+

RU2001115418A - A method of forming a magnetic medium for recording information with a high density - Google Patents

A method of forming a magnetic medium for recording information with a high density

Info

Publication number
RU2001115418A
RU2001115418A RU2001115418/09A RU2001115418A RU2001115418A RU 2001115418 A RU2001115418 A RU 2001115418A RU 2001115418/09 A RU2001115418/09 A RU 2001115418/09A RU 2001115418 A RU2001115418 A RU 2001115418A RU 2001115418 A RU2001115418 A RU 2001115418A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
magnetic medium
forming
recording information
matrix
defects
Prior art date
Application number
RU2001115418/09A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2227941C2 (en
Inventor
Юрий Иванович Спичкин
Александр Метталинович Тишин
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Перспективные магнитные технологии и консультации"
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Перспективные магнитные технологии и консультации" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Перспективные магнитные технологии и консультации"
Priority to RU2001115418/09A priority Critical patent/RU2227941C2/en
Priority claimed from RU2001115418/09A external-priority patent/RU2227941C2/en
Publication of RU2001115418A publication Critical patent/RU2001115418A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2227941C2 publication Critical patent/RU2227941C2/en

Links

Claims (7)

1. Способ формирования магнитной среды для записи информации, отличающийся тем, что в исходную матрицу, обладающую магнитными свойствами, в процессе ее получения вводятся примеси или дефекты кристаллической структуры, равномерно распределяющиеся в материале матрицы, наличие которых вызывает формирование областей с отличным от основной матрицы магнитным состоянием с размерами, лежащими в диапазоне от нескольких ангстрем до нескольких десятков нанометров.1. A method of forming a magnetic medium for recording information, characterized in that impurities or defects in the crystal structure are uniformly distributed in the matrix material, the presence of which causes the formation of regions with a magnetic material different from the main matrix, into the initial matrix with magnetic properties state with sizes lying in the range from several angstroms to several tens of nanometers. 2. Способ формирования магнитной среды для записи информации по п.1, отличающийся тем, что в качестве примесей используются Be, В, С, Na, Mg, Al, Si, P, К, Са, элементы 3d переходной группы: Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Se, Br, Rb, Sr, элементы 4d переходной группы: Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Cs, Ba, элементы 4f переходной группы (редкоземельные элементы): La, Се, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu; элементы 5d переходной группы: Hf, Та, W, Re, Os, Ir, Pt, Au; Pb или их комбинации.2. The method of forming a magnetic medium for recording information according to claim 1, characterized in that Be, B, C, Na, Mg, Al, Si, P, K, Ca, 3d elements of the transition group are used as impurities: Sc, Ti , V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Se, Br, Rb, Sr, elements of the 4d transition group: Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Cs, Ba, transition group 4f elements (rare earth elements): La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu; transition group elements 5d: Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au; Pb or combinations thereof. 3. Способ формирования магнитной среды для записи информации по п.1, отличающийся тем, что в качестве дефектов используются вакансии, атомы внедрения, локальные напряжения, неоднородности, смещения, дислокации, искажения и другие нарушения периодичности кристаллической решетки или их комбинации.3. The method of forming a magnetic medium for recording information according to claim 1, characterized in that the defects are vacancies, interstitial atoms, local stresses, inhomogeneities, displacements, dislocations, distortions, and other violations of the periodicity of the crystal lattice or a combination thereof. 4. Способ формирования магнитной среды для записи информации по п.1, отличающийся тем, что в качестве метода получения среды используются технологии получения тонких пленок, такие как: химическое и электрохимическое осаждение из жидкой фазы; химическое осаждение из паровой фазы; вакуумное осаждение; молекулярно-лучевая эпитаксия; ионно-лучевое распыление; вакуумное распыление на постоянном или переменном токе; магнетронное распыление; импульсное лазерное распыление.4. The method of forming a magnetic medium for recording information according to claim 1, characterized in that as a method for producing the medium, technologies for producing thin films are used, such as: chemical and electrochemical deposition from the liquid phase; chemical vapor deposition; vacuum deposition; molecular beam epitaxy; ion beam sputtering; vacuum spraying with direct or alternating current; magnetron sputtering; pulsed laser spraying. 5. Способ формирования магнитной среды для записи информации по п.1, отличающийся тем, что получаемая магнитная среда подвергается, в случае необходимости, термообработке (отжиг, закалка и т.д.) в вакууме или в газовой атмосфере (атмосфера может содержать такие газы как азот, кислород, водород, аргон и другие газы), вызывающей рекристаллизацию или иные изменения кристаллической структуры матрицы и распределения примесей или дефектов.5. The method of forming a magnetic medium for recording information according to claim 1, characterized in that the resulting magnetic medium is subjected, if necessary, to heat treatment (annealing, quenching, etc.) in a vacuum or in a gas atmosphere (the atmosphere may contain such gases like nitrogen, oxygen, hydrogen, argon and other gases), causing recrystallization or other changes in the crystal structure of the matrix and the distribution of impurities or defects. 6. Способ формирования магнитной среды для записи информации по п.1, отличающийся тем, что для введения в матрицу дефектов и изменения их концентрации она подвергается в процессе формирования или после получения облучению высокоэнергетическими фотонами, ионами, электронами и другими частицами.6. The method of forming a magnetic medium for recording information according to claim 1, characterized in that for introducing defects into the matrix and changing their concentration, it is exposed in the process of formation or after receiving exposure to high-energy photons, ions, electrons and other particles. 7. Способ формирования магнитной среды для записи информации по п.1, отличающийся тем, что для введения в матрицу примесей или дефектов используется осаждение пленки матрицы на подслой, содержащий заданную концентрацию примесей или обеспечивающий своей структурой формирование в ней дефектов.7. The method of forming a magnetic medium for recording information according to claim 1, characterized in that for the introduction of impurities or defects into the matrix, a matrix film is deposited on a sublayer containing a given concentration of impurities or providing defects to form a structure in it.
RU2001115418/09A 2001-06-07 2001-06-07 Method for producing magnetic material for high-density data recording RU2227941C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2001115418/09A RU2227941C2 (en) 2001-06-07 2001-06-07 Method for producing magnetic material for high-density data recording

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2001115418/09A RU2227941C2 (en) 2001-06-07 2001-06-07 Method for producing magnetic material for high-density data recording

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2001115418A true RU2001115418A (en) 2003-05-27
RU2227941C2 RU2227941C2 (en) 2004-04-27

Family

ID=32464836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2001115418/09A RU2227941C2 (en) 2001-06-07 2001-06-07 Method for producing magnetic material for high-density data recording

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2227941C2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2323485C2 (en) * 2006-04-21 2008-04-27 Самсунг Электроникс Ко., Лтд Method for improving characteristics of magnetic information carriers, which consist of two or more ferromagnetic layers, separated by a non-magnetic interlayer
RU2522956C2 (en) * 2012-11-02 2014-07-20 Общество с ограниченной ответственностью "Росбиоквант" (ООО "Росбиоквант") Method of obtaining nanostructured layers of magnetic materials on silicon for spintronics
RU2526236C1 (en) * 2013-03-22 2014-08-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" Method of forming magnetic patterned structure in non-magnetic matrix
RU2678502C1 (en) * 2018-02-12 2019-01-29 Валерий Викторович Орлов Material based on quartz glass to record information of increased density
RU2723125C1 (en) * 2020-02-10 2020-06-08 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" Method of producing germanene-based euge2 and srge2 materials with high mobility of charge carriers

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2060567C1 (en) * 1994-03-09 1996-05-20 Иркутский государственный педагогический институт Process of manufacture of magnetic films
US6214434B1 (en) * 1997-09-02 2001-04-10 Seagate Technology Llc Isolated single-domain high-density magnetic recording media and method of manufacturing the media
US6183606B1 (en) * 1999-11-03 2001-02-06 National Science Council Of Republic Of China Manufacture method of high coercivity FePt-Si3N4 granular composite thin films

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Rakov et al. Strong photoluminescence and cathodoluminescence due to f–f transitions in Eu 3+ doped Al 2 O 3 powders prepared by direct combustion synthesis and thin films deposited by laser ablation
US20040214362A1 (en) Doped semiconductor nanocrystal layers and preparation thereof
WO2001040536A1 (en) Polycrystalline thin film and method for preparation thereof, and superconducting oxide and method for preparation thereof
Murugan et al. Defect induced magnetic transition in Co doped CeO2 sputtered thin films
Zanatta Effect of thermal annealing treatments on the optical properties of rare-earth-doped AlN films
RU2001115418A (en) A method of forming a magnetic medium for recording information with a high density
US20250182963A1 (en) Boron-Based and High-Entropy Magnetic Materials
JP4033945B2 (en) Oxide superconducting conductor and manufacturing method thereof
Tran et al. A novel approach for fabricating LaMnO3 thin films using combined microwave combustion and pulsed electron deposition techniques
Sakamoto et al. Evidence for an ordered Pd7Gd phase in Pd Gd alloys
RU2227941C2 (en) Method for producing magnetic material for high-density data recording
Bilinsky et al. InAs-doped silica films for saturable absorber applications
WO2003078701A1 (en) Mbe-method for the production of a gallium manganese nitride ferromagnetic film
TW202316689A (en) Method for producing a solid-state component, solid-state component, quantum component and apparatus for producing a solid-state component
JP3465041B2 (en) YAG fifth harmonic pulse laser vapor deposition method and apparatus
Vlasenko et al. Defects observed by optical detection of electron paramagnetic resonance in electron-irradiated p-type GaN
Gourbilleau et al. Spectroscopic studies of Er-doped Si-rich silicon oxide/SiO 2 multilayers.
Maqbool Growth, characterization and luminescence and optical properties of rare-earth elements and transition metals doped in wide bandgap nitride semiconductors
JPH06329496A (en) Method for preparing deposited thin film
JP2742418B2 (en) Method for producing oxide superconducting thin film
Kalal et al. Comparative study of transition metal nitride thin films grown using dcMS and HiPIMS
JPH06263588A (en) Production of oxide superconducting film
JP3732780B2 (en) Polycrystalline thin film and method for producing the same, and oxide superconducting conductor and method for producing the same
Sarantopoulou et al. Fabrication of magnetic SmFe films by pulsed laser deposition at 157 nm
JP3037396B2 (en) Manufacturing method of thin film superconductor
点击 这是indexloc提供的php浏览器服务,不要输入任何密码和下载