TWI276001B - Semiconductor device having identification number, manufacturing method thereof and electronic device - Google Patents

Description

1276001 Α7 Β7 五、發明説明（1 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於，具有辨識號碼之半導體裝置，特別是 關於，能夠以經濟方式實現，可以裝設在各種物體之小型 之半導體裝置之技術。 最近，一般民眾開始盛行使用，可以對查詢機之查詢 ，以無線電非接觸方式送返資訊之I C卡。I C卡裝配有

.一-似X'V 記憶體或具有簡單之邏輯電路等之小型之半導體晶片（ I C )。另外也出現類似這種半導體晶片之可以安裝在希 望以非接觸方式進行識別之物體，具有辨識號碼之半導體 晶片。該半導體晶片設有，每一晶片均寫入不一樣之辨識 ___________________ u_--., ., ........................... . 號碼之僅讀記憶體R〇Μ ( Read Only Memory )。 在例如日本國特開平8 - 1 3 9 2 0 8號公報揭示有 實現這種R〇Μ之技術。這種方法係在半導體晶圓上，使 用電子線描繪技術，在每一晶片寫入不一樣之辨識號碼。 具體上是，辨識號碼之寫入不用玻璃罩，而是藉電子線描 ---------*--- 繪ϋί配線圖案而爲之。 線丄 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據此方法時，係藉由傳統之使用玻璃罩之光平版印 刷製程，先形成未進行切斷之配線圖案作爲固定圖案，接 著，在半導體晶圓上塗敷抗蝕劑膜而進行後烘焙，然後在 配線圖案之切斷部分描繪電子線。然後，使用顯像液去除 描繪電子線之部分之圖案，再藉蝕刻液或乾飩刻用之離子 去除配線圖案之一定部分之配線，接著，再以去灰機去除 抗蝕劑膜並洗淨，如此藉由切斷配線圖案實現本來所意圖 之配線圖案，因此須經過十分複雜之製程。 配設在每一晶片寫入不同辨識號碼之R 〇Μ之另一方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（2!0Χ297公釐） -4- 1276001 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2 ) 法有，例如揭示於日本國特開平1 0 - 5 5 9 9 3 9號公 報之藉由分步重覆（step and repeat )方式之曝光處理以決 定有無接觸孔之技術。 依據傳統技術時，無法提供，能以經濟方式實現具有 辨識號碼之半導體晶片之方法。亦即，要在具有晶圓上之 辨識號碼之半導體晶片，將不一樣之辨識號碼作爲記憶體 個別寫入，·其一種方法是，使用電子線描繪，但在傳統技 術是無法避_免要追加複雜之製程或施加複雜之接近效果之 補正，因此不可能有效活用昂貴之電子線描繪裝置，無法 〜—一^ 提供能以經濟方式實現具有辨識號碼之半導體晶片之方法 。再者，接近效果係指電子線在抗蝕劑中發生擴散致使描 繪形狀改變，高密度之描繪必須考量是項變化而做處理， 亦即需要補正。 同時，形成辨識號碼之另一方法是，藉由分步重覆( step and repeat )方式之曝光處理，但此方法係使光罩一次 ^ ________- 固位元，而依據圖案選擇曝光之有無，因此，隨著 辨識號碼之位元數之增加，同時隨著在製作於晶圓之晶片 數之增多，而需要龐大之加工時間，其經濟性顯著受損。 _________ ——-- 一^一一十似 再者，上述之特開平1 〇 - 5 5 9 9 3 9號公報有提到採 用電子線描繪以取代分步重覆方式之可能性。惟，此電子 線描繪與分步重覆方式時同樣，僅用以形成辨識號碼，因 此存在有同樣之課題。 其次，爲了要使具有辨識號碼之半導體裝置普及，除 了解決上述主要課題之外，尙須實現以下之事項。 __ I.__ ί----Φ, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 1276001 ，、 A7 _B7 五、發明説明（3 ) 第1，必須能夠將半導體晶片有效搭載於薄膜狀之薄 —--——-—- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 形安裝用基體。爲了實現這一點，必須要能提供，避免安 裝時晶片之裝置面垂直於安裝基體，使其能自然地與安裝 基體成水平，以經濟方式實現半導體裝置之安裝方法^ 第2，必須能夠令具有辨識號碼之半導體晶片與傳統 之條碼系統共存，以加以處理。爲了實現這一點，必須要 〆··.^ ....... - - ' · ... , .+，V—^ 能提供，可·以有效運用條碼系統，能夠以經濟方式應用具 有辨識號碼之半導體裝置之方法。 第3，必須能夠提供，在檢查半導體裝置時，不必利 用傳統之昂貴之半導體測試器，能夠以經濟方式檢查具有 ---.—— —- 一.―一…一说 辨識號碼之半導體裝置之方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了解決上述主要課題，本發明之.半導體裝置之製造 方法，係以使用電晶體之1 2 8位憶1構^辨識號 之半導體裝置之製造方法，其特徵在於，具有：在半導 體基板表面形成多數成爲上述電晶體之構成要素之導電領 域之製程；在多數上述導電領域上部形成絕緣膜之製程； 爲了獲得上述辨識號碼，在多數上述導電領域上之上述絕 緣膜，使用電子線描繪法p擇性形成^觸孔之製程:以及 ，介由上述接觸孔，幵^連接iUJ:述導電膜領域之配線之 製程。 爲了解決上述主要課題，本發明之另一半導體裝置之 製造方法，係由使用多數電晶體之記憶體識別辨識號碼之 半導體裝置之製造方法，其特徵在於，具有：在半導體基 板之表面，形成多數之上述電晶體之源極領域及汲極領域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） -6· 1276001 A7 B7 五、發明説明（4) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之製程；覆蓋多數之上述源極領域及汲極領域形成絕緣膜 之製程；使用電子線描繪法在上述電晶體上之絕緣膜形成 ，對應以上述記憶體記憶之‘ 1 ’ 、 ‘ 0 ’選擇有無之接 觸孔之製程；在具有上述接觸孔之絕緣膜上形成配線層之 製程；以及，此後，在上述半導體基板上形成接收微波用 之線圈之製程。 爲了解·決上述主要課題，本發明之半導體裝置，係由 使用多數電晶體之1 2 8位元之記憶體構成辨識號碼之半 導體裝置，其特徵在於，上述半導體裝置具備有：設在半 導體基板表面之多數上述電晶體之源極領域及汲極領域； 覆蓋多數之上述源極領域及汲極領域配設之絕緣膜；設在 上述電晶體上之絕緣膜之對應以上述記憶體記憶之‘ 1 ’ 、‘0’選擇有無之接觸孔；設在具有上述接觸孔之絕緣 膜上之配線層；以及，形成在設有上述配線層之半導體基 板上之接收微波用之線圈。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了解決上述第1課題，本發明之半導體裝置之製造 方法，其特徵在於，具有：準備半導體基板之製程；在上 述半導體基板表面之平面長邊尺寸較上述半導體基板之厚 度小之晶片領域內部，形成半導體裝置之製程；從上述半 導體基板之背面側去除，直到上述半導體基板之厚度較上 述晶片領域之平面長邊尺寸爲薄爲止之製程；以及，將上 述半導體裝置分離成晶片狀之製程。 爲了解決上述第2課題，本發明之電子裝置，具備有 由使用電曼>m^之記憶體構成辨識號碼之半導體裝置，及條 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1276001 Α7 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) 碼，其特徵在於，上述半導體裝置具備有·成爲上述電晶 體之構成要素之導電領域；覆蓋多數之上述導電領域形成 之絕緣膜；爲了獲得上述辨識號碼，在多數上述導電領域 上之上述絕緣膜，選擇性形成之接觸孔；介由上述接觸孔 ，連接到上述導電領域之配線；以及，形成在設有上述配 線層之半導體基板上之微波接收用線圈，上述記憶體除了 記憶上述辨識號碼之領域外，另有記憶跟上述條碼相同之 資料之領域。 爲了解決上述弟3課題，本發明之半導體裝置，係以 使用電晶體之第1記憶體構成辨識號碼，其特徵在於，上 述半導體裝置具備有：成爲上述電晶體之構成要素之導電 領域；覆蓋多數之上述導電領域形成之絕緣膜；爲了獲得 上述辨識號碼，在多數上述導電領域上之上述絕緣膜，選 擇性形成之接觸孔； 介由上述接觸孔，連接到上述導電領域之配線；設在 上述配線上之微波接收用線圈；包含電容器及上述微波接 收用線圈之共振電路；以及，甩以記憶將上述辨識號碼密 碼化之密碼電碼之第2記憶體。 茲參照附圖所示之幾個發明之實施形態，進一步詳細 說明本發明之具有辨識號碼之半導體裝置，其製造方法及 電子裝置。 第1圖表示在本發明之第1實施形態採用之電路。在 本發明之具有辨識號碼之半導體裝置採用可以小型化之電 路架構，可依不同目的採用各種電路架構。 ϋ張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -----*----------訂-----—0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -8- 1276001 A7 B7 五、發明説明（6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1圖所示之電路係使用微波與遠處之查詢機通信之 送受信電路之例子。具有辨識號碼之半導體裝置（半導體 晶片）之電路1 0 0係由與電容器1 1 3 —起構成共振電 路1 2 2之線圈（天線線圈）1 0 1、具有將經由線圈 1 0 1接收到之查詢機（未圖示）送出之微波信號倍壓整 流而獲得電源電壓VDD，再於電源電壓VDD成爲適當 之電壓時輸·出電源電壓VDD之電源接通復置電路1 1 0 之電源電路1 0 2、將接收到之微波信號調變之調變器 1 0 9、將經過振幅調變之微波信號解調以取出時鐘脈衝 信號C L K之解調電路1 0 3、放大時鐘脈衝信號C L K 之放大器1 0 4、將時鐘脈衝信號C L K分頻使成2 5 Κ Η z之時鐘脈衝信號之3 - b i t計數器1 0 5、再分 頻使成1 2 · 5 Κ Η z之時鐘脈衝信號之7 - b i t計數 器1 ο 6、將後述之寫入m ϋ MJ1之僅讀記憶體1 1 2， .... ··—'·· : 一'“一 一〜一，，丨 _ 一___ 一 經濟部智慧財產局員工消費合作社卬製 每次讀出記憶體1 1 2之內容1個位元之解碼電路1 0 7 、.以一定之定時輸出記憶體1 1 2之輸出之記憶體〇U Τ 之間極電路1 0 8，所構成。調變器1 0 9可接受閘極電 路1 0 8輸出之記憶體.〇U Τ，調變微波信號。再者，形 成計數器1 0 5等之邏輯電路之各電路，可由組合 NM〇S電晶體與CM〇S電晶體之CM〇S邏輯電路加 以實現。 線團1 0 j係在半導體晶片1 1 1之晶片上以“晶片 #，，复式形成。藉此可以獲得經濟性。再者，線圈不一定 · ---------- 如此形成，也可以是外加方式之線圈。同時，可以安裝放 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規210X297公釐） -9 « 1276001 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 k A7 B7 五、發明説明（7 ) 射用天線，藉由放射能送出僅讀記憶體1 1 2之內容。 採外加線圈時，可以例如在卡片狀之安裝基體之周圍 形成外加天線，而將半導體晶片1 1 1搭載於該安裝基體 上而構成電子裝置，代表性之電子裝置-I c卡。 搭載於僅讀記憶體1 1 2之辨識號碼係由多數記憶位 元構成，本實施形態採用1 2 8位元。若是1 2 8位元， 將可獲得2 ·之1 2 8次方之組合。此位元數可以依應用領 域自由設計，也可以使成可變構造。 將辨識號碼寫入記憶體之方法有利用雷射之方法、切 斷溶絲之方法、或短路配線之方法等，但是需要寫入區域 ，需要周邊電路，或需延長寫入時間等，要以經濟方式形 成具有辨識號碼之半導體晶片，需要更有效之方法。尤其 是，要在晶圓（半導體基板）上，在各半導體晶片寫入個 別不相同之辨識號碼，活用電子線描繪技術成爲重點。而 —___^- 上述本發明之具有辨識號碼之半導體晶片之電路，係使用 JR王龙A j支術所實f ° 第2圖表示藉由電子線描繪技術製作之僅讀記憶體 1 1 2之電路架構之例子。N Μ〇S電晶體2 0 1係用以 保持相當於記憶體之1個位元之資料。接觸孔5 0 2用以 在有時表示記憶體爲‘ 1 ’ ，無時表記憶體爲‘ 〇 ’ 。再 者，接觸孔之有無與‘1’ 、 ‘〇’之對應關係也可以與 此相反。源極配線5 0 3係用以共同連接與電晶體2 0 1 枏同之資料保持用之多數Ν Μ 0 S電晶體（未圖示）之源 極之配線。而汲極配線5 0 4係用以共同連接電晶體 1紙張尺度適用中i國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐）" ~ -10簡 ---1·——”·----Φ.-----1Τ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1276001 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 2 0 1之其他資料保持用之n Μ〇S電晶體之汲極之配線 。再者，電晶體2 〇 1之其他資料保持用之ν Μ〇S電晶 體未圖示，但其12 8個係配置成16x8之矩陣。 設在NMO S電晶體2 〇 1之源極之接觸孔5 0 2是 有時，Ν Μ 0 S電晶體2 〇 1之源極連接在源極配線 ^—— 5 0 3。此源極配線在被解碼電路1 〇 7所具有之Υ解碼 器選擇時，經由電晶體5 1 5、5 1 6 (汲極配線）成爲 接地位準。因此，由解碼電路1 〇 7所具有之X解碼器選 擇，而Ν Μ〇S電晶體2 0 1之閘極成爲高位準時， Ν Μ〇S電晶體2 0 1成爲導通而流通電流，使預先儲存 在汲極配線5 0 4之雜散電容C之電荷放電。再者，對汲 極配線5 0 4之雜散電容C之暫時性充電，係由預充電電 路5 1 7爲之。 從連接在汲極配線5 0 4之反相器5 1 8輸出記憶體 〇U Τ，但其輸街位準係因汲極配線5 0 4之位準而定。 若Ν Μ〇S.電晶體2 0 1之接^^是有，汲極配線5 0 4 之電荷會流至大地，因此，記憶體〇U Τ將在反相器 5 1 8被反相，表示是高位準，亦即，記憶內容是‘ 1 ’ ，若Ν Μ〇S電晶體2 0 1之_觸孔是無，汲極配線 5〇4之電荷不會流失，汲極配線5 0 4維持高位準，而 在反相器5 1 8反相後輸出。亦即，記憶體〇U Τ成爲低 位準，表示記憶內容是‘ 0 ’ 。 第3圖表示驅動上述僅讀記憶體1 1 2之信號之波形 例。第1波形3 0 1在本實施形態係表示1 0 0 κ Η z之 本紙i尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----^---------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 A7 1276001 B7 五、發明説明（9 ) 時鐘脈衝信號C L K。第2波形3 0 2表示將第1波形之 頻率分頻成2分之1之5 OKHz之波形。第3波形 3 0 3表示將第2波形以計數器1 0 5分頻成2分之1之 2 5 Κ Η z之波形。第4波形3 0 4表示將第3波形以計 數器106分頻成2分之1之12 · 5ΚΗζ之波形。第 5波形3 0 5表示經由第1圖之閘極電路1 〇 8之記憶體 〇U Τ之定時之波形。此記憶體〇 U Τ之脈衝寬度在本實 施形態係2 0 μ秒。 以上之各波形係表示第1圖及第2圖之本發明之實施 形態之電路在動作時之例子。亦即，以解調電路1 〇 3解 調之時鐘脈衝信號C L Κ (這時爲1 0 0 Κ Η ζ )係依次 被分頻，其頻率最後被降低至12 · 5ΚΗζ。這時，中 間之被分頻之信號，即第2、第3及第4之信號被有效處 理，而由記憶體1 1 2周邊之預充電電路5 1 7、閘極電 路1 0 8 (記憶體輸出電路）等使用。 ， 因計數器之架構，在各波形之上昇或下降確定輸出， 但第3圖所示之本實施形態，係以下降之邊緣確定輸出。 一 一___ 這是要在以微波接收之能量最大時切換信號之緣故"^ 不具電池之本實施形態之半導體晶片是依賴外部之微 波之能量。時鐘脈衝信號在高位準時，亦即在取得微波能 之最後階段，亦即信號下降時，半導體晶片獲得之能量在 尖峰。另一方面，CM〇S邏輯電路因其本身之性質，主 要在上昇或下降之動作時，因貫穿電流而消耗能量，維持 信號位準之其他時間則幾乎不消耗能量。因此，若以信號 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） ~ 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1276001 A7 B7 五、發明説明（10) 之高位準延續，能量成爲尖峰之點作爲c Μ 0 S邏輯電路 之下降之動作點，電路便可以穩定動作。 第4圖表示僅讀記憶體1 1 2之例子之晶片上之平面 圖。接觸孔5 0 2用以連接NM〇S電晶體2 0 1之源極 端子與源極配線5 0 3，Ν Μ〇S電晶體2 0 1之汲極端 子連接在汲極配線5 0 4。記號5 0 7表示Ν Μ〇S電晶 體2 0 1之汲極配線。 在第4圖以布置表示第2圖所示之NM〇S電晶體 20 1及圍繞之3個電晶體。電晶體20 1配置在圖之左 上半部，其他電晶體則分別配置在圖之右上半部、左下半 部、右下半部。而分別形成有接觸孔。 接觸孔5 0 2在較源極配線5 0 3爲內側，呈正方形 。在第4圖之布置，電晶體2 0 1與右上半部之電晶體之 汲極領域成共同領域。接觸孔在記憶內容爲‘ 1 ’時配置 —一— ，記憶內容爲‘ 0 ’時不配置接觸孔。 —...一.—'.，一一—一‘… ^ 接觸孔係藉由電子線直接描繪技術形成。接觸孔之形. 狀較配線固定，間隔較配線寬。也可以與表示記憶內容之 接觸孔以外之接觸孔，亦即與第4圖所示之汲極領域連接 用之接觸孔5 1 0，或閘極電極連接甩之接觸孔5 1 1， 周邊電路（汲極線電路、預充電電路）之接觸孔（未圖示 )等一起描繪，這時之描繪密度較配線低，間隔也較配線 ___ —---一' 一 寬。這表示將電子線直接描繪技術應用在接觸孔之優異性 〇 _ . 亦即表示，不按每一晶片進行複雜之電子線接近效果 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐)~一 ~ I. 訂 ^ —^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 13_ 1276001 A7 B7 五、發明説明（Μ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 補正，則可描繪辨識號碼。將電子線描繪技術應用在配線 時，會發生很多且不規則之配線間隔狹窄的部分，需按每 一晶片進行複雜之接近效果補正，因此計算機處理或資料 量會增加，同時，需要很長之描繪時間，使描繪效率降低 〇 以上係以接觸孔之情形進行說明，但貫穿配線間之通 孔也有同樣之效果，因此，若以通孔統一設計之方法而以 有無通孔表示記憶內容之方式，也可以期待同樣之電子線 描繪效果之提高。這是因爲，通孔與接觸孔之形狀均是較 配線小、正方形、圖案密度小、且間隔較配線寬之緣故。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第5圖表示沿第4圖之A - A 線切斷之半導體晶片 之裝置截面圖。元件分離膜5 0 1及氧化膜5 0 6係用以 相互絕緣電晶體元件及配線。接觸孔5 0 2用以連接 N Μ 0 S電晶體2 0 1之源極領域及源極配線5 0 3。此 Ν Μ 0 S電晶體裝置係在Ν型之矽半導體基板（Ν -S u b )形成Ρ型之井，在其上進行源'極領域、汲極領域 用之N型擴散而形成。如此，在半導體基板表面形成成爲 電晶體之構成要素之導電領域。電晶體2 0 1之閘極 5 0 7形成在源極、汲極間，用以控制Ν Μ〇S電晶體之 〇Ν /〇F F 〇 要利用電子線直接描繪形成接觸孔時，係在晶圓之整 面形成氧化膜5 〇 6後，塗敷電子線描繪用之抗蝕劑，在 相當於記憶體之位元內容之‘1’之部分描繪一定之接觸 孔，並進行同時形成周邊或記憶體電路之接觸孔之描繪。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） ' 睡14- 1276001 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12) 爲此，在控制電子線描繪裝置之電子束之強度及位置之控 制電路，對其計算機之程式提供辨識號碼用接觸孔及周邊 電路之接觸孔在晶圓上之資料。 在電子線描繪時，抗蝕劑使用正片型，使電子線照射 之部分被顯像液溶解。藉此顯像液，使應形成接觸孔處之 抗蝕劑形成孔。然後，以亢蝕劑作爲掩罩進行乾蝕刻，一 定位置之氧北膜被蝕刻而形成接觸孔。 然後，將配線材料成膜於晶圓之整個面上，接著進行 光蝕刻，便可形成配線圖案。 以上係就接觸孔之情形進行說明，但對配線間之通孔 也可以採用同樣之作業程序。亦即，可以藉由辨識號碼在 一定之位置形成通孔。例如可以將第5圖之配線5 0 3改 變成電晶體2 0 1專用之源極配線，在包含該源極配線之 面上形成新的絕緣層，使用電子描繪法在該新的絕緣層選 擇性形成通孔，經由該通孔在上述新的絕緣層上形成連接 在上述源極配線之新配線，則可以使用通孔形成記憶體。 第6圖表示以上所述之具有辨識號碼之半導體晶片 1 1 1之內部架構例子。電容器1 1 3及線圈1 〇 1構成 共振電路1 2 2。形成在半導體晶片1 1 1中之具有多位 元之僅讀記憶體1 1 2係藉由，具有電源電路1 0 2及調 變器1 〇 9之整流送信電路6 0 3，具有解調電路1 〇 3 及放大器1 0 4之時鐘脈衝電路6 0 4，解碼電路1〇7 ，計數器1 0 5及1 0 6構成之計數電路6 0 5而動作， 送出辨識號碼之信號。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -15- 1276001 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（13) 線圏1 0 1以晶片上之方式形成。而線圈1 0 1係活 用半導體之配線處理程序，在裝置兀件之完成後用銘或銅 等之配線材料形成。爲提高線圈之Q値，將多層配線之各 層縱向連接，以降低配線電阻。同時，由於使用配線層， 電容器1 1 3可以形成不受極性限制之良好之電容器。 本發明之具有辨識號碼之半導體晶片，其蟲片尺寸愈 小，如後述在經濟上更有效果。而且，從機械強度之面來 —一一—__ -—---- 一一’ * 講，愈是小型，愈不易受到機械式之撞擊，因此不易發生 龜裂或受傷，可以保持強度。如此，超小型且保有辨識號 碼之半導體晶片，在經濟性及可靠性之面具有新的價値。 而且，設在晶片內之僅讀記憶體（R〇Μ )係藉由電子描 繪技術形成，因此能夠在晶圓全面以經濟方式且以小型形 成全部不相同之辨識號碼。此具有辨識號碼之半導體晶片 所用之裝置不限定爲矽C Μ 0 S，鉀砷化合物等其他材料 或裝置也可以，並無限制。 第7圖表示從晶圓分離之本實施形態之具有辨識號碼 之半導體晶片1 1 1。標準厚型晶圓7 0 1係爲了形成半 導體之裝置及配線，在半導體製程中之晶圓（半導體饑基 板），工業上規定其厚度之標準者。半導體晶片1 1 1形 成在半導體晶圓7 0 1內，最終是經由切割或蝕刻分離。 第7圖（a)係平面圖，第7圖（b)係截面圖。 在第7圖（b )，記號a表示半導體晶片1 1 1之晶 片厚度，記號b表示半導體晶片1 1 1之平面尺寸之長邊 之長度（平面長邊尺寸）。具有辨識號碼之半導體晶片係 本紙張尺度適用中國國家標準(。奶）八4規格（210父297公釐） 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 1276001 A7 B7 五、發明説明（Η) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上述，愈是小型愈具有經濟效果。這是因爲，如果所使 用之裝置、處理程序、光罩片數相同，半導體晶片一片之 完成成本之標準成本則可決定。因此，能從一片晶圓取得 之半導體晶片之片數愈多，一個半導體晶片之成本便可以 降低。同時，半導體晶片之晶片尺寸愈小，製成率會愈高 〇 因此，邊之長度b之尺寸有必要縮小，本發明之基準 _________^ --- -------- 長&度b較晶片厚度a_ ’良P半導Μ晶_ # mi關 具體上是，本實施形態之邊之長度b採用0 · 5 m m以下。 藉由本發明可以有效活用昂貴之電子線描繪裝置，可 以提供可以很經濟地實現具有辨識號碼之半導體晶片之方 法。同時可以提供，低成本且具有機械強度之超小型之具 有辨識號碼之半導體晶片。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第8圖表示本發明之第2實施形態。本實施形態之具 有辨識號碼之半導體晶片1 1 1採用薄型之形狀。第8圖 (a)係其平面圖，第8圖（b)係其截面圖。晶圓 8〇1並非如第7圖（a )之在半導體製程內之狀態之晶 圓，而是製程結束，而藉由背面硏磨或旋轉蝕刻使該晶圓 變成薄型之狀態之晶圓。 具有辨識號碼之半導體晶片1 1 1在晶圓8 〇 1內， 此半導體晶片1 1 1係經由切割或乾鈾刻分離成晶片大小 。第8圖（b )之記號a ’表示半導體晶片1 1 1之厚度 ，此厚度等於晶圓8 0 1之厚度。同時，第8圖（b )之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 1276001 A7 ___B7__ 五、發明説明（15) 記號b係半導體晶片1 1 1之四方形之平面尺寸，與第7 圖（b )時同樣，表示長邊之長度。此厚度a ’係在將具 有辨識號碼之半導體晶片1 1 1漉進紙內或黏貼在紙上以 安裝時，愈薄愈有應用展開性，附加價値會增加，因此愈 薄愈好。同時，邊之長度b愈小愈具經濟性，但因半導體 之細微化或電路規模而會有一定之限度。另一方面，厚度 a ’與邊之長期b之關係則是爲了上述安裝，如以下參照 第9圖所說明，邊之長度b必須較厚度a ’大。在本實施 形態，邊之長度b爲〇 · 5mm，厚度a’爲0 · 06 mm 〇 半導體晶圓之尺寸不同時其標準厚度也不同，但不會 超過1 m m之厚度。另一方面，具有辨識號碼之半導體晶 片之晶片尺寸可以藉由電路方式之改善、應用程序之改善 、多層配線之層數增多，以推動小型化。作成標準半導體 晶圓之邊之長度較厚度大之晶片在經濟上並非有效。 藉由本實施形態，可以實現具有辨識號碼之半導體裝 置之有效率且經濟之安裝。 第9圖表示本發明之第3實施形態。本實施形態之具 有辨識號碼之半導體晶片1 1 1安裝在薄膜狀之裝基體 9 0 1。第9’圖（a )表示邊之長度b較厚度a ’小之情 v_j - 一-^.‘一-··"·:· ·*·' 形，第9圖（b )表示邊之長度b較厚度a ’大之情形。 安裝基體9 0 1係薄膜狀之媒體，例如紙片或塑膠片。在 半導體晶片111之表面有存在電晶體或配線層之裝置面 9 0 2。在此面上存在有以晶片上方式裝設之線圈或放射 本紙張尺度適财關家縣fcNS ) A4祕（210X297公釐) 一一 -18· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1276001 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（16) 型天線之外加式之天線連接用端子。 在第9圖（a)，裝置面9〇2與安裝基體901成 垂直。因半導體晶片1 1 1呈骰子狀，如此安裝之機率較 高。另一方面，第9圖（b)係裝置面902與安裝基體 9 0 1成平行。因半導體晶片丨1 1成平板狀，如此安裝 Γ~— 之機率較高，裝置面9 0 2與安裝基體9 0 1成垂直之可 r-** ~~--- ---— _ 一_ 能性非i低·。 一一 r—一 裝置面成垂直狀搭載於薄膜狀之安裝基體時，因天線 之方向性，有時很難能正常從具有辨識號碼之半導體晶片 讀出資料。在搭載於薄膜狀之安裝基體時，常是具有辨識 號碼之半導體晶片被一個一個分開，且成散布狀配置，因 此在安裝基體上自然是希望裝置面朝上面或朝下面搭載。 爲此，在薄膜狀之安裝基體安裝具有辨識號碼之半導 體晶片時，具有辨識號碼之半導體晶片111之厚度與平 面尺寸之關係要使其成爲第9圖（b )所示之晶片形狀。 換言之，具有辨識號碼之半導體晶片111之平面長邊尺 寸b被設定成較取出半導體晶片1 1 1之背面經硏磨之晶 圓之厚度，即厚度a ’爲大。 令平面長邊尺寸b爲例如〇.5mm以下時，半導體 晶片1 1 1成爲超小型，搭載此晶片之安裝基體9 1 0可 以自由貼在箱子、袋子、桶子等之各種形狀之物體。於是 ，例如將安裝基體910貼在包裝食品之箱子，記上品種 、製造年月日、食用期限、製造廠商等辨識號碼，便能夠 實現可管理家庭之冰箱之從來不存在之系統。亦即，能夠 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---1.——i----S0-----IT------«^φ. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -19- 1276001 A7 B7 五、發明説明（17) 實現令冰箱以非接觸方式取得冰箱內之食品之辨識號碼（ 資訊），告知外部食用期限已快到之系統。 這種例子，製造業者要使用大量之安裝基體9 10。 爲了使用上的方便，提供例如第1 0圖所示，將搭載半導 體晶片1 1 1之安裝基體9 1 0黏貼在長條之帶子9 0 3 ，折疊此帶子9 0 3收容在收容箱9 0 4之半導體裝置之 製造方法。·製造業者便以收容在收容箱9 0 4之狀態將大 量之半導體晶片1 1 1出荷。 再者，這種使用方法，各晶片之辨識號碼並非各個不 相同，而是例如按製造日期使用不同之辨識號碼。前面之 說明提到各個晶片之辨識號碼各不相同，但是，上述電子 線描繪法當然可以使其按某一定量互異即可。 藉由本實施形態，便可以將半導體晶片有效率搭載於 薄膜狀之安裝基體。 第1 1圖係說明本發明之第4實施形態之圖。本實施 形態係將具有辨識號碼之半導體晶片1 1 1與條碼共存使 用。條碼1 1 4存在於鄰接半導體晶片1 1 1處，上面或 下面。在第1 1圖，係在紙片狀之薄片上印刷條碼1 1 4 ，在其右鄰搭載半導體晶片111，整體上構成電子裝置 12 1° 在本實施形態，記憶辨識號碼之僅讀記憶體1 1 2之 一部分設有用以記憶與條碼1 1 4相同之資料之條碼領域 1 1 5。除此之外之外，條碼領域1 1 5也可以在半導體 晶片1 1 1中配置寫入型記憶體，而設在此。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20 - 1276001 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（18) 條碼在進行標準化，其應用領域多樣化，但因爲是應 用光技術，方向性很強，辨識率不見得很優異。因此，倂 用具有條馬之本發明之半導體晶片，以補償條碼系統之弱 點，提高辨識率之方法較爲有效° 這時，若採用如上述之在具有多數位元之半導體晶片 1 1 1內之記憶體1 1 2之一部分1 1 5分配與條碼 1 1 4之同一電碼之方式，則不必變換從此具有辨識號碼 之半導體晶片讀取之資料，便可以與條碼系統之資料庫共 用，對系統之開發與運用帶來很大之益處，其結果是，對 經濟實現使用具有辨識號碼之半導體晶片之系統有貢獻。 半導體晶片1 1 1之記憶體1 1 2內之條碼領域 1 1 5，係在記憶體1 1 2全領域之一部，從密碼化範圍 去除這一部分，便可以享受與傳統之條碼同樣之簡便性。 反之，將條碼領域1 1 5作爲密碼化之對象領域，便可以 在安全上有效運用。 同時，由於使半導體晶片1 1 1之記憶體1 1 2之容 量較條碼1 1 4大，便可以令 半導體晶片1 1 1具有較條碼1 1 4大很多之資訊， 可以增大系統之實用性。 藉由本實施形態，可以有效運用辨識號碼，可以實現 具有辨識號碼之半導體晶片之經濟應用。 第1 2圖係說明本發明之第5實施形態之圖。本實施 形態係在具有多數位元之半導體晶片1 1 1內，記憶有將 辨識號碼1 1 6密碼化之密碼電碼1 1 7，使用此密碼電 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1276001 A7 B7 五、發明説明（19) 碼1 1 7與辨識號碼1 1 6進行晶片1 1 1之製造檢查。 檢查係由個人電腦1 1 9來執行。 個人電腦1 1 9附帶有天線1 1 8，在內部之記憶體 記憶有用以將辨識號碼密碼化之鍵碼1 2 0。檢查時，檢 查對象之半導體晶片1 1 1置於天線1 1 8之附近，由個 人電腦1 1 9從半導體晶片1 1 1讀出辨識號碼1 1 6及 密碼電碼1· 1 7。 傳統上之半導體晶片之檢查，係從半導體測試器產生 一定之測試圖案，將其供給檢查對象之半導體晶片，接著 對照，從半導體晶片取出之對應之輸出圖案，半導體晶片 所有之一定之圖案以判定良品或不良品。此項檢查係以相 同規格之半導體晶片作爲對象，以同樣之程序爲之。 另一方面，具有辨識號碼之半導體晶片每一個有不同 之辨識號碼，因此，.檢查系個別進行，因此必須！備有半 導體測試器及大量之辨識號碼資料，成爲經濟上之很大之 負擔。 本發明提高活用個人電腦(§簡便之檢查方法。在此方 法，個人電腦1 1 9只要在其內部有一定芝鍵碼1 2 0便 可以。亦即，由個人電腦1 1 9將從半導體晶片1 1 1讀 出之辨識號碼1 1 6藉由鍵碼1 2 0加以密碼化使成密碼 電碼。接著，對照此密碼電碼與從半導體晶片1 1 1讀出 之密碼電碼1 1 7。經此對照，若雙方一致，則爲良品， 不一致時，則爲不良品。再者，檢查也可以，使用解凍用 之鍵碼將從半導體晶片1 1 1讀出之密碼電碼1 i 7解凍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-22- 1276001 A7 B7 五、發明説明（20) ，對照解凍後之辨識號碼與從半導體晶片1 1 1讀出之辨 識號碼11 6，而爲之。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 個人電腦1 1 9不必保有大量之辨識號碼資料，可以 藉由簡便之軟體與簡便之硬體（個人電腦1 1 9 )，檢查 具有辨識號碼之半導體晶片。此項密碼化愈完整，便可以 正確區別具有辨識號碼之半導體晶片之良品與不良品。 藉由本賓施形態，便可以提供，不必利用傳統之昂貴 之半導體測試器，能以經濟方式檢查具有辨識號碼之半導 體裝置之方法。 再者，若在半導體晶片111面備有連接主要電路之 測試端子，經由該測試端子供應電源及測試信號，便能夠 進行半導體晶片1 1 1內之各電路之動作檢查。 以上，藉由本發明可以實現低成本便能夠製成之超小 型之具有辨識號碼之半導體裝置，因此，本發明之具有辨 識號碼之半導體裝置在上述應用外，還可以應用在I C卡 、標籙、各種鎖、無線門鎖、識別證、門票、月票等廣大 範圍，以及摞示條碼之所有物品。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明時，可以提供以經濟方式設計具有辨識號 碼之半導體裝置之方法。亦即，爲了將個別不相同之辨識 號碼當作記憶內容寫入晶圓上之具有辨識號碼之半導體晶 片而使用電子線描繪法，低在這個時候，如本發明選擇性 形成接觸孔或配線間之通孔，便不需要傳統之複雜之接近 效果補正，即可描繪辨識號碼之圖案，能夠有效活用昂貴 之電子線描繪裝置，提供能以經濟方式實現具有辨識號碼 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210Χ297ν^~) -23- 1276001 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7_五、發明説明（21) 之半導體裝置之方法。 其次，依據本發明時，使半導體晶片之平面之尺寸較 標準厚型晶圓之厚度爲小，並硏磨此晶圓之背面使半導體 晶片之平面尺寸較硏磨後之晶圓厚度爲大，便可以在將此 具有辨識號碼之半導體晶片搭載於薄膜狀之安裝基體時， 避免安裝成裝置面垂直於安裝基體，能夠達成有效率之搭 載，可提供谠以經濟方式實現半導體晶片之方法。 而且，由於在此具有辨識號碼之半導體晶片內之記憶 體之一部分裝配與條碼相同之資料，便能夠與傳統之條碼 系統共存處理，能夠有效運用此系統，提供能以經濟方式 運用此具有辨識號碼之半導體晶片之方法。 並且，依據本發明時，檢查此具有辨識號碼之半導體 晶片時，利用記憶在此具有辨識號碼之半導體晶片內之記 憶體之辨識號碼之密碼話化電碼，便能夠提供不必使用傳 統之昂貴之半導體測試器進行檢查之方法，能夠以經濟方 式檢查具有辨識號碼之半導體晶片。 圖式之簡單說明 第1圖係說明本發明之半導體裝置之第1實施形態之 電路架構圖。 第2圖係說明第1實施形態所使用之記憶體用之電路 圖。 •第.3圖係說明第1實施形態之電路之動作波形用之波 形圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） ' -24- — — l·!----$, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 1276001 A7 ___ _ B7_ 五、發明説明（22) 第4圖係說明第1實施形態所使用之記憶體之構造用 之平面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第5圖係說明第1實施形態所使用之記憶體之構造用 之截面圖。 第6圖係說明本發明第1實施形態之半導體晶片用之 架構圖。 第7圖係說明從本發明第1實施形態之晶圓分離之半 導體晶片用之圖。 第8圖係說明本發明之第2實施形態之圖。 第9圖係說明本發明之第3實施形態之圖。 第1 0圖係說明本發明第3實施形態之半導體晶片之 安裝用之圖。 第1 1圖係說明本發明之第4實施形態之圖。 第1 2圖係說明本發明之第5實施形態之圖。 主要元件對照表 10 1 線圈 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0 2 電源電路 103 解調電路 104 放大器 1 〇 5、1 0 6 計數器 107 解碼電路 10 8 鬧極電路 109 調變器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 "~' -25- 1276001 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（23) 110 電源接通復置電路 111 半導體晶片 112 僅讀記憶體 113 電容器 114 條碼 115 條碼領域領 1 1 6 辨識號碼 117 密碼電碼 118 天線 119 個人電腦 121 電子裝置 122 共振電路 201 NMOS電晶體 5 0 1 元件分離膜離 5〇2、510、511 接觸孔 503 源極配線 504 汲極配線 506 氧化膜 5 0 7 閘極 5 1 5、5 1 6 電晶體 517 預充電電路 518 反相器 603 整流送信電路信 604 時鐘脈衝電路 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 1276001 A7 B7 五、發明説明（24) 605 計數器 7 0 1 標準厚型晶圓型 8 0 1 晶圓 901、910 安裝基體 9 0 3 帶子 904 收容箱 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺皮適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27-

Claims (1)

12760猶 ♦ Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 第901 1 9900號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年9月22日修正 1 · 一種半導體裝置之製造方法，該半導體裝置係以 使用電晶體之記憶體構成辨識號碼，其特徵在於，具有： 在半導體基板表面，形成多數成爲上述電晶體之構成 要素之導電領域之製程； 在多數上述導電領域上部形成絕緣膜之製程； 爲了獲得上述辨識號碼，在多數上述導電領域上之上 述絕緣膜，使用電子線描繪法選擇性形成接觸孔之製程； 以及， 經由上述接觸孔，形成連接到上述導電膜領域之配線 之製程。 2 . —種半導體裝置之製造方法，該半導體裝置係由 使用多數電晶體之記憶體識別辨識號碼，其特徵在於，具 有： 在半導體基板之表面，形成多數之上述電晶體之源極 領域及汲極領域之製程； 覆蓋多數之上述源極領域及汲極領域形成絕緣膜之製 程； 使用電子線描繪法在上述電晶體上之絕緣膜形成，對 應以上述記憶體記憶之‘ 1 ’ 、 ‘ 0 ’選擇有無之接觸孔 之製程；及 在具有上述接觸孔之絕緣膜上形成配線層之製程。 本纸張尺度適用中國國家舞準（CNS ) A4洗格（210X 297公釐） (請先»讀背面之注意事項真填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1276001 is C8 D8 六、申請專利範圍 3 · —種半導體裝置之製造方法.，該半導體裝置係由 使用多數電晶體之記憶體識別辨識號碼，其特徵在於，具 有： 在半導體基板之表面，形成多數之上述電晶體之源極 領域及汲極領域之製程； 覆蓋多數之上述源極領域及汲極領域形成第1絕緣膜 之製程； 在具有連接於上述多數源極領域及汲極領域之接觸孔 的上述第1絕緣膜上形成第1配線的製程； 在包含上述第1配線之表面形成第2絕緣膜的製程； 使用電子線描繪法在上述第2絕緣膜中形成，對應以 上述記憶體記憶之‘ 1 ’ 、 ‘ 0 ’選擇有無之貫通孔之製 程；及 在上述第2絕緣膜上形成經由上述貫通孔連接於上述 第1配線的第2配線之製程。 4 ·如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方法 ，其中，上述電晶體係N Μ〇S電晶體。 5 ·如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方法 ，其中，上述半導體裝置具有送受信電路。 6 ·如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方法 ，其中，上述記憶體係僅讀記憶體。 7 ·如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方法 ’其中，上述半導體裝置備有，用以讀出上述記憶體之內 容之計數器及解碼電路。 本^張尺度適用中國國家揉準（€奶）入4此格（210\297公釐） ' (袴先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 1276001 六、申請專利範圍 8 ·如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方法 ，其中，另具有：之後，於上述半導體基板上形成接收微 (誇先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 波用之線圈的製程，上述線圈係形成在上述半導體基板被 分離而形成之各半導體晶片。 9 ·如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方法 ’其中’上述半導體裝置之平面長邊尺寸係在〇 . 5 以下。 1 〇 ·如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方 法，其中，另具有：之後，於上述半導體基板上形成接收 微波用之線圈的製程，上述線圈係以鋁或銅形成。 11·如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方 法，其中，另具有：之後，於上述半導體基板上形成接收 微波用之線圈的製程，上述線圈具有多層配線構造。 1 2 ·如申請專利範圍第8項之半導體裝置之製造方 法，其中，上述晶片之平面長邊尺寸較上述半導體基板之 開始製造時之厚度爲小。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 3 ·如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方 法，其中另具有： 從上述半導體基板之背面側去除，將其薄膜化之製程 ;以及， 將上述半導體裝置分離成晶片狀之製程。 1 4 .如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方 法，其中另具有： 此後，將上述半導體裝置固定在帶子，使用設在上述 本纸法尺度適用中國國家.標準（€犯）入4此格（210\297公釐） __ 3 _ 1276001 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 半導體裝置之測試端子檢查電氣特性之.製程。 15 ·如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方 法，其中具有： 將上述半導體裝置搭載於安裝基體之製程；以及， 此後’將上述安裝基體黏貼在帶子，封裝於收容箱之 製程。 16·如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方 法，其中具有： 此後’將上述半導體裝置漉進紙張之製程。 1 7 ·如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方 法，其中具有： 經由上述貫通孔，在上述絕緣膜上形成連接到上述導 電膜領域之配線之製程， 上述選擇性形成接觸孔之製程，和形成周邊電路所使 用之貫通孔之製程呈連續地被進行。 18·—種半導體裝置之製造方法，其特徵在於，具 有： 在半導體基板表面，形成多數成爲上述電晶體之構成 要素之導電領域之製程； 在多數上述導電領域上部形成第1絕緣膜之製程； 在第1絕緣膜上形成連接到上述導電領域之第1配線 之製程， 在包含第1配線之面形成第2絕緣膜之製程； 爲了形成構成辨識號碼之記憶體，在第2絕緣膜，使 _· — - — — . ______- - _ - - 1 1 _ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） · (諸先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 • HI * 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1276001 鉍 C8 D8 六、申請專利範圍 用電子線描繪法選擇性形成接觸孔之製程；以及， (袴先閱讀背®之注意事¾再填《馬本頁) 經由上述接觸孔，在第2絕緣膜上形成連接到第1配 線之第2配線之製程。 1 9 · 一種半導體裝置，其特徵爲具有： 用於記憶N位元之辨識號碼的半導體記憶體；及 用於傳送上述N位元之辨識號碼的耦合於上述半導體 記憶體的天線； 介由包含於上述半導體.記憶體之電晶體之上所形成絕 緣膜，於上述電晶體以連接配線用之貫通孔之有無來記憶 N位元之辨識號碼。 _ 2 0 .如申請專利範圍第1 9項之半導體裝置，其中 上述貫通孔，係形成於使用電子射束進行電子線照射 之部分。 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項之半導體裝置，其中 另具有預充電電路， 上述電晶體爲，依貫通孔之有無來控制使用上述預充 電電路進行電荷之充/放電的N Μ 0 S電晶體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項之半導體裝置，其中 上述半導體記憶體具有第1共通配線及第2共通配線 上述Ν Μ 0 S電晶體之汲極耦合於上述第1共通配線 ’另外在具有貫通孔情況下，上述Ν Μ 0 S電晶體之源極 係耦合於上述第2共通配線。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項之半導體裝置，其中 本纸展尺度適用中國國家禚準（〇«)入4洗格（210\297公釐） -5 _ 1276001 s DS 六、申請專利範圍 另具有解碼電路， 上述預充電電路係將電荷暫時儲存於上述第1共通配 (.請先Κ讀背νΒ之注意事¾再填寫本頁) 線， 上述解碼電電路使上述N Μ 0 S電晶體動作而選擇上 述Ν Μ〇S電晶體之源極之導通或非導通於接地，另外， 上述Ν位元辨識號碼係依上述第1共通配線之電壓位準被 輸出。 2 4 ·如申請專利範圍第1 9項之半導體裝置，其中 另具有解調器， 上述解調器，係解調上述天線接收之信號而取出時脈 信號，另外，上述Ν位元辨識號碼係依上述時脈信號依每 一位元被讀出。 2 5 .如申請專利範圍第1 9項之半導體裝置，其中 另具有解調器及計數器， 上述解調器，係解調上述天線接收之信號而取出時脈 信號， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述計數器係分割上述時脈信號而輸出分割之信號， 另外，上述Ν位元之辨識號碼依上述分割信號之下降邊緣 被輸出。 2 6 ·如申請專利範圍第1 9項之半導體裝置，其中 另具有解調器及計數器， 上述解調器，係解調上述天線接收之信號而取出時脈 信號， 上述計數器係分割上述時脈信號而輸出分割之信號， 本纸張尺度適用中國國家禚準（〇奶）六4戏^(210\ 297公釐） · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1276001 D8 六、申請專利乾圍 另外，上述N位元之辨識號碼依上述分割信號’依每一位 元被讀出。 27·—種半導體裝置，其特徵爲具有： 用於記憶N位元之辨識號碼的半導體記憶體； 解調器； 用於傳送上述N位元之辨識號碼的耦合於上述半導體 記憶體的天線；及 計數器； 介由包含於上述半導體記憶體之電晶體之上所形成絕 緣膜，於上述電晶體以連接配線用之接觸孔之有無來記憶 N位元之辨識號碼， 上述解調器，係解調上述天線接收之信號而取出時脈 信號， 上述計數器係分割上述時脈信號而輸出分割之信號， 另外，上述N位元之辨識號碼依上述分割信號之下降邊緣 被輸出。 2 8 .如申請專利範圍第2 7項之半導體裝置，其中 上述接觸孔，係形成於使用電子射束進行電子線照射 之部分。 2 9 .如申請專利範圍第2 7項之半導體裝置，其中 另具有預充電電路， 上述電晶體爲，依接觸孔之有無來控制使用上述預充 電電路進行電荷之充/放電的N Μ〇S電晶體。 3 0 ·如申請專利範圍第2 9項之半導體裝置，其中 本紙乐尺度適用中國國家禚準（€奶）焱4規格（210/297公釐） -7 - (·請先闓讀背面之注意事項再填寫本X )

1276001 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 上述半導體記憶體具有第1共通配線及第2共通配線 上述N Μ 0 S電晶體之汲極耦合於上述第1共通配線 ’另外在具有接觸孔情況下，上述Ν Μ〇S電晶體之源極 係耦合於上述第2共通配線。 3 1 .如申請專利範圍第3 0項之半導體裝置，其中 另具有解碼電路， 上述預充電電路係將電.荷暫時儲存於上述第1共通配 線， 上述解碼電電路使上述Ν Μ〇S電晶體動作而選擇上 述Μ Μ〇S電晶體之源極之導通或非導通於接地，另外， 上述Ν位元辨識號碼係依上述第1共通配線之電壓位準被 輸出。 3 2 ·如申請專利範圍第2 7項之半導體裝置，其中 上述半導體記憶體之平面長邊尺寸爲〇.5mm以下 〇 3 3 ·如申請專利範圍第2 7項之半導體裝置，其中 上述天線係以單晶片形成於上述半導體記憶體上。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 S. 本紙張尺度適用中國國家.標準（CNS ) A4現格（210X297公釐）