TW200536126A - Active matrix panel - Google Patents

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200536126 、 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明爲關於主動矩陣面板。 【先前技術】 於液晶顯示裝置之主動矩陣面板中，係於設置成矩陣狀 之掃描線與資料線之各交叉點附近，將薄膜電晶體設置爲連 接於兩線條，而於各薄膜電晶體使畫素電極連接。於如此之 主動矩陣面板之中，不會使薄膜電晶體之導通電流降低，且 ® 爲了大幅減少導通電流，如特開昭5 8 - 1 7 1 8 6 0號公報（第6 圖（a ))之圖示，譬如，於設置成矩陣狀之掃描線與資料 線之各交叉點附近，設計成往橫方向串聯2個薄膜電晶體。 然而，於上述傳統之主動矩陣面板上，於設置成矩陣狀 之掃描線與資料線之各交叉點附近，由於僅往橫方向串聯2 個薄膜電晶體，故將加大佔據於2個薄膜電晶體之橫方向空 間，進而，具有成爲縮小畫素間距時之障礙，或者，開口率 變小之問題。 ^ 於是，本發明之目的乃提供可縮小佔據於2個薄膜電晶 體之橫方向空間之主動矩陣面板。 【發明內容】 本發明爲了達成上述目的而發明之，其特徵係提供具 備··複數掃描線（2 )，複數資料線（3 );各連接於前述掃 描線（2 )及前述資料線（3 )之複數開關元件（4，5 ) °前 述開關元件（4，5，44，45)，各包含：半導體薄膜（13’ 5 4 )具有於彎曲部所彎曲之共同源極·汲極領域（1 3 a ) ’ 200536126 .•… " 和形成於前述源極·汲極領域（1 3 a )之其中一側及另一側 之其中一方，及另一方之通道領域（13b)，和具有鄰接於 前述其中一方之通道領域（1 3 b )所形成之源極領域（1 3 d )， 及鄰接於前述另一方通道領域（1 3 b )而形成之汲極領域 (1 3 d );和閘極電極（1 5，1 6，5 1，5 2 )，配置於該半導 體薄膜（I3，54 )之其中一面之閘極絕緣膜（14，53 )，和 配置於對應前述其中一方及另一方通道領域（l3b)上之前 述閘極絕緣膜（1 4，5 3 )上領域。 • 【實施方式】 (第1實施型態） 第1圖爲表示作爲此發明之第1實施型態之液晶顯示裝 置之主動矩陣面板之重要部位透視平面圖。此主動矩陣面板 係具備著玻璃基板1。於玻璃基板1之上面側，設置掃描線 2及資料線3呈現矩陣狀，於各交叉點附近，設置著串聯之 2個薄膜電晶體（開關元件）4，5畫素電極6及輔助電容電 極7。於此，爲了明確第1圖之目的，故於各畫素電極6之 ®邊緣部，標記著短斜線之斜線。 畫素電極6之左右兩側之邊緣部，係重疊於左右兩側所 配置之資料線3。輔助電容電極7，於第1圖中，具備著平 行配置於掃描線2之直線狀電極部7 a，和平行配置於左側資 料線3之短柵狀電極部7b，和平行配置於右側資料線3之短 柵狀電極部7c。 此種情況，電極部7 a之上半部，係重疊於畫素電極6 之下邊部。電極部7b係重疊於該畫素之畫素電極6之左邊 200536126 、 部，和鄰接於該畫素之左邊畫素之畫素電極6之右邊部，同 時，於該畫素之畫素電極6和鄰接於該畫素之左邊畫素之畫 素電極6之間，則係重疊於前述兩畫素電極6之邊緣部，所 配置之資料線3。 電極部7c係重疊於該畫素之畫素電極6之右邊部，和 鄰接於該畫素之右邊畫素之畫素電極6之左邊部，同時，於 該畫素之畫素電極6和鄰接於該畫素之右邊畫素之畫素電極 6之間，則係重疊於前述兩畫素電極6之邊緣部，所配置之 _資料線3。 另外，雖然將會於後面說明，但是電極部7b，7c將於 厚度方向中，亦即，於第1圖之紙面垂直方向中，配置於畫 素電極6和資料線3之間（參考第2B圖）。且，電極部7b， 7 c寬度（平行於掃描線2之方向長度），係比資料線3寬度 大於某種程度。此於形成電極部7b，7c時，即使偏移平行 於掃描線3方向位置，對電極部7b，7c將確實覆蓋資料線3， 使得資料線3將能不會直接對向於畫素電極6。 ^ 其次’說明有關此主動矩陣面板之具體構造。第2A圖 爲表示沿著第1圖之IIA— IIa線之剖面圖，第2B圖爲表示 沿著第1圖之IIB - IIB線之剖面圖。於玻璃基板i上面，設 置著第1及第2基底絕緣膜1 1，丨2。於第2之基底絕緣膜 12上面之特定處，將設置著聚矽等之半導體薄膜13。 半導體薄膜1 3，如第3 A圖所示，平面形狀於約中央部 呈現直角彎曲之略L字狀，涵蓋彎曲部之附近，係η型雜質 低濃度領域1 3 a，將其兩側形成由本質領域所形成之通道領 200536126 " 域1 3 b，而將各通道領域1 3 b之另一端形成爲η型雜質低濃 度領域1 3 c (複數），而將各η型雜質低濃度領域1 3 c之另 一端形成η型雜質高濃度領域（複數）13d。 於上述中，半導體薄膜13之其中一端之η型雜質高濃 度領域（單數）1 3 d爲其中一方之薄膜電晶體之源極·汲極 領域，另一端之η型雜質高濃度領域（單數）13d爲另一方 之薄膜電晶體之源極·汲極領域，n型雜質低濃度領域（單 數）1 3 a於2個薄膜電晶體中爲共有之源極·汲極領域。 • 於包含半導體薄膜13之第2基底絕緣膜12上面’設置 著閘極絕緣膜1 4。於半導體薄膜1 3之2個通道領域1 3b上 之閘極絕緣膜1 4上面，設置閘極電極1 5，1 6。此種情況， 如第3B圖所示，閘極電極1 5與1 6，一體形成爲島狀，其 平面形狀，於約中央部呈現直角彎曲之略L字狀，其中一方 之閘極電極1 5係平行延伸出於資料線3，而另一方之閘極電 極16，係往直角方向延伸出其中一方之閘極電極。於此，乃 相互意味和島狀，物理性分離爲其他要素，以下中，仍使用 ®相同之定義。 於閘極絕緣膜1 4之上面處，如第3B圖所示，設置著資 料線3。藉由資料線3之其中一部分所構成之汲極電極3a， 係經由設置於閘極絕緣膜1 4之接觸孔1 7，連接於半導體薄 膜I3之其中一方之η型雜質高濃度領域13d。 於閘極電極1 5，1 6及資料線3及閘極絕緣膜i 4上面， 設置著層間絕緣膜1 8。於層間絕緣膜1 8上面之特定處，如 第3 C圖所不’設置島狀源極電極1 9。源極電極1 9係經由 200536126 層間絕緣膜1 8及設置於閘極絕緣膜1 4之接觸孔2 0，連接於 半導體薄膜13之另一方之η型雜質高濃度領域13d。 於層間絕緣膜1 8上面，如第3 C圖所不’設置掃描線2。 掃描線2係經由設置於層間絕緣膜1 8之接觸孔2 1而連接於 閘極電極15，16。此種情況，如第1圖所示，閘極電極16 係設置於重疊於掃描線2位置，閘極電極1 5，係從掃描線2 • 往垂直於該掃描線2方向，延伸出與該畫素之畫素電極6方 向。 • 於層間絕緣膜1 8上面之其他處，設置著輔助電容電極 7。此種情況，如第1圖所示，輔助電容電極7之電極部7b， 7c ’係設置於資料線3上之層間絕緣膜1 8上。輔助電容電 極7，源極電極1 9及層間絕緣膜1 8上面，設置著護膜層2 2。 於護膜層22上面，設置畫素電極6。畫素電極6係經由設置 於護膜層22之接觸孔23而連接於源極電極19。 於此，具有其中一方之閘極電極丨5之薄膜電晶體4，和 - 具有另一方之閘極電極1 6之薄膜電晶體5，係將半導體薄膜 -® 13之略中央部之η型雜質低濃度領域I3a，共有源極·汲極 領域，經由此共有之η型雜質低濃度領域1 3 a來串聯。且， 此串聯連接之薄膜電晶體4, 5,乃具備著連接於半導體薄膜 13之其中一方之η型雜質高濃度領域13ci之一個汲極電極 3a，和連接於半導體薄膜13之另一方之η型雜質高濃度領 域13d之一個源極電極19。 又’於上述中’於畫素電極6和資料線3之間，雖然係 將輔助電容電極7形成比資料線3寬度較寬之構造，但是， -9- 1 * · « 200536126 此當疊合畫素電極和資料線時，於兩者間將形成合倂電容， 亦即所謂之垂直串訊（cr〇ss talk)，如此將產生畫像拖曳現 象’故於此間’藉由配置共同電位（地線）之輔助電容電極， 來產生防止合倂電容之效果。於此，輔助電容電極7之寬度 由於係比資料線3較寬，故即使於輔助電容電極7與資料線 3之交錯處產生偏移，亦可確實防止兩者之合倂電容之產生。 • 其次5說明有關上述構造之主動矩陣面板之製造方法之 ： 其中一例。首先，如第4圖所示，於玻璃基板1上面，藉由 ® 電漿CVD方法，連續成膜由氮化矽所形成之第1基底絕緣 膜1 1 ’由氧化矽所形成之第2基底絕緣膜1 2及非晶矽薄膜 3 1。其次’藉由照射準分子雷射使得多結晶化非晶矽薄膜 31 ’形成藉由聚矽所形成之半導體薄膜32。 其次，如第5圖所示，於半導體薄膜32上面，於對應 於第2圖所示之半導體薄膜13之n型雜質高濃度領域13d 形成領域，形成具有開口部33a之光阻圖案33。其次，光罩 - 光阻33而於半導體薄膜32,以高濃度注入η型雜質。其次， '•彔(I離光阻3 3。 其次，藉由圖案化半導體薄膜32,如第6圖所示，於第 2基底絕緣膜1 2上面之特定處，形成半導體薄膜1 3。於此 狀態上，半導體薄膜1 3之兩端部，產生η型雜質高濃度領 域1 3d。其次，於包含半導體薄膜1 3之第2基底絕緣膜1 2 上面，將藉由電漿CVD法，成膜由矽所形成之閘極絕緣膜 14。其次，於半導體薄膜13之其中一方之η型雜質高濃度 領域1 3 d上之閘極絕緣膜1 4，形成接觸孔1 7。 -10- 200536126 ^ 1 · ^ ^ 其次，於閘極絕緣膜1 4上面，藉由濺鍍法成膜A 1膜由 鋁等所形成之金屬膜，藉由微影技術圖案化，形成第3B圖 所示之略L字狀之閘極電極1 5，1 6，同時，形成資料線3。 於此狀態上，藉由資料線3之一部份所構成之閘極電極3 a， 係經由接觸孔1 7而連接於半導體薄膜1 3之其中一方之η型 雜質高濃度領域13d。 其次，如第7圖所示，光罩閘極電極15，16而於以低 濃度注入η型雜質。於是，半導體薄膜13之2個閘極電極 # 15, 16間之領域將爲η型雜質低濃度領域13a，閘極電極15, 1 6下之領域係爲由本質領域所形成之通道領域1 3b，其兩 側，爲η型雜質低濃度領域1 3c，其兩側爲η型雜質高濃度 領域13d。其次，於氮氣環境中，以500°C程度溫度進行1 小時程度之退火處理，進行注入雜質之活性化。 其次，如第8圖所示，於閘極電極15，16，資料線3 及閘極絕緣膜14之上面，藉由電漿CVD法，成膜由氮化矽 所形成之層間絕緣膜1 8。其次，於半導體薄膜1 3另一方之 • η型雜質高濃度領域1 3 d上之層間絕緣膜1 8，及閘極絕緣膜 1 4，形成接觸孔2 0。 其次，於層間絕緣膜1 8上面，藉由濺鍍法依序連續成 膜A1膜，及ITO接觸用之Cr膜（或Mo膜），藉由圖案化 此等之A1膜及Cr膜（或Mo膜），使得形成掃描線2，源 極電極1 9及輔助電容電及7。於此型態上，源極電極1 9乃 經由階處孔20而連接於半導體薄膜1 3另一方之η型雜質高 濃度領域13d上。 -11- 200536126 ·· • 其次，如第2 A、2B圖所示，於源極電極1 9及層間絕緣 膜18上面，藉由電漿CVD法成膜由矽所形成之保護層22。 其次，於源極電極1 9上之保護層2 2，形成接觸孔2 3。其次， 於保護層22上面，藉由濺鍍法成膜ITO膜，再藉由圖案化 該ITO膜，經由接觸孔23而連接於源極電極19而形成畫素 電極2。如此一來，將獲得第1圖及第2圖所示之主動矩陣 . 面板。 於如此所獲得之主動矩陣面板上，由於係將藉由略L字 • 狀之閘極電極其中一方之閘極電極，和另一方之閘極電極， - 而形成串聯所設置之2個薄膜電晶體4，5之各電極1 5，1 6， 故相較於將2個薄膜電晶體4，5僅串聯於橫方向之情況， 將可縮小佔據於2個薄膜電晶體4，5之橫方向之位置空間， 且隨此可縮小畫素間距，或者可加大開口率。 又，於具備如此所得之主動矩陣面板之液晶顯示裝置 中，於畫素電極6之邊緣部與資料線3之間，由於設置著相 ； 較於資料線3寬度較廣之輔助電容電極7之電極部7b，7c， _ Φ 故藉由此電極部7b，7c，使得連接於畫素電極6之邊緣部和 資料線3之間，可確實防止合倂電容之產生，因此，不會產 生垂直串訊，進而改善顯示特性。 (第2實施型態） 第9圖爲表示作爲本發明之第2實施型態之液晶顯示裝 置之主動矩陣面板之重要部位透視平面圖，第10A圖爲表示 沿著第9圖之XA — Xa線之剖面圖，第10B圖爲表示沿著第 9圖之XB — XB線之剖面圖。又，此種情況，亦爲了明確第9 -12- 200536126 ' » ^ 圖之目的，於各畫素電極6之邊緣部，標記斜短線之斜線。 其次，於此主動矩陣面板之中，說明有關不同於第1圖 及第2A、2B圖所示情況之差異點。其中一個係省略層間絕 緣膜18，於包含半導體薄膜13之其中一方之η型雜質高濃 度領域1 3 d上面之第2基底絕緣膜1 2上部，形成兼具汲極 電極3 a之資料線3，於半導體薄膜1 3之另一方之η型雜質 高濃度領域（單數）13d上面，及η型雜質高濃度領域l3d 附近之第2基底絕緣膜1 2上部，形成島狀之源極電極1 9， # 經由形成於保護膜22及閘極絕緣膜14之接觸孔23,將形成 於保護膜22上面之畫素電極6而連接於源極電極19。 另一個差異點係於閘極絕緣膜1 4上面之特定處，形成 兼具另一個閘極電極1 6之掃描線2，藉由從掃描線2之特定 處而垂直延伸出之部分，來形成另一方之閘極電極15。因 此，此種情況，閘極電極15，16，亦從略L字狀之閘極電 極之其中一方閘極電極與另一側之閘極電極而加以形成。 (第3實施型態） • 於上述各實施型態上，雖然已經說明本發明對具備由聚 矽所形成之半導體薄膜電晶體之主動矩陣面板，適用於最佳 之共面（coplanar )型態，但是並非限於此，即使對具備由 非晶矽所形成之半導體薄膜電晶體之主動矩陣面板，亦可適 用於最佳之反交錯（stagger)型。 第1 1圖爲表示具備作爲此發明之第3實施型態液晶顯 示裝置之反交錯型構造之薄膜電晶體主動矩陣面板要點透 過平面圖。此主動矩陣面板乃具備玻璃基板41。而於玻璃基 -13- 200536126

( •會 I ' 板上面端，矩陣狀設置掃描線42及資料線43，於各交點附 近設置著串列之2個薄膜電晶體44，45，畫素電極46及輔 助電容電極47。於此，爲了明確第丨！圖之目的，故於各畫 素電極46之邊緣部，標記短斜實線之斜線。 畫素電極46之左右兩端邊緣部，係重合於左右兩端所 配置之資料線43。輔助電容電極47，於第1 1圖之中，具備 著平行配置於掃描線42之直線狀電極部47a，和平形配置於 右側端之資料線43之短帶形狀電極部47c。此種情況，電極 鲁部47a係重疊於畫素電極46之下邊部。電極部47b，47c係 重合於連接於左右方向之畫素電極46相對向邊部，及配置 於其中間之資料線43。 另外，雖然於後面說明，但是電極部47b，47c，於厚方 向中，亦即，於第1 1圖之紙面垂直方向中，配置於畫素電 極46與資料線43之間（參照第12A圖）。且，電極部47b， 47c之寬度（平行於掃描線42方向之長度），乃相較資料線 43寬度大於某程度。此於形成電極部47b，47c時，即使偏 修移平行於掃描線42方向位置時，亦可藉由電極部47b ’ 47c 確實覆蓋資料線43,資料線43將不會直接面向於晝素電極46。 其次，說明有關此主動矩陣面板之具體構造。第12A圖 爲表示沿著第1 1圖之XIIa - ΧΠΑ線之剖面圖，而第12B圖 爲表示沿著第1 1圖之ΧΠΒ — XIIB線之剖面圖。於玻璃基板 41上面之特定處，設置兼具另一方之閘極電極52之掃描線 42，而從掃描線42之特定端，垂直延伸出另一方之聞極電 極5 1。因此，此種情況，閘極電極5 1，52，亦由略L字型 -14- 200536126 .. ' 狀閘極電極之其中一方之閘極電極與另一方閘極電極5所形 成之。 於閘極電極5 1，5 2及包含掃描線42之玻璃基板4 1上 面，設置著閘極絕緣膜5 3。於閘極電極5 1，5 2之閘極絕緣 膜53上面之特定端，設置著純非晶矽薄膜（半導體薄膜） 5 4。於閘極電極5 1，5 2上之純非晶矽薄膜5 4上面，設置著 通道保護膜55，56。 於通道保護膜5 5，5 6上面兩側，中間及位於兩側之純 # 非晶矽薄膜54上面，設置著由η型非晶矽所形成之接觸孔 57，58，59。於接觸孔57，58，59上面，設置著汲極電極 60，共通之源極·汲極電極61及源極電極62。 於此，具有其中一端閘極電極5 1之薄膜電晶體44，和 具有另一側閘極電極52之薄膜電晶體45，係共有著共有之 源極·汲極電極6 1，設置於下方之接觸孔5 8，及設置於其 下方之半導體薄膜54，經由此共有之部分傳串聯連接。且， 此串聯連接之薄膜電晶體44，45，乃具備著一個汲極電極 60與一個源極電極62。 於閘極絕緣膜53上面，設置著資料線43。此種情況， 資料線43爲半導體薄膜43a，η型非晶矽層43b及金屬層43c 之3層構造。換言之，資料線43，亦相同於薄膜電晶體44， 45之構造，具有積層汲極電極60，設置於下方之接觸孔57 及設置於下方之半導體薄膜54之3層構造。 於薄膜電晶體44，45，及包含資料線43之閘極絕緣膜 53上面，設置著層間絕緣膜63。於層間絕緣膜63上面，設 200536126 ·， • 置著輔助電容電極47。於輔助電容電極47與層間絕緣膜63 上面，設置著護膜層64。於護膜層64上面，設置著畫素電 極46。畫素電極46係經由設置於護膜層64及層間絕緣膜 6 3之接觸孔6 5而連接於源極電極6 2。 其次，說明有關上述構造之主動矩陣面板之製造方法。 首先，如第1 3圖所示，於玻璃基板41上面，藉由濺鍍法而 成膜由Cr等所形成之金屬膜，藉由圖案化該金屬膜，使得 形成包含閘極電極51，52之掃描線42。 ® 其次，於閘極電極51，52及包含掃描線42之玻璃基板 41上面，藉由電漿CVD法，連續成膜由氮化矽所形成之閘 極絕緣膜53，由純非晶矽所形成之半導體薄膜7 1，及氮化 矽層72,藉由圖案化氮化矽層72,形成通道保護膜55, 56。 其次，如第14圖所示，於包含通道保護膜55，56之半 導體薄膜71上面，藉由電漿CVD而法成膜由η型非晶矽所 形成之雜質高濃度半導體薄膜73。其次，於雜質高濃度半導 體薄膜73上面，藉由濺鍍法而成膜由Cr等所形成之金屬膜 鲁74。 其次，藉由連續圖案化金屬層74,雜質高濃度半導體薄 膜7 3，及半導體薄膜7 1，如第1 5圖所示，於薄膜電晶體44， 45形成領域形成汲極電極60，共通之源極.汲極電極61， 源極電極62,接觸層57, 58, 59及純半導體薄膜54。另外， 此時，相同於資料線線43形成領域，形成著由金屬層43c， 雜質高濃度半導體薄膜43b，及純半導體薄膜43a所形成之 3層構造之資料線43。 -16- 200536126 *. * · , • 其次，如第1 6圖所示，於薄膜電晶體44，45，資料線 43及閘極絕緣膜53上面，藉由電漿CVD法而成膜由氮化矽 所形成之層間絕緣膜63。其次，於層間絕緣膜63上面特定 端，藉由濺鍍法而成膜由Cr等所形成之金屬膜，藉由圖案 化該金屬膜，而形成輔助電容電極47。 其次，如第12A、12B圖所示，於輔助電容電極47及層 間絕緣膜63上面，藉由電漿CVD法而成膜由氮化矽所形成 之保護膜64。其次，於源極電極62上之保護膜64，形成接 • 觸孔65。其次，於保護膜64上面之特定端，藉由濺鍍法而 成膜ITO，藉由圖案化該ITO膜，經由接觸孔65而將畫素 電極46連接形成於源極電極62。如此一來，將獲得如第1 1 圖及第12A、12B圖所示之主動矩陣面板。 又，於上述實施型態上，雖然已說明主動矩陣面板適用 於液晶顯示裝置之情況，但是本發明，亦可適用於有機EL 等其他之顯示裝置，或者光感應器等。另外，平面形狀形成 爲L字狀之半導體薄膜，雖然於包含中央部附近，僅形成雜 # 質低濃度領域，但是亦可於雜質低濃度領域之中央部，形成 雜質高濃度領域。 另外，半導體薄膜，雖然於略中央部，作成具有彎曲爲 直角之L字狀之彎曲部，但是彎曲部未必需要彎曲爲直角， 作成銳角或鈍角，或圓弧狀亦可。同時’閘極電極，雖然將 各半導體薄膜之通道領域作成橫切爲直角之L字狀，但是， 彎曲部，橫切爲直角之22個閘極電極，只要於彎曲部中， 連接各半導體薄膜之通道領域即可，作成銳角或鈍角，或圓 -17- 200536126 ^ 弧狀亦可。另外，若覆蓋2個通道領域上之形狀時，未必具 有彎曲部皆可，作成覆蓋半導體薄膜形成領域整體之方形狀 或者其他形狀亦可。再者，薄膜電晶體雖然係作成η型雜質 領域，但是亦可適用於具有Ρ型雜質領域之Ρ型薄膜電晶體。 若藉由此發明時，串聯所設置之2個薄膜電晶體，由於 具有於連接部中所彎曲之源極·汲極領域之兩側所形成之通 道領域，和具有連接形成於各通道領域之源極·汲極領域之 半導體薄膜，和形成於該半導體薄膜之其中一面之閘極絕緣 • 膜，和形成對應於前述半導體薄膜之2個通道領域上之前述 閘極絕緣膜之一個閘極電極，故相較於橫向串聯設置2個薄 膜電晶體時，將可縮小佔有於2個薄膜電晶體橫方之空間， 隨此，亦可縮小畫素間距，或者可加大開口率。 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示作爲此發明之第1實施型態之液晶顯示裝 置之主動矩陣面板之重要部位透視平面圖。 第2Α圖爲表示沿著第1圖之ΠΑ— Πα線之剖面圖。 ® 第2Β圖爲表示沿著第1圖之ΠΒ 一 Πβ線之剖面圖。 第3Α圖〜第3C圖爲表示說明第i圖所示之薄膜電晶體 部分之平面圖。 第4圖爲表示製造第1圖，第2A圖及第2B圖所示之主 動矩陣面板時，當初之步驟剖面圖。 第5圖爲表示持續第4圖之步驟剖面圖。 第6圖爲表示持續第5圖之步驟剖面圖。 第7圖爲表示持續第6圖之步驟剖面圖。 -18- 200536126 U * > m Ψ v 第8圖爲表示持續第7圖之步驟剖面圖。 第9圖爲表示作爲此發明之第2實施型態之液晶顯示裝 置之主動矩陣面板之重要部位透視平面圖。 第10A圖爲表示沿著第9圖之XA — XA線之剖面圖。 第10B圖爲表示沿著第9圖之XB — XB線之剖面圖。 第1 1圖爲表示作爲此發明之第3實施型態之液晶顯示 裝置之主動矩陣面板之重要部位透視平面圖。 第12A圖爲表示沿著第1 1圖之XIIA — XIIA線之剖面圖。 • 第12B圖爲表示沿著第1 1圖之XIIB — XIIB線之剖面圖。 第13圖爲表示製造第11圖，第12A圖及第12B圖所示 之主動矩陣面板時，當初之步驟剖面圖。 第 1 4圖爲表 示 持 續 第 13圖 之 步 驟 剖 面 圖。 第 1 5圖爲表 示 持 續 第 1 4圖 之 步 驟 剖 面 圖。 第 1 6圖爲表 示 持 續 第 1 5圖 之 步 驟 剖 面 圖。 [ 元件 符號說明】 1， 41 玻 璃 基 板 2, 42 掃 描 線 3, 43 資 料 線 3a，60 汲 極 電 極 4, 5，44 l·，45 薄 膜 電 晶體 6, 46 畫 素 電 極 7, 47 輔 助 電 容電極 7b ，7c， 47b， 47c 電 極 部 13 ，54 半 導 體 薄膜 -19- 200536126 v 13a n型雜質低濃度領域（源極·汲極領域） 13b 通道領域 13c η型雜質低濃度領域 13d η型雜質高濃度領域（汲極領域：源極領域） 14，5 3 閘極絕緣膜 15，16，51，52 閘極電極 18，63 層間絕緣膜 19，62 源極電極 • 21，23 接觸孔 22，64 保護膜 55，56 通道護膜層 57， 58, 59 接觸層 -20-

Claims (1)

1. 200536126 « » \ ，十、申請專利範圍： 1 · 一種主動矩陣面板，其特徵係具備：複數之掃描線（2 ); 複數之資料線（3 );和各連接於前述掃描線（2 )及前述 資料線（3 )之複數開關元件（4，5 )， 前述開關元件（4，5，44，45 )各包含：半導體薄膜（13， 54 )，具有彎曲部之共同源極·汲極領域（13a)，形成 於前述源極·汲極領域（1 3 a )之其中一側及另一側之其 中一方，及另一方之通道領域（13b)，具有鄰接於前述 ® 其中一方之通道領域（13b )所形成之源極領域（13d)， 及鄰接於前述另一方通道領域（1 3b )而形成，連接於前 述資料線（3 )之汲極領域（1 3 d );和閘極電極（1 5，1 6， 51，52 )，配置於該半導體薄膜（13，54 )之其中一側面 之閘極絕緣膜（1 4，5 3 )，和配置於對應前述其中一方及 另一方通道領域（13b )上之前述閘極絕緣膜（14，53 ) 上之領域，連接於前述掃描線（2 )。 2·如申請專利範圍第1項之主動矩陣面板，其中前述閘極電 ^ 極（15, 16)，具有直角橫切前述其中一方通道領域（13d) 之其中一方側閘極電極（16)，和直角橫切前述另一方之 通道領域（13d)之另一方側閘極電極（15 ); —體成形 則述其中一方側之聞極電極（1 5 )和另一*方側闊極電極 (16)〇 3 ·如申請專利範圍第1項之主動矩陣面板，其中前述閘極電 極（1 5，1 6 )，係於前述彎曲部一體成形前述一方側之閘 極電極（1 6 )和另一方側之閘極電極（1 5 )。 -21- 200536126 . * 5 * * ^ 4 ·如申請專利範圍第1項之主動矩陣面板，其中包含設置於 前述閘極電極（1 5，1 6 )和前述掃描線（2 )之間，具有 接觸孔（2 1 )之間層絕緣膜（1 8 )，前述掃描線（2 )係 經由設置於前述間層絕緣膜（1 8 )之前述接觸孔（2 1 )而 連接於前述閘極電極（1 5，1 6 )。 5 .如申請專利範圍第4項之主動矩陣面板，其中前述掃描線 (2 )，係設置於前述間層絕緣膜（1 8 )上，前述其中一 方側之閘極電極（1 6 )，係設置於重疊於前述掃描線（2) • 處。 6. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣面板，其中前述半導體 薄膜（1 3 )之汲極領域（1 3 d )，係配置於重疊於前述資 料線（3 )處，於前述汲極領域（1 3 d )上，設置藉由前述 資料線（3 )之一部份所構成之汲極電極（3 a )。 7. 如申請專利範圍第1項之主動矩陣面板，其中前述掃描線 (2 )，係相較於前述半導體薄膜（1 3 )之彎曲部，配置 於前述源極領域（1 3 d )側，前述另一方側之閘極電極（1 5 ) • 係從前述掃描線，設置爲往相反側，延伸出於前述源極領 域（1 3 d )。 8 ·如申請專利範圍第7項之主動矩陣面板，其中包含設置於 前述闊極電極（15’ 16)和則述掃描線（2)之間’具有 接觸孔（2 1 )之間層絕緣膜（1 8 )，前述掃描線（2 )係 經由設置於前述間層絕緣膜（1 8 )之前述接觸孔（2 1 )而 連接於前述閘極電極（1 5，1 6 )。 9.如申請專利範圍第1項之主動矩陣面板，其中面板更具有 -22- 200536126 1 9 · ， 开夕成於則述開關兀；件（4，5 )上之護膜層（2 2 )及形 前述護膜層（22)之畫素電極（6)。 1〇·如申請專利範圍第丨項之主動矩陣面板，其中於前述 絕緣吴（1 4 )上，形成輔助電容電極（7 )，而於輔 容電極（7 )下，配置連接於前述汲極領域（1 3d )之 線（3)。 1 1 .如申請專利範圍第i 〇項之主動矩陣面板，其中前述 電容電極（7 )係形成比前述資料線（3 )寬度較寬。 鲁1 2·如申請專利範圍第i項之主動矩陣面板，其中於前述 電極（15 ’ 16)上及前述閘極絕緣模（14)上，形成 絕緣模（1 8 )，於該層間絕緣膜（i 8 )上形成輔助電 極（7 )。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之主動矩陣面板，其中於前 助電容電極（7 )下，形成資料線（3 )。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之主動矩陣面板，其中前述 電容電極（7 )’係形成比前述資料線（3 )寬度較寬 ® 1 5 ·如申請專利範圍第丨2項之主動矩陣面板，其中於前 絕緣0莫（1 8 )上，形成連接於前述閘極電極（i 5， 之前述掃描線（3 )。 16·如申請專利範圍第1項之主動矩陣面板，其中於前述 體薄膜（54 )下’依序形成前述閘極絕緣膜（53 )及 鬧極電極（51’52)，於前述半導體薄膜（54)上， 層間絕緣膜（63 )。 1 7 ·如申請專利範圍第丨6項之主動矩陣面板，其中於層 成於 閘極 助電 資料 輔助 閘極 層間 容電 述輔 輔助 〇 述層 16 ) 半導 前述 形成 間絕 -23- 200536126 緣膜 1 8 .如申 助電 1 9 ·如申 電容 (63 )上，形成輔助電容電極（47 )。 請專利範圍第1 7項之主動矩陣面板，其中於前述輔 容電極（47 )下，形成資料線（43 )。 請專利範圍第1 8項之主動矩陣面板，其中前述輔助 電極（47 )係形成比前述資料線（43 )寬度較寬。