部1 6被高精度地切斷。 並且’在上述雷射加工方法中，雖然係使表面側端部7a 之位置和基板4之表面4a的距離爲3νιη·~40μιη的方式， 使改質領域7形成在基板4之內部，但是在基板4之厚度 方向中，亦可使改質領域7之中心比基板4之中心更位於 基板4之表面4 a側的方式，來形成改質領域7。藉此方式 -24- © 1363665 - 來形成改質領域7，可容易地產生從改質領域7的表面側 - 端部7a至少到達基板4之表面4a上之龜裂24。 . 其次，將說明從改質領域7的表面側端部7 a至少到達 基板4之表面4a上而產生龜裂24之情況時，可使積層部 16被高精度地切斷之理由。而，在此，在矽製之基板4的 表面4a上係積層低介電率膜（low-k膜）’以作爲積層部16。 (1)產生從改質領域7的表面側端部7a到達基板4之表 ' 面4a上的龜裂24之情況 • 第24圖係在產生從改質領域7的表面側端部7 a到達基 板4之表面4a上的龜裂24之情況時，說明可將低介電率 膜26高精度地切斷之第1理由的加工對象物1之局部剖面 圖。 如第24(a)圖所示，產生從改質領域7的背面側端部7b 到達基板4之背面4b上的龜裂24之狀態下將擴張膠帶23 加以擴張時，可使龜裂24非常順利地延伸到基板4之表面 4a側。因此，產生從改質領域7的背面側端部7b到達基板 φ 4之背面4b上的龜裂24之狀態，可說是爲容易地將基板4 切斷之狀態。 . 另一方面，如第24(b)圖所示，產生從改質領域7的表 面側端部7a到達基板4之表面4a上的龜裂24之狀態，可 說係比產生從改質領域7的背面側端部7b到達基板4之背 面4b上的龜裂24之狀態，爲更難以將基板4切斷之狀態。 產生從改質領域7的表面側端部7a到達基板4之表面 4a上的龜裂24之狀態，即難以將基板4切斷之狀態下，將 擴張膠帶23加以擴張時，隨著將擴張膠帶23之擴張，並 -25· 1363665 ' 非慢慢地而係瞬間即將基板4切斷。於是，低介電率膜26 - 之機械強度低，一般具有和其它材料難以親和的性質，因 ^ 此容易引起拉裂或膜剝離，因此考慮防止此現象，而可將 低介電率膜26及基板4 一起加以高精度地切斷。 第25圖係在產生從改質領域7的表面側端部7a到達基 板4之表面4a上的龜裂24之情況中，說明可將低介電率 膜26高精度地切斷之第2理由的加工對象物1之局部剖面 ' 圖。 φ 如第25(a)圖所示，產生從改質領域7的背面側端部7b 到達基板4之背面4b上的龜裂24之狀態下將擴張膠帶23 加以擴張時，隨著將擴張膠帶23之擴張，而慢慢地將基板 4切斷。因此，龜裂24到達低介電率膜26之時，低介電率 膜26朝谷部凹折方向翹曲，保持此狀態下被拉裂。 另一方面，如第25(b)圖所示，產生從改質領域7的表 面側端部7 a到達基板4之表面4 a上的龜裂2 4之狀態，將 擴張膠帶23加以擴張時，在既定之擴張力作用於基板4之 φ 時點，瞬間即將基板4切斷。因此，可防止低介電率膜26 朝谷部凹折方向翹曲的狀態下被拉裂。 . 從而，產生從改質領域7的表面側端部7a到達基板4 之表面4a上的龜裂24之狀態，係比產生從改質領域7的 背面側端部7b到達基板4之背面4b上的龜裂24之狀態， 更可考慮將低介電率膜26及基板4 一起加以高精度地切 斷。 (2)產生從改質領域7的表面側端部7a到達低介電率膜 26之表面26a上的龜裂24之情況 -26- 1363665 • 第2 6圖係在產生從改質領域7的表面側端部7 a到達低 • 介電率膜26之表面26a上的龜裂24之情況中，說明可將 ¥ 低介電率膜26高精度地切斷之理由的加工對象物1之局部 剖面圖。如同一圖所示，在情況時，在沿著切斷預定線5 使改質領域7形成於基板4之內部的時點，低介電率膜26 被切斷。從而，應可防止低介電率膜26被拉裂或膜剝離， 可使低介電率膜26被高精度地切斷。 ' 上述（1), (2)之各情況中，切斷結果係如下列之方式。如 # 第27圖所示，龜裂24到達基板4之表面4a上的情況，及 龜裂24到達低介電率膜26之表面26a上的情況，均可使 低介電率膜26被極高精度地切斷（參照下段之照片）。然 後，在切斷預定線5上形成A1接墊27之部分中，亦可抑 制低介電率膜26之拉裂到不足5 # m(參照中段之照片）。 而，所謂改質領域的表面側端部距離，係指改質領域7 的表面側端部7a之位置和基板4之表面4a的距離之意， 而所謂改質領域的背面側端部距離，係指改質領域7的背 φ 面側端部7b之位置和基板4之背面4b的距離之意。並且， 所謂改質領域7的寬度，係指改質領域7的表面側端部7 a . 之位置和背面側端部7b之位置的距離之意。然後’所謂改 質領域7的表面側端部7 a之位置，係指沿著切斷預定線5 而形成之改質領域7的「基板4之表面4 a側的端部」之「基 板4之厚度方向中平均的位置」之意’所謂改質領域7的 背面側端部7 b之位置，係指係指沿著切斷預定線5而形成 後之改質領域7的「基板4之背面4b側的端部」之「基板 4之厚度方向中平均的位置」之意（參照第27圖之上段之照 -27- 1363665 - 片）。 - 其次，將說明改質領域7的表面側端部7a之位置和基 板4之表面4a之位置的距離，和基板4狀態之關係。 第28圖〜第31圖係分別顯示厚度爲30#m、50/zm、 1 00/zm、150 之基板4的「改質領域7的表面側端部7a 之位置和基板4之表面4a之位置的距離 '和基板4狀態之 * 關係j之圖。

* 在各圖中，U)係爲使雷射光L之聚光點P沿著切斷預定 0 線5作1次掃瞄的情況，（b)係爲使雷射光L之聚光點P 沿著切斷預定線5作2次掃瞄的情況。並且，基板4之狀 態DM係在基板4之表面4a有一點一點的傷痕出現之狀 態，基板4之狀態FL係龜裂24到達基板4之表面4a的狀 態》又，基板4之狀態ST係無論在基板4之表面4a或背 面4b均無任何的變化出現之狀態，基板4之狀態HC係龜 裂24到達基板4之背面4b的狀態。 而，驗證「改質領域7的表面側端部7a之位置和基板4 φ 之表面4a之位置的距離、和基板4狀態之關係」之時，係 使用矽製之裸晶作爲基板4。並且，雷射光L沿著切斷預 . 定線5之照射條件如下。

重複頻率：8〇kHz 脈衝寬：150ns 脈動能量：1 5 μ J 加工速度（聚光點Ρ對基板4之移動速度）：3 0 0mm/秒 由第28(a)圖〜第31(a)圖清楚瞭解，雷射光L之聚光點P 沿著切斷預定線5作1次掃瞄的情況中’當使改質領域7 *28' ® 1363665 ' 的表面側端部7a之位置和基板4之表面4 a之位置的距離 ' 爲3//m〜35/im來形成改質領域7時，可使從改質領域7 . 的表面側端部7a到達至少基板4之表面4a的龜裂24確實 地產生（基板4之狀態FL)。 由第28(b)圖-第31(b)圖清楚瞭解，雷射光l之聚光點P 沿著切斷預定線5作2次掃瞄的情況中，當使改質領域7 的表面側端部7a之位置和基板4之表面4a之位置的距離 • 爲3//m~40//m來形成改質領域7時，可使從改質領域7 # 的表面側端部7a到達至少基板4之表面4a的龜裂24確實 地產生（基板4之狀態FL)。 本發明並不限定於上述之實施形態。 例如’第3 2圖所示，亦可使改質領域7沿著切斷預定 線5形成於基板4之內部，而使改質領域7的表面側端部 7a在基板4之表面4a上成血管狀延伸（第32圖中（a)及（b) 係同一切斷面之照片但以不同的比例顯示）。形成如此的改 質領域7之時，產生從改質領域7之表面側端部7a至少到 φ 達基板4之表面4a的龜裂24。然後，在產生如此的龜裂 24之狀態時，將擴張膠帶23黏貼在基板4之背面4b且加 . 以擴張時，不僅基板4而且積層部16(第32圖中爲低介電 率膜26)可沿著切斷預定線5而精度良好地切斷。而積層部 1 6中之切斷預定線5上，當存在有反射雷射光L之構件（例 如，金屬配線或金屬接墊等）之時，使改質領域7的表面側 端部7a大多在基板4之表面4a上成血管狀延伸。 並且，上述實施形態，雖然係在矽等之半導體基板之內 部形成熔融處理領域1 3來作爲改質領域7之情況，但是改 -29- 1363665 - 質領域7方面，亦可形成熔融處理領域1 3、及相對於該熔 . 融處理領域1 3位於基板4之表面4a側的微小空洞1 4。依 n 此方式’當相對於該熔融處理領域13位於基板4之表面4a 側的微小空洞14之時，至少到達基板4之表面4a的龜裂 24會提高其直進性，其結果，尤其使積層部16可沿著切斷 預定線5而精度良好地切斷。 並且，上述實施形態，雖然係在基板4之內部產生多光 •子吸收以形成改質領域7之情況，但是亦有在基板4之內 φ 部產生和多光子吸收同等的光吸收，以形成改質領域7之 情況。 並且，在切斷預定線上所形成的積層部方面，可考慮有 機絕緣膜或無機絕緣膜、該等之複合膜、低介電率膜、TEG 或金屬配線或電極等之導電膜等，包含將此等形成1層以 上者。 產業上利用之可能性 根據本發明的話，其將具備有基板、含功能元件而在基 φ 板之表面形成含功能的積層部之加工對象物切斷之時，尤 其可以高精度來切斷積層部。 . 【圖式簡單說明】 _ 第1圖係本實施形態的雷射加工方法之雷射加工中的加 工對象物之平面圖。 第2圖係沿著第1圖所示之加工對象物的II-II線之剖面 圖。 第3圖係本實施形態的雷射加工方法之雷射加工後的加 工對象物之平面圖。 -30- 1363665 第4圖係沿著第3圖所示之加工對象物的IV-IV線之剖 面圖。 第5圖係沿著第3圖所示之加工對象物的V-V線之剖面 圖。 第6圖係利用本實施形態的雷射加工方法所切斷的加工 對象物之平面圖。 第7圖係顯示本實施形態的雷射加工方法中電場強度和 龜裂點之大小的關係之曲線圖。 第8圖係本實施形態的雷射加工方法之第1步驟中的加 工對象物之剖面圖。 第9圖係本實施形態的雷射加工方法之第2步驟中的加 工對象物之剖面圖。 第1 0圖係係本實施形態的雷射加工方法之第3步驟中 的加工對象物之剖面圖。 第11圖係本實施形態的雷射加工方法之第4步驟中的 加工對象物之剖面圖。 第1 2圖係顯示係利用本實施形態的雷射加工方法所切 斷的矽晶圓之一部分中之剖面之照相圖。 第1 3圖係顯示本實施形態的雷射加工方法中雷射光的 波長和矽基板之內部的穿透率之關係的曲線圖。 第14圖係藉由本實施形態的雷射加工方法來形成熔融 處理領域及微小空洞後的矽晶圓之剖面圖。 第1 5圖係說明藉由本實施形態的雷射加工方法來形成 熔融處理領域及微小空洞的原理用之矽晶圓之剖面圖。 第1 6圖係藉由本實施形態的雷射加工方法來形成熔融

-31- 1363665 - 處理領域及微小空洞的矽晶圓之切斷面的照相圖。 第1 7圖係爲本實施形態的雷射加工方法之對象的加工 對象物之平面圖。 第18圖係沿著第π圖所示之加工對象物的XVIII-XVIII 線之局部剖面圖。 第1 9圖係說明本實施形態的雷射加工方法用之加工對 象物之局部剖面圖，（a)係將保護膠帶黏貼在加工對象物上 之狀態，（b)係將雷射光照射在加工對象物上之狀態。 ► 第20圖係說明本實施形態的雷射加工方法用之加工對 象物之局部剖面圖，（a)係將擴張膠帶黏貼在加工對象物上 之狀態，（b)係將紫外線光照射在保護膠帶上之狀態。 第21圖係說明本實施形態的雷射加工方法用之加工對 象物之局部剖面圖，（a)係從加工對象物將保護膠帶剝離之 狀態，（b)係將擴張膠帶加以擴張之狀態。 第2 2圖係產生從改質領域之表面側端部到達積層部之 內部的龜裂之加工對象物之局部剖面圖。 > 第2 3圖係產生從改質領域之表面側端部到達積層部之 表面的龜裂之加工對象物之局部剖面圖。 第24圖係說明產生從改質領域之表面側端部到達基板 之表面的龜裂之情況時，可將低介電率膜高精度地切斷之 第1個理由之加工對象物之局部剖面圖。 第25圖係說明產生從改質領域之表面側端部到達低介 電率膜之表面的龜裂之情況時，可將低介電率膜高精度地 切斷之第2個理由之加工對象物之局部剖面圖。 第2 6圖係說明產生從改質領域之表面側端部到達低介 -32- 1363665 - 電率膜之表面的龜裂之情況時，可將低介電率膜高精度地 * 切斷之理由之加工對象物之局部剖面圖。 , 第27圖係表示龜裂到達基板之表面之情況時，及龜裂 到達低介電率膜之表面之情況時，顯示加工對象物之切斷 結果的照相圖。 第28圖係顯示厚度爲30;zm之基板的「改質領域之表 面側端部和基板之表面的距離、及基板之狀態的關係」之 圖。 # 第29圖係顯示厚度爲50 // m之基板的「改質領域之表 面側端部和基板之表面的距離、及基板之狀態的關係」之 圖。 第30圖係顯示厚度爲100//m之基板的「改質領域之表 面側端部和基板之表面的距離、及基板之狀態的關係」之 圖。 第31圖係顯示厚度爲150/zm之基板的「改質領域之表 面側端部和基扳之表面的距離、及基板之狀態的關係」之 _ 圖。 第3 2圖係顯示改質領域之表面側端部以筋狀延伸到基 . 板之表面的方式，來形成改質領域後之基板的切斷面的照 相圖。 【主要元件符號說明】 1…加工對象物 4…基板、 a…基板之表面 4b…基板之背面

-33 1363665 - 4c···基板之側面 、 5…切斷預定線 • 7…改質領域 7a…改質領域之表面側端部 13…熔融處理領域 1 4…微小空洞 • 15…功能元件 • 1 6…積層部 ^ 16a…積層部之表面 22…保護膠帶（保護構件） 23…擴張膠帶（可擴張構件） 24…龜裂 25···半導體晶片 2 6…低介電率膜 L…雷身寸光 P…聚光點 -34-

Claims (1)

1^68665 第09彳139547號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國100年12月9日修正 十、申請專利範圍 1. 一種雷射加工方法，其將具備有基板、含功能元件而形 成在基板之表面的積層部之加工對象物，沿著切斷預定 線加以切斷，該方法之特徵爲包含有： 將保護構件安裝在上述積層部之表面的步驟；

在上述安裝保護構件之後，藉將上述基板之背面作爲 雷射光射入面，使焦點對準上述基板之內部來照射雷射 光，沿著上述切斷預定線使成爲切斷之起點的改質領域 在上述基板之內部形成，以產生龜裂之步驟，該龜裂從 上述改質領域未到達上述基板之背面，且從上述改質領 域之表面側端部到達上述基板之表面但未到達上述積層 部之表面；

在上述龜裂產生之後，將可擴張構件安裝在上述基板 之背面之步驟； 在安裝上述可擴張構件之後’藉由擴張上述擴張構件 ，而使上述加工對象物沿著切斷預定線加以切斷的步驟 2·如申請專利範圍第1項之雷射加工方法，其中產生從上 述改質領域之表面側端部到達上述積層部之內部的龜裂 3.—種雷射加工方法，其將具備有基板、含功能元件而形 成在基板之表面的積層部之加工對象物，沿著切斷預定 1363665 ____ 1¾¾午气EHK更)正替換頁 線加以切斷，該方法之特徵爲包含有： 將保護構件安裝在上述積層部之表面的步驟； 在上述安裝保護構件之後’藉將上述基板之背面作爲 雷射光射入面’使焦點對準上述基板之內部來照射雷射光 ’沿著上述切斷預定線使成爲切斷之起點的改質領域在上 述基板之內部形成，以產生龜裂之步驟，該龜裂從上述改 質領域未到達上述基板之背面，從上述改質領域之表面側 端部到達上述基板之表面且到達上述積層部之表面； 在上述龜裂產生之後，將可擴張構件安裝在上述基板 之背面之步驟； 在安裝上述可擴張構件之後’藉由擴張上述擴張構件 ’而使上述加工對象物沿著切斷預定線加以切斷的步驟 〇 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之雷射加工方法， 其中在上述基板之厚度方向中，上述改質領域的中心係 比基板的中心更位於基板的表面側的方式，來形成改質 領域。 5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之雷射加工方法， 其中上述基板係指半導體基板，上述改質領域係爲含有 熔融處理領域》 6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之雷射加工方法， 其中上述基板係指半導體基板，上述改質領域係爲含有 熔融處理領域、及相對於該熔融處理領域位於基板之表 面側的微小空洞。 -2-

1^63665^__ _比正替換頁 1,1 7.如申請專利範圍第1至3項中任一項之雷 其中上述積層部爲含有低介電率膜。 8 ·如申請專利範圍第4項之雷射加工方法， 係指半導體基板，上述改質領域係爲含有 9.如申請專利範圍第4項之雷射加工方法， 係指半導體基板，上述改質領域係爲含有 、及相對於該熔融處理領域位於基板之表 洞。 10.如申請專利範圍第4項之雷射加工方法 層部爲含有低介電率膜。 11 ·如申請專利範圍第8項之雷射加工方法 層部爲含有低介電率膜。 12.如申請專利範圍第9項之雷射加工方法 層部爲含有低介電率膜。 射加工方法， 其中上述基板 熔融處理領域 其中上述基板 熔融處理領域 面側的微小空 ，其中上述積 ，其中上述積 ，其中上述積

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