KR101111363B1 - 투영노광장치 및 스테이지 장치, 그리고 노광방법 - Google Patents
투영노광장치 및 스테이지 장치, 그리고 노광방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101111363B1 KR101111363B1 KR1020067008445A KR20067008445A KR101111363B1 KR 101111363 B1 KR101111363 B1 KR 101111363B1 KR 1020067008445 A KR1020067008445 A KR 1020067008445A KR 20067008445 A KR20067008445 A KR 20067008445A KR 101111363 B1 KR101111363 B1 KR 101111363B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- liquid
- focus
- movable member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
Claims (33)
- 리소그래피 장치의 투영 시스템과, 상기 리소그래피 장치 외부로부터 이동 가능한 부재 상에 공급되는 기판의 사이에 있는 액체를 통해, 상기 투영 시스템을 이용하여, 상기 기판의 목표 부분 상으로 조사 빔을 투영하는 단계;상기 투영 시스템의 광축 방향의 힘에 기인한 외란으로 인한 초점 오차를 분석하는 단계로서, 상기 힘은 액체 공급 시스템 부재와 상기 이동 가능 부재 사이의 액체의 존재에 의해 복수의 위치에서 발생되는, 상기 초점 오차를 분석하는 단계;상기 기판의 상대적 위치 및 상기 리소그래피 장치의 최선의 초점 평면을 보정하기 위하여, 결정된 초점 오차를 이용하여 보정 데이터를 결정하는 단계를 포함하는, 리소그래피 장치의 초점 교정 방법.
- 제 1 항에 있어서,액침 영역은 상기 기판에 대해 상대적으로 이동 가능한, 리소그래피 장치의 초점 교정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 조사 빔을 투영하는 단계는, 상기 힘이 디바이스 패턴을 기판 상에 노광하는 동안 상기 이동 가능한 부재 상에서 작용하는 힘과 실질적으로 동등한 조건 하에서 수행되고, 그리고상기 기판의 상대적 위치 및 상기 리소그래피 장치의 최선의 초점 평면을 보정하기 위하여 상기 보정 데이터를 결정하는 단계는, 상기 디바이스 패턴을 상기 기판 상에 노광하는 동안 수행되는, 리소그래피 장치의 초점 교정 방법.
- 리소그래피 장치로서,광학 부재와 상기 리소그래피 장치 외부로부터 공급되는 기판 사이의 국부적 공간을 적어도 부분적으로 채우는 액체를 통하여, 상기 기판의 목표 부분 상에 조사 빔을 투영하는 상기 광학 부재;기판이 그 상에 유지되는 이동 가능한 부재로서, 상기 이동 가능한 부재에 의해 유지되는 상기 기판의 상대적 위치 및 상기 광학 부재의 최선의 초점 평면이 변화되도록 이동될 수 있는, 상기 이동 가능한 부재; 및상기 광학 부재의 광축 방향의 힘에 기인한 외란으로 인한 초점 오차를 분석하고, 상기 기판의 상대적 위치 및 상기 광학 부재의 최선의 초점 평면을 보정하기 위하여, 결정된 초점 오차를 이용하여 보정 데이터를 결정하는 제어 디바이스로서, 상기 힘은 액체 공급 시스템 부재 및 상기 이동 가능한 부재 사이의 액체의 존재에 의해 복수의 위치에서 발생되는, 상기 제어 디바이스를 포함하는, 리소그래피 장치.
- 제 4 항에 있어서,액침 영역은 상기 기판에 대해 상대적으로 이동 가능한, 리소그래피 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 제어 디바이스는,상기 힘이 디바이스 패턴을 기판 상에 노광하는 동안 상기 이동 가능한 부재 상에서 작용하는 힘과 실질적으로 동등한 조건 하에서 상기 조사 빔을 투영함으로써 상기 초점 오차를 결정하고, 그리고상기 디바이스 패턴을 상기 기판 상에 노광하는 동안 상기 기판의 상대적 위치 및 상기 광학 부재의 최선의 초점 평면을 보정하기 위하여 상기 보정 데이터를 이용하는, 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 조사 빔은 초점 테스트 패턴이 부여되고, 그리고상기 초점 오차를 분석하는 단계는, 상기 기판 상에 투영되는 상기 초점 테스트 패턴을 분석하는 단계를 포함하는, 리소그래피 장치의 초점 교정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판의 표면과 접촉하는 접촉면을 갖는 접촉 부재를 이용함으로써, 상기 조사 빔이 투영되는 동안, 상기 접촉 부재, 상기 투영 시스템 및 상기 기판에 의해 상기 액체를 지지하는 단계를 더 포함하는, 리소그래피 장치의 초점 교정 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 조사 빔은 초점 테스트 패턴이 부여되고, 그리고상기 제어 디바이스는 상기 기판 상에 투영되는 초점 테스트 패턴을 분석함으로써 상기 초점 오차를 분석하는, 리소그래피 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 기판의 표면과 접촉하는 접촉면을 갖는 접촉 부재를 더 포함하고,상기 액체는, 상기 조사 빔이 상기 기판 상에 투영되는 동안, 상기 접촉 부재, 상기 광학 부재 및 상기 기판에 의해 지지되는, 리소그래피 장치.
- 리소그래피 장치의 투영 시스템과 상기 리소그래피 장치의 이동 가능한 부재 사이의 공간에 액체 공급 시스템 부재를 이용하여 액체를 담는 단계로서, 상기 이동 가능한 부재는 상기 리소그래피 장치의 외부로부터 공급되는 기판을 유지하는, 상기 액체를 담는 단계;상기 이동 가능한 부재가 상기 투영 시스템의 광축 방향의 힘에 기인하는 외란을 받는 동안 상기 이동 가능한 부재의 초점 위치 정보를 획득하는 단계로서, 상기 힘은 상기 액체 공급 시스템 부재와 상기 이동 가능한 부재 사이의 액체의 존재에 의해 발생되고, 상기 초점 위치 정보는, 상기 이동 가능한 부재의 표면을 상기 광축 방향에 직교하는 평면 내의 복수의 좌표 값 및 상기 복수의 좌표 값에 대응하는 상기 광축 방향의 좌표 값에 의해 정의함으로써 획득되는, 상기 이동 가능한 부재의 초점 위치 정보를 획득하는 단계; 및상기 기판의 상대적 위치 및 상기 리소그래피 장치의 최선의 초점 위치를 보정하기 위하여 상기 초점 위치 정보를 이용하여 보정 데이터를 결정하는 단계를 포함하는, 리소그래피 장치의 초점 교정 방법.
- 제 11 항에 있어서,초점 테스트 패턴이 부여되는 조사 빔을, 상기 리소그래피 장치의 투영 시스템과 상기 리소그래피 장치의 이동 가능한 부재 사이의 액체를 통해, 상기 기판에 투영하는 단계; 및초점 오차를 분석하는 단계를 더 포함하고,상기 초점 오차를 분석하는 단계는 상기 기판 상에 투영되는 초점 테스트 패턴을 분석하는 단계를 포함하는, 리소그래피 장치의 초점 교정 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 기판의 표면과 접촉하는 접촉면을 갖는 접촉 부재를 이용함으로써, 상기 조사 빔이 투영되는 동안, 상기 접촉 부재, 상기 투영 시스템 및 상기 기판에 의해 상기 액체를 지지하는 단계를 더 포함하는, 리소그래피 장치의 초점 교정 방법.
- 리소그래피 장치로서,상기 리소그래피 장치의 외부로부터 공급되는 기판을 유지하는 이동 가능한 이동 가능 부재;상기 리소그래피 장치의 광학계와 상기 이동 가능 부재 사이의 공간에 액체를 공급하는 액체 공급 시스템 부재; 및상기 이동 가능 부재가 상기 광학계의 광축 방향의 힘에 기인한 외란을 받는 동안 상기 이동 가능 부재의 초점 위치 정보를 획득하고, 상기 기판의 상대적 위치 및 상기 광학계의 최선의 초점 위치를 보정하기 위하여 상기 초점 위치를 이용하여 보정 데이터를 결정하는 제어 디바이스로서, 상기 힘은 상기 액체 공급 시스템 부재와 상기 이동 가능 부재 사이의 액체의 존재에 의해 발생되는, 상기 제어 디바이스를 포함하고,상기 초점 위치 정보는, 상기 이동 가능 부재의 표면을 상기 광축 방향에 직교하는 평면 내의 복수의 좌표 값 및 상기 복수의 좌표 값에 대응하는 상기 광축 방향의 좌표 값에 의해 정의함으로써 획득되는, 리소그래피 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 리소그래피 장치의 투영 시스템과 상기 리소그래피 장치의 이동 가능 부재 사이의 액체를 통해, 초점 테스트 패턴이 부여되는 조사 빔을 투영하는 투영 시스템을 더 포함하고,상기 제어 디바이스는 상기 기판 상에 투영되는 초점 테스트 패턴을 분석함으로써 초점 오차를 분석하는, 리소그래피 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 기판의 표면과 접촉하는 접촉면을 갖는 접촉 부재를 더 포함하고,상기 액체는, 상기 조사 빔이 상기 기판 상에 투영되는 동안 상기 접촉 부재, 상기 광학 부재 및 상기 기판에 의해 지지되는, 리소그래피 장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003415893 | 2003-12-15 | ||
| JPJP-P-2003-00415893 | 2003-12-15 | ||
| PCT/JP2004/018604 WO2005057635A1 (ja) | 2003-12-15 | 2004-12-14 | 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060113689A KR20060113689A (ko) | 2006-11-02 |
| KR101111363B1 true KR101111363B1 (ko) | 2012-04-12 |
Family
ID=34675149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020067008445A Expired - Fee Related KR101111363B1 (ko) | 2003-12-15 | 2004-12-14 | 투영노광장치 및 스테이지 장치, 그리고 노광방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20070064212A1 (ko) |
| JP (2) | JPWO2005057635A1 (ko) |
| KR (1) | KR101111363B1 (ko) |
| WO (1) | WO2005057635A1 (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN100539019C (zh) * | 2004-09-17 | 2009-09-09 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及器件制造方法 |
| US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7265813B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-09-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8638422B2 (en) * | 2005-03-18 | 2014-01-28 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, method for producing device, and method for evaluating exposure apparatus |
| US8014881B2 (en) * | 2007-02-15 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2008283052A (ja) | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Toshiba Corp | 液浸露光装置および半導体装置の製造方法 |
| JP5257832B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-08-07 | 株式会社ニコン | 較正方法、移動体駆動方法及び移動体駆動装置、露光方法及び露光装置、パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
| US8949057B1 (en) * | 2011-10-27 | 2015-02-03 | Kla-Tencor Corporation | Method for compensating for wafer shape measurement variation due to variation of environment temperature |
| JP5477982B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2014-04-23 | 國防部軍備局中山科學研究院 | レーザ光斑絶対位置付け駆動装置と駆動システム及びその方法 |
| KR102523729B1 (ko) | 2012-11-30 | 2023-04-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 반송 시스템, 노광 장치, 반송 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조방법, 및 흡인 장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
| JPH10303114A (ja) | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
| JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
Family Cites Families (107)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
| JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
| US4780617A (en) * | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
| JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
| KR100300618B1 (ko) * | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
| US5534970A (en) * | 1993-06-11 | 1996-07-09 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
| JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
| GB9806093D0 (en) * | 1998-03-20 | 1998-05-20 | Taylor John Hermon | Diagnostics and vaccines for mycobacterial infections of animals and humans |
| WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
| KR20020006690A (ko) * | 1999-03-24 | 2002-01-24 | 시마무라 테루오 | 위치계측장치, 위치계측방법 및 노광장치, 노광방법그리고 중첩계측장치, 중첩계측방법 |
| US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
| US7187503B2 (en) * | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
| US6771350B2 (en) * | 2000-02-25 | 2004-08-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
| JP3927774B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2007-06-13 | キヤノン株式会社 | 計測方法及びそれを用いた投影露光装置 |
| KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
| US20020163629A1 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
| US6913532B2 (en) * | 2001-10-15 | 2005-07-05 | Igt | Gaming device having a re-triggering symbol bonus scheme |
| US7092069B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
| DE10210899A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
| DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
| US7093375B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
| US6954993B1 (en) * | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
| US7383843B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
| US6988326B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
| US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
| CN100568101C (zh) * | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
| DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7110081B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR100585476B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2006-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
| CN101470360B (zh) * | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
| SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE10253679A1 (de) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
| DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
| EP1429190B1 (en) * | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
| US7010958B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
| US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
| US7090964B2 (en) * | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
| US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
| US7029832B2 (en) * | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
| PT1473264E (pt) * | 2003-03-31 | 2006-09-29 | Inventio Ag | Barra de paragem para criar um espaco temporario de seguranca no interior de um poco de elevador |
| TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI442694B (zh) * | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
| EP2261741A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4343597B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
| EP1491956B1 (en) * | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1498778A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG109000A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1500982A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
| US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
| US7779781B2 (en) * | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7145643B2 (en) * | 2003-08-07 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method |
| US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
| US7061578B2 (en) * | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
| US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
| US7085075B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
| TWI263859B (en) * | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
| US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
| TWI245163B (en) * | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7014966B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
| JP3870182B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US6961186B2 (en) * | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
| EP1519230A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1519231B1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7369217B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
| JP2005136374A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
| EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7678527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
| US7352433B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
| EP1531362A3 (en) * | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
| US7528929B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE10355301B3 (de) * | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie |
| US7125652B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
| JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
| US20050138415A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-23 | Russell Ryan S. | Locking a device into a specific mode |
| JP4308638B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2009-08-05 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
| US20050185269A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
| US7460206B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
| US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
| US20050147920A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
| US7088422B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
| JP4371822B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US20050153424A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
| KR101204114B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2012-11-23 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
| US7026259B2 (en) * | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
| US7391501B2 (en) * | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
| US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
| US7027125B2 (en) * | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
| US7084960B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
| US7034917B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US7227619B2 (en) * | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7295283B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7271878B2 (en) * | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
-
2004
- 2004-12-14 JP JP2005516225A patent/JPWO2005057635A1/ja active Pending
- 2004-12-14 KR KR1020067008445A patent/KR101111363B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-14 WO PCT/JP2004/018604 patent/WO2005057635A1/ja active Application Filing
-
2006
- 2006-11-24 US US11/603,986 patent/US20070064212A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-04-05 JP JP2010087065A patent/JP5099530B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-01 US US12/896,580 patent/US20110019170A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
| JPH10303114A (ja) | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
| JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060113689A (ko) | 2006-11-02 |
| JPWO2005057635A1 (ja) | 2007-07-05 |
| WO2005057635A1 (ja) | 2005-06-23 |
| JP2010161411A (ja) | 2010-07-22 |
| US20070064212A1 (en) | 2007-03-22 |
| JP5099530B2 (ja) | 2012-12-19 |
| US20110019170A1 (en) | 2011-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6614310B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
| JP5099530B2 (ja) | フォーカス較正方法及び露光装置 | |
| JP5353397B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| US7034917B2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby | |
| JP4596191B2 (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
| TWI455177B (zh) | An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method | |
| US20070247640A1 (en) | Exposure Apparatus, Exposure Method and Device Manufacturing Method, and Surface Shape Detection Unit | |
| JP2009105414A (ja) | 露光方法、及びデバイス製造方法 | |
| JP2004301825A (ja) | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
| JP4946109B2 (ja) | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| US20070081133A1 (en) | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method | |
| WO2005078777A1 (ja) | 駆動方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150105 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20160127 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20160127 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |