KR101259095B1 - 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents
노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101259095B1 KR101259095B1 KR1020067003551A KR20067003551A KR101259095B1 KR 101259095 B1 KR101259095 B1 KR 101259095B1 KR 1020067003551 A KR1020067003551 A KR 1020067003551A KR 20067003551 A KR20067003551 A KR 20067003551A KR 101259095 B1 KR101259095 B1 KR 101259095B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- exposure
- recovery
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
Claims (32)
- 투영 광학계의 이미지면측에 배치된 기판 상에, 상기 투영 광학계와 액체를 통해서 노광광을 조사함으로써 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,상기 기판 상에 액체를 공급하는 액체 공급 기구와,상기 기판 상에 공급된 액체를 회수하는 액체 회수 기구를 구비하고,상기 노광광이 상기 투영 광학계의 이미지면측에 조사되고 있을 때, 상기 액체 공급 기구는 상기 기판 상으로의 액체의 공급을 실시하고, 상기 액체 회수 기구는 상기 액체의 흡인 회수를 실시하지 않는, 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판 상의 복수의 쇼트 영역을 순차 노광하는 경우, 상기 액체 회수 기구는, 어느 하나의 쇼트 영역의 노광 완료 후이면서 또한 다음 쇼트 영역의 노광 개시까지의 적어도 일부 기간에 있어서 상기 기판 상의 상기 액체의 회수를 실시하는, 노광 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 기간에 있어서의 상기 액체 회수 기구에 의한 액체의 회수는 소정 수의 쇼트 영역의 노광 완료마다 실시되는, 노광 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 기간에 있어서의 상기 액체 회수 기구에 의한 액체의 회수는 미리 정해진 쇼트 영역의 노광 완료 후에 실시되는, 노광 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 기간은 어느 하나의 쇼트 영역의 노광 완료 후 다음 쇼트 영역의 노광을 위한 상기 기판의 스테핑 이동 중에 정해지는, 노광 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 액체 공급 기구는 상기 기간에 있어서 액체의 공급을 계속하는, 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 액체 회수 기구에 의한 액체의 회수가 개시될 때까지, 상기 기판 상에 공급된 액체의 적어도 일부를 유지하는 액체 유지부를 구비하는, 노광 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 액체 유지부는 모세관 현상을 이용하여 액체를 유지하는, 노광 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 액체 유지부는 상기 액체 회수 기구의 액체 회수구와 겸용되는, 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 액체 회수 기구는 상기 기판의 상방에 회수구를 갖는, 노광 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 액체 공급 기구는 상기 기판의 표면이 대향하도록 배치된 공급구를 갖는, 노광 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 액체 공급 기구는 상기 투영 광학계의 투영 영역의 일측에 배치된 제 1 공급구와 타측에 배치된 제 2 공급구를 갖고,상기 회수구는 상기 제 1 공급구와 상기 제 2 공급구를 둘러싸도록 배치되어 있는, 노광 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 회수구는 상기 기판 상의 액체를 그 주위의 기체와 함께 회수하는, 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 액체 회수 기구는, 한 장의 기판의 노광 완료 후에, 상기 기판 상의 액체의 흡인 회수를 실시하는, 노광 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 기판을 유지하여 이동할 수 있는 기판 유지부재를 갖고,상기 한 장의 기판의 노광 완료 후에, 상기 기판의 상방에 배치된 상기 액체 회수 기구의 회수구와 상기 기판 유지부재를 상대적으로 이동시켜, 상기 기판 상 또는 상기 기판 유지부재 상의 액체를 회수하는, 노광 장치.
- 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서,상기 리소그래피 공정에서는, 제 1 항에 기재된 노광 장치를 사용하여 기판 상에 디바이스 패턴을 전사하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 투영 광학계의 이미지면측에 배치된 기판 상에, 상기 투영 광학계와 액체를 통해서 노광광을 조사함으로써 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,상기 기판 상에 액체를 공급하는 것과,상기 기판 상에 공급된 액체를 회수하는 것을 포함하고,상기 노광광이 상기 투영 광학계의 이미지면측에 조사되고 있을 때, 상기 기판 상으로의 액체의 공급을 실시함과 함께, 상기 액체의 흡인 회수를 실시하지 않는, 노광 방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 기판 상의 복수의 쇼트 영역을 순차 노광하는 경우, 어느 하나의 쇼트 영역의 노광 완료 후이면서 또한 다음 쇼트 영역의 노광 개시까지의 적어도 일부 기간에 있어서 상기 기판 상의 상기 액체의 회수를 실시하는, 노광 방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 기간에 있어서의 액체의 회수는 소정 수의 쇼트 영역의 노광 완료마다 실시되는, 노광 방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 기간에 있어서의 액체의 회수는 미리 정해진 쇼트 영역의 노광 완료 후에 실시되는, 노광 방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 기간은 어느 하나의 쇼트 영역의 노광 완료 후 다음 쇼트 영역의 노광을 위한 상기 기판의 스테핑 이동 중에 정해지는, 노광 방법.
- 제 24 항에 있어서,한 장의 기판의 노광 완료 후에, 상기 기판 상의 액체의 흡인 회수를 실시하는, 노광 방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 기판 상의 액체는 그 주위의 기체와 함께 상기 기판의 상방으로부터 회수되는, 노광 방법.
- 청구항 31은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.기판 상의 일부에 액침 영역을 형성하고, 그 액침 영역을 형성하는 액체와 투영 광학계를 통해서 상기 기판에 노광광을 조사함으로써 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,상기 기판의 노광 중에, 상기 기판 상에 액체를 공급하는 것과,상기 기판의 노광 중에, 상기 기판의 상방으로부터 상기 기판 상의 액체를 흡인 회수하는 것을 포함하고,상기 기판의 노광 중, 상기 기판 상으로의 액체 공급량은 상기 기판 상으로부터의 액체 회수량보다도 많은, 노광 방법.
- 청구항 32은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 31 항에 있어서,상기 기판 상의 액체는, 그 주위의 기체와 함께 회수되는, 노광 방법.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2003-00297507 | 2003-08-21 | ||
| JP2003297507 | 2003-08-21 | ||
| JPJP-P-2004-00038411 | 2004-02-16 | ||
| JP2004038411 | 2004-02-16 | ||
| PCT/JP2004/012319 WO2005020299A1 (ja) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020127013877A Division KR101288632B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020127025007A Division KR101343655B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020117022804A Division KR101381563B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060126901A KR20060126901A (ko) | 2006-12-11 |
| KR101259095B1 true KR101259095B1 (ko) | 2013-04-30 |
Family
ID=34220704
Family Applications (11)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020117026313A Expired - Fee Related KR101475995B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020067003551A Expired - Fee Related KR101259095B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020177021912A Expired - Fee Related KR101915921B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020127013877A Expired - Fee Related KR101288632B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020147019070A Expired - Fee Related KR101613384B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020117022804A Expired - Fee Related KR101381563B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020127025007A Expired - Fee Related KR101343655B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020167009407A Expired - Fee Related KR101769722B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020137031266A Expired - Fee Related KR101441844B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020187031460A Ceased KR20180120816A (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020117030494A Expired - Fee Related KR101239632B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020117026313A Expired - Fee Related KR101475995B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
Family Applications After (9)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020177021912A Expired - Fee Related KR101915921B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020127013877A Expired - Fee Related KR101288632B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020147019070A Expired - Fee Related KR101613384B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020117022804A Expired - Fee Related KR101381563B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020127025007A Expired - Fee Related KR101343655B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020167009407A Expired - Fee Related KR101769722B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020137031266A Expired - Fee Related KR101441844B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020187031460A Ceased KR20180120816A (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| KR1020117030494A Expired - Fee Related KR101239632B1 (ko) | 2003-08-21 | 2004-08-20 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US8064037B2 (ko) |
| EP (1) | EP1662554A4 (ko) |
| JP (10) | JP4524670B2 (ko) |
| KR (11) | KR101475995B1 (ko) |
| WO (1) | WO2005020299A1 (ko) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
| KR101475995B1 (ko) * | 2003-08-21 | 2014-12-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| EP3223053A1 (en) * | 2003-09-03 | 2017-09-27 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
| EP2837969B1 (en) | 2003-09-29 | 2016-04-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| JP4691927B2 (ja) * | 2004-08-13 | 2011-06-01 | 株式会社ニコン | 顕微鏡観察装置 |
| KR101166007B1 (ko) | 2004-02-10 | 2012-07-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 메인터넌스 방법 및노광 방법 |
| JP4973754B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2012-07-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
| US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8054448B2 (en) | 2004-05-04 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
| CN100594430C (zh) | 2004-06-04 | 2010-03-17 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 用于测量光学成像系统的图像质量的系统 |
| JP3870207B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR101506100B1 (ko) * | 2004-09-17 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| JP4544303B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-09-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US7936441B2 (en) * | 2005-05-12 | 2011-05-03 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US7170583B2 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus immersion damage control |
| US8054445B2 (en) * | 2005-08-16 | 2011-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2007029829A1 (ja) | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US7929109B2 (en) | 2005-10-20 | 2011-04-19 | Nikon Corporation | Apparatus and method for recovering liquid droplets in immersion lithography |
| US7633073B2 (en) | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2007194484A (ja) | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | 液浸露光方法 |
| US9477158B2 (en) * | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101698291B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2017-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| SG143137A1 (en) | 2006-11-13 | 2008-06-27 | Asml Netherlands Bv | Conduit system for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, pump, and method for substantially reducing vibrations in a conduit system |
| JP5089143B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置 |
| US7692765B2 (en) * | 2007-02-21 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of removing liquid |
| DE102007025340B4 (de) | 2007-05-31 | 2019-12-05 | Globalfoundries Inc. | Immersionslithograpieprozess unter Anwendung einer variablen Abtastgeschwindigkeit und Lithographiesystem |
| NL1035757A1 (nl) * | 2007-08-02 | 2009-02-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| EP2221669A3 (en) | 2009-02-19 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method |
| NL2004305A (en) | 2009-03-13 | 2010-09-14 | Asml Netherlands Bv | Substrate table, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| EP2264529A3 (en) * | 2009-06-16 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus |
| EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
| US9568828B2 (en) * | 2012-10-12 | 2017-02-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
| NL2017344A (en) | 2015-10-01 | 2017-04-11 | Asml Netherlands Bv | A lithography apparatus, a method of manufacturing a device and a control program |
| JP7215819B2 (ja) | 2017-01-11 | 2023-01-31 | ダイキン工業株式会社 | 空気調和装置及び室内ユニット |
| JP7225030B2 (ja) * | 2019-05-31 | 2023-02-20 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、及び、物品の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
| JPH11121328A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Nec Corp | 走査型縮小投影露光装置 |
| JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
Family Cites Families (70)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
| JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
| JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
| DD221563A1 (de) * | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
| DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
| JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
| JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
| JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
| US5424552A (en) | 1991-07-09 | 1995-06-13 | Nikon Corporation | Projection exposing apparatus |
| JP3218478B2 (ja) | 1992-09-04 | 2001-10-15 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
| JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
| JPH0684157A (ja) | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
| JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
| JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
| US6333776B1 (en) | 1994-03-29 | 2001-12-25 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
| US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
| US5623853A (en) * | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
| JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| JP3551570B2 (ja) * | 1995-08-09 | 2004-08-11 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及び露光方法 |
| JPH09167735A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
| JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
| KR20030096435A (ko) | 1996-11-28 | 2003-12-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법 |
| JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| DE69735016T2 (de) * | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
| JPH10209039A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
| JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
| KR100521704B1 (ko) * | 1997-09-19 | 2005-10-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지장치, 주사형 노광장치 및 방법, 그리고 이것으로제조된 디바이스 |
| JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
| EP1030351A1 (en) * | 1997-11-12 | 2000-08-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, apparatus for manufacturing devices, and method of manufacturing exposure apparatuses |
| AU2746799A (en) * | 1998-03-09 | 1999-09-27 | Nikon Corporation | Scanning exposure method, scanning exposure apparatus and its manufacturing method, and device and its manufacturing method |
| JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
| EP1143492A4 (en) * | 1998-09-03 | 2004-06-02 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAID APPARATUS |
| KR20010089431A (ko) * | 1998-11-19 | 2001-10-06 | 시마무라 테루오 | 광학장치와 노광장치 및 레이저광원, 가스 공급방법,노광방법, 디바이스의 제조방법 |
| JP2001144004A (ja) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Nikon Corp | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| DE10010131A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-06 | Zeiss Carl | Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion |
| US6801301B2 (en) * | 2001-10-12 | 2004-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| TWI249082B (en) | 2002-08-23 | 2006-02-11 | Nikon Corp | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
| DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
| CN101470360B (zh) * | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
| KR100585476B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2006-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
| KR101060983B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2011-08-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 오염 물질 제거 방법 및 장치, 그리고 노광 방법 및 장치 |
| JP4525062B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
| EP1571694A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE |
| WO2004053955A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR20120127755A (ko) * | 2002-12-10 | 2012-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
| JP4645027B2 (ja) | 2002-12-10 | 2011-03-09 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| JP4529433B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-08-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| EP1573730B1 (en) * | 2002-12-13 | 2009-02-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
| KR101205262B1 (ko) * | 2003-01-23 | 2012-11-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 |
| EP2950147B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-04-26 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
| TW201806001A (zh) * | 2003-05-23 | 2018-02-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及元件製造方法 |
| JP2005277363A (ja) | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7213963B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101242815B1 (ko) | 2003-06-13 | 2013-03-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조방법 |
| JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP3179309A1 (en) | 2003-07-08 | 2017-06-14 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
| KR101641011B1 (ko) * | 2003-07-28 | 2016-07-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법 |
| KR101475995B1 (ko) | 2003-08-21 | 2014-12-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
| US7063565B2 (en) * | 2004-05-14 | 2006-06-20 | Thomas & Betts International, Inc. | Coaxial cable connector |
| US7616383B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-08-20 KR KR1020117026313A patent/KR101475995B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-20 KR KR1020067003551A patent/KR101259095B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-20 KR KR1020177021912A patent/KR101915921B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-20 KR KR1020127013877A patent/KR101288632B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-20 KR KR1020147019070A patent/KR101613384B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-20 KR KR1020117022804A patent/KR101381563B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-20 KR KR1020127025007A patent/KR101343655B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-20 KR KR1020167009407A patent/KR101769722B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-20 WO PCT/JP2004/012319 patent/WO2005020299A1/ja active Application Filing
- 2004-08-20 KR KR1020137031266A patent/KR101441844B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-20 JP JP2005513370A patent/JP4524670B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-20 EP EP04772275A patent/EP1662554A4/en not_active Withdrawn
- 2004-08-20 KR KR1020187031460A patent/KR20180120816A/ko not_active Ceased
- 2004-08-20 KR KR1020117030494A patent/KR101239632B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-02-17 US US11/355,965 patent/US8064037B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-23 JP JP2009013514A patent/JP4784654B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-14 JP JP2009165718A patent/JP4862923B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-02 JP JP2011045407A patent/JP5353925B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-04 US US13/067,046 patent/US10209622B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012077682A patent/JP5708546B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2012-12-13 US US13/713,416 patent/US10203608B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-12-27 JP JP2013271816A patent/JP5761326B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-11-14 JP JP2014232206A patent/JP5949878B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-11-06 JP JP2015218689A patent/JP6390592B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-12-12 JP JP2016240211A patent/JP6319410B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2017
- 2017-07-05 US US15/641,625 patent/US20170299966A1/en not_active Abandoned
- 2017-12-14 JP JP2017239485A patent/JP2018049295A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
| JPH11121328A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Nec Corp | 走査型縮小投影露光装置 |
| JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101259095B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 | |
| KR20070026603A (ko) | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 | |
| HK1090172A (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
| PG1701 | Publication of correction |
St.27 status event code: A-3-3-P10-P19-oth-PG1701 Patent document republication publication date: 20090612 Republication note text: Request for Correction Notice (Document Request) Gazette number: 1020060126901 Gazette reference publication date: 20061211 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PA0104 | Divisional application for international application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A18-div-PA0104 St.27 status event code: A-0-1-A10-A16-div-PA0104 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| PA0104 | Divisional application for international application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A18-div-PA0104 St.27 status event code: A-0-1-A10-A16-div-PA0104 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PA0104 | Divisional application for international application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A18-div-PA0104 St.27 status event code: A-0-1-A10-A16-div-PA0104 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160318 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170322 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180418 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190418 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20200424 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20200424 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |