TWI356001B - Method of joining and method of fabricating an org - Google Patents

Description

*1356001 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例關於-種接合方 光f體（〇LED)顯示裝置的妓。更 之實施例關於一種利用一可撓層與—支 該可撓層和支撐件的方法及一種利牛1金屬接5 示裝置的方法。以及__綠製造〇咖顯 【先前技術】 可餅板顯示歧#如0LED顯稀置·可藉由施 =預絲力而彎㈣種程度藉此調整視㈣顯示裂置。 :撓平板顯示裝置可包含固定式或可攜式裝置，譬如在臂 早、皮夹、筆記型電腦等中的裝置。 傳統可撓平板顯示裝置可包含一可繞基板。在 $平板顯雜置之製程中，可經由—有機黏著劑使一支撐 件附耆於該可撓基板以控制該可撓基板。但是，可繞 ，支撐件之_錢轉射能在可辭板顯示裝置二 =過程中造成污染’例如—處理室污染，故處理時間可能 因為例如受污染處理室之必要清理作業而加長。此外 機點著劑的使用可能將處理溫度限制在約wc或更低 者，可換基板與支樓件間之有機黏著劑的均勾塗布可能有 困難’故可撓基板和支樓件可能無法彼此均勾黏著。 【發明内容】 本發明之實施例因此係針對一種接合方法及 〇咖顯隸㈣方法，這龄法大致歧_技藝t 3 或多項缺點。 因此，本發明之一實施例之一特徵係提出一種 Μ 化程序中經由金屬使一可撓層接合一支撑件的方法 間 本發明之一實施例之另一特徵係提出一種以一古 良率（process yield)經由金屬使一可撓層接合一支 本發明之一實施例之更另一特徵係提出—種以低生產 成本經由金屬使一可撓層接合一支撐件的方法。· 本發明之-實施例之更另一特徵係提出一種經由金屬 使-可撓層接合-支撐件同時具備減低的溫度相依性的方 法0 本發明之一實施例之更另一特徵係提出-種利用具有 一 =者使一可挽基板接合一支撐件之方法製造 OLED顯不裝置的方法。 山本發明之上述及其他特徵和優點之至少一者可藉由提 二可挽層和一支樓件之方法實現，該方法包含 t可I層之-表面上形成—第—金屬層，在該支撑件之 =面上形成一第二金屬層，清潔該第一金屬層和第二金 今使料—金屬層接合該第二金屬層，_該第一 金屬2於該可撓層與該第二金屬層之間。 笛一、、第矛口第一金屬層可包含一第一清潔步驟，該 内^第—和第二金屬層浸入一清潔流體 ’清潔步驟，該第二清潔步驟包含經由 之D音波裎序或一漂洗程序清潔該第一和第 4 於兮=9 ’及一第二清潔步驟’該第三清潔步驟大致類似 二二1潔步驟。該第—和第二金屬層可由下列其中之 -或多者所形成:鐵、鎳、錫、鋅、鉻、鈷、矽、鎂、、鈦、 =广、娘、銅、及以上之—合金。接合該第-和第二金 下含一第一接合程序，該第一接合程序包含在室溫 人和第二金屬層定位為彼此相鄰；一 間清潔程序包含經由去離子水中之—3;;^ 二笛二，序清潔該第—和第二金屬層，且利用異丙醇使 第二金屬層乾燥；及-第二接合程序，該第二接 。'包含將該第—和第二金屬層互朝彼此施壓及退火。 處理可更進一步包含在清潔之後接合之前賴化氫 人一 和第二金屬層。清潔該第―和第二金屬層可包 清潔步驟’該第—清潔步驟包含將該第—和第二 $屬清潔流體内然後乾燥;一第二清潔步驟，該 、-^步驟包含經由去離子水中之一0音波程序或一漂 ^程^潔該第-和第二金屬層；及—第三清潔步驟； 第-㈣步歡致_贿第—清辭驟。該第 金屬層可由下列其中之一或多者所形成：鐵、鎳、錫、鋅r 鉻、鈷、矽、鎂、鈦、錯、鋁、銀、銅、及以上之—。 接合該第—和第二金屬層可包含-第-接合程序，^第一 =程在室溫下將該第一和第二金屬層定位為彼此 鄰帛一接合程序，該第二接合程序包含將該第一 和第一金屬層互朝彼此施塵及退火。 本發明之上述及其他特徵和優點之至少-者可藉由提 出一種製造OLED顯示裝置的方法實現’該方法包含在該 可撓層之一表面上形成一第一金屬層，在該支撐件之一表 面上形成一第二金屬層，清潔該第一金屬層和第二金屬 層，使該第一金属層接合該第一金屬層，致使該第一金屬 層處於該可撓層與該第二金屬層之間；在該可撓層上形成 一 OLED，致使該可撓層處於該0LED與該支撐件之間， 該OLED包含一第一電極、一具有一發射層的有機層、及 一第二電極，然後移除該支撐件暨該第一和第二金屬層。 清潔該第一和第·一金屬層可包令.卓一清潔步驟，該 第一清潔步驟包含將該第一和第二金屬層浸入一清潔流體 内然後乾燥；一第二清潔步驟’該第二清潔步驟包含經由 去離子水中之一 D音波程序或一漂洗程序清潔該第一和第 二金屬層；及一第三清潔步驟，該第三清潔步驟大致類似 於該第一清潔步驟。該第一和第二金屬層可由下列其中之 -或多者所形成：鐵、鎳、錫、鋅、鉻、鈷、矽、鎂、鈦、 m、銅、及以上之—合金。接合該第—和第二金 屬層可包含-第—接合料’該第—接合程序包含在室溫 下將/第和第一金屬層定位為彼此相鄰；一中間清潔程 序丄該中間清潔程序包含經由去離子水中之—D音波程序 ΐ:!:先，清潔該第一和第二金屬層，且利用異丙醇使 二庠金屬層乾燥；及—第二接合程序，該第二接 一二將該第一和第二金屬層互朝彼此施壓及退火。 二_矣°之二金屬層每一者可被形成為約_埃至約 該方法可更進-步包含在清潔之後接合之前用氟化氣 處理該第-和第二金屬層。清潔該第_和第二金屬層可包 含-第-清潔步驟，該第—清潔步驟包含將該第—和第二 金屬層浸入一清潔流體内然後乾燥；一第二清潔步驟，該 第二清潔步驟包含經由去離子水中之一 D音波程序或—漂 洗程序清潔該第一和第二金屬層；及一第三清潔步驟，該 第二清潔步驟大致類似於該第一清潔步驟。該第一和第二 金屬層每一者可被形成為約1，000埃至約10,000埃之厚 度。該第-和第二金屬層可由下列物之_或多者構成：鐵， 錄’錫，鋅，絡，結，石夕，鎮，欽，錯，紹，銀，銅，及 以上之一合金。接合該第一和第二金屬層可包含一第—接 合程序，該第一接合程序包含在室溫下將該第一和第二金 屬層定位為彼此相鄰；及一第二接合程序，該第二接合程 序包含將該第一和第二金屬層互朝彼此施壓及退火。 【實施方式】 以下將參照示出本發明之範例實施例的隨附圖式更進 一步說明本發明之實施例。然本發明之觀點可被以不同樣 式實施且不應解釋為侷限於本說明書提及之實施例。事實 上這些實施例係用來使本說明書更為透徹完整，且將本發 明之範圍徹底傳達給熟習此技藝者。 在圖式中，各層、元件及區域之尺寸可能經過誇大以 求圖面表達清楚。應理解到當一層或元件被稱為是在另一 層、元件或基板、'上〃時，其可為直接在該另一層、元件 或基板上’或者亦可能有中間層及/或元件存在。此外，亦 f理解到當一層或元件被稱為處於二層或元件、'之間"昉 可=僅有該層或it件處於該二層或猶之間，或者0亦= 有1多個中間層及/或元件存在。又，應理解到當—元: 破稱為、、連接於〃或、、耦接於〃另一元件時，其可為直接 連接或輕接於該另-元件，或者可能有+間元件存在。相 S言’ 元件被稱為、、直接連接於4、、直接麵接於"

“元件時’沒有中間元件存在。全文中以相同參考數字 指稱相同元件。 ’ ★在本說明書中，、、至少一個'、、一或多，和、、及/或,, ，措辭是兼具連賴和反意相的開放式措辭。舉例來 二:^㈣中至少一者^…當中至少一 A〔B和C當中—或多者'、、Anc當中一或多 及A、Β及/或CT等措辭每—者均含有下述意思： 只有Α;只有Β;只有c;A#aB—起；一起；β

H 一起；及A、B和C三者一起。此外，除非文中以此 =措辭與、、由...組成"之組合明縣達相反意思，否則此 專措辭是開放性的。舉例來說，、、A、B和c當_至少一者,, 亦可包含-第η個構件，其中n大於3 ; * ^由a、b和 C組成之群中選出的至少一者"並非如此。 第1A-1C圖例示在一依據本發明一實施例使一可挽層 接合-域件之方法中之依序階段的剖面圖。舉例來說， 該可挽層可在—可辭錢轉置譬如QLED顯示裝置中 參照第1A圖，可提供一賴件1G和-可撓層20。支

S 1356001 撐件10可有一預定強度以利在後續程序當中控制可撓層 20。支樓件10舉例來說可由金屬、玻璃、石夕、及石英當中 —或多者構成。 可撓層20可具有優異熱安定性，且可由一呈現關於濕 氣和氧之擴散障壁之特性的材料構成。舉例來說，可撓層 20可由塑膠、不銹鋼（STS)、薄金屬膜、及/或超薄玻璃構 成。可挽層20可具有約ο ι削j或更小的厚度。

參照第1B圖’ 一第一金屬層31可被形成在支撐件1〇 之一表面上以形成一第一堆疊結構。同樣地，一第二金屬 層32可被形成在可撓層2〇之一表面上以形成一第二堆疊 結構。第-和第二金屬層31和32可由任何適當方法形成。 第一和第二金屬層31和32分別在支撐件1〇和可撓層 2〇上的形成可實質減低支撐件1G和可撓層2()之表面粗縫 度，故可增進後續程序中之支撐件1G與可撓層2()的黏著。 易言之’第-和第二金屬層3丨和32可藉由使支撐件1〇和

可撓層2〇之表面粗财最械而防止或實f減少支撐件1〇 與可撓層20之不均勻接合。又，第—和第二金屬層31和 32可被形成在支樓件10和可撓層2〇之相應表面、亦即彼 此相向的表面上，故在後續程序中支撐件1〇與可挽層如 之接合期間可實質省略支料1G和可撓層2()之相應曰表面 的研磨。 乐一和弟 …蜀曰1矛口《52母一者可具有約woo埃至 =0^0埃、譬如約⑽埃的厚度。具有太小厚度的金 屬曰可此具有不良表面粗趟度，故支撐件W與可挽層如 9 之接合可财雜。具有太大厚度的金屬層可朗為在支 撐件10與可撓層20分開期間產生之不可逆力而傷到可換 層20。因此，第一和第二金屬層Ή和32之約埃至 約1〇，_埃的厚度可無視支稽件10和可撓層20之表面粗 縫度在後續程序愤供支料1G與可撓 作用。因此，可避免過高的生產成本和時間。力勾附接 第-和第二金屬層31和32每一者可由一具有健點 的材料構成以利在後續程序中譬如經由退火作用促成支撐 件10與可撓層20之直接接合。第一和第二金屬層Μ和32 了包3下列其中之一或多者：鐵（jpe)、鎳（νι)、錫（％)、 鋅（Zn)、鉻（Cr)、始（Co)、鎮（Mg)、鈦（ή)、錯（Zr)、 銘（A1)、銀（Ag)、銅（cu)、及以上之一合金。 一旦第一和第二金屬層31和32分別形成於支撐件1〇 和可挽層20上，於第一和第二金屬層31和32形成期間產 生之副產物及/或異物可藉由一初始清潔程序去除。該初始 清潔程序可包含一或多個清潔步驟，譬如將第一和第二金 屬層31和32浸入任何適當清潔流體内然後使其乾燥。舉 例來說，該初始清潔程序可包含三個清潔步驟。但應理解 到諸如單步驟初始清潔程序、兩步驟初始清潔程序等皆在 本發明之範圍以内。 在初始清潔程序之第一清潔步驟中，可利用譬如清除 劑從第-和第二金屬層31和32去除副產物和異物。舉例 來說，可將支撐件10連同第一金屬層31及可撓層2〇連同 第二金屬層32每一者浸入一清潔流體譬如去離子（di)水 或-有機清雜内’且隨後可_譬如異丙醇（ΙΡΑ)使复 乾燥。 八 —在W始清潔程序之第二清潔步驟中，可藉由D音波法 或藉由漂洗法清潔第—和第二金屬層31和32 Α音波法可 &含將支#件10連同第—金屬層31及可撓層2G連同第二 =屬層32每-者浸人DI水中，在此同時經由高頻音波能 里進订清潔。漂洗法可包含旋轉支撐件1〇連同第一金屬層

31及可撓層20連同第二金屬層32每-者，在此同時用DI 水喷;麗於支撲件10連同第—金屬層31及可撓層2Q連同第 二金屬層32。 在初始清潔程序之第三清潔步驟巾，可湘譬如清β 劑清潔第-和第二金屬層Μ和&。舉例來說，可將支撐个 10,同第-金屬層31及可撓層2〇連同第二金屬層32每一 者/又入㈣流體譬如去離子（DI)水或—有機清潔液内 且隨後可_譬如異丙醇（IPA)使其錢。第三清潔步專 可與第一清潔步驟大致相同。 一旦完成第-和第二金屬層31和32之初始清潔$ 驟可使第-和第二金屬層31和32在一約励。C至約⑽。( 的溫度退火。社鱗可完全麵在初始清料驟中則 清潔第-和第二金屬層31和32之清潔流體。 參照第1C圖，可經由第-和第二金屬層31和32接^ 第1B圖所示第一和第二堆疊結構而進行一接合程序。易1 金屬層31和32之外表面可被接合，刻 支牙件10和可撓層20可經由第一和第二金屬層31和 11 成譬如第1C圖所示之多層結構。接合程序可包含 第一和第二接合步驟。 及可接Γ辦，可將支撐件1G朝第—金屬層Μ 第二金屬層32放入-_級無塵室内， 說，第-和第第3= 層32可彼此相鄰。舉例來 -!r ====== :第，二金屬層3二= 壓至内，第—和第二金屬層31和3 罝也“、 一 隹宜、'、°構，如第1C圖所例示。 接合：域層31和32已藉由第-接合步驟 第-和第二金屬二ΓΓΓ的中間清潔程序清潔 中，可採用前文來昭、私U在中間清潔程序之第一步驟

洗方法：：二二清敘述的D =二:r 利―二： 步驟，可麵清潔程序之第-和第二 水和氣泡。 ’屬曰31和32之表面間吸收的 已接合的第—和第二金屬層 …進行第二接合步驟向第一和第二金屬層

f並使其退火。儘管第-和第二金屬層和32在第一接 5步驟中猎由氫鍵_地接合，第二接合程序可増強第一 ^二金屬層31和32之間的鍵結強度。特定言之，隨著 六和第-金屬層Μ和η間之接合密度因外來的熱和壓 n第二金屬層31和32間之距離可能減小 金屬層31和32之間形成-金屬鍵使此 曰 接。在一起。因此，相較於第一接合步驟之後第 二接合步驟之前的切件1Q與可撓層2G間之距離，第二 ^=驟後的支撐件10與可撓層20間之距離可能減小成 夕、力五分之_。舉例來說，第—接合步驟後（亦即因氮 k成）的第-和第二金屬層31和32間之距離可為約別 約3G埃，第二接合步驟後（亦即因金屬鍵造成）的第 一和第-金屬層31和32間之距離可為約3埃至約4埃。 因此’她於第一接合步驟剛完成時的接合強度，接合強 度亦可增強。

f在第二接合步驟中，施加於支禮件10和可撓層20的 差力可為在約0.1 MPa至約5GMPa的範_。舉例來說， ΓίΓ為約α5廳。—高齡5G碰_力可能傷害 I 10和可撓層20，且一低於約〇」廳的壓力可能不 足以在支撐件1G與可制2G之間提供高黏著力。又，在 ，接二驟中’ 一用於使支揮件與可撓層20間之黏 者作用之麼力和強度最佳化的退火溫度可為約· t至約 6〇(TC，例如約靴至約·t。退火時間可為約〇 5小時 至約2小時，例如約〇·5小時。 13 。依據本發明之另-實施例，一種使一可繞層接合一支 撐件的方柯與敎參照第⑷C圖_之方法大致類 似，差別為在初始清_序之後在第一和第二金屬層和 32上進行氟化氫⑽）處理以便使第—和第二 和32之外表面變成疏水性。因為第一和第二金屬層^和 之HF處理’可從第一和第二金屬層31和％去除諸如 乳的氣體，故可省略用於去除氣泡和水的t間清_序。 因此，經HF處理的第一和第二金屬層31和32可如前文夫 照第1C圖所述藉由透過第—接合程序造成的化學鍵接 合，且可如前文參照第^圖更進—步所述藉由在第二接合 程序中造·具有錄著力之金屬鍵直接接合。 依據第2A-2E圖所例示之另一實施例，一種製造〇咖 顯示裝置的方法可包含接合支樓件1〇和可撓層20。-種接 合支撑件1G柯徺層㈤財法可為域㈣如參 1A-1C圖所述之方法之任一者。 參照第2A圖’可將可撓層2〇形成於支樓件ι〇上，致 使第-和第二金屬層31和32可處於其間。使支撑件^接 合可撓層2〇的方法可與敎#如參照第ia_ic圖所述之方 法大致類似’因此不T重複說明。 參照第2B圖’可將一0LED100形成於可撓層20上， 致使可撓f 2G T祕QLED丨⑻蚊撐件1Q⑽。〇咖 100可包含依序形成於可撓層20上的-第-電極11〇、— 有機層12G，-第二電極13()，如第圖更進—步例示。 更進v來β ’可在第一電極11〇與可挽層之間包含一 1356001 薄膜電晶體（圖中未示）、一電容器（圖中未示）、或一絕 緣層（圖中未示）。 第電極可具有雙重結構或三重結構以包含一反 射層。舉例來說’料—電極11G具有雙重結構，第一電 極110可具有一依序堆疊的反射層#如-含有銘（A1)、銀 (Ag)或以上之一合金的層，及一透明導電層譬如一含有 钢錫氧化物（ITO)、銦鋅氧化物（IZ〇)、銦錫鋅氧化物 (ITZO)、或以上之—組合的層。在另__實例中，若第一電 極110具有二重結構’第—電極11Q可包含—依序堆疊的 第-金屬層譬如-含有鈦（Ti)、鉬（Mq)、it〇、或以上 之一合金的層，一反射層譬如一含有A1、Ag、或以上之一 合金的層，及一透明導電層譬如一含有ΙΤ〇、ιζ〇、ιτζ〇、 或以上之一組合的層。 有機層no可包含-有機發光層。有機發光層可包含 下列層之-或多者：-白光發射層，一紅光發射層，一綠 光發射層’及-藍光發射層。又，有機層12G可包含下列 層之至少-者：-電雕人層，1洞傳輸層，—電子注 入層’-電子傳輸擋層4機層12〇舉例 來說可藉&真空沈積、喷墨印刷、或雷_賴成像（Lm) 形成。 若有機層12G包含-白光發射層，該白光發射層可為 -單層或-多層。當該白光發射層是單層時，可藉由將發 射不同顏色之光的材料與不同摻雜物混合而發射白光。舉 例來說’具有單層的白光發射層可包含具有適當比例之味 15 。坐分子（亦即 PVK)的 PBD、丁PB、Coumarin 6、DCM1、 及尼羅紅。另一選擇，可藉由混合兩種發射不同顏色之光 的材料並對其添加剩餘發光材料而發射白光。舉例來說， 具有單層的白光發射層包含一紅光發射材料與一綠光發射 材料混合然後添加一藍光發射材料。紅光發射材料可由聚 合物譬如聚嗟吩（PT)及其衍生物構成；綠光發射材料可 由低分子量材料譬如鋁喹啉錯合物（A1q3)、BeBq2及/或 Almq ’ 及/或聚合物譬如 p〇iy (p_phenyienevinyiene) (ppv) 及其柯生物構成；且藍光發射材料可由低分子量材料譬如 ZnPBO、Balq、DPVBi、及/或〇xa-D，及/或聚合物譬如 polyphenylene (PPP)及其衍生物構成。 當白光發射層是多層時，白光發射層可被形成為包含 例如發射不同波段之光線的二層。舉例來說，一層譬如磷 光發射層可發出橘紅色區域中的光，且另一層譬如螢光發 射層可發出藍色區域中的光。應理解到磷光發射層相較於 一發出大致相同波段之光線的螢光發射層可能具有優異發 光特性，而螢光發射層相較於磷光發射層可能具有較佳壽 命特性。因此’藉由堆疊發出橘紅色區域中之光線的磷光 層和發出藍色區域中之光線的螢光層構成的白光發射層可 忐具有優異發光效率及長壽命。又，白光發射層可為一由 聚合物、低分子材料及/或二者之一組合構成的雙層。 當白光發射層是一多層時，白光發射層可具有三重結 構。舉例來說’白光發射層可包含一紅光發射層、一綠光 發射層及一藍光發射層。該紅光、綠光和藍光發射層可發 1356001 出相應顏色的光’且可以任何順序堆[

蝴3(主體）/DCM (螢光摻雜物）或CBp (主體）== (填光有機金屬錯合物）構成’或是由-聚合物馨如PF〇 系聚合物構成。綠光發射層可由—低分子量材料譬如 Alq3、Alq3 (主體）/C545t (摻雜物）或 CBp (主體）八rppY (破光有傭韻合物）構成，妓I聚合㈣如觸 系聚合物或PPV系聚合物構成。藍光發射層可包含一主體 和-穆雜物’射該主體可包含齡化合物譬如tmm_004 (COVION)、3- (4-三級丁笨）_4_苯基_5_ (4·聯苯螺環） -6Ρ、PFO系聚合物、及PPV系聚合物當中一或多者，且該 摻雜物可包含聯苯乙烯苯（DSB)、聯苯乙烯芳揮（DSAf 雙〔2- (4,6-二氣苯基）吡啶鹽化-N，C2，〕曱基。比咬銀 (F2Iipic )、及二〔1- (4,6-一 氣苯基）°比吐鹽化_n，C2,〕銀 (Ir[dfppz]3)當中一或多者。

有機層120之電洞注入層可促使電洞注入有機層12〇 之有機發射層内，且可增長OLED 100之壽命。電洞注入 層可由芳基胺系化合物或星芒狀胺類構成，且電洞注入層 材料之實例可包含4,4,4-三（3-甲基苯基氨基）三笨胺 (m-MTDATA)、1，3,5-三〔4- (3-甲基苯基氨基）苯基〕笨 (m-MTDATB )、及銅酖青（CuPc)當中一或多者。 有機層120之電洞傳輸層可由亞芳基雙胺衍生物、星 芒狀化合物、具有螺環基團之二苯基雙胺衍生物、或梯形 化合物構成。用以形成電洞傳輸層之材料的實例可包含 17 I3560D1 ΙΝ,ΙΝ- -本|-Ν，Ν·雙（4-甲基苯基）_ __ (TPD)或4,4_雙〔叫·萃 ，Τ本基·4,4·雙胺 右嫵思基）基風基〕二笨基(_)。 曰 之電洞阻擋層可在有機發射層内之電:同邊 移率大於電子遷移率時阻止電洞傳輸到電子注入二= 洞阻擔層舉例來說可由2_二苯基_4_基_5々_ 9内電 三唑（TAZ)構成。 ^ ，，- 電子傳輸層可由-可從陰極接收電子且穩定地傳輸該

電子的金化合物譬如蝴3構成。f子注人鱗例來說可 由1，3,4-經氧基二唾衍生物、u，4_三哇衍生物、及⑽當中 一或多種構成。 田 …、OLED100之第二電極13〇可為半透射電極，且舉例來 說可由鎮銀（MgAg)或練（A1Ag)構成。舉例來說， MgAg可由Mg和Ag共同沈積形成，且AUg可由Μ和 Ag依序沈積形成。此外，可更進一步在第二電極上形 成一透明導電層譬如ITO或IZO。

參照第2C圖，一封裝基板200可形成於可撓層2〇上 以包圍OLED 100，致使OLED 100可被完全封閉隔絕於外 界。換句話說，封裝基板200可保護OLED 100不受濕氣 及/或外界空氣影響。封裝基板2〇〇可由透明玻璃或塑膠構 成以讓OLED 100發射的光線透射。封裝基板2〇〇和可撓 層20可藉由密封劑或玻料黏著。 參照第2D圖，一旦OLED 100被封在可撓層20與封 裝基板200之間，可利用拆解設備300譬如剃刀使可撓層 20從支撐件10卸下。如第2D圖所示，拆解設備300可沿

可撓層2〇與第二金屬層3)2間 使用，故支樓件1Q 及第-和第二金屬層g和g可被完全移除。 八據此，如第2E圖所示，支撐件1〇和可撓層2〇被彼此 刀開。因此，一依據本發明一範例實施例的〇LED顯示裝 置可包含一可撓基板、亦即可撓層2〇。

本發明之實施例可能有益於提出一種在一可撓層盘一 支撐件之間錢金顧錢可撓層和讀合的方法。 ^屬層之使用免除有機轉劑的使用，故可免於有機污染 =低溫度相依性。此外，金屬層之使用可使可挽層和 絲姆度最小化，故可提柯撓賴支撐件間 L 強度。因此，生產時間和成本可降低，同時 施例°又，製程可簡化。據此，依據本發明實 本上=::咖顯示裝置的生產可在製程及成

用注以ΐΓΓ本發明之範例實施例，儘管文中使用特定 態度解僅以廣義和描述性的態度使用且應依此 又解擇，其並非用以設限 到可不脫離如以下申靖專s，，、α此胁者會理解 圍就形式和細節做出多樣變:圍項所提出之發曝 19 1356001 【圖式簡單說明】 藉由參照隨附圖式詳細說明本發明之範例實施例，熟習 此技藝者將會更為理解本發明之前述及其他特徵和優=， 圖式中： ~ 第1A-1C圖例示在一依據本發明一實施例接合—可撓層 與一支撐件之方法中之依序階段的剖面圖；且 第2A-2E圖例示在一依據本發明一實施例製造OLED顯 示裝置之方法中之依序階段的剖面圖。 【主要元件符號說Έ月】- 10 支撐件 20 可撓層 31 第一金屬層 32 第二金屬層 100、OLED 有機發光二極體 110 第一電極 120 有機層 130 第二電極 200 封裝基板 300 拆解設備 20

Claims (1)

1356001 七、申請專利範圍： 1. 一種接合一可撓層和一支撐件的方法，其包括： 在該可撓層的一表面上形成一第一金屬層； 在該支撐件的一表面上形成一第二金屬層； 清潔該第一金屬層和該第二金屬層；以及 接合該第一金屬層與該第二金屬層，使得該第一金屬 層處於該可撓層與該第二金屬層之間。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中清潔該第一金屬 層和該第二金屬層包含： 一第一清潔步驟，該第一清潔步驟包含將該第一和第 二金屬層浸入一清潔流體内然後乾燥； 一第二清潔步驟，該第二清潔步驟包含經由去離子水 中之一 D音波程序或一漂洗程序清潔該第一和第二金 屬層；及 一第三清潔步驟，該第三清潔步驟大致同該第一清潔 步驟。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一和第二金 屬層係由下列其中之一或多者所形成：鐵、鎳、錫、 鋅、鉻、銘、石夕、鎂、欽、錯、铭、銀、銅、及以上 之一合金。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中接合該第一金屬 層與該第二金屬層包含： 一第一接合程序，該第一接合程序包含在室溫下將該 第一和第二金屬層定位為彼此相鄰； 21 5.

6.

8. —中間清雜序’財間清絲序包含經由去離子水 中之一 D音波程序或一漂洗程序清潔該第一和第二金 屬層’以及利用異丙醇乾燥該第一和第二金屬層；及 一第一接合程序，該第二接合程序包含將該第一和第 二金屬層互朝彼此施壓及退火。 ^請專概圍第1項之方法，更包括，在清潔之後 接。之别，用氟化氫處理該第一和第二金屬層。 =1=圍第5項之方法’其中清潔該苐-和第 :!屬=驟:該第一清潔步驟包含將該第-和第 、’屬層次入一清潔流體内然後乾燥. 清潔步驟包含經由去離子水 屬層，·及日 漂洗程序清潔該第一和第二金 步^了㈣步驟’該第三清潔步禪大致同該第-清潔 其中該第-和第二金 鋅、鉻、二、=所:气:鐵、鎳，' 之一合金。 鲇、銀、銅、及以上 如申請專利範圍第5項之方 二金屬層包含： 其中接合該第一與第 第-接合程序，該第一接' 第一和第二金制粒為彼包含在室溫下將該 ’及 22 9 〜第二接合程序，該第二接合程序包含將該第一和第 二·金屬層互朝彼此施壓及退火。 〜種製造有機發光二極體（OLED)顯示裝置的方法， 其包括： 在—可撓層的一表面上形成一第一金屬層； 在一支撐件的一表面上形成一第二金屬層； A潔該第一金屬層和該第二金屬層； 接合該第一金屬層與該第二金屬層，使得該第一金屬 層處於該可撓層與該第二金屬層之間； 在該可撓層上形成一 OLED，使得該可撓層處於該 〇LED與該支撐件之間，該OLED包含一第一電極、 • 具有一發光層的一有機層、及一第二電極；以及 移除該支撑件及該第一和第二金屬層。 10.如申請專利範圍第9項之方法，其中清潔該第一和第二 金屬層包含： • 一第一清潔步驟，該第一清潔步驟包含將該第一和第 二金屬層浸入一清潔流體内然後乾燥； 一第二清潔步驟，該第二清潔步驟包含經由去離子水 中之一 D音波程序或一漂洗程序清潔該第一和第二金 屬層；以及 一第三清潔步驟，該第三清潔步驟大致同該第一清潔 步驟。 ' 11·如申請專利範圍帛9項之方法，其中該第一和第二金屬 層係由下列其中之-或多者所形成：鐵、鎳、錫、鋅、 23 1356001 鉻、鈷、矽、鎂、鈦、 合金。 如申請專利範，9項之方法，其中接合該第一與第二 金屬層包含： 第接序’韻_接合程序包含在室溫下將該 苐一和第二金屬層定位為彼此相鄰； 一中間清潔程序’該中間清潔程序包含經由去離子水

中之一 D音波程序或一漂洗程序清潔該第-和第二金 屬層:以及利用異丙醇乾燥該第一和第二金屬層；及 接5程序，δ亥第一接合程序包含將該第一和第 二金屬層互朝彼此施壓及退火。 13. 如^青專利範圍第9項之方法，其中該第一和第二金屬 層每一者被形成為約U000埃至約1〇,〇〇〇埃之一厚度。

錯、鋁、銀、銅、及以上之一 14. 如申請專利範圍第9項之方法，更包括在該清潔之後用 氟化氳處理該第一和第二金屬層。 15. 如申請專利範圍帛14項之方法，其中清潔該第一和第 二金屬層包含： 一第一清潔步驟，該第一清潔步驟包含將該第一和第 二金屬層浸入一清潔流體内然後乾燥； 第一〉承步驟，該第二清潔步驟包含經由去離子水 中之一 D音波程序或一漂洗程序清潔該第一和第二金 屬層；以及 一第三清潔步驟，該第三清潔步驟大致同該第一清潔 步驟。 24 1356001 16. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該第一和第二金 屬層每一者被形成為約1,000埃至約1〇,〇〇0埃之一厚 度。 17. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該第一和第二金 屬層係由下列其中之一或多者所形成：鐵、鎳、錫、 鋅、絡、钻、石夕、鎮、鈦、結、is、銀、銅、及以上 之一合金。 18. 如申請專利範圍第14項之方法，其中接合該第一和第 二金屬層包含： 一第一接合程序，該第一接合程序包含在室溫下將該 第一和第二金屬層定位為彼此相鄰；以及 一第二接合程序，該第二接合程序包含將該第一和第 二金屬層互朝彼此施壓及退火。 25