+

KR950007836B1 - 시모스 파워 증폭기 - Google Patents

시모스 파워 증폭기 Download PDF

Info

Publication number
KR950007836B1
KR950007836B1 KR1019900019296A KR900019296A KR950007836B1 KR 950007836 B1 KR950007836 B1 KR 950007836B1 KR 1019900019296 A KR1019900019296 A KR 1019900019296A KR 900019296 A KR900019296 A KR 900019296A KR 950007836 B1 KR950007836 B1 KR 950007836B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
output
amplifier
stage
transistor
vin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1019900019296A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920011054A (ko
Inventor
이방원
배일성
Original Assignee
삼성전자주식회사
김광호
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 김광호 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1019900019296A priority Critical patent/KR950007836B1/ko
Priority to JP3273469A priority patent/JP2685084B2/ja
Priority to GB9121142A priority patent/GB2251525B/en
Priority to US07/771,657 priority patent/US5177450A/en
Priority to FR9112484A priority patent/FR2669788A1/fr
Priority to DE4133902A priority patent/DE4133902C2/de
Publication of KR920011054A publication Critical patent/KR920011054A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950007836B1 publication Critical patent/KR950007836B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3001—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/213—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

시모스 파워 증폭기
제1도는 종래의 출력단의 회로도.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 시모스 파워 증폭기의 블럭도.
제3도는 제2도의 차동입력증폭단의 상세회로도.
제4도는 제2도의 고이득 증폭단의 상세회로도.
제5도는 제2도의 출력단의 상세회로도.
제6도는 본 발명의 실시예에 따른 파워 증폭기의 상세회로도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 차동입력중폭단 20 : 고이득 증폭단
30 : 출력단
본 발명은 시모스 파워 증폭기에 관한 것으로서, 특히 정적전류(DC operating point current)가 적게 흐르고 저임피던스의 부하에도 전원전압 크기의 출력전압을 얻을 수 있는 푸쉬-풀(Push-pull) 구조를 갖는 시모스 파워 증폭기에 관한 것이다.
일반적으로 연산증폭기는 신호를 중폭하기 위하여 모든 회로에 폭넓게 이용되고 있는데, 이러한 연산증폭기를 집적화하는 경우에는 정적전류가 적게 흐르면서도 저임피던스 값을 갖는 부하를 구동할 수 있는 파워증폭기의 사용이 필요하게 된다.
반도체 집적회로가 점점 고집적화 되어감에 따라 현재는 아날로그 회로와 디지탈 회로가 같은 공정으로 원칩에 구현되어 지고 있다.
시모스 제조공정을 사용한 아날로그 회로는 음성 대역폭의 필터, 아날로그-디지탈 변환기 및 디지탈-아날로그 변환기에 폭넓게 적용되고 있다.
제1도는 종래의 출력단의 회로도로서, 제1도(a)는 A급 출력단 회로도이고. 제1도(b)는 B급 출력단 회로도, 제1도(c)는 AB급 출력단 회로도이다.
제1도(a)의 A급 출력단은 게이트 단자에 입력신호(Vin)가 인가되는 N형 모스 트랜지스터(MN1)와, 상기 N형 모스 트랜지스터(MN1)의 드레인 단자에 접속된 전류원(11)으로 구성되어 있다.
제1도(b)의 B급 출력단은 게이트 단자에 입력신호(Vin)가 인가되는 P형 및 N형 모스 트랜지스터(MP1,MN2)로 이루어진 시모스로 구성되어 있다.
제1도(c)의 AB급 출력단은 전류 미러 트랜지스터쌍(MP2,MP3)과, 입력신호(Vin)가 게이트단자에 인가되는 트랜지스터쌍(MN3,MN4)과, 게이트단자가 트랜지스터(MP3)와 전류원(I2)에 접속된 트랜지스터쌍(MP4,MP5)로 구성되어 있다.
상기한 바와같은 구성을 갖는 종래의 출력단에 있어서, 제1도(a)의 A급 출력단회로 및 제1도(c)의 AB급 출력단회로는 출력전압의 크기(Output voltage swing)가 회로제약에 의하여 제한되며, 저임피던스값을 갖는 부하를 구동시키는 경우 출력단에 사용되는 트랜지스터는 크기가 큰 것이 요구되어진다.
한편, 종래의 B급 출력단 회로는 상기한 A급이나 AB급 출력단에 비하여 출력전압의 크기가 증가되는 장점은 있으나, 크로스 왜곡(Crossover distortion)이 증가하고 정적전류를 조절하기 힘든 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 종재기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 정적전류가 적게 흐르고, 저임퍼던스 값을 갖는 부하에도 전원전압 크기의 출력을 얻을 수 있는 푸쉬-풀 구조를 갖는 시모스 파워 증폭기를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 차동입력신호를 증폭하는 차동입력중폭단과, 상기 차동입력증폭단의 출력신호에 의하여 이득을 증가시키는 고이득 중폭단과, 고이득 증폭단의 출력신호를 입력하여 부하를 구동시키는 출력단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 시모스 파워 증폭기를 제공한다.
또한, 본 발명은, 상기 고이득 증폭단이 차동입력중폭단의 두 입력의 전압차가 일정전압 이상 큰 경우에 상기 출력단의 제1출력부를 구동시키는 제1증폭부와, 두 입력의 전압차가 일정전압 이하로 작은 경우에 상기 출력단의 제2출력부를 구동시키는 제2증폭부로 구성되어지는 것을 특징으로 하는 시모스 파워 증폭기를 제공한다.
또한, 본 발명은, 상기 출력단은 고이득 중폭단의 제1증폭부의 출력신호를 게이트단자에 입력하는 트랜지스터쌍으로 구성되어 B급 푸쉬-풀 중폭기로 동작을 하는 제1출력부와, 고이득 증폭단의 제2증폭부의 출력신호를 게이트단자에 입력하는 트랜지스터쌍으로 구성되어 AB급 푸쉬-풀 증폭기로 동작을 하는 제2출력부로 이루어져서, 각 트랜징스터의 드레인 단자로 출력신호를 발생하도록 구성되어지는 것을 특지으로 하는 시모스 파워 증폭기를 제공한다.
이하 첨부 도면에 의거하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
제2도의 본 발명의 시모스 파워 증폭기의 블럭도를 도시한 것이다.
본 발명의 시모스 파워 중폭기는 차동입력신호를 증폭하는 차동입력증폭단(10)과, 차동입력증폭단(10)에서 증폭된 신호를 입력하여 이득을 증아시키는 고이득 증폭단(20)과, 고이득 중폭단(20)의 출력신호를 입력하여 부하를 구동시키는 출력단(30)으로 이루어졌다.
제3도 내지 제5도는 제1도의 차동입력증폭단(10), 고이득 증폭단(20) 및 출력단(30)의 상세회로도를 도시한 것이다.
제3도를 참조하면, 차동입력증폭단(10)은 게이트 단자에 바이어스 전압(Vbias)이 인가되는 전류 소오스(Current source)인 트랜지스터 (MP11)와, 입력단자인 게이트 단자에 입력 (Vin+, Vin-)이 각각 인가되는 차동 트랜지스터쌍(MP12, MP13) 과, 전류미러 트랜지스터쌍(MN11, MN12), (MN13, MN14)로 구성되었다.
차동입력증폭단(10)은 입력단자에 인가되는 두 입력 (Vin+,Vin-)의 전압차(Differential signal)는 차동트랜지스터쌍(MP12,MP13) 및 전류미러 트랜지스터쌍(MN11,MN12),(MN13,MN14)의 트랜스콘덕턴스(Transconductance)에 의하여 중폭된 다음 전류미러 트랜지스터(MN11-MN14)의 드레인 단자로 출력된다.
이때, 트랜지스터(MN11-MN14)의 드레인 단자로부터 출력되는 증폭된 신호(S11-S14)는 고이득 중폭단(20)에 인가된다.
상기의 차동입력중폭단(10)은 동상입력전압(Common Mode Range,CMR)의 크기에 따라 달리 설계되어질 수 있는데, CMR의 크기는 파워 중폭기가 사용되어지는 회로에 따라 결정되어진다.
본 발명에서는 큰 CMR을 갖도록 차동입력증폭단(10)을 구성하였다.
제4도를 참조하면, 고이득 중폭단(20)은 제1증폭기(21)와 제2증폭기(21) 및 AC 안정을 위한 AC 보상용 캐패시터(C21), (C22)로 이루어졌다. 제1증폭부(21)는 전류미러 트랜지스터쌍(MP21,MP22), (MP23, MP24) 및 (MP25,MP26)과, 차동입력중폭단(10)으로부터 신호(S11), (S12) 및 (S13,S14)를 게이트 단자 에 입력하여 중폭시키는 트랜지스터쌍(MN21,MN22) 및 (MN23,MN24), (MN25,MN26)으로 이루어져서, 트랜지스터(MN23), (MN25)의 드레인 단자로 출력신호(S21), (S22)를 발생시키도록 구성되었다.
제2증폭부(22)는 전류미터 트랜지스터쌍(MP27,MP28) 및 (MP29), (MP30)와, 차동입력증폭단(10)으로부터 신호(S11,S12) 및 (S13,S14)를 게이트 단자에 입력하여 증폭하는 트랜지스터쌍(MN29,MN30) 및 (MN27,MN28)과, 드레인 단자로 출력신호(S23)를 발생하는 트랜지스터쌍(MP31,MN31)로 이루어졌다.
AC 보상용 캐패시터(C21), (C22)는 상기 트랜지스터(MN23), (MN25)의 드레인 단자에 접속되어 있다.
제5도를 참조하면, 출력단(30)은 고이득 증폭단(20)의 제1증폭부(21)의 출력신호(S21,S22)를 게이트 단자에 입력하는 트랜지스터쌍(MP36,MN36)으로 구성된 B급 푸쉬-풀 증폭기로 동작하는 제1출력부(31)와, 고이득 증폭단(20)의 제2증폭부(22)의 출력신호(523)를 게이트단자에 입력하는 트랜지스터쌍(MP35, MN35)으로 구성된 AB급 푸쉬-풀 증폭기로 동작을 하는 제2출력부(31)로 이루어져서, 각 트랜지스터의 드레인 단자로 출력신호(OUT)를 발생하도록 구성되었다.
출력단(30)은 출력신호(OUT)가 작은 크기로 변하는 경우에는 제1출력부(31)의 트랜지스터(MP36, MN36)은 오프상태로 있으며, 제2출력부(32)의 트랜지스터(MP35,MN35)에 의하여 부하에 전류가 공급된다.
따라서, 출력(OUT)이 작은 크기로 변화하여 작은 양의 전류가 부하에 공압되므로 트랜지스터 (MP35, MN35)의 드기는 작은 크기로도 충분하다.
출력(OUT)이 큰 크기로 변하는 경우에는, 제1출력부(31)의 트랜지스터(MP36,MN36)가 오프상태에서 온상태로 되고, 트랜지스터(MP35,MN35)와 (MP36,MN36)에 의하여 부하에 전류가 공급되게 된다.
출력이 큰 크기로 변하는 경우에는 출력이 작은 크기로 변할 때와는 달리 부하에 큰 전류가 공급되는데, 부하에 공급되는 전류는 대부군 제2출력부(32)의 트랜지스터(MP36, MN36)에 의하여 공급되어진다.
즉, 출력이 큰 크기로 변하는 경우에 있어서, 동작점을 중심으로 출력이 증가할 때에는 트랜지스터(MP35, MP36)에 의하여 부하에 전류가 공급되어지는 반면, 감소할 때에는 트랜지스터 (MN35, MN36)에 의하여 부하에 전류가 공급되어지는데, 이때 부하에 공급되는 대부분의 전류는 상기 설명한 바와같이 트랜지스터(MP36,MN36)에 의하여 공급되어진다.
제6도는 본 발명의 파워 증폭기의 상세회로도를 도시한 것이다.
먼저, 이상적인 경우로 차동입력증폭단(10)의 차동 트랜지스터쌍(MP12,MP13)의 입력단자에 인가되는 입력(Vin+,Vin-)의 크기가 같은 경우에는 트랜지스터(MN21,MN23,MN25)의 게이트에 인가되는 전압의 크기가 같으며, 또한 트랜지스터(MN22,MN24,MN26)의 게미트에 인가되는 전압의 크기도 같다.
따라서, 고이득 증폭단(20)의 제1중폭부(21)의 출력단(S21)의 전압 즉, 트랜지스터(MN23)의 드레인 단자의 전압은 전원전압(VDD)에 가까운 동작전압값(DC operating point)을 갖으며, 제1증폭부(21)의 출력(S22) 즉, 트랜지스터(MN25)의 드레인 단자의 전압은 전원전압(VSS)에 가까운 동작전압간을 갖도록 하여 출력단(30)의 트랜지스터(MP36,MN36)가 모두 오프상태가 된다.
이때, 전류미러 트랜지스터(MP21,MP22,MP23,MP24)의 크기는 같고, 트랜지스터(MN21,MN22,MN24)의 크기는 같은 반면 트랜지스터(M23)의 크기는 트랜지스터(MN21)의 크기에 비하여 작으면, 트랜지스터(MP25)는 비포화 영역에 있게 되므로 트랜지스터(MN23)의 드레인 단자의 전압은 전원전압(VDD)에 가까운 전압을 갖게 된다.
마찬가지 방법으로, 트랜지스터(MP21,MP22,MP25,MP26)의 크기는 같고, 트랜지스터(MN21,MN22,MN26)의 크기는 같은 반면 트랜지스터(MN25)의 크기는 트랜지스터(MN21)의 크기에 비하여 크면, 트랜지스터(MN25)는 비포화영역에 있게 되어 트랜지스터(MN25)의 드레인 단자의 전압은 전원전압(VSS)에 가까운 값을 갖게 된다.
따라서, 출력단(30)의 트랜지스터(MP36,MN36)의 정적전류(DC operating point current)는 0이 된다.
그 다음, 차동입력증폭단(10)의 두 입력 (Vin+,Vin-)의 크기가 차이가 나서 입력 (Vin+)이 입력 (Vin-)보다 어느 일정전압(Oop) 이상 큰 경우에는, 트랜지스터(MP24)는 포화영역에서 동작하게 되며, 트랜지스터(MP21-MP24) 및 (MN21-MN24)는 고이득 증폭단으로 동작하게 되어 트랜지스터(MN23)의 드레인 전압 즉, 제1증폭부(21)의 출력신호(S21)는 "(Vin+-Vin--Oop)×차동입력증폭단(10)의 이득×고이득 증폭단(20)의 이득"만큼 낮은 전압방향 쪽으로의 변화량을 보이게 된다.
이때, 트랜지스터(MN25)는 비포화 영역에 계속 있게 되므로 트랜지스터(MP21,MP22,MP25,MP26) 및 (MN21,MN22,MN25,MN26)로 구성되는 고이득 중폭단의 트랜지스터(MN25)의 드레인 전압 즉, 고이득 증폭단(20)의 출력신호(S22)는 전원전압(VSS)에 가까운 전압값을 유지하게 된다.
따라서, 차동입력증폭단(10)의 입력전압의 차(Vin+,Vin-)가 어느 일정전압(Oop)보다 크게 되면, 출력단(30)의 트랜지스터(MP36)의 게이트 전압은 동작전압값에서 낮은 전압방향으로 변화하므로 저임퍼던스 값을 갖는 부하를 구동시키기 위하여 필요한 전류는 트랜지스터(MP36)에 의하여 공급되기 시작하며, 출력단(30)와 최종 출력신호(OUT)는 증가하게 된다. 이때, 출력단(30)의 트랜지스터(MN36)의 게이트 전압은 계속 전원전압(Vss)에 가까운 값을 갖게 되어 오프상태를 유지하게 된다.
상기와는 달리, 차동입력중폭단(10)의 두 입력(Vin+, Vin-)의 크기가 차이가 나서 입력전압의 차(Vin--Vin+)가 일정전압(Oop)보다 크게 되면, 출력단(30)의 트랜지스터(MP36)은 계속 오프상태를 유지하고, 저임피던스 값을 갖는 부하를 구동시키기 위하여 필요한 전류는 트랜지스터(MN36)에 의하여 공급되어져서 출력단(30)의 최종 출력신호(OUT)는 감소하게 된다.
이때, 출력단(30)의 트랜지스터(MP36,MN36)의 게이트-소오스 간에 걸리는 전압은 전원전압차만큼 걸릴 수 있으므로 저임피던스 값을 갖는 부하를 전원전압 만큼의 크기로 출력을 구동시키기 위한 트랜지스터(MP36,MN36)의 크기는 작게 설계할 수 있다.
한편, 종래의 B급 푸쉬-풀 중폭기가 출력단의 정적전류를 용이하게 조절하지 못하였으나, 고이득 증폭단(20)의 제1증폭부(21)와 출력단(30)의 트랜지스터(MP36,MN36)에 구성되는 B급 푸쉬-풀 증폭기는 출력단의 정적전류를 0으로 항상 가져갈 수 있는 반면에, 종래의 증폭기보다 왜곡(Crossover distortion)이 심해지는 문제점이 있었다.
그러나, 본 발명에서는 왜곡이 발생되는 문제점을 해결하기 위하여 고이득 중폭단(20)에 제2증폭부(22)와 출려단(30)에 제2출력부(32)를 구성하는 트랜지스터(MP35,MN35)를 연결 구성하였다.
상기 설명한 바와같이, 고이득 중폭단(20)의 제1증폭부(21)와 출력단(30)의 제1출력부를 구성하는 트랜지스터(MP36,MP36)는 자동입력단(10)의 차동 트랜지스터 (MP12,MP13)에 인가되는 두 입력(Vin+,Vin-)의 전압차가 일정전압(Oop) 이상 발생할 때 부하를 구동시켰었다.
그러나, 고이득 증폭단(20)의 제2증폭부(22)와 출력단(30)의 트랜지스터(MP35,MN35)는 두 입력(Vin+,Vin-)의 전압차가 일정전압(Oop) 이하일 때 부하를 구동시키도록 설계되었다.
차동입력증폭단(10)의 차동 트랜지스터쌍(MP12,MP13)의 두 입력 (Vin+,Vin-)의 크기가 같은 경우에는, 제2증폭부(22)를 구성하는 트랜지스터(MP27-MP31) 및 (MN27-MN31)가 모두 포화 영역에 있도록 설계되어 두 입력 (Vin+,Vin-)의 전압차에 대하여 고이득의 출력이 발생되게 된다.
고이득 증폭단(20)의 제2증폭부(22)의 출력(S23)인 트랜지스터(MP31,MN31)의 드레인 단자가 출력단(30)의 트랜지스터(MP35,MN35)의 게이트 단자에 연결되고, 트랜지스터(MP35, MN35)도 차동입력증폭단(10)의 두 입력 (Vin+,Vin-)이 같을 때 포화영역에 있게 된다.
따라서, 차동입력단(10)의 두 입력(Vin+,Vin-)의 전압차가 일정전압(Oop)보다 작을 경우, 출력이 동작전압보다 높은 방향으로 변화할 때에는 부하에 공급되는 전류는 트랜지스터(MP35)에 의하여 공급되며, 출력이 동작전압보다 낮은 방향으로 변할 때에는 트랜지스터(MN35)에 의하여 공급되어진다 .
이때, 출력단(30)의 트랜지스터(MP35,MN35)는 트랜지스터(MP36,MN36)가 동작을 개시할 때까지 부하에 전류를 공급하므로 트랜지스터(MP35,MN35)의 크기는 작게 설계할 수 있다.
고이득 증폭단(20)의 제1증폭부(21)와 출력단(30)의 트랜지스터(MP36,MN36)에 의하여 발생되는 왜곡이 고이득 증폭단(20)의 제2증폭부(22)와 출력단(30)의 트랜지스터(MP35,MN35)에 의하여 개선된다.
단위 게인 대역폭(Unity gain bandwidth)에서 위상 마진(Phase margin)은 증폭기의 안정도를 결정짓는 요소가 된다. 좋은 AC 안정도를 갖는 중폭기를 설계하기 위해서는 위상 마진이 60℃보다 커야 한다.
따라서, 본 발명에서는 AC 안정도를 위하여 고이득 증폭단(20)의 제1증폭부(21,22)의 출력단에 각각 AC 보상용 캐패시터(C1,C2)를 연결 구성하였다.
(표 1)은 본 발명의 실시예에 따른 시모스 파워 증폭기에 있어서, 시뮬레이션을 이용한 전기적 특성의 측정치를 나타낸 것이다.
[표 1]
상기 (표 1)에 있어서, 세틀링 시간은 출력의 최종값의 0.1%에서 결정하고, 포지티브 세틀링 시간 및 네가티브 세트링 시간을 모두 표시하였다.
상기한 바와같은 본 발명에 의하면, 정적 전류가 적게 흐르고, 저임피던스의 부하에도 전원전압 크기(Supply to supply voltage swing)의 출력전압을 얻을 수 있는 이점이 있다.

Claims (9)

  1. 제1 및 제2입력(Vin+,Vin-)에 대한 차동증폭신호로서 다수의 출력신호(S11 내지 S14)를 발생하는 차동입력중폭단(10)과, 상기 출력신호(S11 내지 S14)에 응답하여 상기 제1 및 제2입력 (Vin+,Vin-) 사이의 전압차가 일정전압 이상일 경우 동작되는 제1증폭부(21)와 상기 제1 및 제2입력 (Vin+,Vin-) 사이의 전압차가 일정전압 보다 작을 경우 동작되는 제2증폭부(22)로 이루어진 고이득 증폭단(20)과, 상기 제1증폭부(21)의 제1 및 제2출력신호(S21,S22)에 응답하여 출력(OUT)이 큰 크기로 변하는 경우에는 동작하는 제1출력부(31)와 상기 제2증폭부(22)의 제3출력신호(S23)에 응답하여 출력이 큰 크기 및 작은 크기로 변하는 경우에 동작하는 제2출력부(32)로 이루어지는 푸쉬-풀 출력단(30)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 시모스 파워 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고이득 증폭단(20)의 제1증폭부(21)와 제2증폭부(22) 각각의 출력에는 AC 안정을 위한 AC 보상용 용량성 소자(C2l,C22)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 파워 증폭기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 고이득 증폭단(20)의 제1증폭부(21)는 전류미러 트랜지스터쌍(MP2l 내지 MP26)와, 상기 차동입력증폭단(10)으로부터 신호(S11 내지 S14)를 게이트 단자에 입력하여 중폭시키는 트랜지스터쌍(MN21 내지 MN26)으로 이루어져서, 트랜지스터(MN23, MH25)의 드레인 단자로 상기 제1 및 제2출력신호(S21,S22)를 발생시키도록 구성되어지는 것을 특징으로 하는 시모스 파워 증폭기.
  4. 제2항에 있어서, 상기 고이득 증폭부(20)의 제2증폭부(22)는 전류미러 트랜지스터쌍(MP27 내지 MP3O)와, 상기 차동입력증폭단(10)으로부터 신호(S11 내지 S14)를 게이트 단자에 입력하여 증폭하는 트랜지스터쌍(MN27 내지 MN30)과, 공통 드레인 단자로 상기 제3출력신호(S23)를 발생하는 트랜지스터쌍(MP31, MN31)로 구성되어지는 것을 특징으로 하는 시모스 파워 증폭기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 푸쉬-풀 출력단(30)의 상기 제1출력부(31)는 상기 제1및 제2출력신호(S21,S22)가 각각 게이트에 인가되는 1쌍의 트랜지스터(MP36,MN36)로 구성되어 B급 푸쉬-풀 증폭기로 동작을 하며, 상기 제2출력부(32)는 상기 제3출력신호(S23)가 각 게이트에 공통으로 인가되는 1쌍의 트랜지스터(MN35, MP35)로 구성되어 AB급 푸쉬-풀 증폭기로 동작하는 것을 특징으로 하는 시모스 파워 증폭기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 푸쉬-풀 출력단(30)의 출력(OUT)이 작은 크기로 변하는 경우에, 제1출력부(31)는 동작하지 않으며, 제2출력부(32)에 의하여 부하에 전류가 공급되어지는 것을 특징으로 하는 시모스 파워 증폭기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 푸쉬-풀 출력단(30)의 출력(OUT)이 작은 크기로 변하는 경우에 있어서, 동작점을 중심으로 출력이 증가할 때는 제2출력부(32)의 트랜지스터(MP35)에 의하여 부하에 전류가 공급되어지고, 동작점을 중심으로 출력이 감소할 때에는 제2출력부(32)의 트랜지스터 (MN35)에 의하여 부하에 전류가 공급되어지는 것을 특징으로 하는 시모스 파워 증폭기.
  8. 제5항에 있어서, 상기 푸쉬-풀 출력단(30)의 출력(OUT)이 큰 크기로 변카는 경우에, 부하에 공급되는 대부분의 전류가 제1출력부(31)에 의하여 공급되어지는 것을 특징으로 하는 시모스 파워 증폭기.
  9. 제8항에 있어서, 상기 푸쉬-풀 출력단(30)의 출력(OUT)이 큰 크기로 변하는 경우에 있어서, 동작점을 중심으로 출력이 증가할 때는 제1출력부(31)의 트랜지스터(MP36)에 의하여 부하에 전류가 공급되어지고, 동작점을 중심으로 출력이 감소할 때에는 제2출력부(32)의 트랜지스터 (MN36)에 의하여 부하에 전류가 공급되어지는 것을 특징으로 하는 시모스 파워 증폭기 .
KR1019900019296A 1990-11-27 1990-11-27 시모스 파워 증폭기 Expired - Fee Related KR950007836B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900019296A KR950007836B1 (ko) 1990-11-27 1990-11-27 시모스 파워 증폭기
JP3273469A JP2685084B2 (ja) 1990-11-27 1991-09-26 シーモスパワー増幅器
GB9121142A GB2251525B (en) 1990-11-27 1991-10-04 Cmos power amplifier
US07/771,657 US5177450A (en) 1990-11-27 1991-10-04 Cmos power amplifier
FR9112484A FR2669788A1 (fr) 1990-11-27 1991-10-10 Amplificateur de puissance cmos.
DE4133902A DE4133902C2 (de) 1990-11-27 1991-10-10 CMOS-Leistungsverstärker

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900019296A KR950007836B1 (ko) 1990-11-27 1990-11-27 시모스 파워 증폭기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920011054A KR920011054A (ko) 1992-06-27
KR950007836B1 true KR950007836B1 (ko) 1995-07-20

Family

ID=19306609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900019296A Expired - Fee Related KR950007836B1 (ko) 1990-11-27 1990-11-27 시모스 파워 증폭기

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5177450A (ko)
JP (1) JP2685084B2 (ko)
KR (1) KR950007836B1 (ko)
DE (1) DE4133902C2 (ko)
FR (1) FR2669788A1 (ko)
GB (1) GB2251525B (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3320434B2 (ja) * 1991-11-28 2002-09-03 沖電気工業株式会社 演算増幅回路
US5315264A (en) * 1993-05-10 1994-05-24 Exar Corporation Rail-to-rail opamp with large sourcing current and small quiescent current
US5825244A (en) * 1995-01-20 1998-10-20 Crystal Semiconductor Low power class AB integrated circuit amplifier having improved linearity when driving high impedance loads
US5497122A (en) * 1995-01-20 1996-03-05 Crystal Semiconductor Low power class-AB integrated circuit amplifier
US5973956A (en) * 1995-07-31 1999-10-26 Information Storage Devices, Inc. Non-volatile electrically alterable semiconductor memory for analog and digital storage
JP3360501B2 (ja) * 1995-09-20 2002-12-24 三菱電機株式会社 増幅回路及び携帯電話用半導体集積回路装置
KR100213258B1 (ko) * 1996-10-23 1999-08-02 윤종용 연산증폭기
JP3416479B2 (ja) * 1997-09-03 2003-06-16 キヤノン株式会社 演算増幅器
JP3173460B2 (ja) * 1998-04-27 2001-06-04 日本電気株式会社 電力増幅器
US7113744B1 (en) 1999-10-21 2006-09-26 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with a power amplifier
US7082293B1 (en) 1999-10-21 2006-07-25 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with CMOS offset PLL
US8014724B2 (en) 1999-10-21 2011-09-06 Broadcom Corporation System and method for signal limiting
US6917789B1 (en) * 1999-10-21 2005-07-12 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with an antenna matching circuit
US7558556B1 (en) 1999-10-21 2009-07-07 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with subsampling mixers
US7555263B1 (en) 1999-10-21 2009-06-30 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver
US6961546B1 (en) 1999-10-21 2005-11-01 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver with offset PLL with subsampling mixers
US7299006B1 (en) * 1999-10-21 2007-11-20 Broadcom Corporation Adaptive radio transceiver
US6359512B1 (en) * 2001-01-18 2002-03-19 Texas Instruments Incorporated Slew rate boost circuitry and method
US6583669B1 (en) * 2002-04-08 2003-06-24 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for a compact class AB turn-around stage with low noise, low offset, and low power consumption
TW535364B (en) * 2002-06-14 2003-06-01 Au Optronics Corp Digital-to-analog converted circuit for a display
CN101359898B (zh) * 2007-07-31 2011-07-06 展讯通信（上海）有限公司 动态cmos运算放大器的压摆率增加器
US8022766B2 (en) * 2010-02-01 2011-09-20 Javelin Semiconductor, Inc. CMOS power amplifiers having integrated one-time programmable (OTP) memories
DE112021002683B4 (de) * 2020-08-28 2025-02-06 Mitsubishi Electric Corporation Komparator, Oszillator und Stromrichter

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE412670B (sv) * 1978-02-07 1980-03-10 Hoglund Lennart Harry Erik Elektrisk forsterkare
JPS6119551Y2 (ko) * 1978-05-16 1986-06-12
US4253033A (en) * 1979-04-27 1981-02-24 National Semiconductor Corporation Wide bandwidth CMOS class A amplifier
JPS5737908A (en) * 1980-08-14 1982-03-02 Sony Corp Output amplifying circuit
US4480230A (en) * 1983-07-05 1984-10-30 National Semiconductor Corporation Large swing CMOS power amplifier
JPS60229408A (ja) * 1984-04-27 1985-11-14 Pioneer Electronic Corp オ−デイオ信号増幅器
US4658219A (en) * 1985-12-27 1987-04-14 At&T Bell Laboratories Folded cascode field-effect transistor amplifier with increased gain
US4656437A (en) * 1985-12-27 1987-04-07 At&T Bell Laboratories CMOS operational amplifier with improved common-mode rejection
IT1201839B (it) * 1986-08-08 1989-02-02 Sgs Microelettronica Spa Amplificatore operazionale di potenza cmos ad uscita interamente differenziale

Also Published As

Publication number Publication date
GB2251525A (en) 1992-07-08
DE4133902A1 (de) 1992-06-04
US5177450A (en) 1993-01-05
DE4133902C2 (de) 2002-02-07
JPH04351108A (ja) 1992-12-04
KR920011054A (ko) 1992-06-27
FR2669788A1 (fr) 1992-05-29
GB2251525B (en) 1995-07-05
JP2685084B2 (ja) 1997-12-03
FR2669788B1 (ko) 1997-02-14
GB9121142D0 (en) 1991-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950007836B1 (ko) 시모스 파워 증폭기
US6657485B2 (en) Linear voltage subtractor/adder circuit and MOS differential amplifier circuit therefor
US7298210B2 (en) Fast settling, low noise, low offset operational amplifier and method
US5789981A (en) High-gain operational transconductance amplifier offering improved bandwidth
US5917378A (en) Rail-to-rail type of operational amplifier with a low offset voltage achieved by mixed compensation
EP0996996B1 (en) A high speed and high gain operational amplifier
US4484148A (en) Current source frequency compensation for a CMOS amplifier
US6580324B2 (en) Apparatus, method and system for common-mode stabilization in circuits having differential operation
EP0444466A1 (en) Balanced microphone preamplifier in CMOS technology
JP3338280B2 (ja) 増幅器及び半導体装置
EP1850476B1 (en) Differential amplifier circuit
JP2004248014A (ja) 電流源および増幅器
US6833760B1 (en) Low power differential amplifier powered by multiple unequal power supply voltages
US6492871B2 (en) Current feedback operational amplifier
US5424681A (en) Wide range operational amplifier
US6937100B2 (en) Amplifier circuit with common mode feedback
US6781463B2 (en) Low voltage amplifier
JPH0292008A (ja) Ｃｍｏｓ演算増幅回路
US5739721A (en) High swing, low power output stage for an operational amplifier
CN113595513A (zh) 一种利用反馈结构降低运算放大器失调电压的方法
US5783954A (en) Linear voltage-to-current converter
JPS63207209A (ja) 演算増幅器
JPH05283950A (ja) 演算増幅器
US20060119431A1 (en) Differential operational amplifier
JPH05199045A (ja) 増幅回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601

J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

St.27 status event code: A-2-2-Q10-Q13-nap-PG1605

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

S17-X000 Non-exclusive voluntary license recorded

St.27 status event code: A-4-4-S10-S17-lic-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R17-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 12

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080701

Year of fee payment: 14

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20090721

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20090721

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

点击 这是indexloc提供的php浏览器服务，不要输入任何密码和下载