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TWI251615B - Coating composition for forming low-refractive index thin layers - Google Patents

Coating composition for forming low-refractive index thin layers Download PDF

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TWI251615B
TWI251615B TW091136165A TW91136165A TWI251615B TW I251615 B TWI251615 B TW I251615B TW 091136165 A TW091136165 A TW 091136165A TW 91136165 A TW91136165 A TW 91136165A TW I251615 B TWI251615 B TW I251615B
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Yoro Sasaki
Hiroyuki Hanahata
Takaaki Ioka
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Asahi Kasei Corp
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1251615 Α7 Β7 五、發明説明(1 ) 發明所屬技術領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種形成低折射率薄膜用塗佈組成物。 更詳細而言,本發明係關於一種組成物,其特徵爲包含特 定烷氧基矽烷於酸觸媒存在下,進行水解縮聚合所得之流 動性二氧化矽前驅物(A )、具有鹼性羥基及/或鹼性氮原 子之鹼性化合物,0.1 N的水溶液形式下之PH爲11以上, 且100°C下之蒸氣壓爲1.3kPa以下之鹼性化合物(B ) '及 沸點爲100°C以上,與該流動性二氧化矽前驅物(A)相溶 之有機化合物(C )的塗佈組成物,該驗性化合物(b )的 量,換算成與該鹼性化合物(B )中的該鹼性羥基及鹼性氮 原子的總莫耳量時,對1莫耳的該流動性二氧化矽前驅物 (A )中的矽原子而言爲0.001 5〜0.5莫耳。本發明又關於 由該塗佈組成物中所得之多孔性二氧化矽薄膜。本發明的 多孔性二氧化矽薄膜因具有低折射库、高光透過率性、且 高強度故可適用於反射防止膜。 先前技術 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 使用於光學零件或眼鏡等鏡片、顯示裝製的螢幕等之 被覆的防止反射膜,已知有單層或複數層所成者。單層及2 層所成者,因殘存反射率較大,以折射率相異的3層重疊 者爲佳。然而,疊層3層時,既使使用真空蒸著法、浸漬 塗佈法等公知方法,其較爲繁雜而有生產性低之缺點。 其中,嘗試以單層膜減低反射率的方法,一般而言,
已知基板的折射率爲⑴,單層膜的折射率爲η時之反射率R 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 OX 297公釐) ΐ ή 4 -5- 1251615 ΑΊ B7 五、發明説明(2 ) 爲,n s > η時,極小値爲(n s - η2 ) 2 / ( n s + η2 ) 2。該反射率r 於,n2 = ru時,即,η二(ns ) 1/2時成爲最小係數,故單層 膜的折射率η越接近(ns ) 1/2反射率R越小。且,一般光 透過性光學基板爲玻璃(ns= 1.52程度)或聚甲基甲基丙嫌 酸酯(1.49程度)、聚對苯二甲酸乙二酯(ns= 1.54程 度)、三丙烯纖維素(ns= 1.49程度),故單層膜的目標折 射率η爲1.22〜1.24。因此,以單層膜來降低反射率時,該 單層膜的折射率不限於1·22〜1.24以更低折射率者爲佳。 二氧化矽具有優良的較廣波長範圍下之光透過性,且 折射率約1 ·45之較低折射率材料。導入空隙至該二氧化石夕 中形成多孔性二氧化矽,可得到顯示更低折射率的材料。 作爲使用多孔性二氧化矽微粒子製造低折射率的多孔 性二氧化矽薄膜之方法,已知有如下述之方法。 (1 )預先調製出多孔性二氧化矽微粒子,使用黏合劑 固定於基板上,該多孔性二氧化矽微粒子因介黏合劑結合 而形成具有多孔構造之薄膜,其可降低折射率之方法(日 本國特開平3-78946號公報、日本國特開平6-345487號公 幸g、日本國特開平7-48527號公報)、 (2 )製造二氧化矽微粒子溶膠(含有多數矽烷醇基, 而縮合度較爲低者)所成薄膜中,硬化時藉由二氧化矽微 粒子溶膠成長爲多孔性二氧化矽微粒子,而將空隙於微粒 子間(日本國特開2001 - 1 1 5028號公報)、 (3 )調製含有多孔性二氧化矽微粒子之複數成分所成 薄膜時,利用硬化時這成分的收縮率差導入空隙的方法( 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) " ~ ' - 6 - I I 1— . - - - -卜►丨 I - - ^! I • m 务 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1251615 A7 B7 五、發明説明(3 ) 曰本國特開昭62- 1 7044號公報、日本國特開平6-29909 1、 曰本國特開平8-319109號公報)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 但,上述(1 )〜(3 )的方法中有下列方法,欲具有 粒子間的黏著性或與光學基板間的黏著性而能發揮其強度 ,必須添加黏合劑,故有無法提高空隙率,無法得到低折 射率(低反射率)的薄膜之問題。上述(2 )的方法中,欲 求得必要的空隙率,必須於高溫硬化條件下提昇縮合度且 提高粒子的收縮率,故有著熱變形溫度較低之光學薄片基 板或光學薄膜基板上無法製造出充分強度(鉛筆硬度或與 基板之黏接強度)的膜。上述(3 )的方法中,雖使用藉由 酸觸媒調製之鏈狀二氧化矽聚合物與藉由鹼性觸媒調製之 多孔性二氧化矽微粒子作爲2成分,欲提高空隙率,除收 縮率之差以外,多孔性二氧化矽粒子的含有率必須提高, 其結果,有著不能忽視經由這些粒子的光散射,會使光透 明性惡化之問題(霧値超過1 )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由上可知,上述(1)〜(3)的方法中,有著光學薄 膜基板或光學薄片基板尙無法製造出低折射率、高光透過 性、高強度之多孔性二氧化矽薄膜的問題。 另一方面,不使用多孔性二氧化矽微粒子,且可製造 高光透過性之多孔性二氧化矽薄膜之方法,已知有下述方 法。 (4 )調製含有烷氧基二氧化矽或烷氧基二氧化矽的水 解縮聚合物之複數成分所成的薄膜時,經由萃取上述烷氧 基二氧化砂或焼氧基二氧化砂的水解縮聚合物以外之至少 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210X29?公釐) 1251615 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(4 ) 一種成分,進而將均質、比光波長尺寸還小的孔徑之空隙 導入薄膜層中的方法已揭示於(日本國特開平1 -3 1 2501號 公報(對應美國專利第5 1 1 6644號、美國專利第5181142號 )、日本國特開平3- 199043號公報、日本國特開平 7- 140302號公報、日本國特開平1 0- 1 5 80 1 2號公報等)。 上述(4 )的方法所揭示的上述專利文獻中,日本國特 開平3- 1 99043號公報中雖揭示,將單烷基三烷氧基二氧化 矽、聚醚及溶劑(水、乙醇、1 -丁醇的混合溶劑)所成的 塗布液塗布於基板上得到薄膜,硬化薄膜後,薄膜中的聚 醚以乙醇溶出,使其多孔化的方法,此時因使用無機酸或 有機酸作爲硬化促進觸媒,會有成膜中無法得到充分的硬 化度,其強度不充分,於萃取聚醚時薄膜會因膨脹而引起 由基板之剝離的問題。 日本國特開平7- 140302號公報中,前段於無觸媒條件 下經水解縮合烷氧基二氧化矽,鏈狀二氧化矽聚合物成分 較少,故既使於後段添加鹼性觸媒進行硬化亦無法形成強 固的3次元之二氧化矽網路,強度未充分,萃取出開孔材 料進行乾燥時,收縮多孔性膜使其折射率不充分。 且,本發明者的硏究係爲,上述方法中於前段亦使用 鹼性觸媒時,多孔性二氧化矽例子會成長,但因未含鏈狀 二氧化矽聚合物,無法與開孔材料形成均質的二氧化矽/開 孔材料複合體,既使進行萃取處理,因成長的多孔性二氧 化矽粒子引起散射而使光透過率低。且亦有塗佈前沈澱析 出物的狀況(參考本案比較例8 )。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,0装. 訂 冬 1251615 A7 B7 五、發明説明(5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於日本國特開平1 0- 1 5 80 1 2號公報中揭示,烷氧基二氧 化矽的水解縮合於酸觸媒下進行,繼續添加氨水作爲驗性 硬化觸媒得到組成物,然而,使用該組成物於光學薄片基 板或光學薄膜基板上形成多孔性二氧化矽薄膜時,因驗性 觸媒的揮發使得薄膜中的鹼性觸媒濃度會下降,故無法得 到充分的縮合度,且於萃取聚合物開孔材料(具有醯胺鍵 結的有機聚合物)時,會引起二氧化矽由基板的剝離,或 乾燥後收縮,無法得到低折射率的薄膜。如此的薄膜無具 有防止反射效果。 如上述,先前方法中無法得到低折射率、高光透過性 、且高強度的多孔性二氧化矽薄膜。因此開發低折射率、 高光透過性、且高強度多孔性二氧化矽薄膜呈爲一種需求 〇 發明內容 經濟部智慈財產局員工消贽合作社印製 如此狀況下,本發明者欲開發具有優良低折射率、高 光透過性、且高強度的多孔性二氧化矽薄膜,做詳細重複 硏究,其結果意外發現一種組成物,其特徵爲包含特定烷 氧基矽烷於酸觸媒存在下,進行水解縮聚合所得之流動性 二氧化矽前驅物(A )、具有鹼性羥基及/或鹼性氮原子之 鹼性化合物,0.1N的水溶液形式下之pH爲11以上,且 100°C下之蒸氣壓爲1.3kPa以下之鹼性化合物(BO 、及沸 點爲1 00°C以上,與含有該流動性二氧化矽前驅物(A )相 溶之有機化合物(C )的塗佈組成物,該鹼性化合物(B ) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1251615 ____B7 五、發明説明(6 ) 的量’換算成與該鹼性化合物(B )中的該驗性羥基及鹼性 氮原子的總莫耳量時’對1莫耳的該流動性二氧化矽前驅 物(A )中的矽原子而言爲0.001 5〜〇·5莫耳者,使用該組 成物可得到具有上述優良的多孔性二氧化砂薄膜。基於此 見解完成本發明。 因此,本發明的目的之一爲提供一種製造具有低折射 率、局光透過性、且高強度的多孔性二氧化砂薄膜時的塗 佈組成物。 本發明的另一目的爲提供一種使用該塗佈組成物所得 之具有低折射率、高光透過性、且高強度的多孔性二氧化 砂薄膜。 本發明的上述及其他個目的、各特徵其各利益,可參 照圖面由以下詳細說明及申請專利範圍所記載內容可明瞭 〇 本發明即爲提供一種組成物,其特徵爲包含(A )至少 一種選自下述式(1 ): R^SiCOR^^-nd) (式中,各R1分別獨立表示氫原子、碳數1〜10的烷基、 碳數6〜10的芳基、乙烯基、具有乙烯基的碳數3〜10的 有機基、(甲基)丙烯醯基之碳數4〜10的有機基或具有 環氧基的碳數3〜1 0的有機基,各R2分別獨立表示碳數1 〜6的院基,η表不0〜2的整數) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • ϋϋ _ 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 1251615 A7 B7 五、發明説明(7) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 所表示的第一烷氧基矽烷類、及下述式(2 ): (R3〇)3Si-(R4)m-Si(〇R3)2 (2) (式中,各R3分別獨立表示碳數6的烷基、R4表示碳數 1〜6的伸烷基或碳數6〜10的伸芳基,㈤表示〇或1) 所表示的第二烷氧基矽烷類所成群之烷氧基矽烷於酸 觸媒存在下進行水解縮聚合所得之流動性二氧化矽前驅物 Λ (Β )具有至少一種選自鹼性羥基及鹼性氮原子所成群 之鹼性化合物,但,該鹼性化合物(Β )的〇· 1Ν的水溶液 的pH爲1 1以上,且該鹼性化合物(β )的1 〇〇°C下之蒸氣 壓爲1.3kPa以下,及 (C)包含沸點爲i〇〇°C以上,與該流動性二氧化矽前 驅物(A )相溶之有機化合物的塗佈組成物, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該鹼性化合物(B )的量,換算成與該鹼性化合物(B )中的該鹼性羥基及鹼性氮原子的總莫耳量時,對〗莫耳 的該流動性二氧化矽前驅物(A )中的矽原子而言爲0.0015 〜0.5莫耳。 欲更能暸解本發明,以下列舉本發明的基本特徵及較 佳各型態。 1 · 一種組成物,其特徵爲包含(A )至少一種選自下述 式(1 ): 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公麓) -11 - 1251615 A7 B7 五、發明説明(8 ) R1nSl(〇R2)4-n(l) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (式中,各R1分別獨立表示氫原子、碳數1〜10的烷基、 碳數6〜10的芳基、乙烯基、具有乙烯基的碳數3〜10的 有機基、(甲基)丙烯醯基之碳數4〜10的有機基或具有 環氧基的碳數3〜10的有機基,各R2分別獨立表示碳數1 〜6的烷基,η表示〇〜2的整數) 所表不的第一院氧基砂院類、及下述式(2): (R30)3Si-(R4)m-Si(0R3)2 (2) (式中,各R3分別獨立表示碳數1〜6的烷基、R4表示碳數 1〜6的伸烷基或碳數6〜1 0的伸芳基,m表示0或1 ) 所表示的第二烷氧基矽烷類所成群之烷氧基矽烷於酸 觸媒存在下進行水解縮聚合所得之流動性二氧化矽前驅物 Λ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (Β )具有至少一種選自鹼性羥基及鹼性氮原子所成群 之鹼性化合物,但,該鹼性化合物(Β )的0.1Ν的水溶液 的pH爲11以上,且該鹼性化合物(Β)的lOOt下之蒸氣 壓爲1.3kPa以下,及 (C )包含沸點爲1 〇〇°c以上,與該流動性二氧化矽前 驅物(A )相溶之有機化合物的塗佈組成物, 該鹼性化合物(B )的量,換算成與該鹼性化合物(B )中的該鹼性羥基及鹼性氮原子的總莫耳量時,對1莫耳 本紙張尺度適用中國國家標f (CNS ) A4規格(210X 297公麓Ί -12- 1251615 A7 B7 五、發明説明(9) 的該流動性二氧化矽前驅物(A )中的矽原子而言爲0.0015 〜0.5莫耳。 2·如第1項之塗佈組成物,其中該流動性二氧化矽前驅 物(A)的重量平均分子量爲ι,5〇〇〜200,000。 3·如第1項之塗佈組成物,其中該有機化合物(C )爲 具有至少一種選自醚基、酯基、羰基、羧基 '碳酸酯基、 醯胺基及羥基所成群之極性基者。 4·如第3項之塗佈組成物,其中該化合物(C)爲分子 內具有至少3個羥基之多元醇或醣類,或至少一個該多元 醇或醣類的羥基,經酯化所得之酯。 5 ·如第4項之塗佈組成物,其中多元醇、糖或酯之該有 機化合物(C )中,對碳之氧的原子比爲0.5以上者。 6.如第3項之塗佈組成物,其中該有機化合物(C )爲 至少一種選自聚醚、聚酯、聚碳酸酯、聚醯胺、纖維素、 聚乙烯醇、聚乙烯醚、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯醯胺及聚 丙烯酸所成群之聚合物。 7 ·如第1項之塗佈組成物,其中該酸觸媒爲陽離子交換 樹脂。 8. 如第1項之塗佈組成物,其中該鹼性化合物(B )爲 至少一種選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、四烷基銨氫氧化物所 成群之化合物。 9. 如第1項之塗佈組成物,其中該鹼性化合物(B )的 量,換算成與該鹼性化合物(B )中的該鹼性羥基及鹼性氮 原子的總量時,對1莫耳的該流動性二氧化矽前驅物(A ) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】0X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) "口 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -13- 1251615 A7 B7 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 五、發明説明(1() 中的矽原子而言爲0.005〜0.08莫耳。 1 0 ·如第1項之塗佈組成物,其中更含有欲混合該流動 性二氧化矽前驅物(A )、該鹼性化合物(B )及該有機化 合物(C )之溶劑(D )。 11. 如第1 0項之塗佈組成物,其中該溶劑(D )爲,具 有羥基且沸點爲l〇〇°C以上之高沸點溶劑,對該塗佈組成物 之重量而言含有5重量%以上。 12. 如第1項之塗佈組成物,其中更含有對100重量份 的該流動性二氧化矽前驅物(A )而言爲1〜50重量份的比 率之四烷基銨鹽(E)。 13. 如第1項之塗佈組成物,其可使用於防止反射膜。 14. 一種多孔性二氧化矽薄膜,其特徵爲由包含以下步 驟: (1 )塗佈第1至1 3項中任一項之塗佈組成物於基板 上,形成該組成物的薄膜之步驟,但,該薄膜含有分散該 鹼性化合物(B )及該有機化合物(C )所成之該流動性二 氧化砂前驅物(A )、 (2 )硬化該薄膜,藉此得到該流動性二氧化矽前驅物 (A )轉化成二氧化矽的硬化薄膜之步驟、及 (3 )該硬化薄膜施予溶劑萃取後,由該硬化薄膜中除 去該有機化合物(C ),而得到多孔性二氧化矽薄膜的步驟 等之方法所得者。 15. 如第14項之多孔性二氧化矽薄膜,其中使用於步驟 (3 )萃取之溶劑爲極性溶劑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
V 訂 春 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 14 1251615 A7 __B7 五、發明説明(U) 以下對本發明做詳細說明。
本發明的塗布組成物係含有流動性二氧化矽前驅物(A )、鹼性化合物(B )、及有機化合物(C )作爲必須成分 〇 首先對流動性二氧化矽前驅物(A )做詳細說明。流動 性二氧化矽前驅物(A )如下述式(1 ): R1nSi(〇R2)4-n(l) (式中’各R1分別獨立表示氫原子、碳數1〜1〇的烷基、 碳數6〜10的芳基、乙儲基、具有乙燒基的碳數3〜1〇的 有機基、(甲基)丙烯醯基之碳數4〜10的有機基或具有 環氧基的碳數3〜1 0的有機基,各R2分別獨立表示碳數1 〜6的烷基,n表示〇〜2的整數) 所表不的第一院氧基砂院類、及下述式(2): (R3〇)3Si-(R4)m-Si(〇R3)2 (2) (式中,各R3分別獨立表示碳數1〜6的烷基、R4表示碳數 1〜6的伸烷基或碳數6〜1 0的伸芳基,m表示〇或1 ) 所表示的第二烷氧基矽烷類所成群之烷氧基矽烷於酸 觸媒存在下進行水解縮聚合所得之流動性二氧化矽前驅物 〇 對上述式(1 )所表示的第一烷氧基二氧化矽類做說明 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公楚) ~ 念 -15- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慈財產局S(工消費合作社印製 1251615 Α7 Β7 五、發明説明( 。式(1 )中η爲〇時,即Si(〇R2)4稱爲四官能性烷氧基二 氧化砂。η爲1時,即R1 (S i) (0 R2) 3稱爲二官能性院氧基砂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 院。η爲2時,即RySiMOR2)。稱爲二官能性烷氧基二氧化 石夕。 式(1 )中的R1之碳數爲1〜10的烷基具體例可舉出甲 基、乙基、丙基、異丙基、及環己基,碳數6〜10的芳基 具體例可舉出苯基及甲苯基,具有乙烯基的碳數3〜10之 有機基具體例可舉出烯丙基、1-丙烯基、卜丁烯基、2-丁烯 基 '及3-丁烯基,具有(甲基)丙烯醯基的碳數4〜10的 有機基之具體例可舉出丙烯氧甲基、丙烯氧乙氧基、丙烯 氧丙基、甲基丙烯氧基氧基、甲基丙烯氧基乙基、及甲基 丙烯氧基丙基,具有環氧基的碳數3〜10的有機基具體例 可舉出2,3·環氧基丙基、3,4-環氧基丁基、4,5-環氧基戊基 、5,6-環氧基己基、3,4-環氧基環己基及3-環氧丙氧基丙基 。式(1 )中作爲R2的碳數1〜6烷基具體例可舉出甲基、 乙基、丙基、異丙基、異丁基及環己基等。 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 作爲上述4官能性烷氧基矽烷之具體例,可舉出四甲 氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四(正丙氧基)矽烷、四異丙 氧基矽烷 '四(正丁氧基)矽烷、四(第三丁氧基)矽烷 等。上述3官能性烷氧基矽烷具體例可舉出三甲氧基矽烷 、三乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷 、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、丙基三甲氧基 矽烷 '丙基三乙氧基矽烷、異丁基三乙氧基矽烷、環己基 三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、 本紙張尺ϋ用中國國家標準(CMS ) A4規格(210X 297公釐) ' ' -16- 1251615 A7 B7 五、發明説明(1含 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲 氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、r-丙烯氧丙基三甲氧基 矽烷、T-甲基丙烯氧三甲氧基矽烷、r-環氧丙氧基丙基三 曱氧基矽烷等。作爲上述2官能性烷氧基矽烷的具體例子 可舉出二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二苯 基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷等。這些烷氧基矽 烷可單獨使用,或混合2種以上使用。這些烷氧基矽烷中 特別以四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、三甲氧基矽烷、三 乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、二 甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷爲佳。 對上述式(2 )所表示的第2烷氧基矽烷類做說明。第 2烷氧基矽烷類2個3官能烷氧基矽烷直接、或藉由伸烷基 或伸芳基所鍵結者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作爲式(2)中的R3之碳數1〜6烷基具體例可舉出甲 基、乙基、丙基、異丁基、及環己基。又,作爲式(2)的 R4之碳數1〜6的伸烷基具體例可舉出伸甲基、伸乙基、伸 丙基、伸丁基、異伸丁基及環己基,作爲碳數6〜10的伸 芳基具體例可舉出伸苯基、2-甲基-1,4-伸苯基及2,5-二甲 基-1,4 -伸苯基。 作爲第2烷氧基矽烷類具體例可舉出雙(三甲氧基甲 矽烷基)甲烷、雙(三乙氧基甲矽烷基)甲烷、1,2-雙(三 甲氧基甲矽烷基)乙烷、1,2-雙(三乙氧基甲矽烷基)乙烷 、1,4-雙(三甲氧基甲矽烷基)苯基、雙(三乙氧基甲 矽烷基)苯基、雙(三乙氧基)二矽烷等。這些烷氧基矽 本紙ί長尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】〇X 297公釐) 一 -17- 1251615 Α7 Β7 五、發明説明(4 烷可單獨使用、或混合2種以上使用。這些烷氧基矽烷中 特別以雙(三甲氧基甲矽烷基)甲烷、雙(三乙氧基甲矽 烷基)甲烷、1,2-雙(三甲氧基甲矽烷基)乙烷、1,2-雙( 三乙氧基甲矽烷基)乙烷爲佳。 本發明中以使用第1烷氧基矽烷類爲佳。 又,第1烷氧基矽烷類與第2烷氧基矽烷類並用時, 所得的薄膜與基板之粘著性會更提高故較佳。例如,僅使 用3官能的第1烷氧基矽烷所得之多孔性二氧化矽薄膜, 與並用3官能的第1烷氧基矽烷與第2烷氧基矽烷類並用 時所得之多孔性二氧化矽薄膜做比較,可推測爲因與基板 的鍵結力較爲弱之烷基,存在於與基板的粘著界面上之比 率減少,使薄膜與基板的粘著性提高。 第1烷氧基矽烷類與第2烷氧基矽烷類並用時,第2 烷氧基矽烷類的量,對1 00重量份的第1烷氧基矽烷類而 言較佳爲5〜500重量份,更佳爲20〜300重量份。若未達 5重量份無法得到提高上述粘著性之效果。 本發明中,例如作爲提高薄膜表面的滑性或提高薄膜 防濕性爲目的,改性所得之多孔性二氧化矽薄膜時,使用 第1烷氧基矽烷類及/第2烷氧基矽烷類同時具有上述式(1 )中η爲3的構造之1官能性烷氧基矽烷爲佳。該1官能 性烷氧基矽烷的具體例子可舉出三甲基甲氧基矽烷、三甲 基乙氧基矽烷、三苯基甲氧基矽烷、三苯基乙氧基矽烷、 苯基二甲基甲氧基矽烷、苯基二甲基乙氧基矽烷、二苯基 甲基甲氧基矽烷、二苯基甲基乙氧基矽烷。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 衣. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- 1251615 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(1自 這些1官能性院氧基的量,對合計1莫耳的院氧基矽 烷而言爲0·2莫耳以下。若超過0.2莫耳,成膜時與基板粘 著性降低、或無法得到低折射率的薄膜。 又,本發明中,例如以提昇強度爲目的,欲改性所得 之多孔性二氧化砂薄膜時,以不損害低折射率性能的範圍 內,添加矽以外的金數烷氧化物(例如,鋁、鈦、銷等院 氧化物等)爲佳。作爲上述烷氧化物的具體例子可舉出三 甲氧基鋁、三乙氧基鋁、三丙氧基鋁、三丁氧基鋁、四甲 氧基欽、四乙氧基鈦、四丙氧基鈦、四丁氧基欽、四丙基 鉻酸鹽、四丁基鍩酸鹽等。 這些除砂以外的金屬院氧化物之添加量,對1莫耳本 發明的組成物中矽而言爲0.2莫耳以下。超過〇.2莫耳時, 無法得到成膜時的高透過性或無法得到低折射率性。 流動性二氧化矽前驅物(A )爲,至少一種選自上述第 1烷氧基矽烷類及上述第2烷氧基矽烷類所成群之烷氧基砂 烷於酸觸媒存在下經水解縮合所得者。流動性二氧化矽前 驅物(A )爲線狀二氧化矽聚合物。該線狀二氧化砂聚合物 並非僅爲單鏈的線狀二氧化矽聚合物,亦包含具有梯形結 構或支鏈狀構造之聚合物。作爲單鏈的線狀二氧化矽聚合 物例子,可舉出具有作花濟大「溶膠_膠體法的科學」(日 本國(股)鎂承風公司出版,1 988年)中第58頁所記載式 (5 · 3 )或第5 9頁所記載的式(5.7 )所表示的構造之縮合 物。又,作爲具有梯形結構的聚合物的例子可舉出具有 C.J.Brinkei·,G.W· Scherer「Sol-gel science:the phy Si cs and 、-口 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 6 -19 - 1251615 A7 B7 五、發明説明(1白 chemistry of sol-gel processing」(美國 Academic Press, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 990 )的第210頁所記載的式(61)所表示的構造之縮合物 〇 流動性二氧化矽前驅物(A )的重量平均分子量一般爲 1,500〜200,000,較佳爲 2,000 〜100,000,更佳爲 2,500〜 5 0,000,特佳爲5,000〜50,000。重量平均分子量若未達 1,500時,所得之多孔性二氧化矽薄膜之低折射率性、高光 透過性及強度並未充分。又,超過200,000時含有不溶成分 (後述的二氧化矽粒子)的可能性會提高,多孔性二氧化 矽薄膜的高光透過性可能會不充分。且該重量平均分子量 爲經由凝膠滲透層析法之標準單分散聚乙二醇所換算的値 〇 且,流動性二氧化矽前驅物(A )經由硬化形成二氧化 石夕。本發明中,「二氧化砂」表示爲流動性二氧化砂前驅 物(A)中的矽烷醇經縮合反應變換成矽氧烷鍵結而形成, 具有連繫成3次元的強固矽氧烷鍵結之網路,藉由此不具 流動性之固體。有關該二氧化矽,不可能測定其分子量。 經濟部智慧財產局與工消費合作社印製 如上述本發明的塗佈組成物爲含有流動性二氧化矽前 驅物(A )、鹼性化合物(B )、及有機化合物(C )。有機 化合物(C )與流動性二氧化矽前驅物(A )可相溶,故對 塗布組成物的薄膜而言,有機化合物(C )可均地分散於流 動性二氧化砂前驅物(A )中。驗性化合物(B )具有二氧 化矽縮合能,故經由硬化塗布組成物的薄膜,得到上述二 氧化矽所成之硬化薄膜。又,有機化合物(C )作爲開孔劑 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2I0X 297公釐) -20- 1251615 A7 B7 五、發明説明(17) 作用(即,藉由溶劑萃取將硬化薄膜除去有機化合物(C ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) )’故可導入多數對光波長尺寸而言極小、且均質的孔, 形成低折射率、高光透過性、且高強度之多孔性二氧化矽 薄膜。有關上述成分(B )及(C )於後詳細說明。 使用於上述烷氧基矽烷的水解縮聚合之酸觸媒,僅爲 酸類即可並無特別限制。作爲具體例可舉出鹽酸、硝酸、 磷酸、醋酸、草酸、苯二酸、安息香酸、間甲苯基磺酸、 陽離子交換樹脂等。 作爲陽離子交換樹脂,以具有磺酸官能基之強酸性陽 離子交換樹脂或具有羧酸官能基之弱酸性陽離子交換樹脂 爲佳,官能基爲使用氫離子型。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 這些酸觸媒的添加量,對1莫耳含於上述烷氧基矽烷 中的矽原子而言爲較佳爲〇_〇〇〇〇〇 1〜〇.丨莫耳,更佳爲 0.00001〜0.01莫耳(且,酸觸媒爲陽離子交換樹脂時之酸 觸媒莫耳量以離子交換基的莫耳量表示)。酸觸媒的量比 0.000001莫耳少時,會有鏈狀二氧化矽聚合物的生成無法 充分進行之情況。又,比〇· 1莫耳大時,上述烷氧基矽烷中 天加水經水解縮聚合所得之含流動性二氧化矽前驅物(A ) 的反應液之粘度顯著變大。 對於烷氧基矽烷於酸觸媒存在下經水解縮聚合製造流 動性二氧化矽前驅物(A )的方法做說明。水解縮聚合烷氧 基矽烷時水爲必需品,故於烷氧基矽烷中添加水。烷氧基 矽烷中添加水時,一般以單獨、或如後述添加與至少一種 的丨谷;=4 ( D )混合之水丨谷液’或以水蒸氣的形式加入亦可。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2I0X297公釐) 21 - 1251615 A7 B7 五、發明説明(1每 若急速添加水時,會依烷氧基矽烷種類而過於快速水解與 縮合而會有產生沈澱之情況,故可使用花充分時間添加水 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的方法、共存醇類等溶劑使其均勻化之方法、低溫下添加 之方法等,可單獨或組合使用爲佳。 水的添加量對1莫耳的含於烷氧基矽烷的烷氧基而言 一般爲1〜100莫耳,較佳爲1〜10莫耳。比100莫耳高時 流動性二氧化矽前驅物(A )的生成速度會會有減慢的現象 〇 且,作爲酸觸媒使用陽離子交換樹脂時,調製流動性 二氧化矽前驅物(A )後,以過濾等公知的方法除去陽離子 交換樹脂。 使用複數的烷氧基矽烷製造流動性二氧化矽前驅物(A )時,混合複數烷氧基矽烷的同時可進行於酸觸媒的水解 縮聚合,各獨立的烷氧基矽烷於酸觸媒下進行水解縮聚合 後可混合使用。 其次,對鹼性化合物(B )做說明。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 鹼性化合物(B )爲具有至少一種選自鹼性羥基及鹼性 氮原子所成群。所謂鹼性氮原子,意味著含有顯示鹼性的 含氮官能基之氮原子。後述式(3 )所表示的鹼性化合物中 的氮原子並非鹼性氮原子。式(3 )所表示的鹼性化合物爲 具有鹼性羥基者。 鹼性化合物(B )的0· 1 N之水溶液爲PH1.1以上。所 謂鹼性化合物(B )的0.1 N的水溶液,使該水溶液中的鹼 性羥基及鹼性氮原子的總莫耳數爲0.1莫耳dm·3,將鹼性化 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) -22- 1251615 Α7 Β7 五、發明説明(1令 合物(B )溶解於水所得之水溶液。且’該水溶液的pH爲 一般使用pH測試儀於約20°C的室溫下進行測定的値。pH 比11小時,無法得到充分的縮合度’薄膜由基板脫離,無 法得到折射率低的薄膜。又,組成物保管時恐怕有其粘度 上昇、組成物無法塗佈於基板上。 鹼性化合物(B)的100°C下的蒸氣壓必須爲1.3kPa以 下,較佳爲0.8kPa以下,較佳爲〇.4kPa以下。i〇〇°c下的 蒸氣壓若超過1.3kPa時,無法得到低折射率的薄膜。其理 由推測爲使用100°C下的蒸氣壓超過1.3kPa之鹼性化合物 時,後述的硬化步驟中因鹼性化合物會揮發,故無法得到 充分的硬化縮合度。 且,下述式(3 ): R5R6R7R8NOH ( 3 ) (式中,R5、R6、R7、Rs表示獨立的碳數1〜10的烷基、這 些分別與氮素鍵結)、 或下述式(4):
M (〇H) X (式中,Μ表不驗金屬或驗土類金屬’ X表不1或2) 所表示的鹼性化合物時,鹼性化合物實質上並無蒸氣 壓(溶液中的離子性高,離子分離,蒸氣壓幾乎爲0),但 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 29*7公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·!·裝· "口 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -23 - 1251615 A7 B7 五、發明説明(2() 如此化合物於100°C的蒸氣壓可推測爲Ukpa以下。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 鹼丨生化δ物的黑氣壓可依據日本化學會編「第4版實 驗化學_座4熱·壓力」(1 9 9 2年,日本國九善股份有限 公司發行)之第381頁所記載的沸點法進行測定。且,無 表不0 · 1 k P a、1 0 0 C下的沸點之驗性化合物於1 下之蒸 氣壓爲未達0· 1 kPa。又,氨水時,因氨的揮發性蒸氣壓可 能超過1.3kPa。 作爲鹼性化合物(B )的較佳例子,可舉出無機驗基、 四院基鏡氫氧化物、有機鹼基。作爲無機鹼基的例子可舉 出氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰。作爲四烷基銨氫氧化 物可舉出四甲基鏡氫氧化物、四乙基鏡氫氧化物、四丙基 銨氫氧化物、四丁基銨氫氧化物、2·羥基乙基三甲基銨氫 氧化物。作爲有機鹼基的例子,重量平均分子量爲丨3 〇〜 100,000、較佳爲130〜50,000,更佳爲HO〜1〇,〇〇〇之聚伸 經濟部智態財產局員工消費合作社印製 烷基亞胺。作爲如此聚伸烷基亞胺,聚合二伸丙基三胺、 三伸乙基四胺、四伸乙基五胺、及伸乙基亞胺所得之重量 平均分子量爲2 00〜100,000,較佳爲200〜50, 〇〇〇,更佳爲 200〜10,000之鏈狀或支鏈狀聚伸乙基亞胺。 鹼性化合物(B )的量,鹼性化合物(B )中的該鹼性 羥基及鹼性氮原子的總莫耳數做換算時,對丨莫耳的流動 性二氧化矽前驅物(A)中之矽而言爲0.01 5〜〇.5莫耳,較 佳爲0.002〜0.2莫耳、更佳爲0.005〜〇·〇8莫耳。鹼性化合 物(B)的量比0.0015莫耳少時,有萃取中二氧化矽薄膜由 基板剝離,無法得到折射率低的薄膜之情況。又,驗性化 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -24 - 1251615 A 7 B7 五、發明説明(21) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 口物(B )的i多fe 〇·001 5莫耳時,所得之多孔性二氧化砂 薄膜之光透過率會下降。且,流動性二氧化矽前驅物(A ) 中所殘存的酸觸媒量對1莫耳的流動性二氧化矽前驅物(A )中之砂而曰右爲0.1旲耳以上時,前述驗性化合物(B) 量之上限値0.5莫耳中,可添加欲中和而追加酸當量之鹼性 化合物(B )。 對1莫耳之含於流動性二氧化矽前驅物中的全矽原子 而言,驗性化合物中的鹼性羥基及鹼性氮原子之總莫耳量 ,可由烷氧基矽烷使用量及鹼性化合物添加量計算出。 對有機化合物(C )做說明。有機化合物(c )爲沸點 爲100°C以上,較佳爲150°C以上,更佳爲200°C以上,特 佳爲250°C以上。沸點爲常壓下之値。對於實質上無顯示沸 點之化合物,可考慮爲沸點爲1 〇〇°C以上。例如,若提高有 機聚合物的溫度,會引起熱分解,故實質上無顯示沸點, 但如此有機聚合物的沸點可推測爲1 〇〇。(:以上之化合物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 沸點未達1 00°C時,既使’添加多量的有機化合物(C ) ,成膜中會揮散使成膜時的有機化合物含有量會減少,無 法導入充分的孔。 有機化合物(C )必須爲與流動性二氧化矽前驅物(A )相溶者。有機化合物(C )與流動性二氧化矽前驅物(A )相溶,意味著兩者以分子尺寸的階級下混合。若不相溶 所得之多孔性二氧化矽薄膜的光透過性會降低。且,有機 化合物(C)與流動性二氧化矽前驅物(A )相溶之溫度, 以室溫至成膜溫度之範圍爲佳。與流動性二氧化矽前驅物 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -25· 1251615 A7 B7 五、發明説明(2会 (A)相溶的化合物例子,可舉出具有矽烷醇基與羥基鍵結 且相溶的官能基或鍵結的化合物。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 作爲有機化合物(C )的例子,具有至少一種選自醚基 、酯基、羰基、碳酸鹽基、醯胺基及羥基所成群之極性基 的有機化合物。且,該醯胺基爲-C〇NH2、-C〇NH_、-C〇N< 所表示的基之總稱。 作爲有機化合物(C )之具體例子,可舉出聚醚、聚酯 、聚碳酸酯、聚醯胺、纖維素、聚乙烯醇、聚乙烯醚、聚 乙烯吡咯烷酮、聚丙烯醯胺及聚丙烯酸。 作爲上述聚醚,以具有碳數爲2〜12的醚基作爲重複 單位之脂肪族聚酯爲佳。作爲上述聚酯,以具有碳數爲2〜 1 2的醚基作爲重複單位之脂肪族聚酯爲佳。作爲上述聚碳 酸酯’以具有碳數爲2〜1 2的碳酸酯基作爲重複單位之脂 肪族聚碳酸酯爲佳。作爲上述聚醯胺,以具有碳數爲2〜Ϊ 2 的碳酸酯基作爲重複單位之脂肪族聚醯胺爲佳。可單獨使 用上述聚合物或混合使用。又,聚合物的主鏈,以不損害 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的效果的範圍內,可含有上述重複單位以外的任意 單體。 作爲脂肪族聚醚的例子,可舉出聚乙二醇、聚丙二醇 、聚三甲二醇、聚四甲二醇、聚五甲二醇、聚六甲二醇、 聚氧雜戊環、聚氧雜己環等之聚烷二醇。又,這些可爲共 聚物。作爲共聚物的例子,可舉出聚乙二醇-聚丙二醇嵌段 共聚物、聚乙二醇-聚四甲二醇嵌段共聚物、聚乙二醇-聚丙 二醇-聚乙二醇嵌段共聚物。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X 297公楚) -26- 1251615 A7 B7 五、發明説明(2$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中,以聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇-聚丙二醇嵌 段共聚物、聚乙二醇-聚四甲二醇嵌段共聚物、聚乙二醇-聚 丙二醇-聚乙二醇嵌段共聚物爲佳。較佳爲脂肪族聚醚的所 有末端爲具有碳數1〜12的烷氧基者,作爲具體例子,可 舉出聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇-聚丙二醇嵌段共聚物 、聚乙二醇-聚四甲二醇嵌段共聚物、聚乙二醇-聚丙二醇― 聚乙二醇嵌段共聚物之兩末端爲甲醚、乙醚、丙醚、戊醚 '己醚、庚醚、辛醚。最佳脂肪族聚醚爲聚乙二醇二甲醚 。因末端具有烷氧基,故硬化塗佈組成物的薄膜所得之硬 化薄膜中除去有機化合物之脂肪族聚合物時的殘留物可減 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作爲脂肪族聚酯的例子,可舉出聚己內酯、具戊內酯 等內酯的開環聚合物、聚伸乙基草酸酯、聚伸乙基琥珀酸 酯、聚伸乙基己二酸酯、聚伸乙基癸二酸酯、聚伸丙基己 二酸酯、聚氧二伸乙基己二酸酯等二羧酸與烷二醇之縮聚 物、環氧化物與酸酐之開環共聚物等。且,上述的烷二醇 表示,將未鍵結於碳數2以上鏈烷上同一碳原子之2個氫 原子’分別以羥基取代所得之2電子價醇。所謂二羧酸意 味著具有2個如草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸 、更二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸等之羧基的有機酸。 作爲脂肪族聚碳酸酯的例子,可舉出聚伸乙基碳酸酯 、聚伸丙基碳酸酯、聚五伸甲基碳酸酯、具六伸甲基碳酸 酯等之聚碳酸酯。 作爲脂肪族聚醯胺的例子,可舉出聚噁唑啉衍生物、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2]0X 297公釐) -27- 1251615 A7 B7 五、發明説明(24) 聚亞胺衍生物、聚胺基甲酸乙酯衍生物、聚尿素衍生物、 尼龍衍生物、及這些混合物。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 且,以不損害本發明的效果之程度範圍內,例如可因 改善粘度調整或塗佈特性等之目的而添加上述以外的任意 聚合物。 作爲有機化合物(C )所使用的上述聚醚、聚酯、聚碳 酸酯、聚醯胺、纖維素、聚乙烯醇、聚乙烯醚、聚乙烯吡 D各烷酮、聚丙烯醯胺及聚丙烯酸所成群之有機聚合物的重 量平均分子量一般爲200〜100,000,較佳爲300〜80, 〇〇〇, 更佳爲400〜5 0,000。重量平均分子量若未達200時,塗佈 步驟或硬化步驟下聚合物成分較易分離,可能無法得到具 有微細孔的薄膜。又,若重量平均分子量超過1 〇〇,〇〇〇時, 聚合物會殘留於硬化薄膜中,無法得到多孔性二氧化矽薄 膜的可能性提高。且,該重量平均分子量爲經凝膠滲透層 析法之標準單分散聚乙二醇所換算的値。 經濟部智慧財產局a(工消費合作社印製 又’由溶劑萃取出有機化合物(c)之觀點來看,與比 前述聚合物更提高萃取速度時,以有機化合物(c )爲分子 內具有至少3個羥基之多元醇或醣類,或酯化至少一個的 該多元醇或醣類羥基得到之酯爲佳。此時,有機化合物(C )中對氮素的氧原子比爲〇.5以下爲佳。又,上述多元醇、 醣類、酯的分子量爲1,〇〇〇以下爲佳。可使用混合上述多元 醇、醣類、酯類者。對碳的氧原子比係由有機化合物的分 子式計算出。混合使用時,對所含有的總碳莫耳數之總氧 原子莫耳數之比爲原子比。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -28- 1251615 A7 B7 五、發明説明(25) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 作爲多兀醇的例子,可舉出甘油、季戊四醇、二季戊 四醇' 三羥甲基丙烷、二三羥甲基丙烷等、及木糖醇、甘 露糖醇、山梨糖醇等的糖醇或肌醇等環狀糖醇。作爲醣類 可舉出葡萄糖、果糖、半乳糖、甘露糖等的單醣類之環狀 構造者,及麥芽糖、蔗糖、乳糖、纖維二糖等二醣類之環 狀構造以糖苷鍵結所連接者。又,作爲酯,以具有羥基的 氫原子經乙醯基取代之構造爲佳。 上述的多元醇、糖、酯中,甘油基三乙酸酯或蔗糖八 乙酸酯爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有機化合物(C )的量爲,對流動性二氧化矽前驅物( A)的製造中所使用的烷氧基矽烷全量經水解縮合所得之1 重量份二氧化矽而言,一般爲0.1〜1〇重量份,較佳爲0.5 〜5重量份,更佳爲0.5〜3重量份(以下對該二氧化矽之 有機化合物(C )之重量比,有時稱爲有機化合物(C )的 對二氧化矽重量比)。有機化合物(C )的量比0.1重量份 少時,無法得到賦予實用低折射率之多孔性二氧化矽薄膜 。又,有機化合物(C )的量若比1 〇重量多時,恐怕於萃 取時引起薄膜由基板剝離。 如上述,本發明的塗佈組成物含有流動性二氧化矽前 驅物(A )、鹼性化合物(B )、有機化合物(C )作爲必須 成分。以下對雖並非塗佈組成物之必須成分但含有時較佳 之成分做說明。 本發明的塗佈組成物更含有,欲對基板的塗佈更容易 (較易成膜)的溶劑(D )、及/或欲抑制塗佈組成物的黏 本紙張尺度適用中國國家摞準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -29- 1251615 A7 B7 五、發明説明(26) 度變化之四烷基銨鹽(E )爲佳。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 對溶劑(D )做說明。溶劑(D )係爲欲混合流動性二 氧化矽前驅物(A )、鹼性化合物(B )及有機化合物(C ) 時的溶劑。又,塗佈後因必須使溶劑(D )蒸發,固溶劑( D)中含有揮發性溶劑爲佳。又,溶劑(D )以對基板不會 顯著溶解者爲佳。 藉由添加溶劑(D ),可適宜調節流動性二氧化矽前驅 物(A)對塗佈組成物全體的重量比。溶劑(D )以使流動 性二氧化矽前驅物(A )對塗佈組成物全體的重量而言爲 0.01〜10重量%的範圍之添加量爲佳,添加至〇.〇5〜5重量 %範圍爲更佳。流動性二氧化矽前驅物(A )的量降爲0.01 重量%時,有無法得到必要膜厚之傾向。另一方面,流動 性二氧化矽前驅物(A )的量提升至1 0重量%時,塗佈組 成物的粘度過於高而有成膜作業性降低之傾向。 經濟部智慈財產局資工消費合作社印製 作爲彳谷劑(D )的例子,可舉出水、碳數1〜6的一元 醇、碳數1〜6的二元醇、甘油等醇類 '甲醯胺、N-甲基甲 醯胺、N·乙基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲 醯胺、N-甲基乙醯胺、N·乙基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺 、N,N-二乙基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮等醯胺類、四氫呋 喃、二乙醚、二(正丙基)g迷、二異丙|迷、Diglyme、1,4-二噁烷、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇二甲醚、 乙二醇二乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇二 曱醚等之醚類、甲酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乳酸乙 酯、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單甲醚二乙酸酯、丙二 1紙^^^用中國國家標準(匚~$)/\4規格(210、乂 297公釐) ~ -30- 1251615 A7 B7 五、發明説明(27) 醇單甲醚乙酸酯、碳酸二乙酯、碳酸乙烯酯、碳酸丙酯等 酯類 '丙酮、甲基乙酮、甲基丙酮、甲基(正丁基)酮、 甲基異丁基酮、甲基鋁酮、環戊酮、環己酮等酮類、乙腈 基、丙腈基、正丁腈基、異丁腈基等腈基類、二曱基亞碼 '二甲基碼、環丁碼。這些溶劑可單獨使用,或混合使用 °又,可混合其他任意溶劑或添加物。 作爲溶劑(D)的較佳例子,可舉出碳數1〜6的一元 醇類或乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、丙 二醇單乙醚等烷醇醚類中混合水貨甲基乙酮或甲基異丙酮 者。 由可得到基板上多孔性二氧化矽薄膜表面之平坦性之 觀點來看,溶劑(D )爲具有羥基且沸點爲1 00°C以上之高 沸點溶劑,以對該塗佈組成物之重量而言含有5重量%者 爲佳。高沸點溶劑的量以5〜99.99重量%爲佳,較佳爲5 〜99.95重量%,特佳爲5〜99.7%。 具有羥基且沸點爲1 00°C以上之高沸點溶劑的較佳例子 可舉出水、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚 、丙二醇單乙醚。 以下對四烷基銨鹽(E )做說明。使用本發明的塗佈組 成物所得之多孔性二氧化矽薄膜作爲反射防止膜使用時, 若變化多孔性二氧化矽薄膜之膜厚時,藉此反射光的色調 產生變化可能會有斑點出現。因此,放置本發明的塗佈組 成物時’或攪拌時的組成物粘度變化小爲佳。欲抑制粘度 變化使用四烷基銨鹽(E )。使用四烷基銨鹽(E )時同時 本纸張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 - A7 1251615 B7 五、發明説明(28) 使用可溶解四烷基銨鹽(E )的溶劑(D )爲佳。 四院基銨鹽(E )並無特別限定。四烷基銨鹽(E )的 較佳例子’下述式(5 ) · R9R10R11R12NX ( 5 ) (式中,R9、R1G、Ru、R12分別獨立表示碳數1〜1〇的烷 基、與各氮原子鍵結,X表示鹵素原子) 所表示的四烷基銨鹽。具體例子可舉出氯化四乙基銨 、溴化四乙基銨、氯化四丙基銨、溴化四丙基銨、氯化四 丁基銨、溴化四丁基銨、氯化三辛基銨、溴化三辛基銨等 〇 四烷基銨鹽(E)的量,對100重量份的流動性二氧化 矽前驅物(A )而言以]〜50重量份爲佳。未達1重量份時 ,難以表現粘度變化的抑制效果。又,若超過5 0重量份時 ,多孔性二氧化矽薄膜中會殘留一部份的四烷基銨鹽(E ) ,可能會降低薄膜的耐久性。 且’流動性二氧化矽前驅物(A )爲具有(甲基)丙烯 醯基的有機基時,作爲本發明組成物的一成分,以添加偶 氮基系或過氧化物系等之自由基聚合起始劑、或乙醯苯類 、二苯甲酮類、酮縮醇類、蒽醌類等之光自由基聚合起始 劑爲佳。 流動性二氧化矽前驅物(A )爲具有環氧基之有機基時 ’驗性化合物(B )作爲聚合起始劑作用。故該情況下由保 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】〇χ 297公釐) "~'" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32- 1251615 A7 B7 五、發明説明(29) 存安定性的層面上來看,塗佈鹼性化合物(B )前添加爲佳 ,使用可混合2種以上的溶液而塗佈之塗佈設備爲佳。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下,對本發明的塗佈組成物之製造方法做說明。 流動性二氧化矽前驅物(A )、鹼性化合物(B )、有 機化合物(C )的添加順序無特別限定,但最初混合流動性 二氧化矽前驅物(A )與有機化合物(C ),再添加鹼性化 合物(B )爲佳。 依上述順序添加時,最初於溶劑(D )中添加流動性二 氧化矽前驅物(A )與有機化合物(C ),於此再添加溶劑 (D)與鹼性化合物(B )的混合物做成溶液更佳。 作爲流動性二氧化矽前驅物(A ),可直接使用於酸觸 媒存在下添加水進行水解縮合反應所得之反應液,但以公 知方法濃縮反應液者,或使用以公知方法由反應液單離流 動性二氧化矽前驅物(A )者爲佳。濃縮時,於預先含有流 動性二氧化矽前驅物(A )之反應液中混合有機化合物(C )/或溶劑(D )再進行濃縮爲佳。 經濟部智慈財產局資工消費合作社印製 且,有機化合物(C )對流動性二氧化矽前驅物(A ) 的相溶速度過慢時,於水解縮聚合烷氧基矽烷前,或水解 縮聚合烷氧基矽烷中添加有機化合物(C )爲佳。此爲可提 升流動性二氧化矽前驅物(A )與有機化合物(C )的相溶 性。 欲均勻混合,使用公知的攪拌方法將含有流動性二氧 化矽前驅物(A )、鹼性化合物(B )、有機化合物(C ) 的混合物於室溫〜5 0 °C的溫度下進行攪拌混合爲佳。攪拌 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -33 - 1251615 A7 B7 五、發明説明(30) 時間並無特別限定,較佳爲5分鐘至24小時,更佳爲5分 鐘〜5小時,特佳爲5分鐘〜2小時。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用本發明的塗佈組成物所得之多孔性二氧化矽薄膜 ,可適用於被覆光學元件及眼鏡等鏡片、顯示裝置之螢幕 等之反射防止膜。 以下對多孔性二氧化矽薄膜之製造方法做說明。 本發明的多孔性二氧化矽薄膜,由下述步驟: (1 )塗佈上述塗佈組成物於基板上,形成該組成物的 薄膜之步驟,但,該薄膜含有分散該鹼性化合物(B )及該 有機化合物(C )所成之該流動性二氧化矽前驅物(A )、 (2 )硬化該薄膜,藉此得到該流動性二氧化砂前驅物 (A)轉化成二氧化砂的硬化薄膜之步驟、及 (3 )該硬化薄膜施予溶劑萃取後,由該硬化薄膜中除 去該有機化合物(C ),而得到多孔性二氧化矽薄膜的步驟 等之方法所得者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明所使用的基板雖無特別限制,但可使用玻璃板 、塑膠板、透明薄膜,但使用透明板或薄膜爲佳。例如三 乙醯基纖維素、纖維素乙酸鹽丙酸酯等纖維素乙酸鹽系薄 膜、經延伸的聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘酸乙酯等聚酯系 薄膜或薄片、聚碳酸酯系薄膜或薄片、丙烯基薄片、原疲 烯系薄膜或薄片、聚烯丙酸酯系薄膜或薄片、及聚擴醯系 薄膜或薄片爲佳。特別爲纖維素三乙醯基纖維素、纖維素 乙酸酯丙酸酯、聚碳酸酯薄膜、經延伸的聚對苯二甲酸乙 二酯丙烯基薄片、聚碳酸酯薄片爲佳。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) " " --- -34- !251615 Α7 Β7 S~~~----------- 五、發明説明(31) 對於基板的形狀並無特別限定。塗佈以旋轉塗佈法進 行時與圓形者爲佳,其他方法進行塗佈時以平板法爲佳。 又,進行連續塗佈時捲成滾筒狀的薄膜狀之基板爲佳。 上述步驟(1 )的組成物之塗佈可使用可實施浸漬法、 旋轉塗佈機、刮刀塗佈機、條狀塗佈機、刮板塗佈機、擠 壓塗佈機、逆輥塗佈機、旋轉式照相凹版塗佈機、滑動塗 佈機、幕簾塗佈機、噴霧塗佈機、塑膜塗佈機、雷管塗佈 機等之公知塗佈機。其中以可連續塗佈之方法爲佳。上述 方法中浸漬法、旋轉塗佈機以外的皆爲可連續塗佈者。 塗佈溫度較佳爲室溫〜80°C,較佳爲室溫〜60°C ’更 佳爲室溫〜50°C。且,抑制溶劑(D )的蒸發速度等目的中 ’比室溫低的溫度下進行塗佈爲佳。 塗佈爲鹼性化合物(B )添加後,於幾時實施較適合, 以添加後24小時內爲佳,較佳爲1 〇小時以內,更佳爲5 小時以內。 塗佈前以公知方法進行塗佈組成物的過濾處理爲佳, 除去二氧化矽、雜質等爲佳。 上述步驟(2 )中,塗佈組成物於比基板的熱變形溫度 低之溫度下塗佈於基板上,以基板的熱變形溫度低之溫度 下硬化流動性二氧化矽前驅物(A )使二氧化矽/有機化合 物複合體薄膜成膜爲佳。基板的熱變形溫度爲取決於基板 的種類,但例如纖維素三乙酸酯薄膜、纖維素乙酸酯丙酸 酯薄膜、丙烯基薄片爲60〜10(TC,聚碳酸酯薄膜、延伸聚 對苯二甲酸乙二醇、聚碳酸酯薄膜爲1〇〇〜14(TC。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智¾財產局員工消費合作社印製 -35- 1251615 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(珀 上述步驟(2 )中進行硬化的溫度,可取決於基板的耐 熱性而改變,但光學薄膜時爲6 0〜1 5 0 °C、較佳爲7 0〜1 3 0 °C,更佳爲80〜120°C。未達60°C時無法得到多孔性、且 對基板的密著性良好之膜。又,若超過1 50°C時恐怕會有基 板變形。 本發明的多孔性二氧化矽薄膜,不僅具有低折射率、 高光透過性、且高強度,故有硬化時間短,生產性良好之 優點。進行硬化的時間一般爲1小時以內,較佳爲1 〇分鐘 以內,更佳爲2分鐘以內。若超過1小時生產性會降低。 上述步驟(3 )中的萃取,經由形成於基板上的硬化薄 膜與萃取用溶劑接觸而進行。作爲接觸方法,萃取用溶劑 中浸漬基板的方法亦可,或萃取用溶劑流入該硬化薄膜表 面之洗淨方法皆可。作爲萃取用溶劑,僅可溶解該有機化 合物(C )的溶劑即可並無特別限制,可使用前述的塗佈用 溶劑(D )。例如有機化合物(C )爲具有至少一種選自醚 基、酯基、羰基、羧基、碳酸酯基、醯胺基及羥基所成群 之極性基時,作爲萃取用溶劑,使用具有至少一種選自醚 基、醋基、鑛基、竣基、碳酸酯基、釀胺基及經基所成群 之極性基的極性溶劑之水或碳數1〜6的一元醇、丙酮爲佳 。使用水、乙醇、丙醇、異丙醇、水-乙醇混合溶劑、水-異 丙醇混合溶劑、水-丙酮混合溶劑更佳。 以提高該鹼性化合物(C )的除去率爲目的,於萃取用 溶劑中添加少量的酸亦可。作爲酸雖無特別限制,但以鹽 酸或醋酸等揮發性較高者爲佳。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】〇Χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
36- 1251615 A7 B7 五、發明説明(3泠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 步驟(3 )中的萃取溫度僅爲不會使基板變性之溫度即 可,並無特別限定,但較佳爲l〇(TC,更佳爲60°C。最佳 爲40 C以下。又’本發明中卒取時間雖短但可充分將有機 化合物(C )除去。萃取時間爲30分鐘以內爲佳,較佳爲 1 〇分鐘以內,更佳爲1分鐘以內,最佳爲20秒以內。萃取 因快速即結束,故若超過3 0分鐘則生產性會下降。 進行萃取後所得之多孔性二氧化矽薄膜之乾燥。有關 乾燥條件,與上述的硬化條件相同,僅考慮到基板的耐熱 幸而適當選擇即可,但乾燥溫度一般爲60〜15CTC,較佳爲 70〜130°C,更佳爲80〜120°C。經由乾燥不僅可使萃取溶 劑除去,欲提升多孔性二氧化矽薄膜的強度,以不使基板 變形的範圍內,盡可能於高溫下乾燥爲佳。且,僅以酸觸 媒進行成膜的過去技術之情況,因塗佈後的硬化時矽烷醇 基的縮合無法充分地進行,故萃取時薄膜既使無法由基板 彔Γ離’乾燥後所得的薄膜無法得到空隙率減少,顯示低折 射率之薄膜。 經濟部智M財產局員工消費合作社印製 乾燥所需的時間依乾燥溫度而改變,但一般爲1小時 內’較佳爲1 〇分鐘內,更佳爲2分鐘內。若超過1小時時 生產性面上的效率會降低。 乾燥方法僅爲公知方法即可並無特別限定,但常壓下 的乾燥方法,因乾燥裝置無須過龐大故佳。作爲較佳的乾 燥方法例子,可舉出溫風循環方式或熱吹射方式。其他可 使用紅外線乾燥、介電加熱乾燥。 本發明中,對如上述所得之多孔性二氧化矽薄膜實施 本纸張尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -37- 1251615 A7 B7 五、發明説明(3# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電子線照射或紫外線照射,提升薄膜強度亦可。又,流動 性二氧化矽前驅物(A )爲具有(甲基)丙烯酸酯基時以進 行電子線照射或紫外線照射爲佳。此時,例如塗佈後的硬 化處理之前,同時、及/或、之後、進行電子線照射或紫外 線照射。此情況下系統內的氧由氮素等惰性氣體取代進行 〇 本發明的多孔性二氧化矽薄膜之膜厚雖無特別限定, 但例如使用於單層反射防止膜時,5 0〜1,0 0 0 n m的範圍內的 値爲佳。膜厚若未達5Onm時,會有反射防止效果降低的情 況,另一方面,膜厚超過l,〇〇〇nm時,光的任意位相會混 亂而干擾使反射防止效果降低。反射防止膜爲單層時,其 膜厚爲50〜500nm的範圍內之値爲爲佳,60〜200nm的範圍 內之値爲爲更佳。 經濟部智慧財產局貸工消費合作社印製 由本發明的塗佈組成物所得的低折射率多孔性二氧化 矽薄膜,例如對眼鏡鏡片、蛙鏡鏡片、隱形眼鏡鏡片等眼 鏡領域;車窗、儀表板、導航系統等汽車領域;玻璃窗等 住宅、建築領域;溫室的光透過性薄膜或薄片等農藝領域 ;太陽電池、光電池、雷射等能量領域;TV陰極射線管、 筆記型電腦、車內電視、液晶錄影機、投影電視、光纖維 、光碟片等電子情報機器領域;燈泡、螢光燈、鏡、時鐘 等家用品領域;玻璃陳列櫃、匾額、半導體平板印刷術、 影印機等業務用領域;液晶遊樂機、柏青哥檯玻璃、遊戲 機等娛樂領域等,使用於必須預防光倒影及/或提高光透過 性之光透過性光學基板的表面塗佈上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -38- 1251615 A7 B7 五、發明説明(3冷 以下經由實施例及比較例對本發明做具體說明,但本 #明不受這些例子任何限定。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例及比較例中,作爲基板使用光學薄膜與直徑3 英吋的矽晶圓。光學薄膜使用日本國東洋紡積股份有限公 司製cosmochainA4300、188微米膜厚、二軸延伸聚對苯二 甲酸乙二醇酯(PET )。 實施例及比較例中的測定及評估如下方法進行。 (〇流動性二氧化矽前驅物的重量平均分子量 二氧化矽前驅物溶解於四氫呋喃中得到之溶液賦予凝 膠滲透層析法(GPC ),做成由標準單分散聚乙二醇所得到 之校正曲線,求出重量平均分子量。GPC的條件如下。 GPC裝置:日本國島津製作所製之凝膠渗透層析法 10A系列 管柱:SHODEX KF-804L (日本國昭和電工(股)製) 以直列方式連接使用。 經濟部智悲財產局員工消費合作社印製 管柱溫度:40°C 移動相:四氫呋喃(流量: 檢測器:差示折射率儀
(2 )鹼性化合物的水溶液的pH 使用日本國堀場製作所製作的pH測試儀D-1 2進行測 定。 -39- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 經濟部智楚財產局員工消費合作社印製 1251615 A7 B7_______ 五、發明説明(3今 (3 )鹼性化合物的蒸氣壓 鹼性化合物的蒸氣壓依據日本化學會編「第4版實驗 化學講座4熱·壓力」(1 992年,日本國九善股份有限公 司發行)的第381頁所記載的沸點法進行測定。且,0.1 kPa 、100°C下不顯示沸點的鹼性化合物於l〇〇°C下的蒸氣壓視 爲未達1.0 kPa。又,氨水的情況,因氨水具有揮發性故蒸 氣壓超過1.3 kPa。 (4 )對鹼性化合物中的鹼性羥基及鹼性氮原子之總莫写;g 的流動性二氧化矽前驅物中矽原子莫耳數的比(以下有_ 稱爲「鹼性化合物的對矽莫耳比」) 對1莫耳的含於流動性二氧化矽前驅物的全矽原+胃 言,鹼性化合物中的鹼性羥基及鹼性氮原子之總莫耳4, 可由烷氧基矽烷使用量與鹼性化合物添加量算出。 (5 )塗佈組成物(塗佈溶液)的外觀 由目視做判斷。若無白濁或沈源時以「良」表;^。^ 有沈澱析出時以「析出」表示。 (6 )塗佈組成物(塗佈溶液)的粘度 使用日本國東機產業(股)製作RE550L粘度計,於25 °C下測定。 (7 )透過率及入射角1 2°下的反射率(絕對反射率) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】〇^97公黎1 ~----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 訂- -40- 1251615 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(37) 透過率及入射角12°下的反射率(絕對反射率)使用 曰本國(股)島津製作所製作的分光光度計MPC-2200。 (8 )折射率及空隙率 折射率(對1.95eV光之値)及空隙率使用法國j〇BIN YVON公司製的分光eiΠΡs〇meter,形成矽晶圓後測定。 (9 )霧値 霧値的測定使用日本國日本電色工業股份有限公司製 的濁度計NDH2000。 (1 0 )鉛筆硬度 鉛筆硬度的測定爲使用】ISK5400記載的lkg負荷下塗 佈於PET薄膜上之樣品進行測試。 (Π)薄膜的外觀 經目視做判斷。若無觀察到均勻成膜有散射光時以「 良」表示。有一部份剝離時,觀察到部分剝離且散射光時 以「有散射光」表示。 且,所有實施例及比較例的旋轉塗佈,於室溫,使用 日本國 mikasa (股)製,SPINCOATER 1H-D2,於 500rpm 下進行3秒、l〇〇〇rpm下進行60秒。 又,所有實施例及比較例的乾燥皆使用熱風循環乾燥 機(日本國Yamato科學(股)製DKN-401)。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】0X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}
-41 - 1251615 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3今 實施方式 實施例1 14.8g的甲基三乙氧基矽烷(83.1 mmol全量完全水解縮 合所得之二氧化矽的量爲5.58g)與4.3g (20.7 mmol全量完 全水解縮合所得之二氧化矽的量爲1.24g)之混合溶液中, 於50°C下經5小時慢慢添加7.0g的水與〇.〇59g的磷酸(酸 觸媒)之混合溶液而進行水解縮聚合,得到含有流動性二 氧化矽前驅物(A )的反應混合液。該反應液中添加6.82g 的聚乙二醇二甲醚(有機化合物(C))(重量平均分子量 爲600,實質上無沸點)、5.0g的丙二醇單甲醚經攪拌後室 溫下濃縮至全量約1 5g,除去水、乙醇、丙二醇單甲醚。所 得之濃縮物中之流動性二氧化矽前驅物(A )之重量平均分 子量爲31,400。該濃縮物中添加丙二醇單甲醚,得到68.2g 的含有流動性二氧化矽前驅物(A )之混合液(該混合液中 的流動性二氧化矽前驅物(A )完全縮聚合所得之二氧化矽 ,對該混合液的重量比爲〇· 1。以下該混合液稱爲高濃度流 動性二氧化矽前驅物混合液)。 準備兩份的2.5 g的水與2 · 5 g的丙二醇單甲醚所成之混 合溶劑(溶劑(D )),其中一份溶解1 ·〇g的上述高濃度 流動性二氧化砂前驅物混合液(S i = 1 · 5 m m 〇 1 e )、另外一份 溶解0.5g ( 〇· 1 5mmol ) ( pH= 1 3 · 1,實質上無蒸氣壓)的氫 氧化鈉(鹼性化合物(B ))之1N水溶液,得到2份溶液 。混合所得的2份溶液,室溫下使用磁棒於500rpm下攪拌 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2^x 297公釐) 一~一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-42- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1251615 A7 B7 五、發明説明(3❼ 3〇分鐘,得到塗佈組成物。 其次,該組成物使用旋轉塗佈法,進行PET光學薄膜 及矽晶圓上進行塗佈,形成薄膜。 所得之薄膜於100°C下1分鐘乾燥而硬化薄膜,經由此 得到流動性二氧化矽前驅物(A )轉換成二氧化矽之硬化薄 膜。 且,PET薄膜時同樣於裏面亦進行塗佈、乾燥。 其後,以硬化薄膜被覆的PET薄膜及矽晶圓於室溫下 於水/乙醇混合溶劑(萃取用溶劑)(水/乙醇重量比= 5 0/50 )浸漬1〇秒,由硬化薄膜除去聚乙二醇二甲醚(有機 化合物(C )),藉由此得到多孔性二氧化矽薄膜(光學薄 膜及矽晶圓以多孔性二氧化矽薄膜被覆)。 以多孔性二氧化矽薄膜被覆的光學薄膜及矽晶圓於1〇〇 °C下進行1分鐘乾燥。 光學薄膜的入射角爲1 2°下之絕對反射率測定中,顯 示波長540nm時的最小反射角,未以多孔性二氧化矽薄膜 被覆時,8·2%者抑制至0.1%,又最小反射率之波長( 5 40nm )下的透過率,未以多孔性二氧化矽薄膜被覆時爲 9 1.5%者,以多孔性二氧化矽薄膜被覆時提高至99.0%。測 定矽晶圓同樣地以多孔性二氧化矽薄膜被覆時的折射率時 爲較佳的1.210 (空隙率38.5% )。鉛筆硬度以HB表示。 結果如表1與圖1 (反射率)及圖2 (透過率)所示。 實施例2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規招^( JT^297公" ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-43- 1251615 Α7 Β7 五、發明説明(4C) 改爲0.15g的IN-氫氧化鈉水溶液,使用〇.〇〇65g的重 量平均分子量爲600的聚伸乙基亞胺(N原子莫耳數爲 0.1 5 mmol) ( pH = 11. 3,實質上無蒸氣壓)以外進行與實施 例1相同的操作。 波長525nm下最小反射率爲0.1%,其波長下的透過率 爲99.2%。折射率1.231、空隙率爲較佳之32.7%。結果如 表1所示。 實施例3 改爲0· 1 5g的1N-氫氧化鈉水溶液,使用〇.〇〇55g的聚 伸乙基四胺(N原子莫耳數爲0.15mmol) (ρΗ = 11.7,1〇〇 下的蒸氣壓爲〇.27kPa)以外進行與實施例1相同的操作 〇 波長520nm下最小反射率爲0.2%,其波長下的透過率 爲99.0%。空隙率爲較佳之34.5%、折射率爲較佳之1.227 。結果如表1所示° 實施例4 改爲0.15g的1N·氫氧化鈉水溶液,使用0.0057g的四 伸乙基五胺(N原子莫耳數爲0.15mmol) ( pH- 11.6 ^ 100 。(:下的蒸氣壓爲0· lkPa )以外進行與實施例1相同的操作 〇 波長550nm下最小反射率爲0.3%,其波長下的透過率 爲99.1%。空隙率爲較佳之36.1%、折射率爲較佳之1.218 本纸張υΐϋ中國國家標準(CNS ) A4規格(2】0Χ 297公釐) " -44 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1251615 A7 B7 五、發明説明(41) 。結果如表1所示。 實施例5 改爲0.1 5g的1N-氫氧化鈉水溶液,使用0.1 5g的20重 量%之四(正丙基)銨氫氧化物水溶液(OH基莫耳數爲 ◦ •15mmol) ( pH = 1 3·0,實質上無蒸氣壓)以外進行與實施 例1相同的操作。 波長560nm下最小反射率爲0.3%,其波長下的透過率 爲99.0%。空隙率爲較佳之43.5%、折射率爲較佳之1.193 。鉛筆硬度以HB表示。結果如表2所示。 實施例6 改爲2.5g的水與2.5g的丙二醇單甲醚所成溶液’使用 4.0g的甲基乙基酮與l.〇g的丙二醇單甲醚所成溶液以外進 行與實施例2相同的操作。 波長540nm下最小反射率爲0.1%,其波長下的透過率 爲99.0%。空隙率爲31.6%、折射率爲較佳之1.235 °結果 如表 2所示〇 實施例7 改爲2.5g的水與2.5g的丙二醇單甲醚所成溶液’使用 4.0g的甲基乙基酮與l.Og的丙二醇單甲醚所成溶液以# @ 行與實施例5相同的操作。 波長580nm下最小反射率爲0.2%,其波長下的透過率 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】OX297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局貨工消費合作社印製 -45- 1251615 kl __ ___ B7 五、發明説明(4 爲98·9%。空隙率爲40.8%、折射率爲較佳之1.203。結果 如表2所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例8 使用1 5小時室溫下保存的二氧化矽前驅物/脂肪族聚醚 組成物以外,其他進行與實施例5相同的操作。 波長575nm下最小反射率爲0.3%,其波長下的透過率 爲9 9.1 %。空隙率爲4 2.2 %、折射率爲較佳之1.19 7。結果 如表2所示。 實施例9 改成0.01 5g的20重量%的四(正丙基)銨氫氧化物水 溶液以外,進行與實施例5相同的操作。 波長540nm下最小反射率爲0.1%,其波長下的透過率 爲99.0%。空隙率爲38.9%、折射率爲較佳之1.209。結果 如表3所示。 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 比較例1 改爲0.1 5g的1N-氫氧化鈉水溶液,使用0.01 3g的20 重量%氨水溶液(OH基莫耳數爲0.1 5mmol ) ( pH=11.4, 蒸氣壓超過1.3kPa)以外,進行與實施例1相同之操作。 波長540nm下最小反射率爲3.1%,抑制效果差。折射 率爲較高的1.406。又,觀測到一部份的膜剝離。鉛筆硬度 爲2B下有傷痕。結果如表3所示。 _._本紙張尺度適用中國國家標準(〇~$)六4規格(2]0\ 297公釐) -46 - 1251615 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4$ 比較例2 添加氨水所得之塗佈組成物於40°C下經2小時攪拌後 ,進行光學PET薄膜的塗佈以外,其他進行與比較例1相 同之操作。 波長440nm下最低反射率爲1.6%。霧値爲較高之1.92 。結果如表3所不。 比較例3 改爲0.15g的1N-氫氧化鈉水溶液,使用0.0052g的二 伸乙基三胺(N原子莫耳數爲0.15mmol) ( pH= 11.5,1〇〇 °C下的蒸氣壓爲2·OkPa )以外進行與實施例1相同的操作 〇 波長5 8 0 n m下最小反射率爲1 · 3 %,抑制效果差。折射 率爲較高的1 · 3 4 3。結果如表3所示。 比較例4 改爲0 · 1 5 g的1 N -氫氧化鈉水溶液,使用〇 · 01 8 g的三經 基甲基胺甲烷(N原子莫耳數爲〇·1 5mmol ) ( pH= 10.4, 100°C下的蒸氣壓未達O.lkPa )以外進行與實施例1相同的 操作。 波長5 5 0 n m下最小反射率爲1.6 %,抑制效果差。折射 率爲較高的1 · 3 5 6。結果如表4所不。 本纸張尺度適用中國國家標準(cns ) A4規格(2I0X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-47- 1251615 A7 B7 五、發明説明(4 比較例5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 0 · 1 5 g的1N -氫氧化鈉水溶液改爲〇 · 〇 1 5 g的0.1 N -氫氧 化鈉水溶液以外進行與實施例1相同的操作。 波長460nm下最小反射率爲1.1 %,抑制效果低。折射 率爲較高的1 · 3 3 7 °結果如表4所示。 比較例6 改爲1.5g的1N-氫氧化鈉水溶液改爲〇.〇i5g的0.1N·氫 氧化鈉水溶液以外進行與實施例1相同的操作。 波長580nm下最小反射率爲1.0%。折射率爲1.272, 波長爲580nm下的透過性爲93.0%之提升效果低。結果如 表4所示。 比較例7 混合8.3g的四乙氧基矽烷(40mmol,全量完全水解縮 合所得之二氧化矽量爲2.4g) 、1.5g的二甲基二乙氧基矽 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 烷(lOmmol,全量完全水解縮合所得之二氧化矽量爲〇.74g )、11.5g的乙醇、6.5g的水、2.5g的0.1N-硝酸,經一夜 、室溫下攪拌。所得之流動性二氧化矽前驅物的重量平均 分子量爲1,200。其中添加9.1g的聚乙二醇二乙醚(重量平 均分子量爲600 ),得到含有流動性二氧化矽前驅物的混合 液(該混合物中的流動性二氧化矽前驅物經完全縮聚合後 所得之二氧化矽爲,對該混合液的重量比爲0.08。以下稱 該混合液爲高濃度流動性二氧化矽前驅物混合液)。使用 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2]ΟΧ 297公釐) 7 - 48 - 1251615 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4$ 該高濃度流動性二氧化矽前驅物混合液與實施例1相同’ 調製出塗佈組成物,進行旋轉塗佈。 波長520nm下最小反射率爲2.2%。其波長下的透過性 爲94.6%其提升效果低,且觀測到薄膜一部份剝離。結果 如表4所示。 比較例8 於室溫下混合1.6g的四乙氧基矽烷(7.7mmol) 、2.9g 的水、2.0g的乙醇、0.77g的IN-氫氧化鈉水溶液,經攪拌 ’產生析出物,無法塗佈。結果如表4所示。 比較例9 依據日本國特開平6-299091號公報,將50g的四乙氧 基矽烷、414g的無水乙醇、及14.6g的25%的氨水放入密 閉玻璃容器中,室溫下放置4天,得到乙醇分散的3重量 %膠態二氧化矽分散液。將此以〇· 2 // m特氟隆膜過濾器過 濾。 再將20.8g四乙氧基矽烷、172g的無水乙醇、7.24g的 〇· 1 5 N -鹽酸水溶液放入密閉玻璃容器中,室溫下放置4天, 得到3重量%有機矽氧院溶液。將此以〇 · 2 μ m特氟隆膜過濾 器過濾。 將如此所得之90g的膠態狀二氧化矽分散液與1 〇g的 有機矽氧烷溶液放入玻璃容器中,經2小時攪拌混合後均 勻。室溫下放置一晚後熟成後得到塗佈組成物。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
49 1251615 A7 B7 五、發明説明(4冷 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 使用此進行PET薄膜的旋轉塗佈,經100°C,1分鐘乾 燥。得到的膜之霧値爲較高之2.1。又,波長580nm下最小 反射率爲〇. 8 %。 比較例1 0 依據日本國特開平3- 1 99043號公報之實施例2,稱取 17.83g的甲基三乙氧基矽烷,添加13.82g的乙醇及22.24g 的1 - 丁醇混合,做成均勻溶液。該溶液中添加10.8 g的水、 0.49g的磷酸,更攬拌60分鐘。該溶液中力□入13.82g的乙 醇、22.24g的1-丁醇及3.3g的聚乙二醇(重量平均分子量 爲2,000 ),更攪拌10分鐘者做成塗佈組成物。繼續將光 學PET薄膜浸漬於塗佈組成物中,慢慢地撈起,於光學 PET薄膜上形成薄膜。於12CTC下進行2分鐘的乾燥後,浸 漬於乙醇中,進行聚醚的萃取時,觀測到表面層的剝離現 象。繼續再進行1 20°C下進行2分鐘的乾燥。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 所得之樣品,於廣泛的波長範圍下其反射率爲1 %以下 ,但因表面層有部分剝離故表面並不平坦,其爲不耐於2B 錯筆硬度之脆膜。 實施例1 0 7.1g ( 40mmol)的甲基三乙氧基矽烷與12.5g ( 60mmol )的四乙氧基砂院的之混合溶液中,一邊徐徐滴入1 2.9 g的 水與0.06g的混合溶液,一邊進行50°C下5小時的水解縮 聚合’得到含有流動性二氧化矽前驅物(A )的反應液。 本纸張尺度適用中國1]家標準((:]^)八4規格(21()/:!97公釐)~ " -50· 1251615 Α7 Β7 五、發明説明(4乃 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 -33g的所得反應液中加入〇.〇64g的1N-氫氧化鈉水溶液、 2-89g的水、7.23g的丙二醇單甲醚、4.34g的甲基異丙基酮 混合溶液,更添加0.20g的甘油基三乙酸酯(C9Hm〇5,分子 量218.2、對碳數的氧原子比=0.67),室溫下經1小時攪 拌’得到二氧化矽前驅物/鹼性化合物/甘油基三乙酸酯組成 物(塗佈組成物)。 其次,該組成物經由旋轉塗佈法以lOOOrpm,30秒塗 佈於PET薄膜上,12(TC下進行2分鐘的乾燥。所得之附有 塗膜的薄膜浸漬於水/乙醇(50/50重量份)萃取用溶液30 分鐘,萃取出甘油基三乙酸酯。再度進行1 20°C下30秒的 乾燥,得到被覆多孔性二氧化矽薄膜之PET薄膜。 對於所得之光學薄膜,未以多孔性二氧化矽薄膜被覆 的面以砂紙磨成粗糙面,使用黑色簽字筆塗黑,進行由未 以多孔性二氧化矽薄膜被覆的面之反射消失處理後,測定 經多孔性二氧化矽薄膜被覆之面的入射角1 2°下的絕對反 射率時,於610ηιη下的最小反射率爲0.15%。霧値爲0.68 ’錯筆硬度爲Η。結果如表5所不。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 實施例1 1 取代甘油基三乙酸酯使用蔗糖八乙酸酯(〇Η36〇β,分 子量爲67 8.6,對碳原子的氧原子比二0.68)以外,進行與 實施例1 0相同操作。 所得之光學薄膜於690nm下最小反射率爲0.10%。霧 値爲0.73,鉛筆硬度爲Η。結果如表5所示。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) -51 - 1251615 A7 B7 五、發明説明(4弓 貫施例1 2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 取代聚乙二醇二甲醚使用日本國東京化成工業股份有 1¾公司製的聚乙烯甲醚,作爲萃取溶劑使用水/丙酮溶劑( 20/80重量% ),進行實施例1〇所記載的絕對反射率測定 法以外,進行與實施例7相同的操作。 所得之光學薄膜於575nm下最低反射率爲0.1%。霧値 爲〇·98,鉛筆硬度爲HB。結果如表5所示。 實施例1 3 取代甘油基三乙酸鹽,使用對二氧化砂的重量比爲1 的聚乙二醇二甲醚以外,進行與實施例1 0相同的操作。溶 劑萃取時間作爲120秒,於630nm下的最小反射率爲0.8% ’霧値爲0.95,鉛筆硬度爲Η。結果如表6所示。 實施例14 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 溶劑萃取時間爲600秒以外,進行與實施例1 3相同的 操作。於63Onm下的最小反射率爲0.3%,霧値爲0.94,鉛 筆硬度爲Η。結果如表6所示。 比較例1 1 取代甘油基三乙酸酯’使用對二氧化矽重量比爲3之 1,2 -二甲氧基乙烷(沸點85 °C )以外,進行實施例1 0相同 的操作。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 52- 1251615 A7 B7 五、發明説明(4$ 霧値爲0.68,鉛筆硬度爲2H,最小反射率爲3.4% ( 波長590nm下顯示最小反射率),抑制效果低。結果如表6 所示。 實施例1 5 將22 2g ( 1.245mol,全量完全水解縮合所得之二氧化 矽的量爲83.4g )的甲基三乙氧基矽烷與72g ( 0.346mol, 全量完全水解縮合所得之二氧化矽的量爲20.8g)的四乙氧 基矽烷之混合溶液中,慢慢添加92g的水與19.1ml的日本 國三菱化學股份有限公司製離子交換樹脂Diyai〇nRCP16〇 ( 1.5meq/mL-R)於50°C下,5小時進行水解縮合反應,得到 含有流動性二氧化矽前驅物(A )的反應液。經過率處理將 離子交換樹脂除去後,該反應液作爲有機化合物(C)添加 1 04.2g的聚乙二醇二甲醚(重量平均分子量爲6〇〇,實質上 無沸點),更添加丙二醇單甲醚,得到丨〇42g的含流動性 二氧化矽前驅物(A )之混合液(該混合液中的流動性二氧 化矽前驅物(A )完全縮聚合後所得之二氧化矽,對該混合 液之重量比爲0· 1。以下稱該混合液爲高濃度流動性二氧化 砍前驅物混合液)。該高濃度流動性二氧化矽前驅物混合 液中的流動性二氧化矽前驅物(A )的重量平均分子量爲 7,600。 準備兩份的4.0g的甲基異丁酮與丨.“的丙二醇單甲醚 所成之混合溶劑,其中一份溶解1 · Qg的上述高濃度流動性 一·執化砂則驅物混合液(S i = 1 · 5 m m ο 1 e )、另外一'份溶解 張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公楚) '~ ^ -53- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂- 經濟部智態財產局員工涓費合作社印製 1251615 Α7 Β7 五、發明説明(5() (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇.15g(〇H莫耳數爲〇.15mmol) ( pH=13.0,實質上無蒸氣 壓)的20重量%四(正丙基)銨氫氧化物水溶液,混合所 得的2份溶液得到塗佈組成物。 其次,該組成物使用旋轉塗佈法,進行PET光學薄膜 的塗佈,繼續於1 20°C下進行2分鐘乾燥。其後,以塗佈組 成物的薄膜被覆的PET薄膜及矽晶圓於室溫下30秒浸漬於 水/乙醇混合溶劑(萃取用溶劑)(水/乙醇重量比= 50/50 )中,再次於120°C下進行2分鐘乾燥得到 經多孔性二氧化矽薄膜被覆的光學薄膜。 對於所得之光學薄膜,未以多孔性二氧化矽薄膜被覆 的面以砂紙磨成粗糙面,使用黑色簽字筆塗黑,進行由未 以多孔性二氧化矽薄膜被覆的面之反射的處理後,測定經 多孔性二氧化矽薄膜被覆之面的入射角1 2°下的絕對反射 率時,於600nm下的最小反射率爲0.15%。霧値爲0.92, 鉛筆硬度爲Η B。結果如表7所不。 實施例16 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 取代0.1 5g的20重量%四(正丙基)銨氫氧化物水溶 液,使用2.5mg的2.25重量%四(正丙基)銨氫氧化物水 溶液以外,進行與實施例1 5相同的操作。 波長610nm下最小反射率0.5%。霧値爲0·88,鉛筆硬 度Η。結果如表7所不。 實施例17 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -54 - 1251615 A7 B7 五、發明説明(51) 、取代O·1 的20重量%四(正丙基)銨氫氧化物水溶 液,使用75 .Omg的2.25重量%四(正丙基)銨氫氧化物水 溶液以外,進行與實施例15相同的操作。又,矽晶圓亦進 行旋轉塗佈,測疋其折射率。有關反射率,於波長61 下最小反射率0.15%。霧値爲0·81%,鉛筆硬度H,折射 率爲0.21。結果如表7所示。 貫施例1 8 改變22.5重量%四(正丙基)銨氫氧化物水溶液爲 nosg以外進行與實施例17相同的操作。於波長59〇nm下 最小反射率0 · 1 5 %。霧値爲〇 · 9 5 %,鉛筆硬度Η,折射率 爲121。結果如表7所示。 實施例19 取代0.1 5g的20重量%四(正丙基)銨氫氧化物水溶 液’使用0.1 8g的22.5重量%的四(正丙基)銨氫氧化物 水溶液,進行矽晶圓上的旋轉塗佈,測定折射率以外,進 行與實施例1 5相同的操作。折射率爲丨· 2 7。結果如表7所 示。 實施例20 取代0 · 1 5 g的2 0重量%四(正丙基)鞍氫氧化物水溶 液’使用〇.27g的22.5重量%的四(正丙基)銨氫氧化物 水溶液’進行矽晶圓上的塗佈,以橢圓測厚儀測定折射率 务纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2] 0 X 297公楚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -55- 1251615 A7 B7 五、發明説明(5$ 以外,進行與實施例19相同的操作。折射率爲1.31。結果 如表8所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例2 1 使用實施例1所得之高濃度流動性二氧化矽前驅物混 合物,取代0.1 5g的20重量%的四(正丙基)銨氫氧化物 水溶液,使用47mg的22.5重量%四(正丙基)銨氫氧化 物水溶液以外,進行與實施例15相同的操作。又,矽晶圓 上亦進行旋轉塗佈,測定折射率。有關反射率,於波長 600nm下顯示最小反射率爲0.10%。霧値爲0.83%,鉛筆硬 度爲Η,折射率爲1.21。結果如表8所示。 實施例22 實施例1所得之高濃度流動性二氧化矽前驅物混合液 以外,進行與實施例1 8相同之操作。 於波長590nm下最小反射率爲0.15%。霧値爲0.92% ’鉛筆硬度爲Η,折射率爲1.21。結果如表8所示。 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 實施例23 使用實施例1所得之高濃度流動性二氧化矽前驅物混 合物,取代0.1 5g的20重量%四(正丙基)銨氫氧化物水 溶液,使用〇.23g的22.5重量%四(正丙基)銨氫氧化物 水溶液以外,進行與實施例1 6相同操作。 於波長610nm下最小反射率爲0.25%。霧値爲0.97% 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2]〇X 297公釐) -56 - 1251615 A7 B7 五、發明説明(5含 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ’鉛筆硬度爲HB,折射率爲1.30。結果如表8所示。 實施例24 使用實施例1所得之高濃度流動性二氧化矽前驅物混 合物,取代0.15g的20重量%四(正丙基)銨氫氧化物水 溶液,使用0.27g的22.5重量%四(正丙基)銨氫氧化物 水溶液以外,進行與實施例23相同操作。 於波長580nm下最小反射率爲0.35%。霧値爲0.89% ,鉛筆硬度爲HB,折射率爲1.32。結果如表8所示。 實施例25 將7.4g (0.021 mol,全量完全水解縮合所得之二氧化砂 的量爲2.76g )的1,2·雙(三乙氧基甲矽烷基)乙烷、 經濟部智慧財產局肖工消費合作社印製 (0.042mol,全量完全水解縮合所得之二氧化矽的量爲 2.79g )的甲基三乙氧基矽烷、4.8g ( 〇.〇23mol,全量完全水 解縮合所得之二氧化矽的量爲1.38g )的四乙氧基矽烷之混 合溶液中,慢慢添加6.2 g ( 0.3 4 m ο 1 )的水與〇 · 〇 6 g的憐酸 之混合溶液於50°C下進行水解縮合反應,得到含有流動性 二氧化矽前驅物(A )的反應液。所得之流動性二氧化矽前 驅物(A )的重量平均分子量爲3,760。該反應液中添加 6.8g的聚乙二醇二甲醚(重量平均分子量爲600 )、6.8g的 水、29· 8g的丙二醇單甲醚,得到含流動性二氧化矽前驅物 (A )之混合液(該混合液中的流動性二氧化矽前驅物(A )完全縮聚合後所得之二氧化矽,對該混合液之重量比爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 57- 1251615 A7 B7 五、發明説明(54) 0· 1。以下稱該混合液爲高濃度流動性二氧化矽前驅物混合 液)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 ·Og的上述高濃度流動性二氧化矽前驅物混合液與 〇‘15g ( ρΗ=13·0,實質上無蒸氣壓)(該鹼性化合物的對矽 莫耳比爲0.10)的20重量%四(正丁基)銨氫氧化物水溶 液’添加於5 g的水與5 g的丙二醇單甲醚所成溶液中,調 製成塗佈組成物。PET光學薄膜上進行旋轉塗佈,繼續於 1 00°C下進行1分鐘乾燥。裏面亦進行旋轉塗佈並乾燥。 其後,以塗佈組成物的薄膜被覆的光學薄膜於室溫下 1 〇秒浸漬於水/乙醇混合溶劑(萃取用溶劑)(水/乙醇重 量比=50/50 )中,再次於l〇〇°C下進行1分鐘乾燥得到經 低折射率多孔性二氧化矽薄膜被覆的PET薄膜。 對於所得之PET薄膜,於54011111下顯示最小反射率, 未以多孔性二氧化矽薄膜被覆的PET薄膜的反射率爲8.2% 其爲被抑制0.1%。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,使用經切成短片狀的上述被覆薄膜,捲成2cm直 徑的操作重複10次後以光學顯微鏡(日本國Ply mpus光學 工業(股)製BH-2)(倍率1〇〇倍)進行觀測,對PET上 薄膜的破壞痕跡數做調查,對基板與黏著性做評估。捲曲 操作的剝離痕跡,雖於實施例1的樣品中觀察到十字狀的 小痕跡,但於本實施例的樣品中則無觀測到。 實施例26 準備2份的4·Og的甲基異丁酮與1 ·Og的丙二醇單甲醚 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ' '~' 7 -58- 1251615 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(5冷 所成之混合溶劑,其中一份溶解1 ·8g的實施例1所得之高 濃度流動性二氧化矽前驅物混合液(Si原子莫耳數爲 2.74mm〇le )及0.3 3g的水、另外一份溶解50mg ( 0H基莫 耳數爲0.055 mmol) ( ρΗ=13·0,實質上無黑氣壓)(§亥驗 性化合物的對矽莫耳比爲〇·02 )的22.5重量%四(正丙基 )錢氫氧化物水溶液,及73mg ( 0.274mmol )的四(正丙基 )銨氫氧化物後,混合所得的2份溶液得到塗佈組成物。 塗佈組成物的粘度於調製後1小時爲〇.792mPa · s,20小時 後爲0.798 mPa · s,粘度變化極小,PET薄膜上形成多孔性 二氧化矽薄膜時,經1小時後最低反射率爲0.15% (於 670nm) ,20小時後的最低反射率爲0.10% (於670nm) ’ 並無觀察到賦予最低反射率的波長變動。 比較例1 2 除未添加四(正丙基)銨氫化合物以外,進行與實施 例26相同之操作。觀測到塗佈組成物的粘度於調製後1小 時爲0.8 6mPa · s,20小時後爲0.94 mPa · s之粘度變化。 比較例1 3 濃縮實施例1所得之高濃度流動性二氧化矽前驅物混 合液’添加22.5重量%的四(正丙基)銨氫氧化物水溶液 、及乙醇,調製出0.9重量%的水、〇.2重量%的四(正丙 基)銨氫氧化物、2.3重量%的丙二醇單甲醚之乙醇塗佈液 。該乙醇塗佈液中的鹼性化合物的對矽莫耳比爲〇.065。該 ---1,---TL----批衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 'll· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】0X 297公釐) -59- 1251615 A7 __ B7五、發明説明(5弓 乙醇塗佈液中的流動性二氧化矽前驅物完全縮聚合所得之 二氧化矽,對該乙醇塗佈液的重量比爲〇. 〇 1。該乙醇塗佈 液的具有羥基,且沸點爲100°c以上的高沸點溶劑含有量爲 3· 1重量%。該塗佈液以旋轉塗佈法進行矽晶圓上的塗佈時 ,得到表面粗糙的膜。 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 用 i適 度 尺 張 紙 I本 準 一標 一家 國 一國 t -公 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕
-60- 1251615 A7 五、發明説明(5乃 經濟部智慧財產局gv 一消費合作社印製 B7 --~~-__ 表: 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 流動性一氧化矽則驅物(A) 烷氧基矽烷(比表7F莫耳比) MTES /TEOS MTES /TEOS MTES /TEOS MTES /TEOS =80/20 =80 /20 =80/20 =80/20 酸觸媒 ~~~ 磷酸 磷酸 磷酸 磷酸 添加量 (對Si莫耳比) 0.006 0.006 0.006 0.006 重量平均分子量 ~ 31,400 31,400 31,400 31,400 鹼性化合物(B) '~~' NaOH PEI TETA ΤΕΡΑ pH ~— 13.1 11.3 11.7 11.6 蒸氣壓(kPa) te 4rrr m 0.27 <0.1 添加量 (對Si莫耳比) 0.10 0.10 0.10 0.10 有機化合物(C) 種類 PEGDME PEGDME PEGDME PEGDME 添加量 (對二氧化矽重量比) 1.0 1.0 1.0 1.0 沸點(°C) Μ M J ί \Λ 並 無 塗佈溶液 溶媒(D)(塗佈溶媒)(比表示 水/PGME 水/PGME 永/PGME 水/PGME 重量比) 二50 /50 =50 /50 =50/50 =50 /50 外觀 良 良 良 良 成膜法 基板 PET/矽晶圓 PET/矽晶圓 PET/砂晶圓 PET/Ϊ夕晶圓 硬化溫度(°c) 100 100 100 100 硬化時間(秒) 60 60 60 60 萃取溶媒(比表示重量比) 水/Et〇H =50/50 水/EtOH =50 /50 水/EtOH =50 /50 水/EtOH =50/50 萃取時間(秒) 10 10 10 10 乾燥溫度(°c) 100 1 100 100 100 乾燥時間(秒) 60 60 60 60 其他處理 — — — — 薄膜物性 反射率(%) 0.1 0.1 0.2 0.3 折射率(1.95eV) 空隙率(%) 1.210 38.5 1.231 32.7 1.227 34.5 1.218 36.1 透過率(%) 99.0 99.2 99.0 99.1 霧値(%) — — — — 鉛筆硬度 HB — — — 外觀 ___ 良 一 之 良 二甘仿控、DT; 良 良 脫、ΤΡΤΔ- TEPA=四伸乙基五胺、PEGDME=聚乙二醇二甲醚、PGME=丙 三伸乙基四胺 二醇單甲醚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 、紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2K)X297公釐) -61 - 1251615 A7 B7 五、發明説明(奂 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 _ 表2 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 流動性二氧化矽前驅物(A) 烷氧基矽烷(比表示莫耳比) MTES /TEOS =80/20 MTES /TEOS =80/20 MTES /TEOS =80/20 MTES /TEOS =80/20 酸觸媒 磷酸 磷酸 磷酸 磷酸 添加量 (對Si莫耳比) 0.006 0.006 0.006 0.006 重量平均分子量 31,400 31,400 31,400 31,400 鹼性化合物(B) TPAH PEI TPAH TPAH pH 13.0 11.3 13.0 13.0 蒸氣壓(kPa) 4rrt J \ 4nr Μ 無 添加量 (對Si莫耳比) 0.10 0.10 0.10 0.10 有機化合物(C) 種類 PEGDME PEGDME PEGDME PEGDME 添加量 (對二氧化矽重量比) 1.0 1.0 1.0 1.0 沸點(°c) Μ j\\\ 無 Μ j\\\ Μ /\\\ 塗佈溶液 溶媒(D)(塗佈溶媒)(比表示 水/PGME PGME /MEK PGME /MEK 水/PGME 重量比) =50 /50 =20/8 =20 /8 =50/50 外觀 良 良 良 良 成膜法 基板 PET/砍晶圓 PET/矽晶圓 PET/矽晶圓 PET/矽晶圓 硬化溫度(°c) 100 100 100 100 硬化時間(秒) 60 60 60 60 萃取溶媒(比表示重量比) 水/Et〇H =50 /50 水/Et〇H =50 /50 水/Et〇H =50/50 水/Et〇H =50 /50 萃取時間(秒) 10 10 10 10 乾燥溫度(°c) 100 100 100 100 乾燥時間(秒) 60 60 60 60 其他處理 ― ― ― 15時間 室溫放置 薄膜物性 反射率(%) 0.3 0.1 0.2 0.3 折射率(1.95eV) 空隙率(%) 1.193 43.5 1.235 31.6 1.203 40.8 1.197 42.2 透過率(%) 99.0 99.0 98.9 99.1 霧値(%) ― ― ― ― 鉛筆硬度 HB ― HB ― 外觀 良 良 良 良 註:MTES=甲基三乙氧基矽烷、TE0S=三乙氧基矽烷、TPAH=四丙基銨氫氧 化物、PEI=聚伸乙基亞胺、PEGDME=聚乙二醇二甲醚、PGME=丙二醇單甲 醚、MEK=甲基乙基酮 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '裝· 訂 '本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2]OX 297公釐) 1251615 經濟部智¾財產局员工消費合作社印製 A7 __ _ B7 五、發明説明(5令 表3 實施例9 比較例1 比較例2 比較例3 仏L·動丨生一氧化矽前驅物(A) 蛻鉍基矽烷(比表示莫耳比) MTES /TEOS =80/20 MTES /TE0S =80/20 MTES /TEOS =80/20 MTES /TEOS =80/20 酸觸操~^ - 磷酸 磷酸 磷酸 磷酸 添加量 (對Si莫耳比) 0.006 0.006 0.006 0.006 重量平均分子量 31,400 31,400 31,400 31,400 鹼性化合物(B) TPAH nh3水溶液 NH3水溶液 DETA "~PH ' 13.0 11.4 11.4 11.5 黑氣壓(kPa) 脏 j \ \\ >1.3 >1.3 2.0 添加量 (對Si莫耳比) 0.01 0.1 0.1 0.1 有機化合物(C) PEGDME PEGDME PEGDME PEGDME 添加量 (對二氧化矽重量比) 1.0 1.0 1.0 1.0 沸點(°c) 無 J \ \\ 無 Μ J \ Μ J » 塗佈溶液 溶媒(D)(塗佈溶媒)(比表示 重量比) 水/PGME =50 /50 水/PGME =50/50 水/PGME. =50 /50 水/PGME =50 /50 外觀 良 良 良 良 成膜法 基板 PET/矽晶圓 PET/矽晶圓 PET/矽晶圓 PET/砂晶圓 硬化溫度(°c) 100 100 100 100 硬化時間(秒) 60 60 60 60 萃取溶媒(比表示重量比) 水/EtOH =50 /50 水/EtOH =50 /50 水/EtOH =50/50 水/EtOH =50 /50 萃取時間(秒) 10 10 10 10 乾燥溫度(°c) 100 100 100 100 乾燥時間(秒) 60 60 60 60 其他處理 於40 °C下 攪拌2小時 — 薄膜物# 反射率(%) 0.1 3.1 1.6 1.3 折射率(1.95eV) 空隙率(%) 1.209 38.9 1.406 — 1.343 透過率(%) 99.0 — — — 霧値(%) — — 1.92 _ 鉛筆硬度 — 2B — 一 外觀 良 一部剝離 有散射光 良 註:MTES二甲基三乙氧基矽烷、 .TE〇S=三乙氧基矽烷、T PAH=四丙基銨氫氧 化物、DETA=二伸乙基三胺、PEGDME=聚乙二醇二甲醚、pGME=丙 二醇單甲醚 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -63 - 1251615 A7 B7 五、發明説明(的 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表4 比較例4 比較例5 比較例6 比較例7 比較例8 流動性二氧化矽前驅物(A) 烷氧基矽烷(比表示莫耳比) MTES /TEOS =80 /20 MTES /TEOS =80/20 MTES /TEOS =80/20 DMDES /TEOS =20/80 TEOS 酸觸媒 磷酸 磷酸 磷酸 硝酸 — 添加量 (對Si莫耳比) 0.006 0.006 0.006 0.005 — 重量早均分子量 31,400 31,400 31,400 1,200 — 鹼性化合物(B) THMAM NaOH NaOH NaOH NaOH pH 10.4 13.1 13.1 13.1 13.1 蒸氣壓(kPa) <0.1 Μ w、、 迹 Μ j \ \\ 無 添加量 (對Si莫耳比) 0.1 0.01 1.00 0.1 0.1 有機化合物(C) 種類 ] PEGDME PEGDME PEGDME PEGDME — 添加量 (對二氧化矽重量比) 1.0 1.0 1.0 1.0 — 沸點(°C) 無 無 川、 無 — 塗佈溶液 溶媒(D)(塗佈溶媒)(比表示 重量比) yjOPGME =50/50 7]C/PGME =50/50 7]C/PGME =50/50 7jc/Et〇H 7恤〇H 外觀 良 良 良 良 析出 成膜法 基板 PET/5夕晶圓 FET /5夕晶圓 PET/¾夕晶圓 PET — 硬化溫度(°C) 100 100 100 100 — 硬化時間(秒) 60 60 60 60 — 萃取溶媒(比表示重量比) 极t〇H =50/50 7j^/EtOH =50/50 細t〇H =50/50 7jc/EtOH =50/50 — 萃取時間(秒) 10 10 10 10 — 乾燥溫度ΓΟ 100 100 100 100 — 乾燥時間(秒) 60 60 60 60 — 其他處理 一. — — — — — 薄膜物径 反射率(%) 1.6 1.1 1.0 2.2 — 折射率(1.95eV) 空隙率(%) 1.356 1.337 1.272 — — 透過率(%) " — — 93,0 94.6 — 霧値(%) "" — — — — — 鉛筆硬度 __ — — — — — 外觀 ~ 良 良 有光散射 一部剝離 — 甲『她三羥基甲基胺基甲院、-PEG蘇聚乙二醇二甲醚 PGME=丙二醇單 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -64- 1251615 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(61) 表5 實施例10 實施例11 實施例12 流動性二氧化矽前驅物(A) 院氧基砂院(比表不旲耳比) MTES /TEOS MTES /TEOS MTES /TEOS =40/60 =40 /60 =80 /20 酸觸媒 磷酸 磷酸 磷酸 添加量 (對矽莫耳比) 0.006 0.006 0.006 重量平均分子量 2,550 2,550 2,550 鹼性化合物(B) NaOH NaOH TP AH pH 13.1 13.1 13.0 蒸氣壓(kPa) jw\ te jw\ 並 添加量 (對矽莫耳比) 0.016 0.16 0.10 有機化合物(C) 種類 GTA S〇A PVME 添加量 (對二氧化矽重量比) 0.78 0.78 1.0 沸點(°c) 258 M M 分子內羥基數 ο 8 — 氧原子數/碳原子數比 0.67 0.68 — 塗佈溶液 溶媒(D)(塗佈溶媒)(比表示 水/PGME /MIBK 水/PGME /MIBK PGME /MIBK 重量比) =20 /50 /30 =20 /50 /30 =20/80 成膜法 基板 PET PET PET 硬化溫度(°C) 120 120 120 硬化時間(秒) 120 120 120 萃取溶媒(比表示重量比) 水/Et〇H 水/EtOH 水/EtOH =50/50 二50 /50 =20/80 浸漬時間(秒) 30 30 30 薄膜物性 反射率(%) 0.15 0.10 0.10 霧値(%) 0.68 0.73 0.98 鉛筆硬度 H H HB 註:MTES=甲基三乙氧基矽烷、TE〇S=四乙氧基矽烷、TPAH=四丙基銨氫氧 化物、GTA =甘油基三乙酸酯、SOA =蔗糖八乙酸酯、PVME = 聚乙烯甲醚、PGME=丙二醇單甲醚、MIBK=甲基異丁酮 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -秦· 、-口 i!d: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -65- 1251615 A7 B7 五、發明説明(呦 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表6 實施例13 實施例14 比較例11 流動性二氧化矽前驅物(A) 院氧基砂院(比表示莫耳比) MTES /TEOS MTES /TEOS MTES /TEOS =40/60 =40/60 =40/60 酸觸媒 磷酸 磷酸 磷酸 添加量 (對Si莫耳比) 0.006 0.006 0.006 重量平均分子量 2,550 2,550 2,550 鹼性化合物(B) NaOH NaOH NaOH pH 13.1 13.1 13.0 蒸氣壓(kPa) 無 Μ J \ w M j\w 添加量 (對Si莫耳比) 0.016 0.16 0.16 有機化合物(C) 種類 PEGDME PEGDME DME 添加量 (對二氧化矽重量比) 1.0 1.0 3.0 沸點(°c) te te 85 分子內羥基數 — — 2 氧原子數/碳原子數比 — — 0.5 塗佈溶液 溶媒(D)(塗佈溶媒)(比表示 水/PGME /MIBK 水/PGME /MIBK 水/PGME /MIBK 重量比) =20 /50 /30 =20 /50 /30 =20 /50 /30 成膜法 基板 PET PET PET 硬化溫度(°C.) 120 120 120 硬化時間(秒) 120 120 120 萃取溶媒(比表示重量比) 水/Et〇H 水/Et〇H 水/Et〇H =50/50 =50 /50 =50/50 浸漬時間(秒) 120 600 30 薄膜物性 反射率(%) 0.8 0.3 3.4 霧値(%) 0.95 0.94 0.68 鉛筆硬度 Η H 2H 註:MTES=甲基三乙氧基矽烷、TE〇S=三乙氧基矽烷、PEGDME =聚乙二醇二 甲醚、DME=1,2-二甲氧基乙烷、PGME=丙二醇單甲醚、MIBK=甲基 異丁酮 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\呑 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -66 - 1251615 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(6含 _一轰Ί 實施例15 實施例16 實施例17 實施例18 實施例19 流動性二氧化矽前驅物(A) 烷氧基矽烷 (比表示莫耳比) MTES /TEOS =78 /22 MTES /TEOS =78 /22 MTES /TEOS =78 /22 MTES /TEOS =78 /22 MTES /TEOS =78/22 酸觸媒 離子交換樹脂 離子交換樹脂 離子交換樹脂 離子交換樹脂 離子交換樹脂 RCP160 RCP160 RCP160 RCP160 RCP160 添加量 (對Si莫耳比) 0.019 0.019 0.019 0.019 0.019 重量平均分子量 7,600 7,600 7,600 7,600 7,600 鹼性化合物(B) 麵 TPAH TPAH TPAH TPAH TPAH pH 13.0 13.0 13.0 13.0 13.0 蒸氣壓(kPa) 無 dnt· 黑 Μ 無 M 添加量 (對&莫耳比) 0.10 0.0016 0.012 0.077 0.13 有機化合物(C) 種類 PEGDME PEGDME PEGDME PEGDME PEGDME 添加量 (對二氧化矽重量比) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 塗佈溶液 溶媒(D)(塗佈溶媒)(比表示 PGME /MIBK PGME /MIBK PGME /MIBK PGME/MIBK PGME/MIBK 重量比) =20 /80 =20 /80 =20 /80 =20 /80 =20 /80 成膜法 基板 PET PET PET/5夕晶圓 PET/i夕晶圓 石夕晶圓 薄膜物性 反射率(%) 0.15 0.5 0.15 0.15 ― 折射率(1.95eV) ― 一 1.21 1.21 1.27 霧値(%) 0.92 0.88 0.81 0.95 ― 鉛筆硬度 HB Η H H ― 註:MTES=甲基三乙氧基矽烷、TE〇s=三乙氧基矽烷、TPAH=四丙基銨氫氧化物、 PEGDME=聚乙二醇二甲醚、^^匕丙二醇單甲醚、ΜΙΒΚ=甲基異丁酮 ----r — r._丨鴻.裝—I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 一本- 國家檩準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) -67- 1251615 A7 B7 五、發明説明(64 經濟部智慧財產局S(工消費合作社印製 表8 實施例20 實施例21 實施例22 實施例23 實施例24 流動性二氧化矽前驅物(A) 烷氧基矽烷 MTES /TEOS MTES /TEOS MTES /TEOS MTES /TEOS MTES /TEOS (比表示莫耳比) =78 /22 =80 /20 =80/20 =80/20 =80/20 酸觸媒 離子交換樹脂 RCP160 磷酸 磷酸 磷酸 磷酸 添加量 (對&莫耳比) 0.019 0.006 0.006 0.006 0.006 重量平均分子量 7,600 31,400 31,400 31,400 31,400 鹼性化合物(B) 種類 TPAH TPAH TPAH TPAH TPAH pH 13.0 13.0 13.0 13.0 13.0 蒸氣壓(kPa) 無 Μ 川、 無 無 無 添加量 (對Si莫耳比) 0.2.0 0.035 0.077 0.17 0.20 有機化合物(C) 讎 PEGDME PEGDME PEGDME PEGDME PEGDME 添加量 · (對二氧化矽重量比) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 塗佈溶液 溶媒(D)(塗佈溶媒)(比表示 PGME /MIBK PGME/MIBK PGME /MIBK PGME /MIBK PGME /MIBK 重量比) =20/80 =20 /80 =20 /80 =20 /80 =20 /80 成膜法 基板 矽晶圓 PET漱晶圓 PET矽晶圓 PET/®7晶圓 石夕晶圓 薄膜物性 反射率(%) — 0.10 0.15 0.25 0.35 折射率(1.95eV) 1.31 1.21 1.21 1.30 1.32 霧値(%) — 0.83 0.92 0.97 0.89 鉛筆硬度 — Η Η HB HB 註:MTES=甲基三乙氧基矽烷、te〇S=三乙氧基矽烷、TPAH=四丙基銨氫氧化物、 PEGDME=聚乙二醇二甲醚、扣^^丙二醇單甲醚、MIBK=甲基異丁酮 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ‘纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -68- 1251615 A7 __B7_ 五、發明説明(6弓 產業上可利用性 使用本發明的塗佈組成物,可形成基板上低折射率、 高透過性、且高強度的多孔性二氧化矽薄膜。上述多孔性 二氧化矽薄膜可適用於被覆光學元件及眼鏡等鏡片、顯示 裝置之螢幕等之反射防止膜。 圖面簡單說明 圖1表示聚對苯二甲酸乙二酯(PET )薄膜及以實施例 1所得之多孔性二氧化矽薄膜被覆之PET薄膜的反射率測 疋結果圖。 圖2表示聚對苯二甲酸乙二酯(PET )薄膜及以實施例 1所得之多孔性二氧化矽薄膜被覆之PET薄膜的透過率測 定結果圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 汽、、&適用中國國家標準(CNS ) 規格(公釐 -69-

Claims (1)

1251615 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1 第9 1 1 36165號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國94年5月6日修正 1. 一種塗佈組成物,其特徵爲包含(A )至少一種選自 下述式(1 ): R!nSl(OR2)4-n (1) (:式中,各R1分別獨立表示氫原子、碳數1〜10的烷基、 碳數6〜10的芳基、乙烯基、具有乙烯基的碳數3〜10的 有機基、具有(甲基)丙烯醯基之碳數4〜10的有機基或 具有環氧基的碳數3〜10的有機基,各R2分別獨立表示碳 數1〜6的烷基,η表示〇〜2的整數) 所表示的第一烷氧基矽烷類、及下述式(2 ): (R30)3Si-(R4)m-Si(0R3)3 (2) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C式中’各R3分別獨立表不碳數1〜6的院基、R4表市碳數 1〜6的伸烷基或碳數6〜10的伸芳基,m表示0或1) 所表示的第二烷氧基矽烷類所成群之烷氧基矽烷於酸 觸媒存在下進行水解縮聚合所得之流動性二氧化矽前驅物 5 (B )具有至少一種選自鹼性羥基及鹼性氮原子所成群 之無機鹼、四烷基銨氫氧化物及有機鹼所成群之鹼性化合 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公羡) -1 - 1251615 A8 B8 C8 D8 ____ 六、申請專利範圍 2 物,但,該鹼性化合物(B )的0. IN的水溶液的PH爲1 1 以上,且該鹼性化合物(B)的100°C下之蒸氣壓爲l.3kPa (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下,及 (C )沸點爲1 〇〇 °C以上,與該流動性二氧化矽前驅物 (A)相溶之有機化合物的塗佈組成物, 該驗性化合物(B )的量,換算成與該鹼性化合物(B )中的該鹼性羥基及鹼性氮原子的總莫耳量時,對1莫耳 的該流動性二氧化矽前驅物(A )中的矽原子而言爲〇·〇〇 1 5 〜0.5莫耳。 2. 如申請專利範圍第1項之塗佈組成物,其中該流動性 二氧化矽前驅物(A)的重量平均分子量爲1,500〜200,000。 3. 如申請專利範圍第1項之塗佈組成物,其中該有機化 合物(C )爲具有至少一種選自醚基、酯基、羰基、羧基、 碳酸酯基、醯胺基及羥基所成群之極性基者。 4. 如申請專利範圍第3項之塗佈組成物,其中該有機化 合物(C)爲分子內具有至少3個羥基之多元醇或醣類,或 至少一個該多元醇或醣類的羥基,經酯化所得之酯。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5. 如申請專利範圍第4項之塗佈組成物,其中多元醇、 醣或酯之該有機化合物(C )中,對碳之氧的原子比爲〇. 5 以上者。 6. 如申請專利範圍第3項之塗佈組成物,其中該有機化 合物(C )爲至少一種選自聚醚、聚酯、聚碳酸酯、聚醯胺 、纖維素、聚乙烯醇、聚乙烯醚、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙 烯醯胺及聚丙烯酸所成群之聚合物。 本紙張尺度適财關家料(CNS ) A4^ ( 210X297公:2 - ' 1251615 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 7 .如申請專利範圍第1項之塗佈組成物,其中該酸觸媒 爲陽離子交換樹脂。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 .如申請專利範圍第1項之塗佈組成物,其中該鹼性化 合物(B )爲至少一種選自氫氧化鈉、Μ氧化鉀、四院基銨 氫氧化物及重量平均分子量爲130以上之聚伸烷基亞胺所 成群之化合物。 9 .如申請專利範圍第1項之塗佈組成物,其中該鹼性化 合物(Β)的量,換算成與該鹼性化合物(Β )中的該鹼性 羥基及鹼性氮原子的總量時,對1莫耳的該流動性二氧化 矽前驅物(A )中的矽原子而言爲0.005〜0.08莫耳。 I 0.如申請專利範圍第1項之塗佈組成物,其中更含有 用以混合該流動性二氧化矽前驅物(A )、該鹼性化合物( B )及該有機化合物(C )之溶劑(D )。 II ·如申請專利範圍第1 0項之塗佈組成物,其中於該溶 劑(D )中,具有羥基且沸點爲1 0(TC以上之高沸點溶劑, 對該塗佈組成物之重量而言含有5重量%以上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12.如申請專利範圍第1項之塗佈組成物,其中更含有 對1 00重量份的該流動性二氧化矽前驅物(A )而言爲1〜 50重量份的比率之四烷基銨鹽(E )。 1 3.如申請專利範圍第1項之塗佈組成物,其可使用於 反射防止膜。 14. 一種多孔性二氧化矽薄膜,其特徵爲由包含以下步 驟: (1 )塗佈如申請專利範圍第1至1 3項中任一項之塗 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1251615 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 佈組成物於基板上,形成該組成物的薄膜之步驟,但,該 薄膜含有該鹼性化合物(B )及分散該有機化合物(C )所 成之該流動性二氧化矽前驅物(A )、 (2 )硬化該薄膜,藉此得到該流動性二氧化矽前驅物 (A)轉化成二氧化矽得到硬化薄膜之步驟、及 (3 )該硬化薄膜施予溶劑萃取後,由該硬化薄膜中除 去該有機化合物(C ),而得到多孔性二氧化矽薄膜的步驟 等之方法所得者。 15.如申請專利範圍第14項之多孔性二氧化矽薄膜,其 中使用於步驟(3 )萃取之溶劑爲極性溶劑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(21〇X297公釐)
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Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100532915B1 (ko) * 2002-10-29 2005-12-02 삼성전자주식회사 단당류계 또는 올리고당류계 포로젠을 포함하는 다공성층간 절연막을 형성하기 위한 조성물
JP2004307692A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜及び半導体装置
JP2004307693A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置
KR100496286B1 (ko) * 2003-04-12 2005-06-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US7018463B2 (en) * 2003-07-24 2006-03-28 Lens Technology I, Llc Abrasion resistant coating composition
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
NL1025096C2 (nl) * 2003-12-21 2005-06-23 Otb Group Bv Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten.
JP2005314616A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーンコーティング組成物及び被覆物品
TWI288827B (en) 2004-08-31 2007-10-21 Ind Tech Res Inst Three-dimensional nano-porous film and fabrication method thereof
US7629396B2 (en) * 2005-02-23 2009-12-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Silicon-containing polytrimethylene homo- for copolyether composition
EP1784465B1 (en) * 2005-06-02 2014-01-08 LG Chem, Ltd. Coating composition for film with low refractive index and film prepared therefrom
EP1970421B1 (en) * 2005-12-22 2015-04-29 JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Coating liquid for forming low dielectric constant amorphous silica coating film and low dielectric constant amorphous silica coating film obtained from such coating liquid
JP4949692B2 (ja) * 2006-02-07 2012-06-13 東京応化工業株式会社 低屈折率シリカ系被膜形成用組成物
KR101312064B1 (ko) * 2006-02-08 2013-09-25 동우 화인켐 주식회사 저반사 필름 및 그 제조방법
KR100712473B1 (ko) * 2006-02-13 2007-04-27 영창케미칼 주식회사 규소(Si)를 포함하는 다기능 반사방지막
JP4942356B2 (ja) * 2006-02-15 2012-05-30 三菱レイヨン株式会社 活性エネルギー線硬化性組成物及び硬化物
EP1845132B8 (en) * 2006-04-11 2009-04-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method
JP2008039803A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Teijin Dupont Films Japan Ltd 反射防止フィルム
DE102006046308A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Siemens Ag Transparente poröse SiO2-Beschichtung für ein transparentes Substratmaterial
TW200821036A (en) * 2006-11-06 2008-05-16 Far Eastern Textile Ltd Preparing method of sol used for manufacturing low reflection film and manufacturing method of low reflection film using the sol
JP2008120911A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 被膜形成用組成物およびそれから形成される被膜
FR2908406B1 (fr) * 2006-11-14 2012-08-24 Saint Gobain Couche poreuse, son procede de fabrication et ses applications.
KR100796047B1 (ko) * 2006-11-21 2008-01-21 제일모직주식회사 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물, 이를 이용한 반도체집적회로 디바이스의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체집적회로 디바이스
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
US20090026924A1 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Leung Roger Y Methods of making low-refractive index and/or low-k organosilicate coatings
DE102007043653A1 (de) 2007-09-13 2009-04-02 Siemens Ag Transparente poröse SiO2-Beschichtung für ein transparentes Substratmaterial mit verbesserten optischen Eigenschaften
KR100914766B1 (ko) * 2007-10-29 2009-08-31 에스케이씨 주식회사 저굴절 코팅 조성물과 이를 이용한 저굴절 코팅 필름
KR100956675B1 (ko) * 2007-12-07 2010-05-10 제일모직주식회사 액정 배향제, 이를 포함하는 액정 배향막, 및 이를포함하는 액정 표시 장치
KR100930672B1 (ko) * 2008-01-11 2009-12-09 제일모직주식회사 실리콘계 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체집적회로 디바이스의 제조방법
WO2009108393A2 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 The University Of Houston System Anti reflection coatings and methods of preparing and using same
US8557877B2 (en) * 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
US20110151222A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-23 Agc Flat Glass North America, Inc. Anti-reflective coatings and methods of making the same
JP2011247918A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Kri Inc 低屈折率膜及び反射防止膜
EP2472578B1 (en) * 2010-12-28 2020-06-03 Nichia Corporation Light emitting device
CN103370286A (zh) * 2011-02-11 2013-10-23 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 在基材上沉积抗反射层的方法
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
CA2872446A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Dsm Ip Assets B.V. Composition and process for making a porous inorganic oxide coating
KR101523819B1 (ko) 2012-09-04 2015-05-28 (주)엘지하우시스 실록산 화합물을 포함하는 반사 방지 코팅 조성물, 이를 이용한 반사 방지 필름
KR101523821B1 (ko) * 2012-10-30 2015-05-28 (주)엘지하우시스 실록산 화합물을 포함하는 반사 방지 코팅 조성물, 이를 이용하여 표면 에너지가 조절된 반사 방지 필름
KR101507208B1 (ko) * 2012-11-07 2015-04-07 (주)엘지하우시스 실록산 화합물을 포함하는 초친수성 반사방지 코팅 조성물, 이를 이용한 초친수성 반사방지 필름 및 이의 제조방법
SG10201705330UA (en) * 2012-12-28 2017-07-28 Merck Patent Gmbh Printable diffusion barriers for silicon wafers
KR20140094939A (ko) * 2013-01-23 2014-07-31 (주)엘지하우시스 저굴절층 코팅용 조성물 및 이의 제조방법
ES2897719T3 (es) * 2013-03-16 2022-03-02 Prc Desoto Int Inc Composiciones sol-gel que inhiben la corrosión
CN105745253A (zh) * 2013-09-20 2016-07-06 琳得科株式会社 固化性组合物、固化物和固化性组合物的使用方法
EP3034560A4 (en) * 2013-09-20 2017-04-05 Lintec Corporation Curable composition, curing product, and method for using curable composition
TW201518344A (zh) * 2013-11-12 2015-05-16 Unicon Optical Co Ltd 具有三維網狀結構之含矽預聚物及其製備方法
JP6045515B2 (ja) * 2014-01-28 2016-12-14 信越化学工業株式会社 眼科デバイス製造用モノマー
JP6073207B2 (ja) * 2013-11-14 2017-02-01 信越化学工業株式会社 眼科デバイス製造用モノマー
KR101494617B1 (ko) * 2013-12-16 2015-02-24 한국세라믹기술원 폴리에틸렌글리콜을 이용한 저굴절 반사방지막의 제조방법
CA2960413C (en) * 2014-10-22 2023-01-24 Erick B. Iezzi Two-component siloxane-based coatings containing polymers with urea linkages and terminal alkoxysilanes
JP2016115927A (ja) * 2014-12-10 2016-06-23 旭化成株式会社 太陽電池用コーティング膜
WO2016167892A1 (en) 2015-04-13 2016-10-20 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications
EP3118175A1 (en) * 2015-07-17 2017-01-18 AGC Glass Europe Trim element for interior vehicle
FR3066499A1 (fr) * 2017-05-19 2018-11-23 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif electriquement conducteur, transparent ou semi-transparent, a base de polymeres poly(thio- ou seleno-)pheniques et de nanoparticules de silice poreuse
CN111033688B (zh) * 2017-08-24 2024-02-23 株式会社Lg化学 二氧化硅膜的制造方法
US11940616B2 (en) 2017-12-08 2024-03-26 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Scalable method of fabricating structured polymers for passive daytime radiative cooling and other applications
US20210198494A1 (en) * 2018-07-19 2021-07-01 3M Innovative Properties Company Sulfonate-functional coating compositions, methods of making the same, and articles therefrom
US20200230571A1 (en) * 2019-01-21 2020-07-23 The Florida International University Board Of Trustees Mesoporous silica and stationary phases and solid phase sorbents therefrom
US11583388B2 (en) 2019-04-05 2023-02-21 Amo Groningen B.V. Systems and methods for spectacle independence using refractive index writing with an intraocular lens
US11678975B2 (en) 2019-04-05 2023-06-20 Amo Groningen B.V. Systems and methods for treating ocular disease with an intraocular lens and refractive index writing
US11529230B2 (en) 2019-04-05 2022-12-20 Amo Groningen B.V. Systems and methods for correcting power of an intraocular lens using refractive index writing
US11583389B2 (en) 2019-04-05 2023-02-21 Amo Groningen B.V. Systems and methods for correcting photic phenomenon from an intraocular lens and using refractive index writing
US11944574B2 (en) 2019-04-05 2024-04-02 Amo Groningen B.V. Systems and methods for multiple layer intraocular lens and using refractive index writing
US11564839B2 (en) 2019-04-05 2023-01-31 Amo Groningen B.V. Systems and methods for vergence matching of an intraocular lens with refractive index writing
CN111978545A (zh) * 2020-09-10 2020-11-24 江西星火狮达科技有限公司 一种木材专用防水防霉树脂及其制备方法
GB202104385D0 (en) * 2020-11-27 2021-05-12 Milliery Manuel A sol-gel coating to give coated substrates barrier properties and method of applications thereof
CN115025635B (zh) * 2022-06-30 2023-08-18 常州大学 一种桥架有机硅/go复合纳滤膜的制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4818732A (en) * 1987-03-19 1989-04-04 The Standard Oil Company High surface area ceramics prepared from organosilane gels
JPH0623253B2 (ja) * 1989-10-24 1994-03-30 信越化学工業株式会社 有機けい素樹脂の製造方法
JP2913715B2 (ja) 1989-12-28 1999-06-28 日本板硝子株式会社 反射防止膜およびその形成方法
JPH07140302A (ja) 1993-11-22 1995-06-02 Sekisui Chem Co Ltd 反射防止被膜の製造方法
JPH08319109A (ja) 1995-05-23 1996-12-03 Sekisui Chem Co Ltd 無機質組成物及び積層体の製造方法
JP3851393B2 (ja) * 1996-11-25 2006-11-29 旭化成株式会社 多孔質ケイ素酸化物膜の製造法
AU2001246832A1 (en) * 2000-04-04 2001-10-15 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Coating composition for the production of insulating thin films
US20040091411A1 (en) * 2002-11-08 2004-05-13 Bijan Modrek-Najafabadi High surface area, high porosity silica packing with narrow particle and pore diameter distribution and methods of making same

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