Claims (7)
1. Способ защиты устройства на полевых транзисторах (1; 5), используемого в качестве ключа, от перенапряжения, вызванного переходными процессами, согласно которому для обнаружения любых выбросов напряжения (Utra), вызванных переходными процессами, контролируют напряжение на устройстве на полевых транзисторах (1; 5), в частности, когда устройство на полевых транзисторах (1; 5) находится в непроводящем состоянии; отличающийся тем, что, когда напряжение (UF) на устройстве на полевых транзисторах (1; 5) превышает заданное пороговое значение (UK), устройство на полевых транзисторах (1; 5) переключают в состояние, по меньшей мере, частичной проводимости так, что напряжение (UF) на устройстве на полевых транзисторах (1; 5) ограничивается, ток (IF) становится управляемым, а энергия выброса напряжения (Utra), вызванного переходным процессом, гасится при протекании через устройство на полевых транзисторах (1; 5), не повреждая его.1. A method of protecting a field-effect transistor device (1; 5) used as a key against overvoltage caused by transients, according to which, to detect any voltage surges (U tra ) caused by transients, the voltage across the field-effect transistor device is monitored ( 1; 5), in particular, when the device on field-effect transistors (1; 5) is in a non-conductive state; characterized in that when the voltage (U F ) on the device on field-effect transistors (1; 5) exceeds a predetermined threshold value (U K ), the device on field-effect transistors (1; 5) is switched to the state of at least partial conductivity so that the voltage (U F ) on the field-effect transistor device (1; 5) is limited, the current (I F ) becomes controllable, and the voltage surge energy (U tra ) caused by the transient is suppressed when the field-effect transistors flow through the device (1 ; 5) without damaging it.
2. Контур защиты устройства на полевых транзисторах, используемого в качестве ключа, от перенапряжения, вызванного переходными процессами, содержащий устройство (3; 7) контроля напряжения для контроля напряжения (UF) на устройстве на полевых транзисторах (1: 5) с целью обнаружения любых выбросов напряжения (Utra), вызванных переходными процессами, отличающийся тем, что указанный контур дополнительно содержит устройство (4; 8) понижения напряжения для уменьшения напряжения, вызванного выбросом напряжения (Utra), до уровня управляющего напряжения (Ugo), пригодного для открывания устройства на полевых транзисторах (1; 5), вслед за выбросом напряжения (Utra), до состояния, по меньшей мере, частичной проводимости так, что напряжение (UF) на устройстве на полевых транзисторах (1; 5) ограничивается, ток (IF) становится управляемым, а энергия выброса напряжения (Utra), вызванного переходным процессом, в виде тока гасится в устройстве на полевых транзисторах (1; 5), не повреждая его.2. The circuit of protecting the device on field-effect transistors used as a key against overvoltage caused by transients, comprising a voltage monitoring device (3; 7) for monitoring voltage (U F ) on the device on field-effect transistors (1: 5) in order to detect any voltage surges (U tra ) caused by transients, characterized in that said circuit further comprises a voltage reduction device (4; 8) to reduce the voltage caused by voltage surges (U tra ) to the level of control voltage (U go ), suitable for opening the device on field-effect transistors (1; 5), following the surge of voltage (U tra ), to a state of at least partial conductivity so that the voltage (U F ) on the device on field-effect transistors ( 1; 5) is limited, the current (I F ) becomes controllable, and the voltage surge energy (U tra ) caused by the transient is extinguished in the form of a current by field-effect transistors (1; 5) without damaging it.
3. Контур по п.2, отличающийся тем, что устройство (7) контроля напряжения содержит два диода (7а, 7b), соединенных последовательно, так, что они проводят ток в противоположных направлениях, при этом контроль напряжения на устройстве на полевых транзисторах (1; 5) производится в точке между диодами (7а, 7b). 3. The circuit according to claim 2, characterized in that the voltage monitoring device (7) contains two diodes (7a, 7b) connected in series so that they conduct current in opposite directions, while monitoring the voltage on the device using field-effect transistors ( 1; 5) is made at the point between the diodes (7a, 7b).
4. Контур по п.2 или 3, отличающийся тем, что устройство (8) понижения напряжения содержит стабилитрон (9). 4. The circuit according to claim 2 or 3, characterized in that the voltage reduction device (8) comprises a zener diode (9).
5. Контур по п.2 или 3, отличающийся тем, что устройство (8) понижения напряжения содержит стабилитрон (9) с последующей ступенью усилителя (11) для управления устройством на полевых транзисторах (5). 5. The circuit according to claim 2 or 3, characterized in that the voltage reduction device (8) comprises a zener diode (9) with a subsequent amplifier stage (11) for controlling the device using field-effect transistors (5).
6. Контур по любому из пп.2-5, отличающийся тем, что содержит устройство (13) управления для отключения устройства (15, 16) защиты от короткого замыкания до того, как устройство на полевых транзисторах (5) переключится в проводящее состояние. 6. The circuit according to any one of claims 2 to 5, characterized in that it comprises a control device (13) for disconnecting the short circuit protection device (15, 16) before the device on the field effect transistors (5) switches to a conducting state.
7. Контур по п.6, отличающийся тем, что устройство (13) управления содержит ключ, такой как полевой транзистор (14), который управляется напряжением с выхода устройства (8) понижения напряжения, в частности, от стабилитрона (9). 7. The circuit according to claim 6, characterized in that the control device (13) contains a key, such as a field effect transistor (14), which is controlled by the voltage from the output of the voltage reduction device (8), in particular from the zener diode (9).