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TW201813147A - 顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示裝置的製造方法 - Google Patents

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TW201813147A
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保本清治
佐藤将孝
安達広樹
高山徹
高瀬奈津子
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半導體能源研究所股份有限公司
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Abstract

以低成本製造無論周圍的亮度如何都具有高可見度的顯示裝置。本發明是一種包括第一顯示元件、第二顯示元件及絕緣層的顯示裝置的製造方法。第一顯示元件包括反射可見光的第一像素電極、液晶層及透過可見光的第一共用電極。第二顯示元件包括透過可見光的第二像素電極、發光層及反射可見光的第二共用電極。在第一基板上形成第一共用電極。在形成用基板上形成反射可見光的剝離層，在剝離層上形成絕緣層，在絕緣層上形成第二顯示元件。使用黏合劑將形成用基板與第二基板貼合。將形成用基板與剝離層分離。對所露出的剝離層進行加工，來形成第一像素電極。在第一共用電極與第一像素電極之間配置液晶層，使用黏合劑將第一基板與第二基板貼合，形成第一顯示元件。

Description

顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示裝置的製造方法
本發明的一個實施方式係關於一種顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示裝置的製造方法。
注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。作為本發明的一個實施方式的技術領域的一個例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、電子裝置、照明設備、輸入裝置(例如，觸控感測器等)、輸入輸出裝置(例如，觸控面板等)以及上述裝置的驅動方法或製造方法。
近年來，顯示裝置被期待應用於各種用途。作為顯示裝置，例如已開發了包括發光元件的發光裝置、包括液晶元件的液晶顯示裝置等。
例如，專利文獻1公開了使用有機EL(Electroluminescence)元件的具有撓性的發光裝置。
專利文獻2公開了一種半透過型液晶顯示裝置，包括反射可見光的區域和透過可見光的區域，在能夠獲得充分的外光的環境下可以用作反射型液晶顯示裝置， 在不能夠獲得充分的外光的環境下可以用作透過型液晶顯示裝置。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2014-197522號公報
[專利文獻2]日本專利申請公開第2011-191750號公報
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種功耗低的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種無論周圍的亮度如何都具有高可見度的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種全天候型顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種方便性高的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是實現顯示裝置的薄型化或輕量化。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置、輸入輸出裝置或電子裝置等。
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置的製造方法。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種製程簡化的顯示裝置的製造方法。本發明的一個實施方式是提供一種成本低且生產率高的顯示裝置的製造方法。
注意，這些目的的記載並不妨礙其他目的的 存在。本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載中抽取上述目的以外的目的。
本發明的一個實施方式的顯示裝置包括第一顯示元件、第二顯示元件以及絕緣層。第一顯示元件包括具有反射可見光的功能的第一像素電極及液晶層。第二顯示元件具有發射可見光的功能。第二顯示元件包括第二像素電極及共用電極。第一像素電極位於相對於絕緣層與第二像素電極相反的位置上。液晶層位於相對於第一像素電極與絕緣層相反的位置上。共用電極位於相對於第二像素電極與絕緣層相反的位置上。液晶層包括與第一像素電極重疊的第一區域及與第二顯示元件重疊的第二區域。第一區域中的液晶層的厚度比第二區域中的液晶層的厚度薄。該顯示裝置較佳為包括第一電晶體及第二電晶體。第一電晶體具有控制第一顯示元件的驅動的功能。第二電晶體具有控制第二顯示元件的驅動的功能。絕緣層包括用作第一電晶體的閘極絕緣層的部分以及用作第二電晶體的閘極絕緣層的部分。
本發明的一個實施方式的顯示裝置包括第一顯示元件、第二顯示元件、第一絕緣層、第二絕緣層、第一電晶體以及第二電晶體。第一電晶體具有控制第一顯示元件的驅動的功能。第二電晶體具有控制第二顯示元件的驅動的功能。第一顯示元件包括具有反射可見光的功能的第一像素電極及液晶層。第二顯示元件具有發射可見光的 功能。第二顯示元件包括第二像素電極及共用電極。第一電晶體及第二電晶體都位於第一絕緣層與第二絕緣層之間。第一電晶體藉由設置在第一絕緣層中的開口與第一像素電極電連接。第二電晶體藉由設置在第二絕緣層中的開口與第二像素電極電連接。液晶層位於相對於第一像素電極與第一絕緣層相反的位置上。共用電極位於相對於第二像素電極與第二絕緣層相反的位置上。液晶層包括與第一像素電極重疊的第一區域及與第二顯示元件重疊的第二區域。第一區域的液晶層的厚度比第二區域的液晶層的厚度薄。
第一電晶體和第二電晶體中的一個或兩個在通道形成區域中包含氧化物半導體。
第一像素電極也可以包括開口部。第二顯示元件包括與開口部重疊的部分。第二顯示元件具有向開口部發射可見光的功能。
本發明的一個實施方式是一種顯示模組，包括：上述結構中的任一個的顯示裝置；以及軟性印刷電路板(FPC)等電路板。
本發明的一個實施方式是一種電子裝置，包括：上述顯示模組；以及天線、電池、外殼、照相機、揚聲器、麥克風和操作按鈕中的至少一個。
本發明的一個實施方式是一種包括第一顯示元件、第二顯示元件及絕緣層的顯示裝置的製造方法。第一顯示元件包括具有反射可見光的功能的第一像素電極、 液晶層及具有透過可見光的功能的第一共用電極。第二顯示元件包括具有透過可見光的功能的第二像素電極、發光層及具有反射可見光的功能的第二共用電極。在第一基板上形成第一共用電極，在形成用基板上形成具有反射可見光的功能的剝離層，在剝離層上形成絕緣層。在絕緣層上依次形成第二像素電極、發光層及第二共用電極，來形成第二顯示元件，使用黏合劑將形成用基板與第二基板貼合。將形成用基板與剝離層分離。對所露出的剝離層進行加工，來形成第一像素電極。在第一共用電極與第一像素電極之間配置液晶層，使用黏合劑將第一基板與第二基板貼合，來形成第一顯示元件。
在上述顯示裝置的製造方法中，也可以對剝離層進行加工，來在重疊於第二顯示元件的位置上形成包括開口的第一像素電極。
在上述顯示裝置的製造方法中，較佳為將第一基板與第二基板貼合時使用的黏合劑包含導電粒子。對剝離層進行加工形成第一像素電極及導電層。藉由將第一基板與第二基板貼合，由導電粒子將第一共用電極與導電層電連接。
本發明的一個實施方式是一種包括第一顯示元件、第二顯示元件及絕緣層的顯示裝置的製造方法。第一顯示元件包括具有反射可見光的功能的第一像素電極、液晶層及具有透過可見光的功能的第一共用電極。第二顯示元件包括具有透過可見光的功能的第二像素電極、發光 層及具有反射可見光的功能的第二共用電極。在第一基板上形成第一共用電極，在形成用基板上形成剝離層，在剝離層上形成第一像素電極，在第一像素電極上形成絕緣層。在絕緣層上依次形成第二像素電極、發光層及第二共用電極，來形成第二顯示元件。使用黏合劑將形成用基板與第二基板貼合。將形成用基板與剝離層分離。去除所露出的剝離層，來露出絕緣層及第一像素電極。在第一共用電極與第一像素電極之間配置液晶層，使用黏合劑將第一基板與第二基板貼合，來形成第一顯示元件。
在上述顯示裝置的製造方法中，也可以在形成第一像素電極之後在第一像素電極中設置開口，在與開口重疊的位置上形成第二顯示元件。
在上述顯示裝置的製造方法中，較佳為將第一基板與第二基板貼合時使用的黏合劑包含導電粒子。對同一導電膜進行加工來形成第一像素電極及導電層。藉由將第一基板與第二基板貼合，由導電粒子將第一共用電極與導電層電連接。
在上述各顯示裝置的製造方法中，也可以作為剝離層與形成用基板接觸地形成鎳膜。在形成剝離層之後至將形成用基板與剝離層分離之前的期間，對剝離層進行加熱時的最高溫度高於150℃低於450℃。
在上述各顯示裝置的製造方法中，在形成用基板上形成包含氮及矽的第一絕緣層，在第一絕緣層上形成包含氧及矽的第二絕緣層，在第二絕緣層上形成包含 氧、氟及矽的第三絕緣層，在第三絕緣層上形成作為剝離層的鈦膜。
根據本發明的一個實施方式，可以提供一種功耗低的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種無論周圍的亮度如何都具有高可見度的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種全天候型顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種方便性高的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以實現顯示裝置的薄型化或輕量化。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種新穎的顯示裝置、輸入輸出裝置或電子裝置等。
根據本發明的一個實施方式，可以提供一種新穎的顯示裝置的製造方法。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種製程簡化的顯示裝置的製造方法。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種成本低且生產率高的顯示裝置的製造方法。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述效果。可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載中抽取上述效果以外的效果。
ANO‧‧‧佈線
C1‧‧‧電容元件
C2‧‧‧電容元件
CSCOM‧‧‧佈線
G1‧‧‧佈線
G2‧‧‧佈線
G3‧‧‧佈線
GD‧‧‧電路
S1‧‧‧佈線
S2‧‧‧佈線
S3‧‧‧佈線
SD‧‧‧電路
SW1‧‧‧開關
SW2‧‧‧開關
VCOM1‧‧‧佈線
VCOM2‧‧‧佈線
100‧‧‧顯示裝置
110a‧‧‧電晶體
110b‧‧‧電晶體
110c‧‧‧電晶體
110d‧‧‧電晶體
110e‧‧‧電晶體
110f‧‧‧電晶體
110g‧‧‧電晶體
110h‧‧‧電晶體
111‧‧‧電極
111a‧‧‧電極
111b‧‧‧電極
111c‧‧‧導電層
111d‧‧‧導電層
112‧‧‧液晶層
113‧‧‧電極
117‧‧‧絕緣層
121‧‧‧絕緣層
131‧‧‧彩色層
132‧‧‧遮光層
133a‧‧‧配向膜
133b‧‧‧配向膜
134‧‧‧彩色層
135‧‧‧偏光板
141‧‧‧黏合層
142‧‧‧黏合層
151‧‧‧絕緣層
170‧‧‧發光元件
180‧‧‧液晶元件
191‧‧‧電極
192‧‧‧EL層
193‧‧‧電極
194‧‧‧絕緣層
201‧‧‧電晶體
203‧‧‧電晶體
204‧‧‧連接部
205‧‧‧電晶體
206‧‧‧電晶體
207‧‧‧連接部
211‧‧‧絕緣層
212‧‧‧絕緣層
213‧‧‧絕緣層
214‧‧‧絕緣層
216‧‧‧絕緣層
217‧‧‧絕緣層
218‧‧‧絕緣層
220‧‧‧絕緣層
221‧‧‧導電層
221a‧‧‧導電層
221b‧‧‧導電層
221c‧‧‧導電層
222a‧‧‧導電層
222b‧‧‧導電層
223‧‧‧導電層
231‧‧‧半導體層
242‧‧‧連接層
243‧‧‧連接器
252‧‧‧連接部
261‧‧‧半導體層
263a‧‧‧導電層
263b‧‧‧導電層
281‧‧‧電晶體
284‧‧‧電晶體
285‧‧‧電晶體
286‧‧‧電晶體
300‧‧‧顯示裝置
300A‧‧‧顯示裝置
300B‧‧‧顯示裝置
300C‧‧‧顯示裝置
311‧‧‧剝離層
311a‧‧‧電極
311b‧‧‧導電層
311c‧‧‧導電層
340‧‧‧液晶元件
350‧‧‧形成用基板
351‧‧‧基板
355‧‧‧絕緣層
360‧‧‧發光元件
360b‧‧‧發光元件
360g‧‧‧發光元件
360r‧‧‧發光元件
360w‧‧‧發光元件
361‧‧‧基板
362‧‧‧顯示部
364‧‧‧電路
365‧‧‧佈線
372‧‧‧FPC
373‧‧‧IC
400‧‧‧顯示裝置
410‧‧‧像素
451‧‧‧開口
800‧‧‧可攜式資訊終端
801‧‧‧外殼
802‧‧‧外殼
803‧‧‧顯示部
804‧‧‧顯示部
805‧‧‧鉸鏈部
810‧‧‧可攜式資訊終端
811‧‧‧外殼
812‧‧‧顯示部
813‧‧‧操作按鈕
814‧‧‧外部連接埠
815‧‧‧揚聲器
816‧‧‧麥克風
817‧‧‧照相機
820‧‧‧照相機
821‧‧‧外殼
822‧‧‧顯示部
823‧‧‧操作按鈕
824‧‧‧快門按鈕
826‧‧‧鏡頭
8000‧‧‧顯示模組
8001‧‧‧上蓋
8002‧‧‧下蓋
8003‧‧‧FPC
8004‧‧‧觸控面板
8005‧‧‧FPC
8006‧‧‧顯示面板
8009‧‧‧框架
8010‧‧‧印刷電路板
8011‧‧‧電池
9000‧‧‧外殼
9001‧‧‧顯示部
9003‧‧‧揚聲器
9005‧‧‧操作鍵
9006‧‧‧連接端子
9007‧‧‧感測器
9008‧‧‧麥克風
9055‧‧‧鉸鏈
9200‧‧‧可攜式資訊終端
9201‧‧‧可攜式資訊終端
9202‧‧‧可攜式資訊終端
在圖式中：圖1是示出顯示裝置的一個例子的透視圖； 圖2是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖；圖3是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖；圖4A及圖4B是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖；圖5A、圖5B1、圖5B2、圖5C是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖6A至圖6C是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖7A至圖7C是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖8A及圖8B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖9A、圖9B、圖9C1、圖9C2是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖10A及圖10B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖11A及圖11B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖12A及圖12B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖13A及圖13B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖14A至圖14E是示出電晶體的一個例子的剖面圖； 圖15A、圖15B1、圖15B2、圖15B3、圖15B4是示出顯示裝置的一個例子及像素的一個例子的圖；圖16是示出顯示裝置的像素電路的一個例子的電路圖；圖17A及圖17B是示出顯示裝置的像素電路的一個例子的電路圖及像素的一個例子的圖；圖18是示出顯示模組的一個例子的圖；圖19A至圖19D是示出電子裝置的一個例子的圖；圖20A至圖20E是示出電子裝置的一個例子的圖。
本發明的選擇圖為圖2。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。
注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。另外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。
另外，為了便於理解，有時圖式中示出的各 構成的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式所公開的位置、大小、範圍等。
另外，根據情況或狀態，可以互相調換“膜”和“層”。例如，有時可以將“導電層”變換為“導電膜”。此外，有時可以將“絕緣膜”變換為“絕緣層”。
在本說明書等中，金屬氧化物(metal oxide)是指廣義上的金屬的氧化物。金屬氧化物被分類為氧化物絕緣體、氧化物導電體(包括透明氧化物導電體)和氧化物半導體(Oxide Semiconductor，也可以簡稱為OS)等。例如，在將金屬氧化物用於電晶體的半導體層的情況下，有時將該金屬氧化物稱為氧化物半導體。換言之，可以將OS FET稱為包含金屬氧化物或氧化物半導體的電晶體。
此外，在本說明書等中，有時將包含氮的金屬氧化物也稱為金屬氧化物(metal oxide)。此外，也可以將包含氮的金屬氧化物稱為金屬氧氮化物(metal oxynitride)。
此外，在本說明書等中，有時記載CAAC(c-axis aligned crystal)或CAC(Cloud-Aligned Composite)。注意，CAAC是指結晶結構的一個例子，CAC是指功能或材料構成的一個例子。
下面，對氧化物半導體或金屬氧化物的結晶結構的一個例子進行說明。注意，以使用In-Ga-Zn氧化 物靶材(In：Ga：Zn=4：2：4.1[原子個數比])且藉由濺射法形成的氧化物半導體為一個例子進行說明。將使用上述靶材在100℃以上且130℃以下的基板溫度下藉由濺射法形成的氧化物半導體稱為sIGZO，將使用上述靶材在室溫(R.T.)的基板溫度下藉由濺射法形成的氧化物半導體稱為tIGZO。例如，sIGZO具有nc(nano crystal)和CAAC中的一個或兩個的結晶結構。此外，tIGZO具有nc的結晶結構。注意，在此指的室溫(R.T.)包括對基板不進行意圖性的加熱時的溫度。
此外，在本說明書等中，CAC-OS或CAC-metal oxide在材料的一部分中具有導電體的功能，在材料的另一部分中具有介電質(或絕緣體)的功能，作為材料的整體具有半導體的功能。此外，在將CAC-OS或CAC-metal oxide用於電晶體的半導體層的情況下，導電體具有使被用作載子的電子(或電洞)流過的功能，介電質具有不使被用作載子的電子流過的功能。藉由導電體的功能和介電質的功能的互補作用，可以使CAC-OS或CAC-metal oxide具有開關功能(控制開啟/關閉的功能)。藉由在CAC-OS或CAC-metal oxide中使各功能分離，可以最大限度地提高各功能。
此外，在本說明書等中，CAC-OS或CAC-metal oxide包括導電體區域及介電質區域。導電體區域具有上述導電體的功能，介電質區域具有上述介電質的功能。此外，在材料中，導電體區域和介電質區域有時以奈 米粒子級分離。另外，導電體區域和介電質區域有時在材料中不均勻地分佈。此外，有時觀察到其邊緣模糊而以雲狀連接的導電體區域。
就是說，也可以將CAC-OS或CAC-metal oxide稱為基質複合材料(matrix composite)或金屬基質複合材料(metal matrix composite)。
此外，在CAC-OS或CAC-metal oxide中，導電體區域和介電質區域有時以0.5nm以上且10nm以下，較佳為0.5nm以上且3nm以下的尺寸分散在材料中。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖式說明本發明的一個實施方式的顯示裝置及其製造方法。
本實施方式的顯示裝置包括反射可見光的第一顯示元件及發射可見光的第二顯示元件。
本實施方式的顯示裝置具有由第一顯示元件所反射的光和第二顯示元件所發射的光中的一個或兩個顯示影像的功能。
作為第一顯示元件，可以使用反射外光來進行顯示的元件。因為這種元件不包括光源(不使用人工光源)，所以可以使顯示時的功耗變得極小。
作為第一顯示元件，典型地可以使用反射型液晶元件。此外，作為第一顯示元件，可以使用快門方式的MEMS(Micro Electro Mechanical System：微機電系統) 元件、光干涉方式的MEMS元件、應用微囊方式、電泳方式、電潤濕方式、電子粉流體(日本的註冊商標)方式等的元件等。
作為第二顯示元件，較佳為使用發光元件。由於這種發光元件所發射的光的亮度及色度不受到外光的影響，因此這種像素可以進行色彩再現性高(色域寬)且對比度高的鮮明的顯示。
作為第二顯示元件，例如可以使用OLED(Organic Light Emitting Diode：有機發光二極體)、LED(Light Emitting Diode：發光二極體)、QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode：量子點發光二極體)、半導體雷射等自發光性發光元件。
本實施方式的顯示裝置包括只使用第一顯示元件顯示影像的第一模式、只使用第二顯示元件顯示影像的第二模式以及使用第一顯示元件和第二顯示元件顯示影像的第三模式，該顯示裝置能夠以自動或手動切換這些模式而使用。
在第一模式中，利用第一顯示元件和外光顯示影像。因為第一模式不使用光源，所以功耗極低。例如，當外光充分入射到顯示裝置時(在明亮的環境等下)，可以使用第一顯示元件所反射的光進行顯示。例如，第一模式在外光充分強且外光為白色光或近似的光的情況下是有效的。第一模式是適於顯示文字的模式。另外，因為在第一模式中使用反射外光的光，所以可以進行護眼顯示而 有眼睛不容易疲累的效果。
在第二模式中，利用第二顯示元件的發光顯示影像。由此，可以與照度及外光的色度無關地進行極鮮明(對比度高且色彩再現性高)的顯示。例如，第二模式在夜間及昏暗的室內等的照度極低的情況等下是有效的。另外，在周圍昏暗時，明亮的顯示有時讓使用者感到刺眼。為了防止發生這種問題，在第二模式中較佳為進行抑制亮度的顯示。由此，不僅可以抑制刺眼，而且還可以降低功耗。第二模式是適合顯示鮮明的影像(靜態影像及動態影像)等的模式。
在第三模式中，利用第一顯示元件的反射光和第二顯示元件的發光的兩者來進行顯示。不但可以進行比第一模式鮮明的顯示，而且可以使功耗比第二模式小。例如，第三模式在室內照明下或者早晨傍晚等照度較低的情況、外光的色度不是白色的情況等下是有效的。
藉由採用上述結構，可以實現無論周圍的亮度如何都具有高可見度及高方便性的顯示裝置或全天候型顯示裝置。
本實施方式的顯示裝置包括多個具有第一顯示元件的第一像素及多個具有第二顯示元件的第二像素。第一像素及第二像素較佳為都配置為矩陣狀。
第一像素及第二像素可以分別包括一個以上的子像素。例如，像素可以採用具有一個子像素的結構(白色(W)等)、具有三個子像素的結構(紅色(R)、綠色(G) 及藍色(B)的三種顏色或黃色(Y)、青色(C)及洋紅色(M)的三種顏色等)、具有四個子像素的結構(紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、白色(W)的四種顏色或者紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、黃色(Y)的四種顏色等)。
在本實施方式的顯示裝置中，可以採用第一像素及第二像素都進行全彩色顯示的結構。此外，在本實施方式的顯示裝置中，可以採用第一像素進行黑白顯示或灰階級顯示，且第二像素進行全彩色顯示的結構。使用第一像素的黑白顯示或灰階級顯示適用於顯示不需要彩色顯示的資訊例如顯示文件資訊。
接著，參照圖1至圖4B說明本實施方式的顯示裝置的結構例子。
〈結構例子1〉
圖1是顯示裝置300的透視示意圖。顯示裝置300具有貼合基板351與基板361的結構。在圖1中，以虛線表示基板361。
顯示裝置300包括顯示部362、電路364及佈線365等。圖1示出在顯示裝置300中安裝有IC(集成電路)373及FPC372的例子。因此，也可以將圖1所示的結構稱為包括顯示裝置300、IC及FPC的顯示模組。
作為電路364，例如可以使用掃描線驅動電路。
佈線365具有對顯示部362及電路364供應 信號及電力的功能。該信號及電力從外部經由FPC372或者從IC373輸入到佈線365。
圖1示出藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式或COF(Chip on Film：薄膜覆晶封裝)方式等在基板351上設置有IC373的例子。作為IC373，例如可以使用包括掃描線驅動電路或信號線驅動電路等的IC。注意，顯示裝置100及顯示模組不一定需要設置有IC。另外，也可以將IC利用COF方式等安裝於FPC。
圖1示出顯示部362的一部分的放大圖。在顯示部362中以矩陣狀配置有多個顯示元件所包括的電極311a。電極311a具有反射可見光的功能，並被用作液晶元件180的反射電極。
本實施方式的顯示裝置的製造方法包括將形成在形成用基板上的電晶體及顯示元件等從該形成用基板剝離的剝離製程。
剝離製程在形成用基板與剝離層之間進行剝離。
在本實施方式中，作為剝離層使用具有反射可見光的功能的導電層。剝離層在藉由剝離被露出之後被加工，被用作顯示裝置所包括的導電層。明確而言，可以使用剝離層形成被用作液晶元件180的反射電極的電極311a。
在使用剝離層形成電極311a時，不需要去除剝離層。此外，由於不需要在與形成剝離層的製程不同的 製程形成將成為電極311a的導電膜，所以可以使製程簡化。
作為剝離層的材料(也稱為電極311a的材料)，例如可以舉出鎳(Ni)、鈦(Ti)、銀(Ag)及包含這些材料中的任一個的合金。作為包含銀的合金，可以舉出銀與銅的合金、銀與鈀與銅的合金(也記為Ag-Pd-Cu、APC)、銀與鎂的合金等。
也可以以與形成用基板接觸的方式形成剝離層。此時，在剝離製程中，在形成用基板與剝離層的介面產生分離。當以與玻璃基板接觸的方式形成剝離層時，在剝離之後膜幾乎不殘留在形成用基板一側，所以容易再次利用形成用基板。
例如，較佳為以與玻璃基板接觸的方式形成鎳膜。在剝離製程中可以在玻璃基板與鎳膜的介面產生分離。
也可以在形成用基板上隔著一層以上的絕緣層形成剝離層。此時，在剝離製程中，在接觸於剝離層的絕緣層與剝離層的介面產生分離。
例如，較佳為在形成用基板上形成絕緣層，且以與絕緣層接觸的方式形成鈦膜。在剝離製程中，可以在絕緣層與鈦膜的介面產生分離。當剝離層使用鈦時，廉價且適合於大型基板，所以是較佳的。
當使用包含銀的剝離層形成電極311a時，可以提高可見光的反射率，所以是較佳的。
當將鎳、鈦等用於剝離層時，不需要對於剝離層表面進行特別的處理諸如電漿處理等。因此，可以製造製程少且成本低的顯示裝置。
如此，本實施方式的顯示裝置可以低成本且生產率高地製造。注意，後面詳細說明顯示裝置的製造方法。
此外，如圖1所示，電極311a具有開口451。再者，顯示部362在比電極311a更靠近基板351一側包括發光元件170。來自發光元件170的光經過電極311a的開口451射出到基板361一側。發光元件170的發光區域的面積與開口451的面積也可以相同。發光元件170的發光區域的面積和開口451的面積中的一個較佳為比另一個大，這是因為可以增大錯位的餘地的緣故。尤其是，開口451的面積較佳為比發光元件170的發光區域的面積大。當開口451較小時，有時電極311a遮斷來自發光元件170的光的一部分，由此光不能取出到外部。藉由使開口451充分大，可以抑制發光元件170的發光的損耗。
圖2示出圖1所示的顯示裝置300的包括FPC372的區域的一部分、包括電路364的區域的一部分及包括顯示部362的區域的一部分的剖面的一個例子。
圖2所示的顯示裝置300在基板351與基板361之間包括電晶體201、電晶體203、電晶體205、電晶體206、液晶元件180、發光元件170、絕緣層220、彩色 層131、彩色層134等。基板361與絕緣層220藉由黏合層141黏合。基板351與絕緣層220藉由黏合層142黏合。
基板361設置有彩色層131、遮光層132、絕緣層121及被用作液晶元件180的共用電極的電極113、配向膜133b、絕緣層117等。在基板361的外側的面包括偏光板135。絕緣層121可以具有平坦化層的功能。藉由使用絕緣層121可以使電極113的表面大致平坦，可以使液晶層112的配向狀態成為均勻。絕緣層117被用作用來保持液晶元件180的單元間隙的間隔物。在絕緣層117透過可見光的情況下，絕緣層117也可以與液晶元件180的顯示區域重疊。
液晶元件180是反射型液晶元件。液晶元件180將反射光射出到基板361一側。液晶元件180包括層疊有電極311a、液晶層112、電極113的疊層結構。電極311a用作像素電極。電極311a包括開口451。電極113用作共用電極。在液晶層112與電極311a之間設置有配向膜133a。在液晶層112與電極113之間設置有配向膜133b。
在液晶元件180中，電極311a具有反射可見光的功能，電極113具有透過可見光的功能。從基板361一側入射的光被偏光板135偏振，經過電極113、液晶層112，被電極311a反射。並且，再次透過液晶層112及電極113，到達偏光板135。此時，可以由施加到電極311a 與電極113之間的電壓控制液晶的配向，來控制光的光學調變。也就是說，可以控制經過偏光板135射出的光的強度。此外，由於特定的波長區域之外的光被彩色層131吸收，因此被提取的光例如呈現紅色。
在設置有電極311a的部分及沒有設置電極311a的部分，液晶層112的厚度不同。明確而言，設置有電極311a的部分的液晶層112的厚度T1比沒有設置電極311a的部分的液晶層112的厚度T2薄。
在連接部207中，電極311a藉由導電層221b與電晶體206所包括的導電層222a電連接。電晶體206具有控制液晶元件180的驅動的功能。
在設置有黏合層141的一部分的區域中設置有連接部252。在連接部252中，藉由連接器243使導電層311c與電極113的一部分電連接。藉由對同一導電膜進行加工，可以得到電極311a和導電層311c。由此，可以將從連接於基板351一側的FPC372輸入的信號或電位藉由連接部252供應到形成在基板361一側的電極113。
例如，連接器243可以使用導電粒子。作為導電粒子，可以採用表面覆蓋有金屬材料的有機樹脂或二氧化矽等的粒子。作為金屬材料，較佳為使用鎳或金，因為其可以降低接觸電阻。另外，較佳為使用如在鎳上還覆蓋有金等以層狀覆蓋有兩種以上的金屬材料的粒子。另外，連接器243較佳為採用能夠彈性變形或塑性變形的材料。此時，有時導電粒子的連接器243成為圖2所示那樣 的在縱向上被壓扁的形狀。藉由具有該形狀，可以增大連接器243與電連接於該連接器的導電層的接觸面積，從而可以降低接觸電阻並抑制接觸不良等問題發生。
連接器243較佳為以由黏合層141覆蓋的方式配置。例如，可以在進行固化之前的黏合層141中分散連接器243。
發光元件170是底部發射型發光元件。發光元件170具有從絕緣層220一側依次層疊電極191、EL層192及電極193的疊層結構。電極191用作像素電極。EL層192至少包含發光物質。電極193用作共用電極。發光元件170是對電極191與電極193之間施加電壓，向基板361一側射出光的電致發光元件。
電極191藉由分別形成在絕緣層212、絕緣層213及絕緣層214中的開口與電晶體205所包括的導電層222a連接。電晶體205具有控制發光元件170的驅動的功能。絕緣層216覆蓋電極191的端部。
電極191具有透過可見光的功能。電極193較佳為具有反射可見光的功能。
發光元件170較佳為被絕緣層194覆蓋。在圖2中，絕緣層194以接觸於電極193的方式設置。藉由設置絕緣層194，可以抑制雜質侵入發光元件170並提高發光元件170的可靠性。使用黏合層142貼合絕緣層194與基板351。
發光元件170所發射的光經過彩色層134、絕 緣層220、開口451等射出到基板361一側。
當在像素之間改變彩色層的顏色時，液晶元件180及發光元件170可以呈現各種顏色。顯示裝置300可以使用液晶元件180進行彩色顯示。顯示裝置300可以使用發光元件170進行彩色顯示。
由於電晶體201、電晶體203、電晶體205及電晶體206都形成在絕緣層220的基板351一側的面上。這些電晶體可以藉由同一製程來製造。
電連接於液晶元件180的電路較佳為與電連接於發光元件170的電路形成在同一面上。由此，與將兩個電路形成在不同的面上的情況相比，可以減小顯示裝置的厚度。此外，因為可以藉由同一製程製造兩個電晶體，所以與將兩個電晶體形成在不同的面上的情況相比，可以簡化製程。
用作液晶元件180的像素電極的電極311a位於相對於電晶體的閘極絕緣層(絕緣層211)與用作發光元件170的像素電極的電極191相反的位置上。
在此，當使用在通道形成區域中包括氧化物半導體的關態電流極低的電晶體206或者與電晶體206電連接的記憶元件時，即使在使用液晶元件180顯示靜態影像時停止向像素的寫入工作也可以維持灰階。也就是說，即便使圖框頻率極小也可以保持顯示。在本發明的一個實施方式中，可以使圖框頻率極小而能夠進行功耗低的驅動。
除了電晶體203之外，還可以設置用來控制是否選擇像素的電晶體(也被稱為切換電晶體或選擇電晶體)。電晶體205為控制流過發光元件170的電流的電晶體(也被稱為驅動電晶體)。
在絕緣層220的基板351一側設置有絕緣層211、絕緣層212、絕緣層213、絕緣層214等絕緣層。絕緣層211的一部分被用作各電晶體的閘極絕緣層。絕緣層212以覆蓋電晶體206等的方式設置。絕緣層213以覆蓋電晶體205等的方式設置。絕緣層214被用作平坦化層。注意，對覆蓋電晶體的絕緣層的個數沒有特別的限制，既可以為一個，又可以為兩個以上。
較佳的是，將水或氫等雜質不容易擴散的材料用於覆蓋各電晶體的絕緣層中的至少一個。由此，可以將絕緣層被用作障壁膜。藉由採用這種結構，可以有效地抑制雜質從外部擴散到電晶體中，從而能夠實現可靠性高的顯示裝置。
電晶體201、電晶體203、電晶體205及電晶體206包括：被用作閘極的導電層221a；被用作閘極絕緣層的絕緣層211；被用作源極及汲極的導電層222a及導電層222b；以及半導體層231。在此，對經過對同一導電膜進行加工而得到的多個層附有相同的陰影線。
電晶體201及電晶體205除了電晶體203及電晶體206的結構以外還包括被用作閘極的導電層223。
作為電晶體201及電晶體205，採用兩個閘極 夾持形成通道的半導體層的結構。藉由採用這種結構，可以控制電晶體的臨界電壓。另外，也可以連接兩個閘極，並藉由對該兩個閘極供應同一信號，來驅動電晶體。與其他電晶體相比，這種電晶體能夠提高場效移動率，而可以增大通態電流。其結果是，可以製造能夠進行高速驅動的電路。再者，能夠縮小電路部的佔有面積。藉由使用通態電流大的電晶體，即使因顯示裝置大型化或高解析度化而佈線數增多，也可以降低各佈線的信號延遲，而可以抑制顯示的不均勻。
或者，藉由對兩個閘極中的一個施加用來控制臨界電壓的電位，對另一個施加用來進行驅動的電位，可以控制電晶體的臨界電壓。
對顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有限制。電路364所包括的電晶體和顯示部362所包括的電晶體既可以具有相同的結構，又可以具有不同的結構。電路364所包括的多個電晶體既可以都具有相同的結構，又可以組合兩種以上的結構。同樣地，顯示部362所包括的多個電晶體既可以都具有相同的結構，又可以組合兩種以上的結構。
作為導電層223，較佳為使用包含氧化物的導電材料。藉由在包含氧的氛圍下形成構成導電層223的導電膜，可以對絕緣層212供應氧。較佳的是，沉積氣體中的氧氣體的比率為90%以上且100%以下。供應到絕緣層212中的氧藉由後面的熱處理被供應給半導體層231，由 此可以實現半導體層231中的氧缺損的降低。
尤其是，作為導電層223，較佳為使用低電阻化了的氧化物半導體。此時，較佳為使用向絕緣層213釋放氫的絕緣膜，例如氮化矽膜等。藉由在絕緣層213的成膜中或後面的熱處理，氫被供應給導電層223中，由此可以有效地降低導電層223的電阻。
以接觸於絕緣層213的方式設置有彩色層134。彩色層134被絕緣層214覆蓋。
在基板351的不與基板361重疊的區域中設置有連接部204。在連接部204中，佈線365藉由連接層242與FPC372電連接。連接部204具有與連接部207相同的結構。在連接部204的頂面上露出導電層311b。藉由對同一導電膜進行加工，可以得到電極311a及導電層311b。連接層242較佳為以覆蓋導電層311b的端部的方式設置。因此，藉由連接層242可以使連接部204與FPC372電連接。
作為設置在基板361的外側的表面上的偏光板135，既可以使用直線偏光板，也可以使用圓偏光板。作為圓偏光板，例如可以使用將直線偏光板和四分之一波相位差板層疊而成的偏光板。由此，可以抑制外光反射。此外，藉由根據偏光板的種類調整用於液晶元件180的液晶元件的單元間隙、配向、驅動電壓等，實現所希望的對比度。
此外，可以在基板361的外側的表面上配置 各種光學構件。作為光學構件，可以使用偏光板、相位差板、光擴散層(擴散薄膜等)、防反射層及聚光薄膜(condensing film)等。此外，在基板361的外側的表面上也可以配置抑制塵埃的附著的抗靜電膜、不容易被弄髒的具有拒水性的膜、抑制使用時的損傷的硬塗膜等。
基板351及基板361可以使用玻璃、石英、陶瓷、藍寶石以及有機樹脂等。藉由將具有撓性的材料用於基板351及基板361，可以提高顯示裝置的撓性。尤其是，藉由作為基板351及基板361使用有機樹脂，可以實現顯示裝置的薄型化及輕量化。
作為液晶元件180，例如可以採用使用VA(Vertical Alignment：垂直配向)模式的元件。作為垂直配向模式，可以使用MVA(Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式、ASV(Advanced Super View：高級超視覺)模式等。
作為液晶元件180，可以採用使用各種模式的液晶元件。例如，除了VA(Vertical Alignment：垂直配向)模式以外，可以使用TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、IPS(In-Plane-Switching：平面切換)模式、FFS(Fringe Field Switching：邊緣電場切換)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵 電性液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal：反鐵電液晶)模式等的液晶元件。
液晶元件是利用液晶的光學調變作用來控制光的透過或非透過的元件。液晶的光學調變作用由施加到液晶的電場(包括橫向電場、縱向電場或傾斜方向電場)控制。作為用於液晶元件的液晶可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC：Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散液晶)、鐵電液晶、反鐵電液晶等。這些液晶材料根據條件呈現出膽固醇相、層列相、立方相、手向列相、各向同性相等。
作為液晶材料，可以使用正型液晶或負型液晶，可以根據所適用的模式或設計採用適當的液晶材料。
另外，為了控制液晶的配向，可以設置配向膜。在採用橫向電場方式的情況下，也可以使用不使用配向膜的呈現藍相的液晶。藍相是液晶相的一種，是指當使膽固醇液晶的溫度上升時即將從膽固醇相轉變到均質相之前出現的相。因為藍相只在窄的溫度範圍內出現，所以將其中混合了幾wt%以上的手性試劑的液晶組成物用於液晶，以擴大溫度範圍。包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物的回應速度快，並且其具有光學各向同性。此外，包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物不需要配向處理，並且視角依賴性小。另外，由於不需要設置配向膜而不需要摩擦處理，因此可以防止由於摩擦處理而引起的靜電破壞，並可以降低製程中的液晶顯示裝置的不良 及破損。
當採用反射型液晶元件時，將偏光板135設置在顯示面一側。此外，當在顯示面一側另外設置光擴散板時，可以提高可見度，所以是較佳的。
可以在偏光板135的外側設置前光源。作為前光源，較佳為使用邊緣照明型前光源。當使用具備LED的前光源時，可以降低功耗，所以是較佳的。
作為黏合層，可以使用紫外線硬化型黏合劑等光硬化型黏合劑、反應硬化型黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種硬化型黏合劑。作為這些黏合劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其是，較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。另外，也可以使用兩液混合型樹脂。另外，也可以使用黏合薄片等。
作為連接層242，可以使用異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)、異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
發光元件170有頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構等。作為提取光一側的電極使用透過可見光的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。
EL層192至少包括發光層。作為發光層以外的層，EL層192還可以包括包含電洞注入性高的物質、 電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。
作為EL層192可以使用低分子化合物或高分子化合物，還可以包含無機化合物。構成EL層192的層分別藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等的方法形成。
EL層192也可以具有量子點等無機化合物。例如，藉由將量子點用於發光層，也可以將其用作發光材料。
此外，藉由利用濾色片(彩色層)與微腔結構(光學調整層)的組合，可以從顯示裝置取出色純度高的光。光學調整層的厚度根據各像素的顏色而改變。
作為可用於電晶體的閘極、源極及汲極和構成顯示裝置的各種佈線及電極等導電層的材料，可以舉出鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢等金屬或者以上述金屬為主要成分的合金等。可以以單層或疊層結構使用包含這些材料的膜。
另外，作為透光性導電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物、氧化鋅、包含鎵的氧化鋅等導電氧化物或石墨烯。或者，可以使用金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含該金屬材料的合金材料。或者，還可以使用該金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。另外，當使用金屬材 料、合金材料(或者它們的氮化物)時，將其形成得薄到具有透光性，即可。此外，可以使用上述材料的疊層膜作為導電層。例如，藉由使用銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等，可以提高導電性，所以是較佳的。上述材料也可以用於構成顯示裝置的各種佈線及電極等的導電層、顯示元件所包括的導電層(被用作像素電極及共用電極的導電層)。
作為可用於各絕緣層的絕緣材料，例如可以舉出丙烯酸樹脂或環氧樹脂等樹脂、無機絕緣材料如氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽或氧化鋁等。
作為能夠用於彩色層的材料，可以舉出金屬材料、樹脂材料、包含顏料或染料的樹脂材料等。
〈結構例子2〉
圖3所示的顯示裝置300A與顯示裝置300的主要不同之處在於包括電晶體281、電晶體284、電晶體285及電晶體286而不包括電晶體201、電晶體203、電晶體205及電晶體206。
在圖3中，絕緣層117及連接部207等的位置與圖2不同。在圖3中示出像素的端部。絕緣層117以與彩色層131的端部重疊的方式配置。此外，絕緣層117以與遮光層132的端部重疊的方式配置。如上所述，絕緣層117的至少一部分也可以配置在不與顯示區域重疊的部分(與遮光層132重疊的部分)。
如電晶體284及電晶體285那樣，顯示裝置所包括的兩個電晶體也可以部分地層疊而設置。由此，可以縮小像素電路的佔有面積，因此可以提高解析度。此外，可以擴大發光元件170的發光面積，從而可以提高開口率。發光元件170由於開口率高，可以降低用來得到所需要的亮度時的電流密度，所以可靠性得到提高。
電晶體281、電晶體284及電晶體286包括導電層221a、絕緣層211、半導體層231、導電層222a及導電層222b。導電層221a隔著絕緣層211與半導體層231重疊。導電層222a及導電層222b與半導體層231電連接。電晶體281包括導電層223。
電晶體285包括導電層222a、絕緣層217、半導體層261、導電層223、絕緣層212、絕緣層213、導電層263a及導電層263b。導電層222a隔著絕緣層217與半導體層261重疊。導電層223隔著絕緣層212及絕緣層213與半導體層261重疊。導電層263a及導電層263b與半導體層261電連接。
導電層221a被用作閘極。絕緣層211被用作閘極絕緣層。導電層222a被用作源極和汲極中的一個。電晶體286所包括的導電層222b被用作源極和汲極中的另一個。
電晶體284及電晶體285共同使用的導電層222a包括被用作電晶體284的源極和汲極中的一個的部分及被用作電晶體285的閘極的部分。絕緣層217、絕緣 層212及絕緣層213被用作閘極絕緣層。導電層263a和導電層263b中的一個被用作源極，另一個被用作汲極。導電層223被用作閘極。
〈結構例子3〉
圖4A示出顯示裝置300B的顯示部的剖面圖。
顯示裝置300B與顯示裝置300的不同之處在於顯示裝置300B不包括彩色層131。在圖4A中省略圖示電晶體203。其他結構與顯示裝置300相同，因此省略詳細說明。
液晶元件180呈現白色。因為顯示裝置300不包括彩色層131，所以可以使用液晶元件180以黑白或灰階級進行顯示。
顯示裝置300B是在基板361上隔著絕緣層121設置有電極113的例子。此外，也可以不設置絕緣層121。如圖4B所示的顯示裝置300C那樣，也可以以與基板361接觸的方式設置電極113。
〈結構例子4〉
圖4B所示的顯示裝置300C與顯示裝置300B的不同之處在於分別塗布EL層192且不包括彩色層134及絕緣層121。其他結構與顯示裝置300B相同，因此省略詳細說明。
在採用分別塗布方式的發光元件170中，分 別塗布構成EL層192的層中的至少一個層(典型的是發光層)，也可以分別塗布構成EL層的所有層。
〈顯示裝置的製造方法例子1〉
接著，參照圖5A至圖8B明確地說明本實施方式的顯示裝置的製造方法。以下，說明圖2所示的顯示裝置300的製造方法的一個例子。在圖5A至圖8B中尤其是著眼於顯示裝置300中的顯示部362及連接部204來說明製造方法。注意，在圖5A至圖8B中省略圖示電晶體203。
構成顯示裝置的薄膜(絕緣膜、半導體膜、導電膜等)可以利用濺射法、化學氣相沉積(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、真空蒸鍍法、脈衝雷射沉積(PLD：Pulsed Laser Deposition)法、原子層沉積(ALD：Atomic Layer Deposition)法等形成。作為CVD法，也可以利用電漿增強化學氣相沉積(PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法、熱CVD法。作為熱CVD法的例子，可以利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法。
構成顯示裝置的薄膜(絕緣膜、半導體膜、導電膜等)可以利用旋塗法、浸漬法、噴塗法、噴墨法、分配器法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀(doctor knife)法、狹縫式塗布法、輥塗法、簾式塗布法、刮刀式塗布法等方法形成。
當對構成顯示裝置的薄膜進行加工時，可以 利用光微影法等進行加工。另外，可以利用使用陰影遮罩的成膜方法形成島狀的薄膜。另外，可以利用奈米壓印法、噴砂法、剝離法等對薄膜進行加工。在光微影法中有如下方法：在要進行加工的薄膜上形成光阻遮罩，藉由蝕刻等對該薄膜進行加工，並去除光阻遮罩的方法；在形成感光性薄膜之後，進行曝光及顯影來將該薄膜加工為所希望的形狀的方法。
當在光微影法中使用光時，作為用於曝光的光，例如可以使用i線(波長為365nm)、g線(波長為436nm)、h線(波長為405nm)或將這些光混合而成的光。此外，還可以使用紫外線、KrF雷射或ArF雷射等。此外，也可以利用液浸曝光技術進行曝光。作為用於曝光的光，也可以使用極紫外光(EUV：Extreme Ultra-Violet)或X射線。此外，代替用於曝光的光，也可以使用電子束。當使用極紫外光、X射線或電子束時，可以進行極其精細的加工，所以是較佳的。注意，在藉由利用電子束等光束進行掃描而進行曝光時，不需要光罩。
作為薄膜的蝕刻方法，可以利用乾蝕刻法、濕蝕刻法及噴砂法等。
首先，在基板361上形成彩色層131(圖5A)。藉由利用光微影法並使用感光性材料形成彩色層131，可以將彩色層131加工為島狀。此外，在圖2所示的電路364等中，在基板361上設置遮光層132。
接著，在彩色層131及遮光層132上形成絕 緣層121。
絕緣層121較佳為被用作平坦化層。作為絕緣層121較佳為使用有機絕緣膜，可以適用丙烯酸樹脂、環氧樹脂等。
作為絕緣層121也可以使用無機絕緣膜。作為絕緣層121，例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜等無機絕緣膜。此外，氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜及氧化釹膜等。此外，也可以層疊上述絕緣膜中的兩個以上。
接著，形成電極113。電極113可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。電極113使用透過可見光的導電材料形成。
接著，在電極113上形成絕緣層117。作為絕緣層117，較佳為使用有機絕緣膜，可以適用丙烯酸樹脂、環氧樹脂等。
接著，在電極113及絕緣層117上形成配向膜133b(圖5A)。藉由在形成樹脂等的薄膜之後進行摩擦處理，可以形成配向膜133b。
此外，與參照圖5A說明的製程獨立地進行圖5B1至圖8A所示的製程。
首先，在形成用基板350上形成剝離層311(圖5B1)。在圖5B1中，選擇在剝離形成用基板350 時在形成用基板350與剝離層311的介面產生分離的材料。
此外，在形成用基板350上形成絕緣層355，在絕緣層355上形成剝離層311(圖5B2)。在圖5B2中，選擇在剝離形成用基板350時在絕緣層355與剝離層311的介面產生分離的材料。
形成用基板350具有容易傳送的程度的剛性，且對製程時的溫度具有耐熱性。作為能夠用於形成用基板350的材料，例如可以舉出玻璃、石英、陶瓷、藍寶石、樹脂、半導體、金屬或合金等。作為玻璃，例如可以舉出無鹼玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃等。
剝離層311例如可以使用鎳(Ni)、鈦(Ti)、銀(Ag)及包含這些中的任一個的合金形成。
剝離製程中的剝離介面的位置取決於剝離層311的材料。因此，剝離層311的材料的選擇是重要的。例如，當將鎢(W)及鉬(Mo)用於剝離層時，在很多情況下，剝離層殘留在形成用基板一側。在本實施方式中，剝離層311使用鎳(Ni)、鈦(Ti)、銀(Ag)及包含這些中的任一個的合金形成。藉由使用這種材料，在剝離時，可以使形成用基板350與剝離層311之間分離(亦即，剝離層311幾乎不殘留在形成用基板350一側)。
在本製造方法例子1中，由於在後面的製程中使用剝離層311形成電極311a，所以作為剝離層311較佳為使用對可見光的反射性高的材料。
剝離層311的厚度較佳為10nm以上且1000nm以下，更佳為10nm以上且500nm以下。
例如，在圖5B1中，藉由作為形成用基板350使用玻璃基板，作為剝離層311使用鎳膜，可以在剝離製程中使形成用基板350與剝離層311的介面分離。尤其是，在對剝離層311進行加熱時的最高溫度高於150℃且低於450℃，較佳為200℃以上且400℃以下，更佳為250℃以上且350℃以下時，可以提高剝離性。因此，在剝離層311上形成電晶體及顯示元件的製程中，較佳為對剝離層311進行加熱時的最高溫度較佳為在上述範圍內。
例如，在圖5B2中，藉由作為絕緣層355使用下述三層疊層結構，且作為剝離層311使用鈦膜，可以在剝離製程中使絕緣層355與剝離層311的介面分離。
當作為剝離層311形成鈦膜，以在該鈦膜上且與其接觸的方式形成氧化膜(氧化物絕緣膜或ITO等的氧化物導電膜)時，若此後的加熱製程的溫度過高，則有時剝離層311變質(鈦被氧化等)，降低剝離性。當對剝離層311進行加熱時的最高溫度低於450℃，較佳為400℃以下，更佳為350℃以下時，可以抑制鈦的變質，且可以提高剝離性。因此，在剝離層311上形成電晶體及顯示元件的製程中，較佳為對剝離層311進行加熱時的最高溫度較佳為在上述範圍內。
絕緣層355例如較佳為包括形成用基板350上的第一絕緣層、第一絕緣層上的第二絕緣層及第二絕緣 層上的第三絕緣層。
第一絕緣層具有在後面的加熱製程中阻擋從第二絕緣層及第三絕緣層釋放的氫及氟(還釋放氮)的功能。
第一絕緣層較佳為包含氮及矽。作為第一絕緣層，例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜或氮氧化矽膜。尤其是，作為第一絕緣層較佳為使用氮化矽膜或氮氧化矽膜。
第一絕緣層可以利用濺射法、電漿CVD法等成膜方法形成。例如，作為第一絕緣層，使用含有矽烷(SiH4)氣體、氫氣體及氨(NH3)氣體的沉積氣體的電漿CVD法形成氮化矽膜。
對第一絕緣層的厚度沒有特別的限制。例如，可以將第一絕緣層的厚度設定為50nm以上且600nm以下，較佳為100nm以上且300nm以下。
當形成用基板的對於氫及氟(及氮)的阻擋性充分高時，有時也可以不設置第一絕緣層。此時，也可以在形成用基板上且與其接觸地設置第二絕緣層。
第二絕緣層具有在後面的加熱製程中釋放氫的功能。此外，第二絕緣層也可以具有在後面的加熱製程中釋放氫及氮的功能。
第二絕緣層較佳為包含氧及矽。第二絕緣層還較佳為包含氫。第二絕緣層還較佳為包含氮。作為第二絕緣層，例如可以使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜 或氮氧化矽膜。
第二絕緣層可以利用濺射法、電漿CVD法等成膜方法形成。尤其是藉由使用含有矽烷氣體及一氧化二氮(N2O)氣體的沉積氣體的電漿CVD法形成氧氮化矽膜，可以使膜中含有較多的氫及氮，所以是較佳的。另外，沉積氣體中的矽烷氣體的比例越大，後面的加熱製程中的氫釋放量越多，所以是較佳的。
因為第二絕緣層的厚度越厚，氫及氮的釋放量越多，所以是較佳的，但是較佳為考慮生產性設定其厚度。第二絕緣層的厚度較佳為1nm以上且1μm以下，更佳為50nm以上且800nm以下，更佳為100nm以上且600nm以下，進一步較佳為200nm以上且400nm以下。
第一絕緣層和第二絕緣層中的至少一個可以兼用作基底膜。例如，在作為形成用基板350使用玻璃基板的情況下，當在形成用基板350與剝離層311之間形成基底膜時，可以防止來自玻璃基板的污染，所以是較佳的。
第三絕緣層具有在後面的加熱製程中釋放氟的功能。此外，第三絕緣層具有透過從第二絕緣層釋放的氫(及氮)的功能。
第三絕緣層較佳為包含氧、氟及矽。作為第三絕緣層例如可以使用包含氟的氧化矽(SiOF)膜。
第三絕緣層可以利用濺射法、電漿CVD法等成膜方法形成。例如，作為第三絕緣層，利用使用含有矽 烷氣體、一氧化二氮及四氟化矽(SiF4)氣體的沉積氣體的電漿CVD法形成包含氟的氧化矽膜。
第三絕緣層較佳為1nm以上且500nm以下，更佳為10nm以上且300nm以下，進一步較佳為10nm以上且200nm以下。可以使第三絕緣層的厚度比第二絕緣層的厚度薄。
在形成用基板350上形成絕緣層355及剝離層311之後進行加熱處理。加熱處理較佳為在剝離層311上形成絕緣層220之後進行。例如，較佳為在形成絕緣層220之後在電晶體的製程之前進行加熱處理。此外，包含在電晶體的製程中的加熱製程也可以兼作該加熱處理。
藉由進行加熱處理，從第二絕緣層釋放氫(及氮)，經過第三絕緣層供應給剝離層311(或第三絕緣層與剝離層311的介面)。此外，從第三絕緣層釋放氟，供應給剝離層311(或第三絕緣層與剝離層311的介面)。此時，第一絕緣層及絕緣層220由於阻擋被釋放的氫及氟(還阻擋氮)，所以可以高效地對剝離層311(或第三絕緣層與剝離層311的介面)供應氫及氟(還供應氮)。
對進行加熱處理的氛圍沒有特別的限制，可以在大氣氛圍下進行，較佳為在氮或稀有氣體等惰性氣體氛圍下進行。
下面，以進行圖5B1的製程的情況為例進行說明。此外，以後的說明也可以應用於進行圖5B2的製程的情況。
接著，形成絕緣層220(圖5C)。在絕緣層220中設置到達剝離層311的開口。為了抑制剝離層311的消失，絕緣層220與剝離層311的蝕刻率較佳為充分大。
絕緣層220能夠被用作防止雜質擴散到後面形成的電晶體或顯示元件的障壁層。
作為絕緣層220，可以使用能夠用於絕緣層121的無機絕緣膜及樹脂等。尤其是，較佳為使用氮化矽膜。
接著，在絕緣層220上形成連接部204、連接部207、電晶體205及電晶體206。
對用於電晶體的半導體材料沒有特別的限定，例如可以將第14族元素、化合物半導體或氧化物半導體用於半導體層。典型的是，可以使用包含矽的半導體、包含砷化鎵的半導體或包含銦的氧化物半導體等。
電晶體的通道形成區域較佳為使用氧化物半導體。藉由使用氧化物半導體，與使用低溫多晶矽(LTPS(Low Temperature Poly-Silicon))的情況相比，可以降低製程的最高溫度。明確而言，使用氧化物半導體的電晶體與LTPS不同，不需要高溫的熱處理，可以以350℃以下、甚至為300℃以下形成。即使不進行高溫的熱處理，也可以製造可靠性高的電晶體，且可以提高形成用基板350(典型的是玻璃基板)與剝離層311(典型的是鎳)的剝離性。此外，即使不進行高溫的熱處理也可以製造可靠性高的電晶體，且可以抑制剝離層311(典型的是鈦)的變質並可以提 高剝離性。
在此，示出作為電晶體206製造作為半導體層231包括氧化物半導體層的底閘極結構的電晶體的情況。電晶體205具有對電晶體206的結構追加導電層223及絕緣層212的結構，並具有兩個閘極。
作為電晶體的半導體，較佳為使用氧化物半導體。藉由使用能帶間隙比矽寬且載子密度比矽小的半導體材料，可以降低電晶體的關態電流(off-state current)。
明確而言，首先，在絕緣層220上形成導電層221a、導電層221b及導電層221c。導電層221a、導電層221b及導電層221c可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。這裡，在連接部207中導電層221b與剝離層311藉由絕緣層220的開口連接。此外，在連接部204中，導電層221c與剝離層311藉由絕緣層220的開口連接。
藉由導電層221b及導電層221c與剝離層311連接，有時可以抑制因剝離導致的帶電的影響。
接著，形成絕緣層211。
作為絕緣層211，例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜等無機絕緣膜。此外，氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜及氧化釹膜等。此外，也可以層疊上述絕緣膜中的兩個以上。
由於無機絕緣膜在成膜溫度高時成為緻密且阻擋性高的膜，所以較佳為以高溫度形成。形成無機絕緣膜時的基板溫度較佳為室溫(25℃)以上且350℃以下，更佳為100℃以上且300℃以下。
接著，形成半導體層231。在本實施方式中，作為半導體層231形成氧化物半導體層。氧化物半導體層可以在形成氧化物半導體膜之後形成光阻遮罩，對該氧化物半導體膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。
形成氧化物半導體膜時的基板溫度較佳為350℃以下，更佳為室溫以上且200℃以下，進一步較佳為室溫以上且130℃以下。
氧化物半導體膜可以使用惰性氣體和氧氣體中的一個或兩個進行成膜。注意，對形成氧化物半導體膜時的氧流量比(氧分壓)沒有特別的限制。但是，在要獲得場效移動率高的電晶體的情況下，形成氧化物半導體膜時的氧流量比(氧分壓)較佳為0%以上且30%以下，更佳為5%以上且30%以下，進一步較佳為7%以上且15%以下。
氧化物半導體膜較佳為至少包含銦或鋅。尤其較佳為包含銦及鋅。
氧化物半導體的能隙較佳為2eV以上，更佳為2.5eV以上，進一步較佳為3eV以上。如此，藉由使用能隙寬的氧化物半導體，可以減少電晶體的關態電流。
氧化物半導體膜可以藉由濺射法形成。除此之外，例如還可以利用PLD法、PECVD法、熱CVD法、 ALD法、真空蒸鍍法等。
注意，在實施方式3中說明氧化物半導體的一個例子。
接著，形成導電層222a、導電層222b及佈線365。導電層222a、導電層222b及佈線365可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。導電層222a及導電層222b分別與半導體層231連接。這裡，電晶體206所包括的導電層222a與導電層221b電連接。由此，在連接部207中，可以使剝離層311與導電層222a電連接。此外，在連接部204中，佈線365與剝離層311藉由導電層221c電連接。
在對導電層222a及導電層222b進行加工時，有時沒有被光阻遮罩覆蓋的半導體層231的一部分因為蝕刻處理而被減薄。
藉由上述步驟，可以製造電晶體206(圖5C)。在電晶體206中，導電層221a的一部分被用作閘極，絕緣層211的一部分被用作閘極絕緣層，導電層222a及導電層222b分別被用作源極或汲極。
接著，形成覆蓋電晶體206的絕緣層212，在絕緣層212上形成導電層223。
絕緣層212可以藉由與絕緣層211同樣的方法形成。
電晶體205所包括的導電層223可以在形成 導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。
藉由上述步驟，可以製造電晶體205(圖5C)。在電晶體205中，導電層221a的一部分及導電層223的一部分被用作閘極，絕緣層211的一部分及絕緣層212的一部分被用作閘極絕緣層，導電層222a及導電層222b分別被用作源極或汲極。
接著，形成絕緣層213(圖5C)。絕緣層213可以藉由與絕緣層211同樣的方法形成。
作為絕緣層212，較佳為使用在包含氧的氛圍下形成的氧化矽膜或氧氮化矽膜等氧化物絕緣膜。再者，作為絕緣層213，較佳為在該氧化矽膜或氧氮化矽膜上層疊氮化矽膜等不容易使氧擴散和透過的絕緣膜。在包含氧的氛圍下形成的氧化物絕緣膜可以是藉由加熱容易釋放多量的氧的絕緣膜。藉由在這種釋放氧的氧化物絕緣膜與不容易使氧擴散和透過的絕緣膜層疊在一起的狀態下進行加熱處理，可以對氧化物半導體層供應氧。其結果是，可以填補氧化物半導體層中的氧缺損及氧化物半導體層與絕緣層212之間的介面的缺陷，從而可以降低缺陷能階。由此，可以實現可靠性極高的顯示裝置。
接著，在絕緣層213上形成彩色層134(圖5C)，然後形成絕緣層214(圖6A)。
彩色層134可以藉由與彩色層131同樣的方法形成。絕緣層214是具有後面形成的顯示元件的被形成 表面的層，由此較佳為具有平坦化層的功能。作為絕緣層214，可以應用能夠用於絕緣層121的樹脂或無機絕緣膜。
接著，在絕緣層212、絕緣層213及絕緣層214中形成到達電晶體205所包括的導電層222a的開口。
接著，形成電極191(圖6A)。電極191可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。這裡，電晶體205所包括的導電層222a與電極191連接。電極191使用透過可見光的導電材料形成。
接著，形成覆蓋電極191的端部的絕緣層216(圖6A)。絕緣層216可以援用能夠用於絕緣層121的樹脂或無機絕緣膜。絕緣層216在與電極191重疊的部分中具有開口。
接著，形成EL層192及電極193(圖6B)。電極193的一部分被用作發光元件170的共用電極。電極193使用反射可見光的導電材料形成。
EL層192可以藉由蒸鍍法、塗佈法、印刷法或噴射法等的方法形成。在按每個像素分別形成EL層192時，可以採用使用金屬遮罩等陰影遮罩的蒸鍍法或噴墨法等。在不按每個像素分別形成EL層192時，可以採用不使用金屬遮罩的蒸鍍法。
作為EL層192可以使用低分子化合物或高分 子化合物，還可以包含無機化合物。
在形成EL層192之後進行的各製程中，需要使對EL層192進行加熱的溫度為EL層192的耐熱溫度以下。電極193可以藉由蒸鍍法或濺射法等形成。
藉由上述製程，可以形成發光元件170(圖6B)。發光元件170具有層疊有其一部分被用作像素電極的電極191、EL層192及其一部分被用作共用電極的電極193的結構。發光元件170以其發光區域與彩色層134重疊的方式製造。
雖然在此示出作為發光元件170製造底部發射型發光元件的例子，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。
發光元件有頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構。作為提取光一側的電極使用透過可見光的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。
接著，以覆蓋電極193的方式形成絕緣層194(圖6B)。絕緣層194被用作抑制水等雜質擴散到發光元件170的保護層。發光元件170被絕緣層194密封。較佳為在形成電極193之後以不暴露於大氣的方式形成絕緣層194。
絕緣層194例如可以應用能夠用於上述絕緣層121的無機絕緣膜。尤其較佳為包含阻擋性高的無機絕緣膜。另外，也可以使用無機絕緣膜和有機絕緣膜的疊 層。
形成絕緣層194時的基板溫度較佳為EL層192的耐熱溫度以下的溫度。絕緣層194可以藉由ALD法或濺射法等形成。ALD法及濺射法能夠以低溫進行成膜，所以是較佳的。當利用ALD法時，絕緣層194的覆蓋性變高，所以是較佳的。
接著，在絕緣層194的表面使用黏合層142貼合基板351(圖6C)。
作為黏合層142，可以使用紫外線硬化型黏合劑等光硬化型黏合劑、反應硬化型黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種硬化型黏合劑。另外，也可以使用黏合薄片等。
作為基板351，例如可以使用如下材料：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚矽氧烷樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚四氟乙烯(PTFE)樹脂、ABS樹脂以及纖維素奈米纖維等。作為基板351，還可以使用玻璃、石英、樹脂、金屬、合金或半導體等各種材料。作為基板351，還可以使用其厚度允許其具有撓性的玻璃、石英、樹脂、金屬、合金或半導體等各種材料。
接著，剝離形成用基板350(圖7A)。
藉由在剝離層311與形成用基板350的介面產生分離，露出剝離層311(圖7A、圖7B)。
此外，在進行圖5B2所示的製程而不進行圖5B1所示的製程時，在絕緣層355與剝離層311的介面產生分離。
剝離層311也可以在進行分離之前形成分離起點。例如，也可以對剝離層311的一部分或整個面照射雷射。由此，可以使剝離層311脆弱化或降低剝離層311與形成用基板350的密接性。
例如，藉由對剝離層311施加拉伸垂直方向的力量，可以剝離形成用基板350。明確而言，藉由吸附基板351的頂面的一部分向上方拉伸，可以剝離形成用基板350。
可以將刀具等銳利的形狀的器具插入剝離層311與形成用基板350之間來形成分離起點。另外，也可以使用銳利的形狀的器具從基板351一側切入剝離層311來形成分離起點。
接著，藉由對剝離層311進行加工，形成電極311a及導電層311b(圖7C)。在電極311a中設置與發光元件170的發光區域及彩色層134重疊的開口451。電極311a及導電層311b可以在剝離層311上形成光阻遮罩，對剝離層311進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。剝離層311的加工可以利用濕蝕刻及乾蝕刻，尤其較佳為 利用乾蝕刻。此外，圖2所示的導電層311c可以藉由對剝離層311進行加工在與電極311a及導電層311b同時形成。
接著，在電極311a上形成配向膜133a(圖8A)。在形成樹脂等的薄膜之後進行摩擦處理，可以形成配向膜133a。
然後，將完成參照圖5A說明的製程的基板361與完成直到圖8A為止的製程的基板351夾著液晶層112貼合(圖8B)。使用黏合層141貼合基板351與基板361。黏合層141可以援用能夠用於黏合層142的材料。此外，在圖2所示的連接部252中，黏合層141包含導電粒子。因此，藉由使基板351與基板361貼合，可以使電極113與導電層311c電連接。
圖8B所示的液晶元件180具有層疊有其一部分被用作像素電極的電極311a、液晶層112及其一部分被用作共用電極的電極113的結構。液晶元件180以與彩色層131重疊的方式製造。
藉由上述步驟，可以製造顯示裝置300。
在基板361的外側的面上配置偏光板135。
導電層311b藉由連接層242與FPC372電連接。由此，可以使FPC372與佈線365電連接。
如上所述，在顯示裝置的製造方法例子1中，不需要在形成剝離層之後對剝離層表面進行特別的處理諸如電漿處理等。此外，剝離層可以使用廉價的材料， 適用於大型基板。因此，本實施方式的顯示裝置可以低成本且生產率高地製造。
在顯示裝置的製造方法例子1中，藉由對藉由剝離露出的剝離層進行加工，可以形成顯示元件的電極。由於使用剝離層形成電極，不需要去除剝離層。此外，由於不需要在與剝離層的成膜不同的製程中形成將成為該顯示元件的電極的導電膜，所以可以使製程簡化。
〈顯示裝置的製造方法例子2〉
下面，明確地說明與顯示裝置的製造方法例子1不同的本實施方式的顯示裝置的製造方法。
顯示裝置的製造方法例子2與製造方法例子1的主要不同之處在於除了剝離層311以外形成液晶元件的反射電極以及在剝離後去除剝離層311。
注意，與製造方法例子1相同的製程省略詳細說明。
首先，在基板361上形成彩色層131至配向膜133b(圖9A)。這些製程與在製造方法例子1中參照圖5A說明的製程同樣。
此外，與圖9A的製程獨立地進行圖9B至圖12B所示的製程。
首先，在形成用基板350上形成剝離層311(圖9B)。在圖9B中，當剝離形成用基板350時，選擇形成用基板350與剝離層311的介面產生分離的材料。
或者，如在製造方法例子1中參照圖5B2說明那樣，也可以在形成用基板350上形成絕緣層355，在絕緣層355上形成剝離層311。
在製造方法例子2中由於不使用剝離層311製造液晶元件的反射電極，所以對剝離層311的反射性沒有限制。
接著，在剝離層311上形成電極111及導電層111c(圖9C1)。電極111在剝離層311上包括開口451。電極111及導電層111c可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。電極111及導電層111c使用反射可見光的導電材料形成。
或者，在剝離層311上形成電極111a及導電層111c，在電極111a上形成電極111b，在導電層111c上形成導電層111d(圖9C2)。電極111b在電極111a上包括開口451。電極111a及導電層111c可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。電極111b及導電層111d也是同樣的。電極111a及導電層111c使用透過可見光的導電材料形成。電極111b及導電層111d使用反射可見光的導電材料形成。
如圖9C2所示，在開口451中較佳為設置有透過可見光的電極111a。由此，液晶在與開口451重疊的區域中也與其他區域同樣地配向，從而可以抑制因在該區域的境界部產生液晶的配向不良而產生非意圖的漏光。
如上所述，在本製造方法例子2中在剝離後去除剝離層311。因此，接觸於剝離層311的電極111(或電極111a)與剝離層311的蝕刻率較佳為充分大。由此，當去除剝離層311時，可以抑制電極111(或電極111a)的消失。
下面，以進行圖9C1的製程的情況為例進行說明。此外，以後的說明也可以應用於進行圖9C2的製程的情況。
接著，形成絕緣層220(圖10A)。並且，在絕緣層220中設置到達電極111的開口。
接著，在絕緣層220上形成連接部204、連接部207、電晶體205及電晶體206。
明確而言，首先，在絕緣層220上形成導電層221a、導電層221b及導電層221c。這裡，在連接部207中導電層221b與電極111藉由絕緣層220的開口連接。此外，在連接部204中，導電層221c與導電層111c藉由絕緣層220的開口連接。
接著，形成絕緣層211，在絕緣層211上形成半導體層231。
接著，形成導電層222a、導電層222b及佈線365。這裡，電晶體206所包括的導電層222a與導電層221b電連接。由此，在連接部207中，可以使電極111與導電層222a電連接。此外，在連接部204中，佈線365與導電層111c藉由導電層221c電連接。
藉由上述步驟，可以製造電晶體206(圖10A)。
接著，形成覆蓋電晶體206的絕緣層212，在絕緣層212上形成導電層223，製造電晶體205(圖10A)。
接著，形成絕緣層213，在絕緣層213上形成彩色層134(圖10A)。然後，形成絕緣層214至絕緣層194(圖10B)。接著，在絕緣層194的表面使用黏合層142貼合基板351(圖10B)。這些製程與在製造方法例子1中參照圖5C至圖6C說明的製程同樣。
接著，剝離形成用基板350(圖11A)。
藉由在剝離層311與形成用基板350的介面產生分離，使剝離層311露出(圖11A、圖11B)。
接著，藉由去除剝離層311，使絕緣層220、導電層111c及電極111露出(圖12A)。剝離層311的去除可以利用濕蝕刻及乾蝕刻。藉由使用剝離層311與電極111及導電層111c的蝕刻率大的條件，可以抑制電極111及導電層111c的消失。
例如，當剝離層311使用鈦時，由於過氧化氫氨水(氨、水和過氧化氫溶液的混合液)，可以在室溫下進行蝕刻，且可以使與其他膜的選擇比大，所以是較佳的。
接著，在電極111上形成配向膜133a(圖12B)。藉由在形成樹脂等的薄膜之後進行摩擦處理，可以形成配向膜133a。
然後，將完成參照圖9A說明的製程的基板361與完成直到圖12B為止的製程的基板351夾著液晶層112貼合(圖13A)。使用黏合層141貼合基板351與基板361。
圖13A所示的液晶元件180具有層疊有其一部分被用作像素電極的電極111、液晶層112及其一部分被用作共用電極的電極113的結構。液晶元件180以與彩色層131重疊的方式製造。
在基板361的外側的面配置偏光板135。此外，藉由連接層242使FPC372與佈線365電連接。
在圖13B中示出應用圖9C2的製程時的顯示裝置的剖面圖。圖13B所示的顯示裝置包括電極111a及電極111b而不包括電極111。
如上所述，在顯示裝置的製造方法例子2中，不需要在形成剝離層之後對剝離層表面進行特別的處理諸如電漿處理等。此外，剝離層可以使用廉價的材料，適用於大型基板。因此，本實施方式的顯示裝置可以低成本且生產率高地製造。
〈電晶體的結構例子〉
在本發明的一個實施方式中，對顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用平面型電晶體、交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，也可以採用頂閘極結構或底閘極結構的電晶體。或者，也可以在通道 的上下設置有閘極電極。
圖14A至圖14E示出電晶體的結構例子。
圖14A所示的電晶體110a是頂閘極結構的電晶體。
電晶體110a包括導電層221、絕緣層211、半導體層231、絕緣層212、導電層222a及導電層222b。半導體層231設置在絕緣層151上。導電層221隔著絕緣層211與半導體層231重疊。導電層222a及導電層222b藉由設置在絕緣層211及絕緣層212中的開口與半導體層231電連接。
導電層221被用作閘極。絕緣層211被用作閘極絕緣層。導電層222a和導電層222b中的一個被用作源極，另一個被用作汲極。
在電晶體110a中，容易拉開導電層221與導電層222a或導電層222b之間的物理距離，由此可以降低這些導電層之間的寄生電容。
圖14B所示的電晶體110b除了電晶體110a的結構以外包括導電層223及絕緣層218。導電層223設置在絕緣層151上，並與半導體層231重疊。絕緣層218以覆蓋導電層223及絕緣層151的方式設置。
導電層223被用作一對閘極的一個。由此，可以提高電晶體的通態電流並控制臨界電壓。
在圖14C至圖14E中示出層疊兩個電晶體的結構的例子。層疊的兩個電晶體的結構可以獨立地決定， 不侷限於圖14C至圖14E的組合。
在圖14C中示出層疊電晶體110c及電晶體110d的結構。電晶體110c包括兩個閘極。電晶體110d具有底閘極結構。此外，電晶體110c也可以包括一個閘極(頂閘極結構)。另外，電晶體110d也可以包括兩個閘極。
電晶體110c包括導電層223、絕緣層218、半導體層231、導電層221、絕緣層211、導電層222a及導電層222b。導電層223設置在絕緣層151上。導電層223隔著絕緣層218與半導體層231重疊。絕緣層218以覆蓋導電層223及絕緣層151的方式設置。導電層221隔著絕緣層211與半導體層231重疊。在圖14C中示出絕緣層211只設置在與導電層221重疊的部分的例子，但是，如圖14B等所示，絕緣層211也可以以覆蓋半導體層231的端部的方式設置。導電層222a及導電層222b藉由設置在絕緣層212中的開口與半導體層231電連接。
電晶體110d包括導電層222b、絕緣層213、半導體層261、導電層263a及導電層263b。導電層222b包括隔著絕緣層213與半導體層261重疊的區域。絕緣層213以覆蓋導電層222b的方式設置。導電層263a及導電層263b與半導體層261電連接。
導電層221及導電層223都被用作電晶體110c的閘極。絕緣層218及絕緣層211被用作電晶體110c的閘極絕緣層。導電層222a被用作電晶體110c的源 極和汲極中的一個。
導電層222b具有電晶體110c的源極和汲極中的另一個部分及被用作電晶體110d的閘極的部分。絕緣層213被用作電晶體110d的閘極絕緣層。導電層263a和導電層263b中的一個被用作電晶體110d的源極，另一個被用作電晶體110d的汲極。
電晶體110c及電晶體110d較佳為應用於發光元件170的像素電路。例如，可以將電晶體110c用作選擇電晶體且將電晶體110d用作驅動電晶體。
導電層263b藉由設置在絕緣層217及絕緣層214中的開口與被用作發光元件的像素電極的電極191電連接。
在圖14D中示出層疊電晶體110e及電晶體110f的結構。電晶體110e具有底閘極結構。電晶體110f包括兩個閘極。電晶體110e也可以包括兩個閘極。
電晶體110e包括導電層221、絕緣層211、半導體層231、導電層222a及導電層222b。導電層221設置在絕緣層151上。導電層221隔著絕緣層211與半導體層231重疊。絕緣層211以覆蓋導電層221及絕緣層151的方式設置。導電層222a及導電層222b與半導體層231電連接。
電晶體110f包括導電層222b、絕緣層212、半導體層261、導電層223、絕緣層218、絕緣層213、導電層263a及導電層263b。導電層222b包括隔著絕緣層 212與半導體層261重疊的區域。絕緣層212以覆蓋導電層222b的方式設置。導電層263a及導電層263b藉由設置在絕緣層213中的開口與半導體層261電連接。導電層223隔著絕緣層218與半導體層261重疊。絕緣層218設置在與導電層223重疊的部分中。
導電層221被用作電晶體110e的閘極。絕緣層211被用作電晶體110e的閘極絕緣層。導電層222a被用作電晶體110e的源極和汲極中的一個。
導電層222b具有被用作電晶體110e的源極和汲極中的另一個的部分及被用作電晶體110f的閘極的部分。導電層223被用作電晶體110f的閘極。絕緣層212及絕緣層218分別被用作電晶體110f的閘極絕緣層。導電層263a和導電層263b中的一個被用作電晶體110f的源極，另一個被用作電晶體110f的汲極。
導電層263b藉由設置在絕緣層214中的開口與被用作發光元件的像素電極的電極191電連接。
在圖14E中示出層疊電晶體110g及電晶體110h的結構。電晶體110g具有頂閘極結構。電晶體110h包括兩個閘極。此外，電晶體110g也可以包括兩個閘極。
電晶體110g包括半導體層231、導電層221、絕緣層211、導電層222a及導電層222b。半導體層231設置在絕緣層151上。導電層221隔著絕緣層211與半導體層231重疊。絕緣層211以與導電層221重疊的方 式設置。導電層222a及導電層222b藉由設置在絕緣層212中的開口與半導體層231電連接。
電晶體110h包括導電層222b、絕緣層213、半導體層261、導電層223、絕緣層218、絕緣層217、導電層263a及導電層263b。導電層222b包括隔著絕緣層213與半導體層261重疊的區域。絕緣層213以覆蓋導電層222b的方式設置。導電層263a及導電層263b藉由設置在絕緣層217中的開口與半導體層261電連接。導電層223隔著絕緣層218與半導體層261重疊。絕緣層218設置在與導電層223重疊的部分。
導電層221被用作電晶體110g的閘極。絕緣層211被用作電晶體110g的閘極絕緣層。導電層222a被用作電晶體110g的源極和汲極中的一個。
導電層222b具有被用作電晶體110g的源極和汲極中的另一個的部分及被用作電晶體110h的閘極的部分。導電層223被用作電晶體110h的閘極。絕緣層213及絕緣層218都被用作電晶體110h的閘極絕緣層。導電層263a和導電層263b中的一個被用作電晶體110h的源極，另一個被用作電晶體110h的汲極。
導電層263b藉由設置在絕緣層214中的開口與被用作發光元件的像素電極的電極191電連接。
如上所述，因為本實施方式的顯示裝置包括兩種顯示元件，該顯示裝置能夠切換多個顯示模式而使用，所以無論周圍的亮度如何都具有高可見度及高方便 性。
在本實施方式的顯示裝置的製造方法中，不需要在形成剝離層之後對剝離層表面進行特別的處理諸如電漿處理等。此外，剝離層可以使用廉價的材料，適用於大型基板。因此，本實施方式的顯示裝置可以低成本且生產率高地製造。
由於可以使用剝離層形成顯示元件的電極，不需要去除剝離層。由於不需要在與剝離層的成膜不同的製程中形成該顯示元件的電極，所以可以使製程簡化。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。另外，在本說明書中，當在一個實施方式中示出多個結構例子時，可以適當地組合結構例子。
實施方式2
在本實施方式中，參照圖15A至圖17B說明在實施方式1中說明的顯示裝置的更具體的結構例子。
圖15A是顯示裝置400的方塊圖。顯示裝置400包括顯示部362、電路GD及電路SD。顯示部362包括排列為矩陣狀的多個像素410。
顯示裝置400包括多個佈線G1、多個佈線G2、多個佈線ANO、多個佈線CSCOM、多個佈線S1以及多個佈線S2。多個佈線G1、多個佈線G2、多個佈線ANO以及多個佈線CSCOM分別與在箭頭R表示的方向上排列的多個像素410及電路GD電連接。多個佈線S1及 多個佈線S2分別與在箭頭C表示的方向上排列的多個像素410及電路SD電連接。
注意，雖然為了簡化在此示出了包括一個電路GD和一個電路SD的結構，但是也可以分別設置用來驅動液晶元件的電路GD和電路SD以及用來驅動發光元件的電路GD和電路SD。
像素410包括反射型液晶元件及發光元件。
圖15B1至圖15B4示出像素410所包括的電極311a的結構例子。電極311a被用作液晶元件的反射電極。在圖15B1、圖15B2的電極311a中設置有開口451。
在圖15B1、圖15B2中，以虛線示出位於與電極311a重疊的區域中的發光元件360。發光元件360與電極311a所包括的開口451重疊。由此，發光元件360所發射出的光藉由開口451射出到顯示面一側。
在圖15B1中，在箭頭R表示的方向上相鄰的像素410是對應於不同的顏色的像素。此時，如圖15B1所示，較佳為在箭頭R表示的方向上相鄰的兩個像素中開口451以不設置在一列上的方式設置於電極311a的不同位置上。由此，可以將兩個發光元件360分開地配置，從而可以抑制發光元件360所發射出的光入射到相鄰的像素410所包括的彩色層的現象(也稱為串擾)。另外，由於可以將相鄰的兩個發光元件360分開地配置，因此即使利用陰影遮罩等分別製造發光元件360的EL層，也可以實現 高解析度的顯示裝置。
在圖15B2中，在箭頭C表示的方向上相鄰的像素410是對應於不同的顏色的像素。圖15B2也是同樣的，較佳為在箭頭C表示的方向上相鄰的兩個像素中開口451以不設置在一列上的方式設置於電極311a的不同位置上。
開口451的總面積相對於非開口部的總面積的比例越小，越可以使使用液晶元件的顯示明亮。另外，開口451的總面積相對於非開口部的總面積的比例越大，越可以使使用發光元件360的顯示明亮。
開口451的形狀例如可以為多角形、四角形、橢圓形、圓形或十字狀等的形狀。另外，也可以為細長的條狀、狹縫狀、方格狀的形狀。另外，也可以以靠近相鄰的像素的方式配置開口451。較佳的是，將開口451配置為靠近顯示相同的顏色的其他像素。由此，可以抑制產生串擾。
此外，如圖15B3、圖15B4所示，發光元件360的發光區域也可以位於不設置有電極311a的部分。由此，發光元件360所發射出的光射出到顯示面一側。
在圖15B3中，在以箭頭R表示的方向上相鄰的兩個像素410中，發光元件360不設置在一列上。在圖15B4中，在以箭頭R表示的方向上相鄰的兩個像素中，發光元件360設置在一列上。
在圖15B3的結構中，可以將相鄰的兩個像素 410所包括的發光元件360分開地配置，所以如上所述，可以抑制串擾且實現高解析度化。此外，在圖15B4的結構中，電極311a不位於發光元件360的與箭頭C平行的邊一側，因此可以抑制發光元件360所發射出的光被電極311a遮蔽，而可以實現高視角特性。
作為電路GD，可以使用移位暫存器等各種順序電路等。作為電路GD可以使用電晶體及電容元件等。電路GD所包括的電晶體可以藉由與像素410所包括的電晶體相同的製程形成。
電路SD與佈線S1電連接。例如，作為電路SD可以使用集成電路。明確而言，作為電路SD，可以使用形成在矽基板上的集成電路。
例如，可以利用COG方式或COF方式等將電路SD安裝於與像素410電連接的焊盤上。明確而言，可以使用異方性導電膜將集成電路安裝於焊盤上。
圖16是像素410的電路圖的一個例子。圖16示出相鄰的兩個像素410。
像素410包括開關SW1、電容元件C1、液晶元件340、開關SW2、電晶體M、電容元件C2以及發光元件360等。另外，佈線G1、佈線G2、佈線ANO、佈線CSCOM、佈線S1及佈線S2與像素410電連接。另外，圖16示出與液晶元件340電連接的佈線VCOM1以及與發光元件360電連接的佈線VCOM2。
圖16示出將電晶體用於開關SW1及開關 SW2時的例子。
開關SW1的閘極與佈線G1連接。開關SW1的源極和汲極中的一個與佈線S1連接，另一個與電容元件C1的一個電極及液晶元件340的一個電極連接。電容元件C1的另一個電極與佈線CSCOM連接。液晶元件340的另一個電極與佈線VCOM1連接。
開關SW2的閘極與佈線G2連接。開關SW2的源極和汲極中的一個與佈線S2連接，另一個與電容元件C2的一個電極及電晶體M的閘極連接。電容元件C2的另一個電極與電晶體M的源極和汲極中的一個及佈線ANO連接。電晶體M的源極和汲極中的另一個與發光元件360的一個電極連接。發光元件360的另一個電極與佈線VCOM2連接。
圖16示出電晶體M包括夾著半導體的兩個互相連接著的閘極的例子。由此，可以提高電晶體M能夠流過的電流量。
可以對佈線G1供應將開關SW1控制為導通狀態或非導通狀態的信號。可以對佈線VCOM1供應規定的電位。可以對佈線S1供應控制液晶元件340所具有的液晶的配向狀態的信號。可以對佈線CSCOM供應規定的電位。
可以對佈線G2供應將開關SW2控制為導通狀態或非導通狀態的信號。可以對佈線VCOM2及佈線ANO分別供應產生用來使發光元件360發光的電位差的 電位。可以對佈線S2供應控制電晶體M的導通狀態的信號。
圖16所示的像素410例如在以反射模式進行顯示時，可以利用供應給佈線G1及佈線S1的信號驅動，並利用液晶元件340的光學調變而進行顯示。另外，在以透射模式進行顯示時，可以利用供應給佈線G2及佈線S2的信號驅動，並使發光元件360發光而進行顯示。另外，在以兩個模式驅動時，可以利用分別供應給佈線G1、佈線G2、佈線S1及佈線S2的信號而驅動。
注意，雖然圖16示出一個像素410包括一個液晶元件340及一個發光元件360的例子，但是不侷限於此。圖17A示出一個像素410包括一個液晶元件340及四個發光元件360(發光元件360r、360g、360b、360w)的例子。與圖16不同，圖17A所示的像素410可以利用一個像素進行使用發光元件的全彩色顯示。
在圖17A中，除了圖16的結構例子之外，佈線G3及佈線S3與像素410連接。
在圖17A所示的例子中，例如作為四個發光元件360，可以使用分別呈現紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)的發光元件。另外，作為液晶元件340可以使用呈現白色的反射型液晶元件。由此，在以反射模式進行顯示時，可以進行高反射率的白色顯示。另外，在以透射模式進行顯示時，可以以低功耗進行高演色性的顯示。
圖17B示出對應於圖17A的像素410的結構 例子。像素410包括與電極311a所包括的開口重疊的發光元件360w、配置在電極311a周圍的發光元件360r、發光元件360g及發光元件360b。發光元件360r、發光元件360g及發光元件360b較佳為具有幾乎相同的發光面積。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中，對可用於本發明的一個實施方式所公開的電晶體中的CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS的構成進行說明。
CAC-OS例如是指構成氧化物半導體的元素以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸不均勻地分佈的材料的一種構成。注意，在下面也將在氧化物半導體中一個或多個金屬元素不均勻地分佈且包含該金屬元素的區域以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸混合的狀態稱為馬賽克(mosaic)狀或補丁(patch)狀。
氧化物半導體較佳為至少包含銦。尤其是，較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含選自鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種。
例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中，尤其可以將In-Ga-Zn氧化物稱為CAC-IGZO)是指 材料分成銦氧化物(以下，稱為InOX1(X1為大於0的實數))或銦鋅氧化物(以下，稱為InX2ZnY2OZ2(X2、Y2及Z2為大於0的實數))以及鎵氧化物(以下，稱為GaOX3(X3為大於0的實數))或鎵鋅氧化物(以下，稱為GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4及Z4為大於0的實數))等而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InOX1或InX2ZnY2OZ2均勻地分佈在膜中的構成(以下，也稱為雲狀)。
換言之，CAC-OS是具有以GaOX3為主要成分的區域和以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域混在一起的構成的複合氧化物半導體。在本說明書中，例如，當第一區域的In與元素M的原子個數比大於第二區域的In與元素M的原子個數比時，第一區域的In濃度高於第二區域。
注意，IGZO是通稱，有時是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作為典型例子，可以舉出以InGaO3(ZnO)m1(m1為自然數)或In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1x01，m0為任意數)表示的結晶性化合物。
上述結晶性化合物具有單晶結構、多晶結構或CAAC結構。CAAC結構是多個IGZO的奈米晶具有c軸配向性且在a-b面上以不配向的方式連接的結晶結構。
另一方面，CAC-OS與氧化物半導體的材料構成有關。CAC-OS是指如下構成：在包含In、Ga、Zn及O的材料構成中，一部分中觀察到以Ga為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈 米粒子狀區域分別以馬賽克狀無規律地分散。因此，在CAC-OS中，結晶結構是次要因素。
CAC-OS不包含組成不同的二種以上的膜的疊層結構。例如，不包含由以In為主要成分的膜與以Ga為主要成分的膜的兩層構成的結構。
注意，有時觀察不到以GaOX3為主要成分的區域與以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域之間的明確的邊界。
在CAC-OS中包含選自鋁、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種以代替鎵的情況下，CAC-OS是指如下構成：一部分中觀察到以該元素為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域以馬賽克狀無規律地分散。
CAC-OS例如可以藉由在對基板不進行意圖性的加熱的條件下利用濺射法來形成。在利用濺射法形成CAC-OS的情況下，作為沉積氣體，可以使用選自惰性氣體(典型的是氬)、氧氣體和氮氣體中的一種或多種。另外，成膜時的沉積氣體的總流量中的氧氣體的流量比越低越好，例如，將氧氣體的流量比設定為0%以上且低於30%，較佳為0%以上且10%以下。
CAC-OS具有如下特徵：藉由根據X射線繞射(XRD：X-ray diffraction)測定法之一的out-of-plane法利用θ/2θ掃描進行測定時，觀察不到明確的峰值。也就是 說，根據X射線繞射，可知在測定區域中沒有a-b面方向及c軸方向上的配向。
另外，在藉由照射束徑為1nm的電子束(也稱為奈米束)而取得的CAC-OS的電子繞射圖案中，觀察到環狀的亮度高的區域以及在該環狀區域內的多個亮點。由此，根據電子繞射圖案，可知CAC-OS的結晶結構具有在平面方向及剖面方向上沒有配向的nc(nano-crystal)結構。
另外，例如在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，根據藉由能量色散型X射線分析法(EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy)取得的EDX面分析影像，可確認到：具有以GaOX3為主要成分的區域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域不均勻地分佈而混合的構成。
CAC-OS的結構與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同，具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，CAC-OS具有以GaOX3等為主要成分的區域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域互相分離且以各元素為主要成分的區域為馬賽克狀的構成。
在此，以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域的導電性高於以GaOX3等為主要成分的區域。換言之，當載子流過以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域時，呈現氧化物半導體的導電性。因此，當以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域在氧化物半導體中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率(μ)。
另一方面，以GaOX3等為主要成分的區域的絕緣性高於以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域。換言之，當以GaOX3等為主要成分的區域在氧化物半導體中分佈時，可以抑制洩漏電流而實現良好的切換工作。
因此，當將CAC-OS用於半導體元件時，藉由起因於GaOX3等的絕緣性及起因於InX2ZnY2OZ2或InOX1的導電性的互補作用可以實現高通態電流(Ion)及高場效移動率(μ)。
另外，使用CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，CAC-OS適用於顯示器等各種半導體裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中，說明本發明的一個實施方式的顯示模組及電子裝置。
圖18所示的顯示模組8000在上蓋8001與下蓋8002之間包括連接於FPC8003的觸控面板8004、連接於FPC8005的顯示面板8006、框架8009、印刷電路板8010以及電池8011。
本發明的一個實施方式的顯示裝置例如可以用於顯示面板8006。由此，可以製造無論周圍的亮度如何都具有高可見度的顯示模組。此外，可以製造功耗低的顯示模組。
上蓋8001及下蓋8002可以根據觸控面板8004及顯示面板8006的尺寸適當地改變其形狀或尺寸。
作為觸控面板8004，可以使用重疊於顯示面板8006的電阻膜式觸控面板或靜電容量式觸控面板。另外，也可以不設置觸控面板8004而使顯示面板8006具有觸控面板的功能。
框架8009除了具有保護顯示面板8006的功能以外還具有用來遮斷因印刷電路板8010的工作而產生的電磁波的電磁屏蔽的功能。另外，框架8009也可以具有散熱板的功能。
印刷電路板8010包括電源電路以及用來輸出視訊信號及時脈信號的信號處理電路。作為對電源電路供應電力的電源，既可以使用外部的商業電源，又可以使用另行設置的電池8011的電源。當使用商業電源時，可以省略電池8011。
另外，在顯示模組8000中還可以設置偏光板、相位差板、稜鏡片等構件。
本發明的一個實施方式的顯示裝置不管外光的強度如何都可以實現高可見度。由此，可以適當地應用於可攜式電子裝置、穿戴式電子裝置以及電子書閱讀器等。
圖19A和圖19B所示的可攜式資訊終端800包括外殼801、外殼802、顯示部803、顯示部804及鉸鏈部805等。
外殼801與外殼802藉由鉸鏈部805連接在一起。可攜式資訊終端800可以從折疊狀態(圖19A)轉換成圖19B所示的展開狀態。
本發明的一個實施方式的顯示裝置可以用於顯示部803和顯示部804中的至少一個。由此，可以製造無論周圍的亮度如何都具有高可見度的可攜式資訊終端。此外，可以製造功耗低的可攜式資訊終端。
顯示部803及顯示部804可以顯示文件資訊、靜態影像和動態影像等中的至少一個。當在顯示部中顯示文件資訊時，可以將可攜式資訊終端800用作電子書閱讀器。
可攜式資訊終端800可以被折疊，因此可攜性高且通用性優越。
外殼801和外殼802也可以包括電源按鈕、操作按鈕、外部連接埠、揚聲器、麥克風等。
圖19C所示的可攜式資訊終端810包括外殼811、顯示部812、操作按鈕813、外部連接埠814、揚聲器815、麥克風816、照相機817等。
本發明的一個實施方式的顯示裝置可以用於顯示部812。由此，可以製造無論周圍的亮度如何都具有高可見度的可攜式資訊終端。此外，可以製造功耗低的可攜式資訊終端。
在可攜式資訊終端810中，在顯示部812中具有觸控感測器。藉由用手指或觸控筆等觸摸顯示部812 可以進行打電話或輸入文字等各種操作。
另外，藉由操作按鈕813的操作，可以進行電源的ON、OFF工作或切換顯示在顯示部812上的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
另外，藉由在可攜式資訊終端810內部設置陀螺儀感測器或加速度感測器等檢測裝置，可以判斷可攜式資訊終端810的方向(縱向或橫向)，而對顯示部812的螢幕顯示方向進行自動切換。另外，螢幕顯示的切換也可以藉由觸摸顯示部812、操作操作按鈕813或者使用麥克風816輸入聲音來進行。
可攜式資訊終端810例如具有選自電話機、筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種功能。明確地說，可攜式資訊終端810可以被用作智慧手機。可攜式資訊終端810例如可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、動畫播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。
圖19D所示的照相機820包括外殼821、顯示部822、操作按鈕823、快門按鈕824等。另外，照相機820安裝有可裝卸的鏡頭826。
本發明的一個實施方式的顯示裝置可以用於顯示部822。藉由具有無論周圍的亮度如何都具有高可見度的顯示部，可以提高照相機的方便性。此外，可以製造功耗低的照相機。
在此，雖然照相機820具有能夠從外殼821拆卸下鏡頭826而交換的結構，但是鏡頭826和外殼821也可以被形成為一體。
藉由按下快門按鈕824，照相機820可以拍攝靜態影像或動態影像。另外，也可以使顯示部822具有觸控面板的功能，藉由觸摸顯示部822進行攝像。
另外，照相機820還可以具備另外安裝的閃光燈裝置及取景器等。另外，這些構件也可以組裝在外殼821中。
圖20A至圖20E是示出電子裝置的圖。這些電子裝置包括外殼9000、顯示部9001、揚聲器9003、操作鍵9005(包括電源開關或操作開關)、連接端子9006、感測器9007(它具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風9008等。
本發明的一個實施方式的顯示裝置可以適當地用於顯示部9001。由此，可以製造包括無論周圍的亮度如何都具有高可見度的顯示部的電子裝置。此外，可以製造功耗低的電子裝置。
圖20A至圖20E所示的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部上；觸控面 板；顯示日曆、日期或時刻等；藉由利用各種軟體(程式)控制處理；進行無線通訊；藉由利用無線通訊功能來連接到各種電腦網路；藉由利用無線通訊功能，進行各種資料的發送或接收；讀出儲存在儲存媒體中的程式或資料來將其顯示在顯示部上等。注意，圖20A至圖20E所示的電子裝置所具有的功能不侷限於上述功能，而也可以具有其他的功能。
圖20A是示出手錶型的可攜式資訊終端9200的透視圖，圖20B是示出手錶型的可攜式資訊終端9201的透視圖。
圖20A所示的可攜式資訊終端9200可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。另外，顯示部9001的顯示面彎曲，可沿著其彎曲的顯示面進行顯示。另外，可攜式資訊終端9200可以進行基於通訊標準的近距離無線通訊。例如，藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通訊，可以進行免提通話。另外，可攜式資訊終端9200包括連接端子9006，可以藉由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外，也可以藉由連接端子9006進行充電。另外，充電動作也可以利用無線供電進行，而不藉由連接端子9006。
圖20B所示的可攜式資訊終端9201與圖20A所示的可攜式資訊終端不同之處在於顯示部9001的顯示面不彎曲。此外，可攜式資訊終端9201的顯示部的外形 為非矩形(在圖20B中為圓形狀)。
圖20C至圖20E是示出能夠折疊的可攜式資訊終端9202的透視圖。另外，圖20C是將可攜式資訊終端9202展開的狀態的透視圖，圖20D是將可攜式資訊終端9202從展開的狀態和折疊的狀態中的一個轉換成另一個時的中途的狀態的透視圖，圖20E是將可攜式資訊終端9202折疊的狀態的透視圖。
可攜式資訊終端9202在折疊狀態下可攜性好，而在展開狀態下因為具有無縫拼接較大的顯示區域所以顯示的一覽性強。可攜式資訊終端9202所包括的顯示部9001被由鉸鏈9055連結的三個外殼9000支撐。藉由鉸鏈9055使兩個外殼9000之間彎曲，可以使可攜式資訊終端9202從展開的狀態可逆性地變為折疊的狀態。例如，能夠使可攜式資訊終端9202以1mm以上且150mm以下的曲率半徑彎曲。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，包括：第一顯示元件；第二顯示元件；以及絕緣層，其中，該第一顯示元件包括具有反射可見光的功能的第一像素電極及液晶層，該第二顯示元件具有發射可見光的功能，該第二顯示元件包括第二像素電極及共用電極，該第一像素電極位於相對於該絕緣層與該第二像素電極相反的位置上，該液晶層位於相對於該第一像素電極與該絕緣層相反的位置上，該共用電極位於相對於該第二像素電極與該絕緣層相反的位置上，該液晶層包括與該第一像素電極重疊的第一區域及與該第二顯示元件重疊的第二區域，並且，該第一區域的該液晶層的厚度比該第二區域的該液晶層的厚度薄。
  2. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，還包括：第一電晶體；以及第二電晶體，其中該第一電晶體具有控制該第一顯示元件的驅動的功能， 該第二電晶體具有控制該第二顯示元件的驅動的功能，並且該絕緣層包括用作該第一電晶體的閘極絕緣層的部分以及用作該第二電晶體的閘極絕緣層的部分。
  3. 一種顯示裝置，包括：第一顯示元件；第二顯示元件；第一絕緣層；第二絕緣層；第一電晶體；以及第二電晶體，其中，該第一電晶體具有控制該第一顯示元件的驅動的功能，該第二電晶體具有控制該第二顯示元件的驅動的功能，該第一顯示元件包括具有反射可見光的功能的第一像素電極及液晶層，該第二顯示元件具有發射可見光的功能，該第二顯示元件包括第二像素電極及共用電極，該第一電晶體及該第二電晶體都位於該第一絕緣層與該第二絕緣層之間，該第一電晶體藉由設置在該第一絕緣層中的開口與該第一像素電極電連接，該第二電晶體藉由設置在該第二絕緣層中的開口與該 第二像素電極電連接，該液晶層位於相對於該第一像素電極與該第一絕緣層相反的位置上，該共用電極位於相對於該第二像素電極與該第二絕緣層相反的位置上，該液晶層包括與該第一像素電極重疊的第一區域及與該第二顯示元件重疊的第二區域，並且，該第一區域的該液晶層的厚度比該第二區域的該液晶層的厚度薄。
  4. 根據申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中該第一電晶體和該第二電晶體中的一個或兩個在通道形成區域中包含氧化物半導體。
  5. 根據申請專利範圍第1至4中任一項之顯示裝置，其中該第一像素電極包括開口部，該第二顯示元件包括與該開口部重疊的部分，並且該第二顯示元件具有向該開口部發射可見光的功能。
  6. 一種顯示模組，包括：申請專利範圍第1至5中任一項之顯示裝置；以及電路板。
  7. 一種電子裝置，包括：申請專利範圍第6項之顯示模組；以及天線、電池、外殼、照相機、揚聲器、麥克風和操作按鈕中的至少一個。
  8. 一種顯示裝置的製造方法，該顯示裝置包括：第一顯示元件；第二顯示元件；以及絕緣層，其中，該第一顯示元件包括具有反射可見光的功能的第一像素電極、液晶層及具有透過可見光的功能的第一共用電極，並且，該第二顯示元件包括具有透過可見光的功能的第二像素電極、發光層及具有反射可見光的功能的第二共用電極，該方法包括如下步驟：在第一基板上形成該第一共用電極；在形成用基板上形成具有反射可見光的功能的剝離層；在該剝離層上形成該絕緣層；在該絕緣層上依次形成該第二像素電極、該發光層及該第二共用電極，來形成該第二顯示元件；使用黏合劑將該形成用基板與第二基板貼合；將該形成用基板與該剝離層分離，對所露出的該剝離層進行加工，來形成該第一像素電極；以及在該第一共用電極與該第一像素電極之間配置該液晶層，使用黏合劑將該第一基板與該第二基板貼合，來形成該第一顯示元件。
  9. 根據申請專利範圍第8項之顯示裝置的製造方法，其中對該剝離層進行加工，在重疊於該第二顯示元件的位置上形成包括開口的該第一像素電極。
  10. 根據申請專利範圍第8或9項之顯示裝置的製造方法，其中將該第一基板與該第二基板貼合時使用的該黏合劑包含導電粒子，在形成該第一像素電極的製程中，對該剝離層進行加工形成該第一像素電極及導電層，並且在將該第一基板與該第二基板貼合的製程中，由該導電粒子將該第一共用電極與該導電層電連接。
  11. 一種顯示裝置的製造方法，該顯示裝置包括：第一顯示元件；第二顯示元件；以及絕緣層，其中，該第一顯示元件包括具有反射可見光的功能的第一像素電極、液晶層及具有透過可見光的功能的第一共用電極，並且，該第二顯示元件包括具有透過可見光的功能的第二像素電極、發光層及具有反射可見光的功能的第二共用電極，該方法包括如下步驟：在第一基板上形成該第一共用電極；在形成用基板上形成剝離層； 在該剝離層上形成該第一像素電極；在該第一像素電極上形成該絕緣層；在該絕緣層上依次形成該第二像素電極、該發光層及該第二共用電極，來形成該第二顯示元件；使用黏合劑將該形成用基板與第二基板貼合；將該形成用基板與該剝離層分離，去除所露出的該剝離層，來露出該絕緣層及該第一像素電極；以及在該第一共用電極與該第一像素電極之間配置該液晶層，使用黏合劑將該第一基板與該第二基板貼合，來形成該第一顯示元件。
  12. 根據申請專利範圍第11項之顯示裝置的製造方法，其中在形成該第一像素電極之後在該第一像素電極中設置開口，並且在與該開口重疊的位置上形成該第二顯示元件。
  13. 根據申請專利範圍第11或12項之顯示裝置的製造方法，其中將該第一基板與該第二基板貼合時使用的該黏合劑包含導電粒子，在形成該第一像素電極的製程中對同一導電膜進行加工來形成該第一像素電極及導電層，並且在將該第一基板與該第二基板貼合的製程中，由該導電粒子將該第一共用電極與該導電層電連接。
  14. 根據申請專利範圍第8至13中任一項之顯示裝置的製造方法，其中作為該剝離層與該形成用基板接觸地形成鎳膜，並且在形成該剝離層之後至將該形成用基板與該剝離層分離之前的期間，對該剝離層進行加熱時的最高溫度高於150℃低於450℃。
  15. 根據申請專利範圍第8至13中任一項之顯示裝置的製造方法，其中在該形成用基板上形成包含氮及矽的第一絕緣層，在該第一絕緣層上形成包含氧及矽的第二絕緣層，在該第二絕緣層上形成包含氧、氟及矽的第三絕緣層，並且在該第三絕緣層上形成作為該剝離層的鈦膜。
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