TW200306603A - Abstract of the disclosure - Google Patents

Description

200306603 五、發明說明（1) 1 ·發明所屬之技術領域 之偏轉磁辆可減少漏磁培。 2.先前技術 :ϊ=:二 [ 003 ]黑白陰極射線管需要 :轉4]二色陰極Λ線管採用-種利用不規則 r、g、b會聚成熒光螢幕上的一點。 电于束 =]Λ二搶發射的三色電子束被偏轉磁軛之枕形水平偏 [〇〇 6 低Μ形垂直偏轉磁場沿水平或垂直方向偏轉。 螢幕上偏轉的電子束可穿過一陰罩而落在癸光 = 。請參照圖!，該 元2 '及肖與漏斗單元2結合之頸側面3板早7連接之漏斗單 = 之面板4内表面上’安裝-熒光螢幕5。榮 :螢J5披覆三層點狀或條狀的彩色榮光層，以發射紅、 5' f置fi 1此外，一蔭罩6以其内側部對正面向熒光螢幕 5。㈣為-辨色分選電極，具有多數毛細孔或狹縫1 第5頁 200306603 五、發明說明（2) 罩6與一框架7連接，並由一彈性構件8彈性支 經由柱螺栓銷9支撐於面板4上。框架7上固設一内亦 10，以便攔截被偏轉磁軛13偏轉的電子束的外 D隻罩 止電子束路徑改變。 磁野，防 [009] 頸側3内設有電子搶14，用以接收一電壓及 綠、藍電子束。較佳是，電子搶〗4是陰極射線同 '，工 面上對正一列的-字排列式電子搶，用以發射三千 二二外’電子搶14之前端置有會聚色純度校正磁鐵 (CPMM1，使電子搶14發射的電子束12會聚成一點。取 [0010] 偏轉磁軛13位於漏斗單元2後端之漏斗單元2外 上，亦即，位於頸側3之前端，以便水平或垂'^ 搶14發射的電子束。 且侷轉電子 [poll]如圖2所示，偏轉磁軛13包括一圓形座體35，用以 形，構成螢幕側21及頸側23之第一凸緣25及第二凸緣27 ; 固，水平偏轉線圏29a、29b，垂直偏轉線圈31及鐵芯33於 j定位置，並隔離垂直偏轉線圈31與水平偏轉線圈29&、 、^ °水平偏轉線圈29a、29b係繞捲在座體35内侧部，介 於第:凸緣25與第二凸緣27之間，用以將電子搶發射之電 子f沿水平方向偏轉；垂直偏轉線圈31係繞捲在座體35内 =j ’介於第一凸緣25與第二凸緣27之間，用以將電子束 直方向偏轉，而錐形鐵芯3 3可減少水平偏轉線圈 2 9 b及垂直偏轉線圈3 1產生的水平/垂直偏轉磁場的 損失。 [0〇12]通常，偏轉磁軛13在螢幕側21與頸側23内產生漏磁 第6頁 200306603 五、發明說明（3) 場。而磁場漏洩對人體有害。 場漏屬，偏轉磁軛13第-凸緣25之上、下 連接。 ’、、 b而與水平偏轉線圈29a、29b 圈37a 37b串聯，下水平偏轉線圈 器C串聯，二者再以並聯方式連接。將」鑛電-電流供至H+及Η--媸，μ屮方▲， 錄菌波水+偏轉 電子搶發射的電；；因：以場。因此，從 rnm^i ^ ^^ 扒十偏轉磁％而被水平偏轉。 H 吊，習式的偏轉磁軛供至水平偏轉線圈29a、29b 之H+、H-二鳊的電流，其頻率至少為i576kk，並 的枕型水平偏轉磁場，使漏斗單元 σ 平方向偏轉。另一方面，偏轉磁 口水 J率，Hz的電流，並利用如此產生的 %，使電子束沿垂直方向偏轉。 i ΐ直偏轉磁 [〇〇」6]此外，現今已發展出自會聚型偏轉磁

平偏轉線圈29a、29b及垂直偏轉線圏3 : : J 將三道電子束會聚在螢幕上，而不==則磁場 裝置。 个而要特殊的額外電路或 [0017]亦即，自會聚型偏轉磁 水平偏轉線圈29a、29b的線路分佈轉;圈”及 =:=及頸㈣)產生 便讓二道電子束依其位置而具有不同的偏轉力，並使：等 麵 200306603 五、發明說明（4) 電子束會聚在相同點，不受其始點與終點（亦即熒光幕）間 存在的差距影響，藉此精確地擊中對應的熒光。 [〇〇 18]若是將電流導至水平偏轉線圈29a、29b及垂直偏轉 4圈3 1而產生水平偏轉磁場與垂直偏轉磁場時，不易將電 t朝面板整個表面偏#。因此，需使用高導磁性的鐵芯 :兹场回授路徑上的損失減至最少，藉此增加磁效率與 磁力。 =二9了] f ^ ί面，如上所述，偏轉磁輛之螢幕側21與頸側 夕:ί Ϊ 磁場以使電子束沿水平或垂直方向偏轉 3二ί 士不必要的漏磁場。漏磁場會傷害人體。尤其 疋，*漏磁％在5Ηζ至2kHz的極低頻（elf)， =Hz ::甚低頻(VLF)時，對人體相， 有解決此一問題的手段。 口凡乂肩 [0 0 2 0 ]有一種研究領域中，主張 力口偏轉磁軛内近螢幕側-端之直徑與傾‘角：；得：偏： 角，以致於顯著產生漏磁場。 計肖以^于冋偏轉 [二Γ ] ϋ日夺’亦曾有人使用位於座體35上第-凸綾25 F·、 距離。 而與水千偏轉線圈近螢幕側之-端間的 [ 0022 ]圖2顯示利用消除線圈減少漏磁 用消除線圈之偏轉磁妒 野的方法’圖3為使 偏轉磁輛之螢】：的概要剖面圖。如圖3所示，由於 水平或(n)内，除了產生使電子束普 第8頁 200306603 五、發明說明（5) 漏磁場45，所以在座體35之第一凸緣25的上、下部設置成 對，消除線圈37a、37b，使消除線圈37a、37b產生的消除 磁場47可抵銷漏磁場45。請參照圖4，消除線圈37a、37b 2接線在一水平偏轉電路中。水平偏轉線圖29&、在螢 幕側内產生的漏磁場45，以及因流經消除線圈37a、37b之 ，除電流所產生㈣除磁場，具有相反方向而抵銷漏磁 % 〇 [〇 〇 2 3 ]然而，習式偏轉磁軛有下列缺點： 第一，如圖4接線電路所示，消除線圈37a、37b之 電感值.糸以串聯方式加到水平偏轉線圈29a i全之電感值必須減少= 少時，水平偏轉敏感度亦降低"匕外 前的尺寸士 乂： 使螢幕尺寸與敏感度降低 偏轉電沒二二5 ^必須增加傳導至水平偏轉線圈的水平 埶Ϊ:Ύ 增加水平偏轉電流會惡化偏轉磁軛之生 熱特性，因此降低偏轉磁軛之品質。 W规之生 ]第一使用消除線圈減少漏磁場時，消s + 生跳動49，如圖5所示。亦即7除平:圈會在 流之回授時間内，由於消除線圈對37a 上千:轉電 間：雜散電容’所以會放出充入的電流 側產生跳動49。為了除去跳動，所 ：=48左 月…法會增加偏轉磁輕之價格，且使印刷電路板上安裝

ϋ

第9頁 200306603 五、發明說明（6) 組件（諸如電阻器與電容器）之作業複雜化。 [0 0 2 6 ]第三，當消除線圈3 7 a、3 7 b之引出線4 1與水平偏轉 線圈2 9 a、2 9 b連接時，引出線4 1會脫落。因此，必須設置 一絕緣管，以防止引出線41與水平偏轉線圈29a、29b之間 發生火花；同時，必須將一用以連接額外引出線的端子插 入接線板39，以便連接水平偏轉線圈29a、29b。結果，所 需的操作數量增加，因而降低效率與生產量。 [0 0 2 7 ]第四，必須準備與安裝消除線圈3 γ a、3 7 b。亦即， 須使用以射出材料形成的線圈架繞捲與安裝消除線圈 3 7a、3 7b。因此，必須個別生產射出型消除線圈架。由於 _ 必須個別生產消除線圈架，所以需要製作模具並因此負擔 額外的費用。此外，消除線圈的規格係依照影像顯示裝置 的改進或機型的改變而變更，因此必須使用新模具生產、 繞捲與安裝消除線圈之線圈架。 〃 [ 0028 ]另一方面，藉由增加鐵芯近螢幕側之一端與水平偏 . 轉線，近螢幕側之一端的間距來減少漏磁場時，該間距的 應用範，極為狹窄。此外，大於丨〇 〇。的高偏轉角顯著增 加漏磁場。因此，該間距不足以抵銷漏磁場。 [0029]近來已有人積極進行研究，欲具體實現電場降低之 陰極射線管。在此研究中認為，欲降低陰極射線管之電場 時，偏轉磁軛必須具有高偏轉角（在監視器之情況中，必 ）。然而，偏轉角增加會降低偏轉磁軛的偏轉 ，ίϊ者增加水平偏轉線圈之漏磁場。為了解決前 达問通，曰有人提出一種矩形錐（RAC)偏轉磁me偏轉

第10頁 200306603 五、發明說明（7) 穩定的偏轉敏感度’但無法改進 =:偏:：圏:偏轉磁場，係包括二個 平：轉線圈產生之磁場磁化而產生的磁 上，經^ ^ #太ί ^產生的磁場係投射在鐵芯的内表面 jtb » ^ Λ I. 虹專送，並對鐵芯内表面垂直放電。因 :之轉ί”幕側產生的漏磁·，對鐵芯内表 而f ί徑有盆敏的反應而相對增加或減少。缺 之鐵二;=?之偏轉角以獲得高偏轉角時，偏轉磁軛 之鐵心的内表面直徑會顯著增加而產生 難在高偏轉角時減少漏磁場。 ’很 [0 0 3 1 ]通常，為了測量漏磁場，合 50〇mm4 , ^ t t £ 〇 s 流頻率在15.75kHz時，漏磁場通常低於25nT。田傳導的電 [:]然而’偏轉磁軛與測量裝置間 小而減少。漏磁場與此距離成反比，因此 電穷的減 如，若偏轉磁軛之偏轉角大於i i 〇。時，”、、曰 '。例 80至ΙΟΟηΤ。 ，属磁％的範圍在 [ 0 0 33 ]如上所述，要在一般偏轉磁軛及用以 的偏轉磁軛中減少漏磁場，是非常困難 又亍呵偏轉角 發明内容 ' 9 ° [ 0 0 34 ]本發明之目的在於至少解決上 並至少提供以下所述之優點。 或缺點’ 第11頁 200306603 五、發明說明（8) = 因此，本發明目的之一在於提供一種陰極射線管， II u π磁軛可有效地減少漏磁場而不須使用諸如消除線圈 的特殊輔助裝置。 2〇±36^ ί發明另一目的在於提供一種陰極射線管，其偏轉 ^ 服水平偏轉敏感度的降低及偏轉磁|厄生熱特性因 消除線圈而產生的惡化。 ”' [ 0037J:發明另一目的在於提供一種陰極射線管 轉 磁軛可減少鐵芯在高偏轉角時產生的漏磁場。 Ϊ::上及其他目的與優點’藉由提供以下陰極 、斤罄i w又侍只現。在該陰極射線管之偏轉磁軛中，鐵芯 的5。%至85% ;且該水平偏轉螢幕側-端之直徑 = 距離’是水平偏轉線圈沿陰極射線管 二。線方向之長度的27%至50%。該陰極射線管之偏轉角大於 [0 0 3 9 ]根據本發明另一層面，1 線管。在此#险朽汾綠― 八中美供一種TPS型陰極射 深吕在此種陰極射線管之偏轉磁 端之直徑為線偏轉線圈近螢幕歲心近螢幕側一 且該線偏轉線圈近螢幕側之“直：：50%至㈣； 間的距離，是該線偏轉線圈沿==之：； 的27%至50%。 、、畏吕袖線方向之長度 [ 0040 ]本發明其他優點、目的及 說明陳述，有些部份則為對此祜 σ卩份將於以下 審查或實施本發明時即；=技：有-般技能之人士於 解的。依照所附申請專利範圍 200306603 五、發明說明（9) 中特別之指出，可實現及獲得本 實施方式 货月各項目的與優點。 [0 0 5 2 ]以下參照附圖細說明 [〇〇53][實施例丨] 令赞明一較佳貫施例。 [:干54，]:6偏為：據本發明之偏轉磁軛之概要結構圖。如g6 戶不：偏轉磁輕包括位於螢幕側(s = :圖6 圈“與鐵芯57之間設—座體55， 二水2轉線 體55與鐵芯57間設一垂直偏 隔離一者，同蚪，座 内側開始時，各组# ' 。因此，從偏轉磁軛 ς 1 ^ 各件成一線之排列順序為水平偏棘綠園 5二、座體55、垂直偏轉線圈53、與鐵芯5 、、： 磁軛減少鐵芯近螢幕側一端之 =卜爲轉 線管軸向上的長度。 立細短鐵芯在陰極射 [-在座體55之外表面上時，崎頸側 度縮短，所以水平偏轉線圈近營= 鐵心近螢幕側之一端間的距離增加。 /、 [置=照圖6，該偏轉磁軛並未使用特殊的辅助裝 (例如先則技術中的消除線圈）來減少螢 的，磁場。亦m生的磁場係垂直鐵芯内表)面内產而生 内表面的直徑或傾斜角有靈敏的反應，而不 =u除線圈的使用敏感。因此，本發明藉由縮小直徑及 拓加水平偏轉線圈近螢幕側之一端與鐵芯近螢幕 間的距離來減少漏磁場。 而 第〗3頁 200306603 五、發明說明（ίο) __ [ 005 7]圖7A、7B分別 〜 磁軛中及習式偏轉磁軛中广 ^，一較佳實施例之偏轉 關係。亦即，圖7A顯示根據本：明：：：=巧間的位置 水平偏轉線圈間的位 之偏轉磁軛中，鐵芯與 〔 0058 ]請參照圖以，為贫後」诅罝關係。 63之直徑Rc，是水平偏轉線’鐵芯近螢幕側一端 50%^85% ； 側-端63間的距㈣，是水 與鐵芯近勞幕 Z上之長度Lh的27%至50%。 轉線圈在陰極射線管軸向 [ 0059 J此處應可看出，水 讎，與先前技術比較時，並未幕側-端61之直 側一端63之直徑Rc為可變。 =更。、亦即，鐵芯近螢幕 之直徑R c為縮小。 疋’鐵芯近螢幕側一端6 3 [0 0 6 0 ]此外，亦可看出水平 上之長度Lh，與先前技術比較J線^陰極射線管軸向Z 偏轉線圈近螢幕側-端61與鐵芯近替變更。亦即，水平 為可變。較佳是，水平偏轉線圈近：ί則一端間的距離Ld 螢幕側一端63間的距離“為增加。螢幕側一端61與鐵芯近 [ 0 0 6 1 ]如圖7A、7B所示，本發明 幕側一端63之直徑Rc，小於—妒=轉磁軛中，鐵芯近螢 一端63,之直徑Rc，；而且，本^日^轉磁軛之鐵芯近螢幕側 轉線圈近螢幕側一端61與鐵芯近^偏轉磁軛中，水平偏

Ld，大於一般偏轉磁輕中水 ^ =側一端63間的距離 十偏轉線圈近螢幕側-端61， $ 14頁 200306603 五、發明說明（II) 與鐵芯近螢幕側一端63,間的距離“，。 [0 0 6 2 ]如上所述，水平偏轉線一 & ^ ^ ^ ^ 與鐵芯近螢幕側-端63之直徑Rc，dr之直議 :線=幕側一端61與鐵芯近螢幕側一:⑽二水:偏 Ld，其長度比為Ld/Lh。其中 门妁距離 當決定以顯著減少近螢幕側之 5 /Lh均經過適 [_3]_、輸本發明偏轉磁=以=，。 = 置。圖以顯示鐵芯近螢幕：-端 近榮幕側-端間=离；!平偏轉線圈近f幕側-端與鐵芯 [0 0 6 4 ]如圖8 A所示，在習—抱ά击 端之直徑…平偏轉線圈= 端：=幕側- 徑比Rc/Rh根據15、17、19英寸之crt ，其直 別為0· 886 (RAC，矩形n Q. 螢幕對角線長度時分 形芯與四線圈組合）Γ而、Ύ，）及G.99⑽TC，圓 直徑比的範圍在0.5至二間在中，其 之偏轉磁軛中，鐵芯 '圖8A，在本發明 圈近螢幕侧一端之直徑Rh，i :;直徑Rc與水平偏轉線 磁輛中之直徑比Rc/Rh I /Λ，Rc/Rh小於習式偏轉 螢幕側一端之直徑Rc，表不本發明偏轉磁輛中鐵芯近 -端之直徑。小於習式偏轉磁耗中鐵芯近營幕側

[0 0 6 5 ]如圖8 B所示，次承伯Μ A 之長度為Lh，及水4 = = f極射線管轴向Z上 褥線圈近螢幕側一端與鐵芯近螢幕 第15頁 200306603 五、發明說明（12) 側一端間的距離為Ld，在本發明之偏轉磁軛中，二者之比 Ld/Lh增加，大於習式偏轉磁扼*Ld/Lh之比。這表示本發 明之偏轉磁軛中，水平偏轉線圈近螢幕側一端與鐵芯近螢 幕側一端間的距離Ld為增加。 [ 00 6 6 ]如上所述，本發明之偏轉磁軛中，縮小鐵芯近螢幕 側一端之直徑，同時增加水平偏轉線圈近營幕側一端與鐵 芯近螢幕側一端間的距離。 分別顯示本發明偏轉磁輕及習式偏轉磁輕 佈圖。圖9Α顯示本發明之漏磁場分佈圖，圖9β 貝j 員不㈢式漏磁場分佈圖。 [:直6=i ΐ二偏轉磁軛中產生的漏磁場69對鐵芯末端 =反Γ因"，在本發明之偏轉 幕側-端之直徑肋的50%至85%; 側一端與鐵芯近螢幕側一端間的距 =圈近螢幕 在陰極射線管軸向7 F 疋水平偏轉線圈 「ilMcn m ^ 之長度以的27%至5〇%。 [0069 ]因此，在本發明之偏轉磁 盆 :;中之漏磁場(_大為減^ (圖9A)比 括位於^::=主)】韓=磁軛中產生的漏磁場69包 生的主偏轉磁場轉Π之及位於頸側產 =安裝在陰極射線管:内的：罩生的漏磁場 ””生的漏磁場被轉移到護罩殼，而^ 即，偏轉磁 %，糟此抵銷漏磁場 濩罩驭產生一反磁 "而’在先前技術中，於榮幕側產 --- - 第16頁 立、赞明說明（13) [007U本發明減少鐵圈）？抵銷。 :偏轉線圈近螢幕側一端徑 [。〇;2=銷螢幕側内產生的漏磁場。 本發明中，當鐵怒末端之直U鐵心之内表面。因此，如 圈間的距離較大時，可充分： = 鐵芯與水平偏轉線 圈。 &勒，属磁场而不須使用消除線 50咖。當則-端之直徑的 圈近螢幕侧一端之直_的5而直仅Rc低於水平偏轉線 陶之特性。相/:的，時，會惡化電子束打擊頸部 於水平偏Λ圈幕側一端之直她大 u ^ <京恭W古而之直控的85%時，會像弈針 技術中一樣，難以減少漏磁場。 s像先則 [圈°°J2 Π，鐵芯安裝在偏轉磁軛上時，應使水平偏轉線 = ίΪ:;Γ與鐵芯、近螢幕側-端間的距離Ld，為= 「==極射線管軸向2上之長度Lh的m至5。％。 :的= 線圈近螢幕側-端與鐵芯近螢幕側1 度Lh的27%時/會像千先偏前轉技線/中在陰極射線管軸向Z上之長 反之，會惡刪^ 咖中一樣’難以減少漏磁場。 [ 00 76 ]本發明之偏轉磁軛可應用於換位掃瞄（Tps)類型， 200306603 五、發明說明（14) 現在將於實施例2中加以說明。 [0 0 7 7 ][實施例2 ] [ 0078 ]圖l〇A、10B分別顯示本發明及先前技術使用Tps之 偏轉磁軛中，鐵芯與水平偏轉線圈間的位置關係。使用 TPS之偏轉磁軛，其原理及概念與圖7A、7B所示偏轉磁軛 相同。 [00J79]根據一般陰極射線管（CRT)之掃瞄方法，若從螢幕 觀看時，電子搶發射的電子束是從左側向右側掃瞄而形 :，幕。然而’根據TPS型CRT之掃瞄方&，若從螢幕側 1签電子搶發射的電子束是從底側向頂側掃瞄而形成 =愛士:簡言之，TPS型CRT之掃瞄方法與習式掃瞄方法不 子搶二；：f "Γ束旋轉90。掃瞄。因此，與一般crt之電 列列ΐ較時，TPS型CRT之電子搶的電子束陣 是，偏：ΪΓϊ 成平行配置’被旋轉9〇。。其結果 位於Ξΐϊ也旋轉90°。亦即’圖7A之水平偏轉線圈是 單元之右=:ΐ上側與下側，而垂直偏轉線圈則位於漏斗 混清，所ίΞίΓ °為了避免TPS型偏轉磁扼中發生術語 別稱為Γί 平偏轉，線圈與垂直偏轉、線圈在此分 冉為線偏轉線圈與幀偏轉線圈。 〇]如圖10Α所示，在TPS型偏轉磁軛中 一端之直禋Μ畀π ^ A 4 ^ ^ 挑〒鐵忍近螢幕側 側-端斑鐵蛇圍，以及線偏轉線圈近螢幕 式心的鐵心近勞幕側一端間之距離Ld，係以如上所述方 1]亦即，鐵芯57近螢幕側（S) 一端75之直徑Rc，是線 第18頁 200306603 五、發明說明（15) 偏轉線圈71近營幕側（s) —端7 q々士 / ^ ^ ^ V 而73之直徑Rh的50%至85% ;而 線偏轉線圈71近螢幕側（s) — *山7。λ 山” a ^ *而73與鐵芯57近螢幕側（s) — 端75間之距離Ld，是線偏轉绐固71 a P — 傅線圈7 1在陰極射線管軸向z上 之長度Lh的27%至50%。 + V工 圖10B中，標號73,與75,分別声+止乂, 園7 1、（技莖加,、 山t J表不先刖技術中，線偏轉線 圈71近螢幕側（s )之一端與鐵忿R 7 + τ 私心b ’近螢幕側（s)之一端。同 日守，L d ’表示先前技術中，線值絲& ή, 、線偏轉線圈71近螢幕側（s)一端 U與鐵芯5 7近螢幕側（s) —迪7 ^,日日 技術中，鐵芯5 7近螢幕側（s ·· - h 7 i而75間之距離。Rc，表示先前 端7 5 ’之直徑 之偏轉磁 [ 0082 ]本發明亦可應用於高偏轉角大於ιι〇_ 軛，現在於實施例3中加以說明。 [0 0 8 3 ][實施例3 ] [ 0 084 ]高偏轉角大於11〇。之偏鏟 n 7 a 7R ^ ^ ^ ^ , 偏轉磁輛’其原理及概念與 圖7 A、7 B所不之偏轉磁概相同。 [0085]亦即’在高偏轉角大於ηη。 綠 ^ ^ ^ 11 υ 之偏轉磁軛中，水平 偏轉線圈近螢幕側一端與鐵芯进签莖 1X4、处蛩幕側一端間之距雜丨d， 是水平偏轉線圈在陰極射線f h μ e e f门 < 距離Ld ,n〇/ ^ ra7A 7R抓-深&輔向上之長度Lh的27%至 〇0%，如圖7A、7B所不。 [ 0 086 ]此外，在高偏轉角大於！ 1〇。 n八仏11 υ 之偏轉磁軛中，鎩芯 近螢幕側一端之直徑Rc，是水平低Μ m T 鐵 直徑Rh的50%至85%。 4京吞彳則ί而心 [ 0 087 ]使用表1所示條件範圍時，測 2()ηΤ。 才測仔的漏磁場低於 〈表1 >

第19頁 200306603 五、發明說明（16) 項目120 °偏轉角 Lh6 Omm Rh4 6mm Lc3 2mm Rc3 5mm Ld21 mm Ld/LhO.34 Rc/RhO·77 [0088]其中’Lh代表水平偏轉 長度’ Rh代表水平偏轉線圈近 鐵芯在陰極射線管軸向上之長 立而之直徑’ Ld代表水平偏轉線 幕側一端間的距離。 [0 0 8 9 ]如先前論述，根據本發 漏磁場而不須使用一般的消除 水平偏轉敏感度的降低，生熱 圈所造成的組件單元成本增加 [0 0 9 0 ]此外，本發明之陰極射 之偏轉磁輛顯著減少漏磁場 射線管亦可應用於TPS(換位掃 圍。 [0 0 9 1 ]以上雖係參照若干較佳 明，但熟悉此類技術之人士應 作不同變更而不脫離本發明以 線圈在陰極射線管轴向上之 榮幕側一端之直徑，Lc代表 度，Rc代表鐵芯近螢幕側一 圈近螢幕側一端與鐵芯近螢 明之陰極射線管可有效減少 線圈。因此，本發明克服了 特性之惡化’及一般消除線 〇 線管可使高偏轉角大於丨i 0 至低於2 0 η T。本發明之陰極 目苗）方法而大幅增加應用範 實施例來顯示與說明本發 可理解，其形式與細節中可 所附申請專利範圍定義之範

200306603

200306603 圖式簡單說明 圖式簡單說明 [j 0 4 1 ]效參照以下圖式詳細明本發明 考標號係指示相同元件。圖式包括·· ^相问的參 [ 0042 ]圖1為一般陰極射線管之結構圖，· = 43]圖2為一習式偏轉磁軛之結構圖； = =::示習式偏轉磁輛中產生的磁場分佈圖; 之電路圖Γ不習式偏轉磁軛中水平偏轉線圈與消除線圈 = = 圈而產生的跳動； [〇〇48]圖7顯示祀撼之偏轉磁軛之概要結構圖； [與〇=圖8為-圖表，顯示本發明二較佳實施例中之直徑

生的』I9:佈不:據以本及發明-較佳實施例之偏轉磁軛中產 [0〇51]圖 10 顯干# i 士 A 法之偏轉磁輕Φ、广供t舍明另—較佳實施例使用換位掃瞄 元件圖號明細表’ '芯與水平偏轉線圈間的位置關係。 1面板單元 2漏斗單元 3頸側 4面板 5熒光螢幕 第22胃 200306603 圖式簡單說明 6蔭罩 7框架 8彈性構件 9柱螺栓銷 1 0内護罩 11會聚色純度校正磁鐵 12電子束 1 3偏轉磁軛 1 4電子槍 2 1螢幕側 22中間側 2 3頸側 2 5第一凸緣 2 7第二凸緣 2 9 a、2 9 b水平偏轉線圈 31垂直偏轉線圈 3 3鐵芯 35座體 3 7a、3 7b消除線圈 3 9接線板 41引出線 43主偏轉磁場 4 5漏磁場 4 7消除磁場

第23頁 200306603 圖式簡單說明 48螢幕 49跳動 5 1水平偏轉線圈 5 3垂直偏轉線圈 55座體 5 7鐵芯 6 1水平偏轉線圈近螢幕側之一端 6 Γ水平偏轉線圈近螢幕側之一端 6 3鐵芯近螢幕側之一端 6 3 ’鐵芯近螢幕側之一端 6 9漏磁場 71線偏轉線圈 7 3線偏轉線圈近螢幕側之一端 73’線偏轉線圈近螢幕側之一端 7 5鐵芯近螢幕側之一端 7 5 ’鐵芯近螢幕側之一端

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Claims (1)

1. 200306603 六、申請專利範圍 1技-種陰極射線管，其包括-具有螢光螢幕之面板、一 5設於面板後表面之漏斗、從漏斗後部發射電子束之電子 ?、分別將電子槍發射之電子束沿水 …由降低該水平偏轉線口與=轉；== 平及垂直偏轉磁場的磁力損失而增進磁效率；之水 其中’在该偏轉磁幸厄中，兮哉# 徑，為該水平偏轉線圈近榮幕；;二端之直 接設於面板後表面之漏斗、從：、斗\=幕之面板、-如、分別將電子搶發射之電子束沿水 水平偏轉線圈與垂直偏轉線圈、&包括、々：：：轉之 軛；藉由降低該水平偏轉線圈與垂直偏轉：磁 平及垂直偏轉磁場的磁力損失而增進磁效率/產生之水 其中，在該偏轉磁軛中，該水平偏轉 與該鐵芯近螢幕側之—端間的距為^ j幕側之一端 陰極射線管軸向上之長度的27%至5()%^水平偏轉線圈在 側圈近螢幕側之-端與該鐵芯近螢ϊ w之一知間的距離，為該水平偏執。、蛩幂 上之長度的27%至50%。 、 陰極射線管軸向 该陰極射 具有熒光 \如申請專利範圍第〗項之陰極射線管，苴 線管之偏轉角大於〗1〇。。 ，、中 5· 一種換位掃瞄（TPS)型陰極射線管，其包括 200306603 六、申請專利範圍 螢幕之面板、一接設於面板後表面之漏斗、從 射電子束之電子槍、分別將電子檢發射之電子 垂直方向偏轉之線偏轉線圈與幀偏轉線圈、及 之偏轉磁軛；藉由降低該線偏轉線圈與幀偏轉 之水平及垂直偏轉磁場的磁力損失而增進磁效 其中，在該偏轉磁輛中，該鐵芯近螢幕側一端 该線偏轉線圈近螢幕側一端之直徑的5〇%至85% 6· 一種換位掃瞄（TPS)型陰極射線管，其包括 螢幕之面板、一接設於面板後表面之漏斗、從 射電子束之電子搶、分別將電子搶發射之電子 垂直方向偏轉之線偏轉線圈與幀偏轉線圈、及 之偏轉磁軛；藉由降低該線偏轉線圈與幀偏轉 之水平及垂直偏轉磁場的磁力損失而增進磁效 其中，在該偏轉磁軛中，該線偏轉線圈近 端與該鐵芯近螢幕側之一端間的距離，為該線 陰極射線管軸向上之長度的27%至50%。 7·如申請專利範圍第5項之陰極射線管，其中 磁軛中，該線偏轉線圈近螢幕側之一端與該 之一端間的距離，為該線偏轉線圈在陰極射線 長度的27%至50%。 u Μ深 8·如申請專利範圍第5項之陰極射線管，盆 線管之偏轉角大於11〇。。 八Υ 9·如申請專利範圍第3項之陰極射線管，並 線管之偏轉角大於1 1 0。。 八 第26頁 漏斗後部發 束沿水平及 包括一鐵芯 線圈内產生 率； 之直徑，為 一具有熒光 漏斗後部發 束沿水平及 包括一鐵芯 線圈内產生 率； 螢幕側之一 偏轉線圈在 ’在該偏轉 芯近螢幕側 管軸向上之 ’該陰極射 ’該陰極射 200306603 六、申請專利範圍 10.如申請專利範圍第7項之陰極射線管，其中，該陰極 射線管之偏轉角大於1 10 ° 。

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