+

JP2022059565A - 磁壁移動素子および磁気アレイ - Google Patents

磁壁移動素子および磁気アレイ Download PDF

Info

Publication number
JP2022059565A
JP2022059565A JP2021136601A JP2021136601A JP2022059565A JP 2022059565 A JP2022059565 A JP 2022059565A JP 2021136601 A JP2021136601 A JP 2021136601A JP 2021136601 A JP2021136601 A JP 2021136601A JP 2022059565 A JP2022059565 A JP 2022059565A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
domain wall
wall moving
magnetization
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021136601A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7670581B2 (ja
Inventor
竜雄 柴田
Tatsuo Shibata
智生 佐々木
Tomoo Sasaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to CN202111146579.9A priority Critical patent/CN114373780A/zh
Priority to US17/488,436 priority patent/US20220109102A1/en
Publication of JP2022059565A publication Critical patent/JP2022059565A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7670581B2 publication Critical patent/JP7670581B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
    • G01R33/1292—Measuring domain wall position or domain wall motion
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1659—Cell access
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/18—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using Hall-effect devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
    • G11C19/0841—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using electric current
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/40—Devices controlled by magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Materials of the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/01—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)

Abstract

Figure 2022059565000001
【課題】ＭＲ比が大きく、かつ、磁壁の制御性も高い、磁壁移動素子及び磁気アレイを提供する。
【解決手段】本実施形態にかかる磁壁移動素子は、基板に近い側から順に、参照層と非磁性層と磁壁移動層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁壁移動層にそれぞれ接し、互いに離間している第１磁化固定層と第２磁化固定層と、を備え、前記磁壁移動層は、複数の挿入層を含んだ強磁性層を含み、前記強磁性層は、Ｃｏ及びＦｅを含み、垂直磁気異方性を有し、書き込み時に、前記第１磁化固定層と前記第２磁化固定層との間に、前記磁壁移動層に沿って書き込み電流を流す。
【選択図】図３

Description

本発明は、磁壁移動素子および磁気アレイに関する。
微細化に限界が見えてきたフラッシュメモリ等に代わる次世代の不揮発性メモリに注目が集まっている。例えば、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄｏｍｅ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＣＲＡＭ（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等が次世代の不揮発性メモリとして知られている。
ＭＲＡＭは、磁化の向きの変化によって生じる抵抗値変化をデータ記録に利用している。データ記録は、ＭＲＡＭを構成する磁気抵抗変化素子のそれぞれが担っている。例えば、特許文献１には、第１強磁性層（磁壁移動層）内における磁壁を移動させることで、多値のデータを記録することができる磁気抵抗変化素子（磁壁移動素子）が記載されている。特許文献１には、第２強磁性層群との磁気的な結合を利用することにより、第１強磁性層の両端に磁化固定領域を簡便に形成できることが記載されている。
国際公開第２００９／１２２９９０号
多くの状態を安定的に表現できる磁壁移動素子は、多くの用途に利用できる。多くの状態を安定的に表現できる磁壁移動素子を実現する一つの方法は、磁壁移動素子の抵抗変化幅（ＭＲ比）を大きくすることである。抵抗変化幅が大きいと、抵抗変化幅の間に複数の状態を割り当てることができ、多くの状態を安定的に表現できる。
また多くの状態を安定的に表現できる磁壁移動素子を実現する別の方法は、磁壁移動素子の磁壁の動作の制御性を高めることである。磁壁の制御性が高まると、同じ抵抗変化幅に多くの状態を割り当てることができ、多くの状態を安定的に表現できる。
一方で、ＭＲ比が大きく、かつ、磁壁の制御性も高い磁壁移動素子を実現することは難しい。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、ＭＲ比が大きく、かつ、磁壁の制御性も高い磁壁移動素子及び磁気アレイを提供することを目的とする。
（１）第１の態様にかかる磁壁移動素子は、基板に近い側から順に、参照層と非磁性層と磁壁移動層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁壁移動層にそれぞれ接し、互いに離間している第１磁化固定層と第２磁化固定層と、を備え、前記磁壁移動層は、複数の挿入層を含んだ強磁性層を含み、前記強磁性層は、Ｃｏ及びＦｅを含み、垂直磁気異方性を有し、書き込み時に、前記第１磁化固定層と前記第２磁化固定層との間に、前記磁壁移動層に沿って書き込み電流を流す。
（２）上記態様にかかる磁壁移動素子は、前記第１磁化固定層と前記第２磁化固定層とで厚みが異なってもよい。
（３）上記態様にかかる磁壁移動素子において、前記第１磁化固定層及び前記第２磁化固定層はそれぞれ、交互に積層された磁気結合層と強磁性層とを有し、前記第１磁化固定層に含まれる強磁性層の層数は、前記第２磁化固定層に含まれる強磁性層の層数と異なってもよい。
（４）上記態様にかかる磁壁移動素子において、前記挿入層は、ＭｇＯ、Ｍｇ－Ａｌ－Ｏ、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔからなる群から選択されるいずれかを含んでもよい。
（５）上記態様にかかる磁壁移動素子において、前記挿入層は、島状に分散する複数の挿入領域を有してもよい。
（６）上記態様にかかる磁壁移動素子において、前記挿入層のうち最も前記非磁性層の近くにある第１挿入層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔからなる群から選択されるいずれかを含み、前記第１挿入層以外の挿入層のうちのいずれかは、ＭｇＯ又はＭｇ－Ａｌ－Ｏを含んでもよい。
（７）上記態様にかかる磁壁移動素子において、前記磁壁移動層に含まれる強磁性層のうち最も前記非磁性層の近くにある第１強磁性層は、前記磁壁移動層に含まれる他の強磁性層より厚みが厚くてもよい。
（８）上記態様にかかる磁壁移動素子において、前記磁壁移動層に含まれる挿入層のうち最も前記非磁性層から遠くにある挿入層は、前記磁壁移動層に含まれる他の挿入層より厚みが厚くてもよい。
（９）上記態様にかかる磁壁移動素子において、前記第１磁化固定層及び前記第２磁化固定層の下面は、前記磁壁移動層の上面より下方にあってもよい。
（１０）上記態様にかかる磁壁移動素子は、垂直磁気誘起層をさらに備え、前記垂直磁気誘起層は、前記磁壁移動層上にあってもよい。
（１１）上記態様にかかる磁壁移動素子において、前記垂直磁気誘起層は、ＭｇＯ、Ｍｇ－Ａｌ－Ｏ、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔからなる群から選択されるいずれかを含んでもよい。
（１２）上記態様にかかる磁壁移動素子において、前記垂直磁気誘起層は、少なくとも、前記第１磁化固定層と前記磁壁移動層の間と、前記第２磁化固定層と前記磁壁移動層の間とのうち少なくとも一方にあってもよい。
（１３）上記態様にかかる磁壁移動素子は、前記第１磁化固定層に接する第１導電層と、前記第２磁化固定層に接する第２導電層と、をさらに有し、前記第１導電層は、前記第１導電層の上面に形成された窪みに嵌合してもよい。
（１４）第２の態様にかかる磁気アレイは、上記態様にかかる磁壁移動素子を複数備える。
上記態様にかかる磁壁移動素子及び磁気アレイは、ＭＲ比が大きく、かつ、磁壁の制御性も高い。
第１実施形態に係る磁気アレイの構成図である。 第１実施形態に係る磁気アレイの特徴部分の断面図である。 第１実施形態に係る磁壁移動素子の断面図である。 第１実施形態に係る磁壁移動素子の平面図である。 第２実施形態に係る磁壁移動素子の断面図である。 第３実施形態に係る磁壁移動素子の断面図である。 第４実施形態に係る磁壁移動素子の断面図である。 第５実施形態に係る磁壁移動素子の断面図である。 第６実施形態に係る磁壁移動素子の断面図である。 第６実施形態に係る磁壁移動素子の変形例の断面図である。 第７実施形態に係る磁壁移動素子の断面図である。
以下、本実施形態について、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲で適宜変更して実施することが可能である。
まず方向について定義する。ｘ方向及びｙ方向は、後述する基板Ｓｕｂ（図２参照）の一面と略平行な方向である。ｘ方向は、後述する磁壁移動層が延びる方向である。ｙ方向は、ｘ方向と直交する方向である。ｚ方向は、後述する基板Ｓｕｂから磁壁移動素子へ向かう方向である。本明細書において、＋ｚ方向を「上」、－ｚ方向を「下」として表す場合があるが、これら表現は便宜上のものであり、重力方向を規定するものではない。また本明細書で「ｘ方向に延びる」とは、例えば、ｘ方向、ｙ方向、及びｚ方向の各寸法のうち最小の寸法よりもｘ方向の寸法が大きいことを意味する。他の方向に延びる場合も同様である。
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態にかかる磁気アレイの構成図である。磁気アレイ２００は、複数の磁壁移動素子１００と、複数の第１配線Ｗｐと、複数の第２配線Ｃｍと、複数の第３配線Ｒｐと、複数の第１スイッチング素子ＳＷ１と、複数の第２スイッチング素子ＳＷ２と、複数の第３スイッチング素子ＳＷ３と、を備える。磁気アレイ２００は、例えば、磁気メモリ、積和演算器、ニューロモーフィックデバイス、スピンメモリスタ、磁気光学素子に利用できる。
＜第１配線、第２配線、第３配線＞
第１配線Ｗｐのそれぞれは、書き込み配線である。第１配線Ｗｐはそれぞれ、電源と１つ以上の磁壁移動素子１００とを電気的に接続する。電源は、使用時に磁気アレイ２００の一端に接続される。
第２配線Ｃｍのそれぞれは、共通配線である。共通配線は、データの書き込み時及び読み出し時の両方に用いることができる配線である。第２配線Ｃｍのそれぞれは、基準電位と１つ以上の磁壁移動素子１００とを電気的に接続する。基準電位は、例えば、グラウンドである。第２配線Ｃｍは、複数の磁壁移動素子１００のそれぞれに設けられてもよいし、複数の磁壁移動素子１００に亘って設けられてもよい。
第３配線Ｒｐのそれぞれは、読み出し配線である。第３配線Ｒｐはそれぞれ、電源と１つ以上の磁壁移動素子１００とを電気的に接続する。電源は、使用時に磁気アレイ２００の一端に接続される。
＜第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３スイッチング素子＞
図１において、複数の磁壁移動素子１００のそれぞれに、第１スイッチング素子ＳＷ１、第２スイッチング素子ＳＷ２、第３スイッチング素子ＳＷ３が接続されている。第１スイッチング素子ＳＷ１は、磁壁移動素子１００と第１配線Ｗｐとの間に接続されている。第２スイッチング素子ＳＷ２は、磁壁移動素子１００と第２配線Ｃｍとの間に接続されている。第３スイッチング素子ＳＷ３は、磁壁移動素子１００と第３配線Ｒｐとの間に接続されている。
第１スイッチング素子ＳＷ１及び第２スイッチング素子ＳＷ２をＯＮにすると、所定の磁壁移動素子１００に接続された第１配線Ｗｐと第２配線Ｃｍとの間に書き込み電流が流れる。第２スイッチング素子ＳＷ２及び第３スイッチング素子ＳＷ３をＯＮにすると、所定の磁壁移動素子１００に接続された第２配線Ｃｍと第３配線Ｒｐとの間に読み出し電流が流れる。
第１スイッチング素子ＳＷ１、第２スイッチング素子ＳＷ２及び第３スイッチング素子ＳＷ３は、電流の流れを制御する素子である。第１スイッチング素子ＳＷ１、第２スイッチング素子ＳＷ２及び第３スイッチング素子ＳＷ３は、例えば、トランジスタ、オボニック閾値スイッチ（ＯＴＳ：Ovonic Threshold Switch）のように結晶層の相変化を利用した素子、金属絶縁体転移（ＭＩＴ）スイッチのようにバンド構造の変化を利用した素子、ツェナーダイオード及びアバランシェダイオードのように降伏電圧を利用した素子、原子位置の変化に伴い伝導性が変化する素子である。
第１スイッチング素子ＳＷ１、第２スイッチング素子ＳＷ２、第３スイッチング素子ＳＷ３のいずれかは、同じ配線に接続された磁壁移動素子１００で、共用してもよい。例えば、第１スイッチング素子ＳＷ１を共有する場合は、第１配線Ｗｐの上流（一端）に一つの第１スイッチング素子ＳＷ１を設ける。例えば、第２スイッチング素子ＳＷ２を共有する場合は、第２配線Ｃｍの上流（一端）に一つの第２スイッチング素子ＳＷ２を設ける。例えば、第３スイッチング素子ＳＷ３を共有する場合は、第３配線Ｒｐの上流（一端）に一つの第３スイッチング素子ＳＷ３を設ける。
図２は、第１実施形態に係る磁気アレイ２００の要部の断面図である。図２は、図１における一つの磁壁移動素子１００を磁壁移動層１０のｙ方向の幅の中心を通るｘｚ平面で切断した断面である。
図２に示す第１スイッチング素子ＳＷ１及び第２スイッチング素子ＳＷ２は、トランジスタＴｒである。トランジスタＴｒは、ゲート電極Ｇと、ゲート絶縁膜ＧＩと、基板Ｓｕｂに形成されたソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄと、を有する。基板Ｓｕｂは、例えば、半導体基板である。第３スイッチング素子ＳＷ３は、第３配線Ｒｐと電気的に接続され、例えば、図２においてｙ方向にずれた位置にある。
トランジスタＴｒのそれぞれと磁壁移動素子１００とは、配線ｗ１、ｗ２を介して、電気的に接続されている。配線ｗ１、ｗ２は、導電性を有する材料を含む。配線ｗ１は、ｚ方向に延びるビア配線である。配線ｗ２は、ｘｙ面内のいずれかの方向に延びる面内配線である。配線ｗ１、ｗ２は、絶縁層Ｉｎの開口内に形成される。
絶縁層Ｉｎは、多層配線の配線間や素子間を絶縁する絶縁層である。磁壁移動素子１００とトランジスタＴｒとは、配線ｗ１、ｗ２を除いて、絶縁層Ｉｎによって電気的に分離されている。絶縁層Ｉｎは、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化クロム、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）等である。
図２では、磁壁移動素子１００が絶縁層Ｉｎを挟んで基板Ｓｕｂの上方にある例を示したが、磁壁移動素子１００は基板Ｓｕｂ上にあってもよい。
「磁壁移動素子」
図３は、磁壁移動素子１００を磁壁移動層１０のｙ方向の中心を通るｘｚ平面で切断した断面図である。図４は、磁壁移動素子１００をｚ方向から平面視した平面図である。図に示す矢印は、強磁性体の磁化の配向方向の一例である。
磁壁移動素子１００は、例えば、第３配線Ｒｐとの電気的な接続を担う電極Ｅ上にある。磁壁移動素子１００は、例えば、磁気抵抗効果素子４０と第１磁化固定層５０と第２磁化固定層６０とを有する。第１磁化固定層５０には第１導電層７１、第２磁化固定層６０には第２導電層７２が接続されている。第１導電層７１及び第２導電層７２は、図２の配線ｗ１の一部である。磁壁移動素子１００の周囲は、絶縁層Ｉｎで覆われている。
磁気抵抗効果素子４０は、磁壁移動層１０と非磁性層２０と参照層３０とを備える。磁気抵抗効果素子４０は、基板Ｓｕｂに近い側から参照層３０、非磁性層２０、磁壁移動層１０の順に備える。磁気抵抗効果素子４０にデータを書き込む際は、第１磁化固定層５０と第２磁化固定層６０との間に、磁壁移動層１０に沿って書き込み電流を流す。磁気抵抗効果素子４０からデータを読み出す際は、磁気抵抗効果素子４０のｚ方向に電流を印加し、電極Ｅと磁壁移動層１０との間に読み出し電流を流す。
磁壁移動層１０は、ｘ方向に延びる。磁壁移動層１０は、内部に複数の磁区を有し、複数の磁区の境界に磁壁ＤＷを有する。磁壁移動層１０は、例えば、磁気的な状態の変化により情報を磁気記録可能な層である。磁壁移動層１０は、アナログ層、磁気記録層と呼ばれる場合がある。
磁壁移動層１０は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２と第３領域Ａ３を有する。第１領域Ａ１は、ｚ方向から見て第１磁化固定層５０と重なる領域である。第２領域Ａ２は、ｚ方向から見て第２磁化固定層６０と重なる領域である。第３領域Ａ３は、磁壁移動層１０の第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２以外の領域である。第３領域Ａ３は、例えば、ｘ方向に第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とに挟まれる領域である。
第１領域Ａ１の磁化は、第１磁化固定層５０の磁化によって固定されている。第２領域Ａ２の磁化は、第２磁化固定層６０の磁化によって固定されている。磁化が固定されているとは、磁壁移動素子１００の通常の動作（想定を超える外力が印加されていない）において、磁化が反転しないことをいう。第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とは、例えば、磁化の配向方向が反対である。
第３領域Ａ３は、磁化の向きが変化し、磁壁ＤＷが移動できる領域である。第３領域Ａ３は、第１磁区Ａ３ａと第２磁区Ａ３ｂとを有する。第１磁区Ａ３ａと第２磁区Ａ３ｂとは、磁化の配向方向が反対である。第１磁区Ａ３ａと第２磁区Ａ３ｂとの境界が磁壁ＤＷである。第１磁区Ａ３ａの磁化は、例えば、第１領域Ａ１の磁化と同じ方向に配向する。第２磁区Ａ３ｂの磁化は、例えば、隣接する第２領域Ａ２の磁化と同じ方向に配向する。磁壁ＤＷは、原則、第３領域Ａ３内を移動し、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２には侵入しない。
第３領域Ａ３内における第１磁区Ａ３ａと第２磁区Ａ３ｂとの比率が変化すると、磁壁ＤＷが移動する。磁壁ＤＷは、第３領域Ａ３のｘ方向に書き込み電流を流すことによって移動する。例えば、第３領域Ａ３に＋ｘ方向の書き込み電流（例えば、電流パルス）を印加すると、電子は電流と逆の－ｘ方向に流れるため、磁壁ＤＷは－ｘ方向に移動する。第１磁区Ａ３ａから第２磁区Ａ３ｂに向って電流が流れる場合、第２磁区Ａ３ｂでスピン偏極した電子は、第１磁区Ａ３ａの磁化を磁化反転させる。第１磁区Ａ３ａの磁化が反転することで、磁壁ＤＷは－ｘ方向に移動する。
磁壁移動層１０は、強磁性層１１と挿入層１２とを有する。強磁性層１１と挿入層１２とは、交互に積層されている。隣接する強磁性層１１は、挿入層１２を挟んで磁気的に接合している。
強磁性層１１は、Ｃｏ及びＦｅを含む。強磁性層１１は、例えば、ＣｏＦｅ合金でである。強磁性層１１は、Ｃｏ及びＦｅと、Ｂ、Ｃ、Ｎのうちのいずれか１種以上の元素とを含む合金でもよい。強磁性層１１は、例えば、Ｃｏ－Ｆｅ－Ｂである。
強磁性層１１は、垂直磁気異方性を有する。垂直磁気異方性を有するとは、膜面と交差（直交）する方向に磁化容易軸を有することを意味する。強磁性層１１のそれぞれの膜厚は、例えば、１．５ｎｍ以下である。
強磁性層１１は、例えば、厚みが１．５ｎｍ以下のＣｏ及びＦｅを含む合金である。Ｃｏ及びＦｅを含む合金は、例えば、ＣｏとＮｉの積層膜、ＣｏとＰｔの積層膜、ＣｏとＰｄの積層膜等の垂直磁気異方性を示す積層体より大きな磁気抵抗効果を有する。またＣｏ及びＦｅを含む合金は、厚みが１．５ｎｍ以下であれば大きな磁気抵抗効果を示す。磁壁移動層１０の磁気抵抗効果が大きいと、磁壁移動素子１００のＭＲ比が大きくなる。
複数の強磁性層１１のそれぞれの膜厚、材料等は、同じでも異なっていてもよい。
挿入層１２は、強磁性層１１の間にある。挿入層１２は、強磁性層１１との界面の効果により強磁性層１１に垂直磁気異方性を誘起する。
挿入層１２は、例えば、ＭｇＯ、Ｍｇ－Ａｌ－Ｏ、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔからなる群から選択されるいずれかを含む。これらの材料は、隣接する強磁性層１１に垂直磁気異方性を強める。挿入層１２がＭｇＯまたはＭｇ－Ａｌ－Ｏの場合、磁壁移動素子１００のＭＲ比が特に向上する。挿入層１２がＭｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔのいずれかの場合、磁壁移動素子１００の抵抗値が下がり消費電力が低下する。また挿入層１２がＭｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔのいずれかの場合、スピンホール効果により強磁性層１１にスピンが注入され、強磁性層１１の磁化が反転しやすくなる。Ｍｇ－Ａｌ－Ｏは、ＭｇとＡｌとの酸化物であり、組成比を問わないことを意味する。Ｍｇ－Ａｌ－Ｏは、たとえば、スピネル構造のＭｇＡｌ２Ｏ４である。
挿入層１２の膜厚は、例えば、１ｎｍ以下である。挿入層１２の膜厚が十分薄いことで、隣接する強磁性層１１の磁気結合が十分強くなる。
複数の挿入層１２のそれぞれの材料等は、同じでも異なっていてもよい。例えば、第１挿入層１２ＡがＷ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔからなる群から選択されるいずれかを含み、第１挿入層１２Ａより上方に位置する挿入層１２のうちのいずれかがＭｇＯ又はＭｇ－Ａｌ－Ｏを含んでもよい。第１挿入層１２Ａは、挿入層１２のうち最も非磁性層２０の近くにある挿入層である。磁壁移動素子１００は、製造時に上方から加工される。硬く加工されにくいＭｇＯ又はＭｇ－Ａｌ－Ｏを磁壁移動層１０の上部に配置することで、ＭｇＯ又はＭｇ－Ａｌ－Ｏがエッチングストッパーとして機能する。
挿入層１２は、Ｃｏ、Ｆｅを含む合金の中に、例えば、ＭｇＯ、Ｍｇ－Ａｌ－Ｏ、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔからなる群から選択されるいずれかを含む材料が分散しているものであってもよい。すなわち、挿入層１２が十分薄く（原子数層レベル）、完全な層を構成していなくてもよい。例えば、挿入層１２は、前記の材料群から選択されるいずれかを含む材料が、Ｃｏ、Ｆｅを含む合金の中に、島状に分散した複数の挿入領域を有するものであってもよい。これらの材料は、挿入層１２およびそれに隣接する強磁性層１１の垂直磁気異方性を強めることができる。挿入層１２の膜厚は、例えば、１ｎｍ以上であってもよい。挿入層１２が、Ｃｏ、Ｆｅを含む場合には、膜厚が厚くても隣接する強磁性層１１との磁気結合が十分強くなる。
非磁性層２０は、磁壁移動層１０と参照層３０との間に位置する。非磁性層２０は、参照層３０の一面に積層される。
非磁性層２０は、例えば、非磁性の絶縁体、半導体又は金属からなる。非磁性の絶縁体は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、およびこれらのＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇの一部がＺｎ、Ｂｅ等に置換された材料である。これらの材料は、バンドギャップが大きく、絶縁性に優れる。非磁性層２０が非磁性の絶縁体からなる場合、非磁性層２０はトンネルバリア層である。非磁性の金属は、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等である。非磁性の半導体は、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＣｕＩｎＳｅ２、ＣｕＧａＳｅ２、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２等である。
非磁性層２０の厚みは、例えば、２０Å以上であり、２５Å以上でもよい。非磁性層２０の厚みが厚いと、磁壁移動素子１００の抵抗面積積（ＲＡ）が大きくなる。磁壁移動素子１００の抵抗面積積（ＲＡ）は、１×１０４Ωμｍ２以上であることが好ましく、５×１０４Ωμｍ２以上であることがより好ましい。磁壁移動素子１００の抵抗面積積（ＲＡ）は、一つの磁壁移動素子１００の素子抵抗と磁壁移動素子１００の素子断面積（非磁性層２０をｘｙ平面で切断した切断面の面積）の積で表される。
参照層３０は、磁壁移動層１０と共に、非磁性層２０を挟む。参照層３０は、例えば、電極Ｅ上にある。参照層３０は、基板Ｓｕｂ上に積層されてもよい。参照層３０は、磁壁移動層１０とｚ方向に重なる位置にある。参照層３０の磁化は、磁壁移動層１０の第３領域Ａ３の磁化より反転しにくい。参照層３０の磁化は、第３領域Ａ３の磁化が反転する程度の外力が印加された際に向きが変化せず、固定されている。参照層３０は、磁化固定層と言われる場合がある。
参照層３０は、強磁性体を含む。参照層３０は、例えば、磁壁移動層１０との間で、コヒーレントトンネル効果を得やすい材料を含む。参照層３０は、例えば、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉからなる群から選択される金属、これらの金属を１種以上含む合金、これらの金属とＢ、Ｃ、及びＮの少なくとも１種以上の元素とが含まれる合金等を含む。参照層３０は、例えば、Ｃｏ－Ｆｅ、Ｃｏ－Ｆｅ－Ｂ、Ｎｉ－Ｆｅである。
参照層３０は、例えば、ホイスラー合金でもよい。ホイスラー合金はハーフメタルであり、高いスピン分極率を有する。ホイスラー合金は、ＸＹＺ又はＸ２ＹＺの化学組成をもつ金属間化合物であり、Ｘは周期表上でＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、あるいはＣｕ族の遷移金属元素または貴金属元素であり、ＹはＭｎ、Ｖ、ＣｒあるいはＴｉ族の遷移金属又はＸの元素種であり、ＺはＩＩＩ族からＶ族の典型元素である。ホイスラー合金として例えば、Ｃｏ２ＦｅＳｉ、Ｃｏ２ＦｅＧｅ、Ｃｏ２ＦｅＧａ、Ｃｏ２ＭｎＳｉ、Ｃｏ２Ｍｎ１－ａＦｅａＡｌｂＳｉ１－ｂ、Ｃｏ２ＦｅＧｅ１－ｃＧａｃ等が挙げられる。
また参照層３０は強磁性層、非磁性層から成るシンセティック構造、あるいは反強磁性層、強磁性層、非磁性層から成るシンセティック構造であってもよい。後者においてはシンセティック構造において参照層３０の磁化方向は反強磁性層によって強く保持される。そのため、参照層３０の磁化が外部からの影響を受けにくくなる。参照層３０の磁化をＺ方向に配向させる（参照層３０の磁化を垂直磁化膜にする）場合は、例えばＣｏ／Ｎｉ積層膜、Ｃｏ／Ｐｔ積層膜等を、更に備えていることが好ましい。
第１磁化固定層５０及び第２磁化固定層６０は、磁壁移動層１０に接続される。第１磁化固定層５０及び第２磁化固定層６０は、磁壁移動層１０上にある。第１磁化固定層５０と第２磁化固定層６０とは、ｘ方向に離間している。第１磁化固定層５０は、第１領域Ａ１の磁化を固定する。第２磁化固定層６０は、第２領域Ａ２の磁化を固定する。
第１磁化固定層５０及び第２磁化固定層６０は、例えば、強磁性体である。第１磁化固定層５０及び第２磁化固定層６０は、例えば、参照層３０と同様の材料を適用できる。また第１磁化固定層５０及び第２磁化固定層６０は、強磁性体に限られない。第１磁化固定層５０及び第２磁化固定層６０が強磁性体ではない場合は、第１磁化固定層５０又は第２磁化固定層６０と重なる領域で磁壁移動層１０を流れる電流の電流密度が急激に変化することで、磁壁ＤＷの移動が制限され、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の磁化が固定される。
また図４に示すように、例えば、第１磁化固定層５０及び第２磁化固定層６０のそれぞれのｙ方向の幅は、磁壁移動層１０のｙ方向の幅より広い。第１磁化固定層５０又は第２磁化固定層６０と磁壁移動層１０との境界が磁壁移動層１０のｙ方向に延びることで、磁壁移動層１０内のｙ方向の磁気特性分布が均一になる。磁壁移動層１０内のｙ方向の磁気特性分布が均一になると、磁壁ＤＷがｙ方向に対して傾くことを抑制できる。
第１磁化固定層５０及び第２磁化固定層６０のそれぞれをｚ方向から見た形状は、例えば、矩形である。第１磁化固定層５０及び第２磁化固定層６０のそれぞれをｚ方向から見た形状は、例えば、円形、楕円形、オーバル等でもよい。
磁壁移動素子１００の各層の磁化の向きは、例えば磁化曲線を測定することにより確認できる。磁化曲線は、例えば、ＭＯＫＥ（Magneto Optical Kerr Effect）を用いて測定できる。ＭＯＫＥによる測定は、直線偏光を測定対象物に入射させ、その偏光方向の回転等が起こる磁気光学効果(磁気Kerr効果)を用いることにより行う測定方法である。
次いで、磁壁移動素子１００の製造方法について説明する。磁壁移動素子１００は、各層の積層工程と、各層の一部を所定の形状に加工する加工工程により形成される。各層の積層は、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、電子ビーム蒸着法（ＥＢ蒸着法）、原子レーザデポジッション法等を用いることができる。各層の加工は、フォトリソグラフィーおよびエッチング（例えば、Ａｒエッチング）等を用いて行うことができる。
まず電極Ｅ及び絶縁層Ｉｎ上に、参照層、非磁性層、積層体、磁化固定層を順に積層する。積層体は、電極Ｅに近い側から強磁性層、挿入層の順に交互に積層する。次いで、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによりこれらの層のｘ方向及びｙ方向の不要部を除去する。不要部を除去すると、各層は所定の形状に加工され、参照層は参照層３０、非磁性層は非磁性層２０、積層体は磁壁移動層１０となる。次いで、磁化固定層のうち磁壁移動層１０の端部と重なる２つの部分を除いて、磁化固定層の不要部を除去する。当該処理におり磁化固定層は、第１磁化固定層５０と第２磁化固定層６０となる。
ついで、磁壁移動層１０、第１磁化固定層５０及び第２磁化固定層６０上に絶縁層Ｉｎを積層する。その後、絶縁層Ｉｎの第１磁化固定層５０及び第２磁化固定層６０と重なる位置にホールを形成し、ホール内を導電体で充填することで、第１導電層７１及び第２導電層７２が得られる。上記の手順で、磁壁移動素子１００が得られる。
第１実施形態にかかる磁壁移動素子１００は、Ｃｏ及びＦｅを含む強磁性層１１を挿入層１２を挟んで複数層有する。強磁性層１１の磁化は、挿入層１２との界面の効果（界面垂直磁気異方性）、挿入層１２を挟む強磁性層１１間の磁気結合により強い垂直磁気異方性を示す。そのため、磁壁移動素子１００は、高いＭＲ比を示し、かつ、磁壁ＤＷの制御性に優れる。
これに対し、例えば、磁壁移動層１０から挿入層１２を除くと、強磁性層１１の厚みが厚くなり、強磁性層１１が十分な垂直磁気異方性が発現しなくなる。垂直磁気異方性を維持するために、挿入層１２を除いた磁壁移動層１０（すなわち、単層の強磁性層１１）の厚みを薄くすると、磁壁移動層１０の抵抗値が高くなる。その結果、磁壁移動層１０に沿ってｘ方向に流れる電流の一部が、非磁性層２０を介して参照層３０側に漏れてしまい、磁壁ＤＷの制御性が低下する。
また磁壁移動素子１００は、参照層３０が磁壁移動層１０より基板Ｓｕｂに近い側にある。積層膜は基板から離れるほど平坦性が低下し、当該積層膜上に成膜された磁性膜の磁化の安定性は低下する。参照層３０は、磁気抵抗変化の基準となる層であり、参照層３０の磁化の安定性が高まることで、磁壁移動素子１００のＭＲ比が高まる。
また磁壁移動素子１００は、基板Ｓｕｂからビルドアップして作製される。挿入層１２は、強磁性層１１と材料が異なり、製造時のエッチングストッパーとして機能し、強磁性層１１にダメージが生じることを防止する。結果として、磁壁移動層１０がエッチングのダメージによりＭＲ比が低下することを防ぐことができる。また挿入層１２は、磁壁移動素子１００を熱処理した際に、元素拡散を防ぎ、磁壁移動素子１００のＭＲ比の低下を防止する。
「第２実施形態」
図５は、第２実施形態にかかる磁壁移動素子１０１を磁壁移動層１０のｙ方向の中心を通るｘｚ平面で切断した断面図である。第２実施形態にかかる磁壁移動素子１０１は、第１磁化固定層５５、第２磁化固定層６５の構成が、第１実施形態にかかる磁壁移動素子１００と異なる。第２実施形態において、第１実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省く。
第１磁化固定層５５は、磁気結合層５１と強磁性層５２とを有する。磁気結合層５１と強磁性層５２とは、交互に積層されている。第２磁化固定層６５は、磁気結合層６１と強磁性層６２とを有する。磁気結合層６１と強磁性層６２とは、交互に積層されている。
強磁性層５２及び強磁性層６２はそれぞれ、参照層３０と同様の材料を用いることができる。磁気結合層５１及び磁気結合層６１は、非磁性層である。磁気結合層５１及び磁気結合層６１は、例えば、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈである。隣接する強磁性層５２及び隣接する強磁性層６２同士は、反強磁性的に磁気結合している。
第１磁化固定層５５と第２磁化固定層６５とは、厚みが異なる。例えば、第１磁化固定層５５と第２磁化固定層６５とは、構成する層の数の違いにより厚みが異なる。例えば、第１磁化固定層５５に含まれる強磁性層５２の層数は、第２磁化固定層６５に含まれる強磁性層６２の層数と異なる。例えば、第１磁化固定層５５に含まれる強磁性層５２の層数は２層であり、第２磁化固定層６５に含まれる強磁性層６２の層数は１層である。
第２実施形態にかかる磁壁移動素子１０１は、磁壁移動素子１００と同様の効果を奏する。
また第２実施形態にかかる磁壁移動素子１０１は、一方向に外部磁場を印加するだけで、簡単に第１領域Ａ１と第２領域Ａ２の磁化の配向方向を反対にできる。第１磁化固定層５５と第２磁化固定層６５とは、厚みが異なり、飽和磁化量が異なる。この飽和磁化量の違いを利用することで、第１磁化固定層５５の磁化の配向方向と第２磁化固定層６５の磁化の配向方向とを反対にでき、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２の磁化の配向方向が反対になる。
「第３実施形態」
図６は、第３実施形態にかかる磁壁移動素子１０２を磁壁移動層１０のｙ方向の中心を通るｘｚ平面で切断した断面図である。第３実施形態にかかる磁壁移動素子１０２は、第１磁化固定層５６、第２磁化固定層６６の構成が、第２実施形態にかかる磁壁移動素子１０１と異なる。第３実施形態において、第２実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省く。
第１磁化固定層５６は、磁気結合層５１と強磁性層５２の積層順が、第２実施形態にかかる第１磁化固定層５５と異なる。第２磁化固定層６６も、磁気結合層６１と強磁性層６２の積層順が、第２実施形態にかかる第２磁化固定層６５と異なる。第１磁化固定層５６のうちの最も基板Ｓｕｂ側の強磁性層５２は、磁壁移動層１０の強磁性層１１と直接接している。また第２磁化固定層６６のうちの最も基板Ｓｕｂ側の強磁性層６２は、磁壁移動層１０の強磁性層１１と直接接している。
第３実施形態にかかる磁壁移動素子１０２は、磁壁移動素子１０１と同様の効果を奏する。また磁壁移動層１０の強磁性層１１と第１磁化固定層５６及び第２磁化固定層６６の強磁性層５２，６２が直接接することで、磁壁移動層１０と第１磁化固定層５６及び第２磁化固定層６６との間の磁気的な繋がりが強くなる。その結果、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の磁化が強く固定され、磁壁ＤＷが第１領域Ａ１又は第２領域Ａ２に侵入することを防止できる。
「第４実施形態」
図７は、第４実施形態にかかる磁壁移動素子１０３を磁壁移動層１３のｙ方向の中心を通るｘｚ平面で切断した断面図である。第４実施形態にかかる磁壁移動素子１０３は、磁壁移動層１３の構成が、第３実施形態にかかる磁壁移動素子１０２と異なる。第４実施形態において、第３実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省く。
磁壁移動層１３は、強磁性層１１と挿入層１２とを有する。強磁性層１１と挿入層１２とは、交互に積層されている。磁壁移動層１３に含まれる強磁性層１１のうち最も非磁性層２０の近くにある第１強磁性層１１Ａは、磁壁移動層１３に含まれる他の強磁性層１１より厚みが厚い。
第４実施形態にかかる磁壁移動素子１０３は、磁壁移動素子１０２と同様の効果を奏する。
上述のように、磁壁移動素子１０３は上方から加工されるため、基板Ｓｕｂに近いほどダメージを受ける可能性が下がる。基板Ｓｕｂに近い側の第１強磁性層１１Ａの厚みを厚くすることで、磁壁移動素子１０３の磁壁ＤＷの制御性が高まる。また挿入層１２は、エッチングストッパーとしても機能するため、挿入層１２を磁壁移動層１３の上部に多くすることで、磁壁移動素子１０３への加工ダメージをより抑制できる。
「第５実施形態」
図８は、第５実施形態にかかる磁壁移動素子１０４を磁壁移動層１０のｙ方向の中心を通るｘｚ平面で切断した断面図である。第５実施形態にかかる磁壁移動素子１０４は、第１磁化固定層５７及び第２磁化固定層６７の構成が、第１実施形態にかかる磁壁移動素子１００と異なる。第５実施形態において、第１実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省く。
第１磁化固定層５７は、一部が磁壁移動層１０に挿入されている。第１磁化固定層５７の下面５７ｂは、磁壁移動層１０の第３領域Ａ３の上面１０ａより下方にある。第１磁化固定層５７は、磁壁移動層１０上に絶縁層Ｉｎを積層し、その絶縁層Ｉｎに溝を形成し、溝内に強磁性層５３と磁気結合層５４とを交互に積層することで得られる。第１磁化固定層５７は、強磁性層５３と磁気結合層５４とを交互に有する。
第２磁化固定層６７は、一部が磁壁移動層１０に挿入されている。第２磁化固定層６７の下面６７ｂは、磁壁移動層１０の第３領域Ａ３の上面１０ａより下方にある。第２磁化固定層６７は、磁壁移動層１０上に絶縁層Ｉｎを積層し、その絶縁層Ｉｎに溝を形成し、溝内に強磁性層６３と磁気結合層６４とを交互に積層することで得られる。第２磁化固定層６７は、強磁性層６３と磁気結合層６４とを交互に有する。
第１磁化固定層５７の上面５７ａ及び第２磁化固定層６７の上面６７ａは、溝の形状に合わせてｚ方向に窪んでいる。第１導電層７３は、上面５７ａの窪みに嵌合している。また第２導電層７４は、上面６７ａの窪みに嵌合している。
強磁性層５３、６３は、強磁性層５２、６２と同様の材料からなる。磁気結合層５４、６４は、磁気結合層５１、６１と同様の材料からなる。
第５実施形態にかかる磁壁移動素子１０４は、磁壁移動素子１００と同様の効果を奏する。
また第５実施形態にかかる磁壁移動素子１０４は、磁壁移動層１０に対して第１磁化固定層５７及び第２磁化固定層６７の一部が食い込んでいる。そのため、磁壁移動層１０と第１磁化固定層５７及び第２磁化固定層６７との間の磁気的な繋がりが強く、磁化が強く固定される。
「第６実施形態」
図９は、第６実施形態にかかる磁壁移動素子１０５を磁壁移動層１０のｙ方向の中心を通るｘｚ平面で切断した断面図である。第６実施形態にかかる磁壁移動素子１０５は、垂直磁気誘起層８０をさらに備える点が、第１実施形態にかかる磁壁移動素子１００と異なる。第６実施形態において、第１実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省く。
垂直磁気誘起層８０は、磁壁移動層１０上にある。垂直磁気誘起層８０は、例えば、磁壁移動層１０の第３領域Ａ３上にある。垂直磁気誘起層８０は、磁壁移動層１０の強磁性層１１の垂直磁気異方性を強める。垂直磁気誘起層８０は、例えば、ＭｇＯ、Ｍｇ－Ａｌ－Ｏ、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔからなる群から選択されるいずれかを含む。
第６実施形態にかかる磁壁移動素子１０５は、磁壁移動素子１００と同様の効果を奏する。また垂直磁気誘起層８０により強磁性層１１の垂直磁気異方性が高まり、磁壁移動素子１０５の外部からの擾乱に対する安定性がより大きくなる。
また図１０は、第６実施形態に係る磁壁移動素子の変形例の断面図である。図１０に示す磁壁移動素子１０５Ａは、垂直磁気誘起層８１が第１磁化固定層５０と磁壁移動層１０との間及び第２磁化固定層６０と磁壁移動層１０との間まで延在している点が、図９に示す磁壁移動素子１０５と異なる。
垂直磁気誘起層８１は、少なくとも、第１磁化固定層５０と磁壁移動層１０の間と、第２磁化固定層６０と磁壁移動層１０の間とのうち少なくとも一方にある。垂直磁気誘起層８１が第１磁化固定層５０又は第２磁化固定層６０と磁壁移動層１０との間にあると、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の磁化安定性が高まり、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２への磁壁ＤＷを抑制できる。垂直磁気誘起層８１の第１磁化固定層５０と磁壁移動層１０の間、又は、第２磁化固定層６０と磁壁移動層１０の間に挿入されている部分の厚みは、磁壁移動層１０と第１磁化固定層５０、又は、磁壁移動層１０と第２磁化固定層６０との間の強磁性的なカップリングを維持できる範囲で、挿入層１２の厚みよりも厚いことが好ましい。また垂直磁気誘起層８１の上記の間に挿入されている部分以外の厚みは、これらの間に挿入されている部分の厚みよりも薄くてもよい。
「第７実施形態」
図１１は、第７実施形態にかかる磁壁移動素子１０６を磁壁移動層１４のｙ方向の中心を通るｘｚ平面で切断した断面図である。第７実施形態にかかる磁壁移動素子１０６は、磁壁移動層１４の構成が、第３実施形態にかかる磁壁移動素子１０２と異なる。第７実施形態において、第３実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省く。
磁壁移動層１４は、強磁性層１１と挿入層１２とを有する。強磁性層１１と挿入層１２とは、交互に積層されている。磁壁移動層１３に含まれる挿入層１２のうち最も非磁性層２０から遠くにある第２挿入層１２Ｂは、磁壁移動層１３に含まれる他の挿入層１２より厚みが厚い。
第７実施形態にかかる磁壁移動素子１０６は、磁壁移動素子１０２と同様の効果を奏する。
上述のように、磁壁移動素子１０６は上方から加工されるため、基板Ｓｕｂに近いほどダメージを受ける可能性が下がる。基板Ｓｕｂから離れた位置の挿入層１２の厚みを厚くすることで、磁壁移動素子１０６への加工ダメージ（特にＭＲ比への影響が大きい強磁性層１１に対するダメージ）をより抑制できる。
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はこれらの実施形態に限られるものではない。例えば、それぞれの実施形態の特徴的な構成を組み合わせてもよいし、発明の要旨を変更しない範囲で一部を変更してもよい。
１０、１３、１４…磁壁移動層、１０ａ，５７ａ，６７ａ…上面、１１，５２，５３，６２，６３…強磁性層、１１Ａ…第１強磁性層、１２…挿入層、１２Ａ…第１挿入層、２０…非磁性層、３０…参照層、４０…磁気抵抗効果素子、５０，５５，５６，５７…第１磁化固定層、５１，５４，６１，６４…磁気結合層、５７ｂ，６７ｂ…下面、６０，６５，６６，６７…第２磁化固定層、７１，７３…第１導電層、７２，７４…第２導電層、８０，８１…垂直磁気誘起層、１００，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５…磁壁移動素子、２００…磁気アレイ、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、Ａ３…第３領域、Ａ３ａ…第１磁区、Ａ３ｂ…第２磁区、Ｉｎ…絶縁層

Claims (14)

  1. 基板に近い側から順に、参照層と非磁性層と磁壁移動層とを有する磁気抵抗効果素子と、
    前記磁壁移動層にそれぞれ接し、互いに離間している第１磁化固定層と第２磁化固定層と、を備え、
    前記磁壁移動層は、複数の挿入層を含んだ強磁性層を含み、
    前記強磁性層は、Ｃｏ及びＦｅを含み、垂直磁気異方性を有し、
    書き込み時に、前記第１磁化固定層と前記第２磁化固定層との間に、前記磁壁移動層に沿って書き込み電流を流す、磁壁移動素子。
  2. 前記第１磁化固定層と前記第２磁化固定層とは、厚みが異なる、請求項１に記載の磁壁移動素子。
  3. 前記第１磁化固定層及び前記第２磁化固定層はそれぞれ、交互に積層された磁気結合層と強磁性層とを有し、
    前記第１磁化固定層に含まれる強磁性層の層数は、前記第２磁化固定層に含まれる強磁性層の層数と異なる、請求項１又は２に記載の磁壁移動素子。
  4. 前記挿入層は、ＭｇＯ、Ｍｇ－Ａｌ－Ｏ、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔからなる群から選択されるいずれかを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。
  5. 前記挿入層は、島状に分散する複数の挿入領域を有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。
  6. 前記挿入層のうち最も前記非磁性層の近くにある第１挿入層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔからなる群から選択されるいずれかを含み、
    前記第１挿入層以外の挿入層のうちのいずれかは、ＭｇＯ又はＭｇ－Ａｌ－Ｏを含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。
  7. 前記磁壁移動層に含まれる強磁性層のうち最も前記非磁性層の近くにある第１強磁性層は、前記磁壁移動層に含まれる他の強磁性層より厚みが厚い、請求項１～６のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。
  8. 前記磁壁移動層に含まれる挿入層のうち最も前記非磁性層から遠くにある挿入層は、前記磁壁移動層に含まれる他の挿入層より厚みが厚い、請求項１～７のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。
  9. 前記第１磁化固定層及び前記第２磁化固定層の下面は、前記磁壁移動層の上面より下方にある、請求項１～８のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。
  10. 垂直磁気誘起層をさらに備え、
    前記垂直磁気誘起層は、前記磁壁移動層上にある、請求項１～９のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。
  11. 前記垂直磁気誘起層は、ＭｇＯ、Ｍｇ－Ａｌ－Ｏ、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔからなる群から選択されるいずれかを含む、請求項１０に記載の磁壁移動素子。
  12. 前記垂直磁気誘起層は、少なくとも、前記第１磁化固定層と前記磁壁移動層の間と、前記第２磁化固定層と前記磁壁移動層の間とのうち少なくとも一方にある、請求項１０又は１１に記載の磁壁移動素子。
  13. 前記第１磁化固定層に接する第１導電層と、前記第２磁化固定層に接する第２導電層と、をさらに有し、
    前記第１導電層は、前記第１導電層の上面に形成された窪みに嵌合する、請求項１～１２のいずれか一項に記載の磁壁移動素子。
  14. 請求項１～１３のいずれか一項に記載の磁壁移動素子を複数備える、磁気アレイ。
JP2021136601A 2020-10-01 2021-08-24 磁壁移動素子および磁気アレイ Active JP7670581B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111146579.9A CN114373780A (zh) 2020-10-01 2021-09-28 磁畴壁移动元件及磁阵列
US17/488,436 US20220109102A1 (en) 2020-10-01 2021-09-29 Magnetic domain wall movement element and magnetic array

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
WOPCT/JP2020/037408 2020-10-01
PCT/JP2020/037408 WO2022070378A1 (ja) 2020-10-01 2020-10-01 磁壁移動素子および磁気アレイ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022059565A true JP2022059565A (ja) 2022-04-13
JP7670581B2 JP7670581B2 (ja) 2025-04-30

Family

ID=80950015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021136601A Active JP7670581B2 (ja) 2020-10-01 2021-08-24 磁壁移動素子および磁気アレイ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220109102A1 (ja)
JP (1) JP7670581B2 (ja)
CN (1) CN114373780A (ja)
WO (1) WO2022070378A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024176297A1 (ja) * 2023-02-20 2024-08-29 Tdk株式会社 磁壁移動素子及び磁気アレイ
WO2025134192A1 (ja) * 2023-12-18 2025-06-26 Tdk株式会社 磁壁移動素子、磁気アレイ、ニューロモルフィックデバイス及び磁壁移動素子の製造方法

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW265440B (ja) * 1993-04-30 1995-12-11 Ibm
JP3560284B2 (ja) * 2000-01-28 2004-09-02 Ｔｄｋ株式会社 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法
JP4024499B2 (ja) * 2001-08-15 2007-12-19 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
JP2003152239A (ja) 2001-11-12 2003-05-23 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果素子、及び、それを有する読み取りヘッド並びにドライブ
JP4686430B2 (ja) * 2002-03-28 2011-05-25 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
JP2006221703A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Fujitsu Ltd 光磁気記録媒体
JP5077802B2 (ja) * 2005-02-16 2012-11-21 日本電気株式会社 積層強磁性構造体、及び、ｍｔｊ素子
JP2006287081A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Fuji Electric Holdings Co Ltd スピン注入磁区移動素子およびこれを用いた装置
JP2006303159A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Fuji Electric Holdings Co Ltd スピン注入磁区移動素子およびこれを用いた装置
US7672088B2 (en) * 2006-06-21 2010-03-02 Headway Technologies, Inc. Heusler alloy with insertion layer to reduce the ordering temperature for CPP, TMR, MRAM, and other spintronics applications
JP2008097685A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 Fujitsu Ltd 垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置
JP4516086B2 (ja) * 2007-03-01 2010-08-04 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置
JP5598697B2 (ja) * 2007-06-25 2014-10-01 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子、および磁気ランダムアクセスメモリ
JP5299735B2 (ja) * 2007-08-24 2013-09-25 日本電気株式会社 磁壁ランダムアクセスメモリ
EP2299451B1 (en) * 2007-12-20 2012-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Data storage device using magnetic domain wall movement and method of operating the data storage device
WO2009101827A1 (ja) * 2008-02-13 2009-08-20 Nec Corporation 磁壁移動素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
JP5445970B2 (ja) * 2008-04-02 2014-03-19 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
JP5370907B2 (ja) * 2008-04-03 2013-12-18 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ
US8559214B2 (en) * 2008-12-25 2013-10-15 Nec Corporation Magnetic memory device and magnetic random access memory
US8687414B2 (en) * 2008-12-25 2014-04-01 Nec Corporation Magnetic memory element and magnetic random access memory
WO2010087389A1 (ja) * 2009-01-30 2010-08-05 日本電気株式会社 磁気メモリ素子、磁気メモリ
JP2010219156A (ja) 2009-03-13 2010-09-30 Nec Corp 磁壁移動素子、及び、磁気ランダムアクセスメモリ
US8063460B2 (en) * 2009-12-18 2011-11-22 Intel Corporation Spin torque magnetic integrated circuits and devices therefor
WO2011078018A1 (ja) * 2009-12-24 2011-06-30 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
US8884388B2 (en) * 2010-03-23 2014-11-11 Nec Corporation Magnetic memory element, magnetic memory and manufacturing method of magnetic memory
JP5545532B2 (ja) * 2010-03-26 2014-07-09 日本電気株式会社 磁気メモリ及びその製造方法
WO2011152281A1 (ja) 2010-06-03 2011-12-08 株式会社日立製作所 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
JP5093910B2 (ja) * 2010-09-16 2012-12-12 株式会社東芝 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
JP5794892B2 (ja) * 2010-11-26 2015-10-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 磁気メモリ
JP5750725B2 (ja) * 2011-07-21 2015-07-22 国立研究開発法人物質・材料研究機構 磁壁移動型の磁気記録素子及び磁気記録方法
JP5856490B2 (ja) * 2012-01-20 2016-02-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
JP2013175598A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Renesas Electronics Corp 磁壁移動素子の製造方法
US8710603B2 (en) * 2012-02-29 2014-04-29 Headway Technologies, Inc. Engineered magnetic layer with improved perpendicular anisotropy using glassing agents for spintronic applications
WO2013153942A1 (ja) * 2012-04-09 2013-10-17 国立大学法人東北大学 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
JP2014036146A (ja) * 2012-08-09 2014-02-24 Renesas Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
US9029965B2 (en) * 2012-12-03 2015-05-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing magnetic junctions having a thermally stable and easy to switch magnetic free layer
US8786039B2 (en) * 2012-12-20 2014-07-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing magnetic junctions having engineered perpendicular magnetic anisotropy
US20150162042A1 (en) * 2013-12-06 2015-06-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the same
US10008248B2 (en) * 2014-07-17 2018-06-26 Cornell University Circuits and devices based on enhanced spin hall effect for efficient spin transfer torque
JP2016178252A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 株式会社東芝 磁壁移動素子を備えた不揮発性ｓｒａｍ
JP2017016720A (ja) 2015-06-30 2017-01-19 株式会社東芝 垂直磁気記録媒体
US10396274B2 (en) * 2016-03-08 2019-08-27 Tohoku University Spin electronics element and method of manufacturing thereof
US10686127B2 (en) * 2016-03-28 2020-06-16 National University Of Singapore Antiferromagnet and heavy metal multilayer magnetic systems for switching magnetization using spin-orbit torque
JP6801711B2 (ja) * 2016-06-10 2020-12-16 Tdk株式会社 交換バイアス利用型磁化反転素子、交換バイアス利用型磁気抵抗効果素子、交換バイアス利用型磁気メモリ、不揮発性ロジック回路および磁気ニューロン素子
WO2018044127A1 (ko) 2016-09-02 2018-03-08 한양대학교 산학협력단 뉴로모픽 소자 및 그 구동 방법
KR101898668B1 (ko) * 2016-09-02 2018-10-31 한양대학교 산학협력단 시냅스 소자 및 그 구동 방법
CN107221596A (zh) * 2017-05-25 2017-09-29 湖北中部慧易数据科技有限公司 一种用于实现自旋扭矩传递切换的磁性元件、制备方法及磁存储器件
JP6965760B2 (ja) * 2018-01-10 2021-11-10 Tdk株式会社 磁壁移動型磁気記録素子
US10600461B2 (en) * 2018-01-12 2020-03-24 Tdk Corporation Magnetic domain wall displacement type magnetic recording element and magnetic recording array
CN110462814B (zh) * 2018-03-08 2023-07-21 Tdk株式会社 自旋元件及磁存储器
JP7056316B2 (ja) * 2018-03-29 2022-04-19 Tdk株式会社 磁壁移動型磁気記録素子、磁壁移動型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
US10756255B2 (en) * 2018-05-17 2020-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device with asymmetrical pinned magnets, and method of manufacture
JP2019220544A (ja) * 2018-06-19 2019-12-26 日本放送協会 磁壁移動型空間光変調器
WO2020026637A1 (ja) * 2018-08-02 2020-02-06 国立大学法人東北大学 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
JP6555404B1 (ja) * 2018-08-02 2019-08-07 Tdk株式会社 磁壁移動型磁気記録素子及び磁気記録アレイ
KR102697079B1 (ko) 2018-08-30 2024-08-22 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 자기 저항 효과 소자, 자기 메모리, 및 그 자기 저항 효과 소자의 성막 방법
US10923169B2 (en) * 2018-09-28 2021-02-16 Tdk Corporation Magnetic recording array and magnetic recording device
JP6499798B1 (ja) * 2018-09-28 2019-04-10 Tdk株式会社 磁気記録アレイ
US10916283B2 (en) * 2019-02-22 2021-02-09 Tdk Corporation Magnetic domain wall movement element and magnetic recording array
JP7400502B2 (ja) * 2019-02-22 2023-12-19 Tdk株式会社 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ
JP7173311B2 (ja) * 2019-05-15 2022-11-16 Tdk株式会社 磁壁移動素子、磁気記録アレイ及び半導体装置
JP2021052050A (ja) * 2019-09-24 2021-04-01 スピンセンシングファクトリー株式会社 磁気センサ
JP7419729B2 (ja) * 2019-10-01 2024-01-23 Tdk株式会社 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ
JP2021110787A (ja) * 2020-01-08 2021-08-02 日本放送協会 磁壁移動型空間光変調器
JP2021132110A (ja) * 2020-02-19 2021-09-09 Tdk株式会社 磁壁移動素子および磁気記録アレイ
WO2021166137A1 (ja) * 2020-02-20 2021-08-26 Tdk株式会社 磁壁移動素子および磁気記録アレイ
CN119968099A (zh) * 2020-05-26 2025-05-09 Tdk株式会社 磁畴壁移动元件及磁存储阵列
JP7666919B2 (ja) * 2020-12-15 2025-04-22 Tdk株式会社 磁壁移動素子及び磁気アレイ
JP7624351B2 (ja) * 2021-06-09 2025-01-30 Tdk株式会社 磁壁移動素子及び磁気アレイ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024176297A1 (ja) * 2023-02-20 2024-08-29 Tdk株式会社 磁壁移動素子及び磁気アレイ
WO2025134192A1 (ja) * 2023-12-18 2025-06-26 Tdk株式会社 磁壁移動素子、磁気アレイ、ニューロモルフィックデバイス及び磁壁移動素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7670581B2 (ja) 2025-04-30
WO2022070378A1 (ja) 2022-04-07
US20220109102A1 (en) 2022-04-07
CN114373780A (zh) 2022-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7211252B2 (ja) スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
JP7173311B2 (ja) 磁壁移動素子、磁気記録アレイ及び半導体装置
US12225830B2 (en) Magnetoresistance effect element and magnetic recording array
JP2021057519A (ja) 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ
WO2021166137A1 (ja) 磁壁移動素子および磁気記録アレイ
JP2022059565A (ja) 磁壁移動素子および磁気アレイ
JP7211564B1 (ja) 磁壁移動素子、磁気アレイ及び磁壁移動素子の製造方法
JP7666919B2 (ja) 磁壁移動素子及び磁気アレイ
US20250204263A1 (en) Magnetization rotating element, magnetoresistive effect element, and magnetic memory
JP7470599B2 (ja) 配線層、磁壁移動素子および磁気アレイ
US11257533B2 (en) Magnetic memory and method for controlling the same
US20240420785A1 (en) Magnetic domain wall motion element, magnetic recording array, and magnetic memory
JP7024914B2 (ja) 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ
US20250255191A1 (en) Magnetization rotation element, magnetoresistive effect element, and magnetic memory
US12035638B2 (en) Magnetoresistance effect element and magnetic memory
US20240385263A1 (en) Magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory
JP7608291B2 (ja) 磁気抵抗効果素子、磁気アレイ及び磁化回転素子
TW202504463A (zh) 磁性元件及磁性記憶體
CN115458678A (zh) 磁畴壁移动元件和磁阵列
CN115700065A (zh) 磁化旋转元件、磁阻效应元件和磁存储器
WO2023026481A1 (ja) 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
JP2022025821A (ja) 磁気メモリ
TW202137593A (zh) 磁化旋轉元件、磁阻效應元件、半導體元件、磁記錄陣列及磁阻效應元件的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240516

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20241029

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20250106

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20250318

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20250417

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7670581

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

点击 这是indexloc提供的php浏览器服务，不要输入任何密码和下载