JP2019067747A - OLED display device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
【課題】副画素間のクロストークによる画像品質の低下を抑制する。【解決手段】OLED表示装置は、基板の面上に配列された、複数の副画素と、複数の副画素それぞれの発光領域を囲む画素定義層と、を含む。複数の副画素のそれぞれは、上部電極と、下部電極と、上部電極と下部電極との間において上部電極及び下部電極と積層された有機発光層と、下部電極と有機発光層との間において下部電極及び有機発光層と積層された下部キャリア供給層と、を含む。下部キャリア供給層は、下部電極及び有機発光層それぞれと接触し、下部電極から有機発光層へキャリアを供給し、下部電極の画素定義層の開口内の全面を覆い、下部電極を囲む画素定義層の頂面に端を有する。有機発光層は、下部キャリア供給層の端を含む下部キャリア供給層の全面を覆う。【選択図】図2BPROBLEM TO BE SOLVED: To suppress deterioration of image quality due to crosstalk between sub-pixels. An OLED display device includes a plurality of sub-pixels arranged on a surface of a substrate, and a pixel definition layer surrounding a light emitting region of each of the plurality of sub-pixels. Each of the plurality of sub-pixels has an upper electrode, a lower electrode, an organic light emitting layer laminated with the upper electrode and the lower electrode between the upper electrode and the lower electrode, and a lower portion between the lower electrode and the organic light emitting layer. It includes an electrode and a lower carrier supply layer laminated with an organic light emitting layer. The lower carrier supply layer comes into contact with each of the lower electrode and the organic light emitting layer, supplies carriers from the lower electrode to the organic light emitting layer, covers the entire surface in the opening of the pixel definition layer of the lower electrode, and surrounds the lower electrode. Has an edge on the top surface of the. The organic light emitting layer covers the entire surface of the lower carrier supply layer including the end of the lower carrier supply layer. [Selection diagram] FIG. 2B
Description
本開示は、OLED表示装置及びその製造方法に関する。 The present disclosure relates to an OLED display device and a method of manufacturing the same.
OLED(Organic Light−Emitting Diode)素子は電流駆動型の自発光素子であるため、バックライトが不要となる上に、低消費電力、高視野角、高コントラスト比が得られるなどのメリットがあり、フラットパネルディスプレイの開発において期待されている。 OLEDs (Organic Light-Emitting Diodes) are current-driven self-luminous elements, so there is no need for backlighting and there are advantages such as low power consumption, high viewing angle, and high contrast ratio, etc. It is expected in the development of flat panel displays.
典型的なOLED表示装置は、行列状に配置された複数の副画素を含む。各副画素は、青、赤又は緑のいずれかの色を発光する有機発光層と、有機発光層を挟む陽極及び陰極を含む。例えば、特許文献1、2は、OLED表示装置の構成例を示す。 A typical OLED display includes a plurality of sub-pixels arranged in a matrix. Each sub-pixel includes an organic light emitting layer emitting light of any of blue, red or green, and an anode and a cathode sandwiching the organic light emitting layer. For example, patent documents 1 and 2 show an example of composition of an OLED display.
OLED表示装置においては様々な原因により画像品質が低下するので、その低下を抑制することが望まれる。 In an OLED display device, image quality is degraded due to various causes, and it is desirable to suppress the degradation.
本開示の一態様のOLED表示装置は、基板の面上に配列された、複数の副画素と、前記複数の副画素それぞれの発光領域を囲む画素定義層と、を含む。前記複数の副画素のそれぞれは、上部電極と、下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間において前記上部電極及び前記下部電極と積層された有機発光層と、前記下部電極と前記有機発光層との間において前記下部電極及び前記有機発光層と積層された下部キャリア供給層と、を含む。前記下部キャリア供給層は、前記下部電極及び前記有機発光層それぞれと接触し、前記下部電極から前記有機発光層へキャリアを供給し、前記下部電極の前記画素定義層の開口内の全面を覆い、前記下部電極を囲む前記画素定義層の頂面に端を有する。前記有機発光層は、前記下部キャリア供給層の前記端を含む前記下部キャリア供給層の全面を覆う。 The OLED display device according to an aspect of the present disclosure includes a plurality of sub-pixels arranged on the surface of a substrate, and a pixel definition layer surrounding a light emitting area of each of the plurality of sub-pixels. Each of the plurality of sub-pixels includes an upper electrode, a lower electrode, an organic light emitting layer laminated with the upper electrode and the lower electrode between the upper electrode and the lower electrode, the lower electrode, and the organic And a lower carrier supply layer stacked with the lower electrode and the organic light emitting layer between the light emitting layer and the lower light emitting layer. The lower carrier supply layer is in contact with the lower electrode and the organic light emitting layer, supplies carriers from the lower electrode to the organic light emitting layer, and covers the entire surface in the opening of the pixel defining layer of the lower electrode. It has an end on the top surface of the pixel definition layer surrounding the lower electrode. The organic light emitting layer covers the entire surface of the lower carrier supply layer including the end of the lower carrier supply layer.
本開示の一態様によれば、副画素間のクロストークによる画像品質の低下を抑制できる。 According to one aspect of the present disclosure, it is possible to suppress deterioration in image quality due to crosstalk between sub-pixels.
以下において、OLED(Organic Light−Emitting Diode)の構成及びその製造方法を開示する。本実施の形態で説明するOLED表示装置の発明者らは、OLED表示パネルにおいて、青色の副画素のみを発光させた場合に、本来であれば発光しないはずの赤及び緑副画素が微弱に発光することがあることを見出した。意図しない副画素の発光は、表示画像の色純度の低下、特に、低階調表示異常を引き起こす。したがって、意図しない副画素の発光を防止することが望ましい。 In the following, the structure of an OLED (Organic Light-Emitting Diode) and a method of manufacturing the same will be disclosed. The inventors of the OLED display device described in this embodiment show that in the OLED display panel, when only blue sub-pixels emit light, the red and green sub-pixels which should not emit light emit weakly I found out that there is something to do. The unintended sub-pixel light emission causes a reduction in color purity of the displayed image, in particular, a low gradation display abnormality. Therefore, it is desirable to prevent light emission of unintended sub-pixels.
発明者らの研究によれば、OLED表示パネルにおいて、副画素において電極と有機発光層との間にキャリア移動性を有するキャリア供給層が表示領域全面にわたり形成されている場合、意図しない副画素の発光が起こることが分かった。キャリア供給層は、例えば正孔注入層及び/又は正孔輸送層を含む正孔供給層である。 According to the inventors' research, in the OLED display panel, when the carrier supply layer having carrier mobility is formed between the electrode and the organic light emitting layer in the sub-pixel, the unintended sub-pixel is formed. It was found that luminescence occurred. The carrier supply layer is, for example, a hole supply layer including a hole injection layer and / or a hole transport layer.
隣接副画素間で印加電圧に差が存在する場合、隣接副画素間でこのキャリア供給層を介したキャリアリークが発生する。例えば、青副画素のみを発光させる場合、青副画素に与えた電流の中の、微少な電流が、発光を意図しない赤及び緑の隣接副画素にこのキャリア供給層を介して流れる。この微小電流が流れる経路はリークパスとも呼ばれる。 When there is a difference in applied voltage between adjacent sub-pixels, carrier leak occurs between the adjacent sub-pixels via the carrier supply layer. For example, in the case where only the blue sub-pixel emits light, a minute current in the current supplied to the blue sub-pixel flows through the carrier supply layer to the adjacent red and green sub-pixels not intended to emit light. The path through which this minute current flows is also called a leak path.
この微少電流が、赤及び緑の隣接副画素をわずかに発光させる(いわゆる、クロストーク)。この現象は、隣接副画素間の距離が近いほどより顕著であり、特に、低諧調表示の場合に認識されやすい。そこで、本実施の形態では、このキャリアリークを抑制するため、リークパスを低減又は無くす、OLED表示装置の構造を説明する。 This minute current causes the red and green adjacent sub-pixels to slightly emit light (so-called crosstalk). This phenomenon is more pronounced as the distance between adjacent sub-pixels is shorter, and is particularly easily recognized in the case of low gradation display. Therefore, in the present embodiment, a structure of the OLED display device will be described in which the leak path is reduced or eliminated in order to suppress the carrier leak.
以下に開示するOLED表示装置において、下部電極から有機発光層へキャリアを供給する下部キャリア供給層は、画素定義層の開口内で下部電極の全面を覆い、下部電極を囲む画素定義層の頂面に端を有する。有機発光層は、下部キャリア供給層の端を含む下部キャリア供給層の全面を覆う。これにより、隣接副画素間の下部キャリア供給層におけるリークパスを低減又は無くし、異なる色の隣接副画素間におけるキャリアリークを抑制することができる。 In the OLED display disclosed below, the lower carrier supply layer for supplying carriers from the lower electrode to the organic light emitting layer covers the entire surface of the lower electrode within the opening of the pixel definition layer and a top surface of the pixel definition layer surrounding the lower electrode. Have ends. The organic light emitting layer covers the entire surface of the lower carrier supply layer including the end of the lower carrier supply layer. As a result, the leak path in the lower carrier supply layer between adjacent subpixels can be reduced or eliminated, and carrier leak between adjacent subpixels of different colors can be suppressed.
以下、添付図面を参照して実施形態を説明する。実施形態は本発明を実現するための一例に過ぎず、本発明の技術的範囲を限定するものではない。各図において共通の構成については同一の参照符号が付されている。説明をわかりやすくするため、図示した物の寸法、形状については、誇張して記載している場合もある。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the attached drawings. The embodiments are merely examples for realizing the present invention, and do not limit the technical scope of the present invention. The same reference numerals are given to the same configuration in each drawing. In order to make the description easy to understand, the dimensions and shapes of the illustrated objects may be exaggerated.
<実施形態1>
[装置構成]
図1は、本実施形態に係る、OLED表示装置10の構成例を模式的に示す。OLED表示装置10は、OLED素子が形成されるTFT(Thin Film Transistor)基板100と、OLED素子を封止する封止基板200と、TFT基板100と封止基板200とを接合する接合部(ガラスフリットシール部)300を含んで構成されている。TFT基板100と封止基板200との間には、例えば、窒素が封入されており、接合部300により封止されている。
First Embodiment
[Device configuration]
FIG. 1 schematically shows a configuration example of an
TFT基板100の表示領域125の外側のカソード電極形成領域114の周囲に、走査ドライバ131、エミッションドライバ132、保護回路133、ドライバIC134が配置されている。これらは、FPC(Flexible Printed Circuit)135を介して外部の機器と接続される。
A
走査ドライバ131はTFT基板100の走査線を駆動する。エミッションドライバ132は、エミッション制御線を駆動して、各副画素の発光期間を制御する。ドライバIC134は、例えば、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)を用いて実装される。
The
ドライバIC134は、走査ドライバ131及びエミッションドライバ132に電源及びタイミング信号(制御信号)を与え、さらに、データ線に映像データに対応するデータ電圧を与える。すなわち、ドライバIC134は、表示制御機能を有する。
The
封止基板200は、透明な絶縁基板であって、例えばガラス基板である。封止基板200の光出射面(前面)に、λ/4位相差板と偏光板とが配置され、外部から入射した光の反射を抑制する。
The sealing
図2Aは、表示領域125の一部の平面図を示す。図2Aは、行列状に配置された複数の副画素を示す。少なくとも3つの副画素は、それぞれ異なる第1色〜第3色を発光する副画素である。なお、第1色は例えば青色、第2色は例えば赤色、第3色は例えば緑色である。図2Aは、赤副画素(発光領域)251R、青副画素(発光領域)251B、及び緑副画素(発光領域)251Gを示す。図2Aにおける副画素のうち、赤、青、緑それぞれの一つの副画素のみが、符号で指示されている。各副画素は、赤、青、又は緑のいずれかの色を表示する。赤、青、及び緑副画素により一つの画素(主画素)が構成される。
FIG. 2A shows a plan view of a portion of the
図2Aの例において、行方向(図2Aにおける左右方向)において、赤副画素251R、青副画素251B、緑副画素251Gが、循環的に配列されている。図2Aの例において、左から右に向かって、異なる色の副画素(発光領域)は、赤副画素251R、青副画素251B、緑副画素251Gの順で配列されている。列方向(図2Aにおける上下方向)において、同一色の副画素が配列されている。なお、赤副画素、青副画素、緑副画素の順序は、任意であり、例えば、赤画素、緑副画素、青副画素の順序であっても良い。
In the example of FIG. 2A, the
それぞれの副画素(発光領域)は、絶縁性の画素定義層253で囲まれている。画素定義層253は、副画素(発光領域)それぞれを画定する。副画素(発光領域)は、画素定義層253の開口内に形成されている。
Each sub-pixel (light emitting area) is surrounded by an insulating
各副画素(発光領域)の全領域は、同色の有機発光層で覆われている。具体的には、赤副画素251R、青副画素251B、緑副画素251Gは、それぞれ、の有機発光層269R、青有機発光層269B、緑有機発光層269Gで完全に覆われている。なお、図2Aにおける有機発光層のうち、赤、青、緑それぞれの一つの有機発光層のみが、符号で指示されている。
The entire area of each sub-pixel (light emitting area) is covered with the organic light emitting layer of the same color. Specifically, the
図2Bは、図2AにおけるIIB−IIB切断線での断面図を示す。OLED表示装置10は、TFT基板100と、TFT基板100に対向する封止基板(透明基板)200とを含む。図2Cは、TFT基板100の断面構造を模式的に示す。
FIG. 2B shows a cross-sectional view taken along the line IIB-IIB in FIG. 2A. The
OLED表示装置10は、絶縁基板261上に配置された、TFT回路層263と、複数の分離した下部電極(例えば、アノード電極265B、265G)とを含む。分離した下部電極は、下部電極層に含まれる。OLED表示装置10は、さらに、上部電極(層)(例えば、カソード電極(層)273)と、複数の有機発光層269B、269Gとを含む。なお、層は同時に形成される連続した一つの部分又は分離した複数の部分で構成され得る。以下においては、層の一部も層と呼ぶことがある。
The
絶縁基板261は、例えばガラス又は樹脂で形成されており、不撓性又は可撓性基板である。絶縁基板261に近い側を下側、遠い側を上側と記す。なお、カソード電極(上部電極)273の上には、不図示のキャップ層が形成されてもよい。
The insulating
アノード電極265B及び265Gは、それぞれ、青副画素251B及び緑副画素251Gのアノード電極である。カソード電極273は、有機発光層からの可視光の一部又は全てを封止構造部に向けて透過させる透明電極であり、全ての副画素に共通である。
The
カソード電極と1つのアノード電極との間に、有機発光層が配置されている。複数のアノード電極は、TFT回路層263の面上(例えば、平坦化膜上)に配置され、1つのアノード電極の上に1つの有機発光層が配置されている。 An organic light emitting layer is disposed between the cathode electrode and one anode electrode. The plurality of anode electrodes are disposed on the surface of the TFT circuit layer 263 (for example, on the planarization film), and one organic light emitting layer is disposed on one anode electrode.
TFT回路層263は、それぞれが複数のTFTを含む複数の副画素回路(以下、単に画素回路と記す)を有する。画素回路の各々は、絶縁基板261とアノード電極との間に形成され、アノード電極の各々に供給する電流を制御する。アノード電極は、平坦化膜のコンタクトホールに形成されたコンタクト部によって画素回路に接続される。
The
任意構成の画素回路を使用することができる。画素回路の一例は、例えば、副画素選択用のスイッチTFT、OLED素子の駆動用TFT、OLED素子への駆動電流の供給と停止を制御するスイッチTFT、及び、保持容量を含む。 Arbitrary pixel circuits can be used. An example of the pixel circuit includes, for example, a switch TFT for selecting a sub-pixel, a TFT for driving an OLED element, a switch TFT for controlling supply and stop of a drive current to the OLED element, and a storage capacitor.
図2Bにおいて、カソード電極273とアノード電極265Bとの間に、有機発光層269Bが配置されている。カソード電極273とアノード電極265Gとの間に、有機発光層269Gが配置されている。図2Bの例において、異なる色の有機発光層が形成されている。
In FIG. 2B, an organic
アノード電極と有機発光層との間に、正孔供給層が積層されている。正孔供給層は、アノード電極及び有機発光層それぞれと接触して界面を形成する。正孔供給層は、例えば、正孔注入層及び正孔輸送層からなる又はそれら層の機能を有する1層以上の層からなる。正孔供給層は、下部キャリア供給層とも呼ぶ。図2Bにおいて、各副画素の正孔供給層は、隣接する異なる色の副画素の正孔供給層から分離して形成されている。 A hole supply layer is stacked between the anode electrode and the organic light emitting layer. The hole supply layer is in contact with the anode electrode and the organic light emitting layer to form an interface. The hole supply layer comprises, for example, a hole injection layer and a hole transport layer, or one or more layers having the function of these layers. The hole supply layer is also referred to as a lower carrier supply layer. In FIG. 2B, the hole supply layer of each sub-pixel is formed separately from the hole supply layer of the adjacent sub-pixel of different color.
例えば、正孔供給層267Bは、アノード電極265Bと有機発光層269Bとの間に配置されており、正孔供給層267Gは、アノード電極265Gと有機発光層269Gとの間に配置されている。正孔供給層267B、267Gは、分離されている。
For example, the
カソード電極と有機発光層との間に、電子供給層が配置されている。電子供給層は、カソード電極及び有機発光層それぞれと接触して界面を形成する。図2Bにおいて、各副画素の電子供給層271は、副画素に共通な層の一部である。電子供給層271は、カソード電極273と有機発光層269Bとの間及びカソード電極273と有機発光層269Gとの間に配置されている。電子供給層271は、例えば、電子注入層及び電子輸送層からなる又はそれら層の機能を有する1層以上の層からなる。電子供給層271は、上部キャリア供給層とも呼ぶ。
An electron supply layer is disposed between the cathode electrode and the organic light emitting layer. The electron supply layer is in contact with the cathode electrode and the organic light emitting layer to form an interface. In FIG. 2B, the
一つのOLED素子は、画素定義層253の開口内において、下部電極であるアノード電極、正孔供給層、有機発光層、電子供給層、及び上部電極であるカソード電極を含んで構成される。
One OLED element includes an anode electrode as a lower electrode, a hole supply layer, an organic light emitting layer, an electron supply layer, and a cathode electrode as an upper electrode in the opening of the
画素定義層は、アノード電極と正孔供給層との間の層である。図2Bにおいては、画素定義層253は、アノード電極265B、265Gと正孔供給層267B、267Gとの間に形成されている。画素定義層253は、副画素が形成される開口内の側面と、開口間の頂面を含む。図2Bの例において、頂面はフラットである。
The pixel definition layer is a layer between the anode electrode and the hole supply layer. In FIG. 2B, the
図2Bに示すように、正孔供給層267Bは、アノード電極265B及び画素定義層253上に、それらに接触して形成されている。同様に、正孔供給層267Gは、アノード電極265G及び画素定義層253上に、それらに接触して形成されている。
As shown in FIG. 2B, the
図2Cは、副画素(画素定義層の開口)、正孔供給層、及び有機発光層の位置関係を模式的に示す。図2B及び2Cに示すように、正孔供給層267Bは、その周囲を囲む画素定義層253の頂面の一部を覆うように形成されている。つまり、正孔供給層267Bは頂面の一部上のみに形成され、正孔供給層267Bの端は、画素定義層253の頂面上に存在している。
FIG. 2C schematically shows the positional relationship between the sub-pixel (the opening of the pixel definition layer), the hole supply layer, and the organic light emitting layer. As shown in FIGS. 2B and 2C, the
同様に、正孔供給層267Gは、その周囲を囲む画素定義層253の頂面の一部を覆うように形成されている。つまり、正孔供給層267Gは頂面の一部上のみに形成され、正孔供給層267Gの端は、画素定義層253の頂面上に存在している。
Similarly, the
正孔供給層267Bと正孔供給層267Gとは面内方向(絶縁基板261の主面内の方向)で離れており、それらの間にはギャップが存在する。具体的には、画素定義層253上において、正孔供給層267Bの端は、正孔供給層267Gの端から離れており、それらの間にはギャップGが存在する。本例において、各副画素の正孔供給層は、隣接する異なる色の副画素の正孔供給層から離間している。本例において各副画素の正孔供給層は、隣接する全副画素の正孔供給層から離間しているが、同一色の隣接副画素の正孔供給層は、連続してもよい。
The
各副画素の正孔供給層は、マイクロキャビティ構造のために適切な厚みを有する。図2Bにおいて、正孔供給層緑副画素のための正孔供給層267Gは、青副画素のための正孔供給層267Bよりも厚い。
The hole supply layer of each sub-pixel has an appropriate thickness for the microcavity structure. In FIG. 2B, the
正孔供給層267Bの直上、つまり、正孔供給層267B上に、正孔供給層267Bと接触し界面を形成するように、有機発光層269Bが積層されている。同様に、正孔供給層267Gの直上、つまり、正孔供給層267G上に、正孔供給層267Gに接触して界面を形成するように有機発光層269Gが積層されている。有機発光層269Bは、正孔供給層267Bの全外周端を含む全面を覆っている。同様に、有機発光層269Bは、正孔供給層267Bの全外周端を含む全面を覆っている。
Immediately above the
図2Dは、図2Bにおいて円破線Dで囲まれている部分の拡大図である。なお、円破線Dの平面位置については、図2Cの符号Dで示している。図2Dは、正孔供給層267B及び有機発光層269Bの端部を示す。図2Dは、画素定義層253、画素定義層253上の正孔供給層267B、及び、正孔供給層267B上の有機発光層269Bを示す。有機発光層269Bが正孔供給層267Bを完全に覆い、正孔供給層267Bは有機発光層269Bから一切露出していない。有機発光層269Bの外周端は、画素定義層253の頂面上に存在し、正孔供給層267Bの外周端を囲んでいる。
FIG. 2D is an enlarged view of a portion surrounded by a broken circle D in FIG. 2B. In addition, about the plane position of the circle broken line D, it has shown by code | symbol D of FIG. 2C. FIG. 2D shows the end of the
図2B、図2Cに示すように、有機発光層269Gが正孔供給層267Gを完全に覆い、正孔供給層267Gは有機発光層269Gから一切露出していないことが好ましい。有機発光層269Gの外周端は、画素定義層253の頂面上に存在し、正孔供給層267Gの外周端を囲んでいる。
As shown in FIGS. 2B and 2C, it is preferable that the organic
図2B、図2Cにおいて、有機発光層の端は、その有機発光層が覆う正孔供給層の端と、隣接する異なる色の副画素の正孔供給層の端との間に存在する。例えば、青有機発光層269Bの端は、青副画素の正孔供給層267Bの端と、緑副画素の正孔供給層267Gとの間に存在する。同様に、緑有機発光層269Gの端は、緑副画素の正孔供給層267Gの端と、青副画素の正孔供給層267Bとの間に存在する。
In FIGS. 2B and 2C, the end of the organic light emitting layer is located between the end of the hole supply layer covered by the organic light emitting layer and the end of the hole supply layer of the adjacent sub-pixel of different color. For example, the end of the blue organic
異なる色の副画素間のキャリアリークの実質的なリークパスは、正孔供給層に形成される。異なる色の副画素の正孔供給層が離間していることで、異なる色の副画素間のキャリアリークを低減できる。また、異なる色の副画素の正孔供給層が離間しており、その離間している場所に、電子供給層が成膜されているが、有機発光層が、異なる色の副画素間での正孔供給層の端を含む正孔供給層の全面を覆っている。 Substantial leak paths of carrier leaks between subpixels of different colors are formed in the hole supply layer. By separating the hole supply layers of the sub-pixels of different colors, it is possible to reduce the carrier leak between the sub-pixels of different colors. In addition, although the hole supply layers of the sub-pixels of different colors are separated and the electron supply layer is formed at the separated places, the organic light emitting layer is formed between the sub-pixels of different colors. It covers the entire surface of the hole supply layer including the end of the hole supply layer.
すなわち、異なる色の副画素の正孔供給層は、電子供給層に直接接することがない。正孔供給層と有機発光層のキャリア移動度が同程度であっても正孔供給層から有機発光層に正孔は容易に移動するが、正孔に対するエネルギ障壁が大きいことから有機発光層から正孔供給層にはほとんど移動しない。そのため、第1色の副画素の正孔供給層から、第1色の副画素の有機発光層、電子供給層、第2色の副画素の有機発光層を経由して、第2色の副画素の正孔供給層に至るリークパスの形成が抑制される。従って、異なる色の副画素間のキャリアリークをより効果的に防ぐことができる。 That is, the hole supply layers of the subpixels of different colors are not in direct contact with the electron supply layer. Even if the carrier mobility of the hole supply layer and the organic light emitting layer is about the same, holes move easily from the hole supply layer to the organic light emitting layer, but from the organic light emitting layer due to the large energy barrier to the holes It hardly moves to the hole supply layer. Therefore, the second color sub-pixel passes from the hole supply layer of the first color sub-pixel to the organic light-emitting layer of the first color sub-pixel, the electron supply layer, and the organic light-emitting layer of the second color sub-pixel. The formation of a leak path leading to the hole supply layer of the pixel is suppressed. Therefore, carrier leak between sub-pixels of different colors can be more effectively prevented.
図2Aに示すように、本例において、各画素の有機発光層は、隣接する副画素の有機発光層から分離されている。例えば、図2Bにおいて、青有機発光層269Bの端は、緑有機発光層269Gの端から面内方向において離れおり、それらの間にギャップが存在する。
As shown in FIG. 2A, in this example, the organic light emitting layer of each pixel is separated from the organic light emitting layer of the adjacent sub-pixel. For example, in FIG. 2B, the edge of the blue organic
有機発光層269B、269G上に有機発光層269B、269Gに接触して、電子供給層271が存在する。電子供給層271は、全ての副画素に共通の層である。図2Bの例において、電子供給層271は、画素定義層253上で切断されることなく、二つの副画素251R、251B間で連続している。電子供給層271は、副画素の色毎に形成されてもよい。
An
電子供給層271上に電子供給層271に接触して、カソード電極273が存在する。カソード電極273は、全ての副画素に共通の層である。図2Bの例において、カソード電極273は、画素定義層253上で切断されることなく、二つの副画素251R、251B間で連続している。
The
図2B、図2C及び図2Dは、青副画素251Bと緑副画素251Gとの間及びその近傍の構造を示す。図2B、図2C及び図2Dを参照する上記説明は、赤副画素の正孔供給層267R及び有機発光層269R、並びに、赤副画素251Rと他の色の副画素251B、251Gとの間の関係に適用される。
FIGS. 2B, 2C, and 2D show the structure between and in the vicinity of the
本実施の形態におけるOLED表示装置10の製造方法の一例を説明する前に、図3A〜図3C、図4A〜図4Cを参照して、本実施の形態における、メタルマスクを利用した正孔供給層等の有機材料の蒸着について簡単に説明する。なお、この蒸着の説明は、有機材料であれば、例えば発光材料であっても同様である。
Before describing an example of a method of manufacturing the
図3Aは、赤副画素Rのパターンに対応したメタルマスク400Rの一例を示す。メタルマスク400Rは、赤副画素Rのパターンに対応してレイアウトされた開口401Rを有する。なお、X方向は、紙面の左右方向を示し、Y方向は紙面の上下方向を示す。
FIG. 3A shows an example of the
図3Bは、図3AにおけるIIIB−IIIB切断線での断面図を示す。図3Cは、図3AにおけるIIIC−IIIC切断線での断面図を示す。図3Bの基板101Aは、画素定義層253が形成されている基板261を模式的に示す。基板101Aの所定の箇所に赤副画素Rの有機材料が蒸着されるようにメタルマスク400Rが配置(アライメント)される。
FIG. 3B shows a cross-sectional view taken along the line IIIB-IIIB in FIG. 3A. FIG. 3C shows a cross-sectional view taken along the line IIIC-IIIC in FIG. 3A. The
図3B、図3Cに示した蒸着源500は、内部に蒸着される有機材料を収容する。蒸着源500は、例えば、赤副画素Rの有機材料を収容する。蒸着源500内に収容された有機材料が加熱され、加熱された有機材料が気化する。気化した有機材料は、ノズル(図示しない)の噴出口から外部に噴出する。噴出した有機材料は、メタルマスク400Rの開口401Rを通過して基板101Aにおける所定の箇所に蒸着されて製膜される。
The
蒸着源500の形状は、例えば長方形状である。図3Bに示すように、蒸着源500の長手方向は図3AのX方向に沿う。また、図3Cに示すように、蒸着源500の短手方向は図3BのY方向に沿う。蒸着源500は、図3AのY方向に沿って動く。この動きを、図3Cにおいて、紙面左右方向の矢印で示す。
The shape of the
蒸着源500は、図3Bに示すように、図3AのX方向における一方向に向かって有機材料を噴出する。この噴出状態を、図3Bの点線矢印で示す。また、蒸着源500は、図3Cに示すように、Y方向においては複数の方向に向かって有機材料を噴出する。この噴出状態を、図3Cの点線矢印で示す。
The
蒸着源500の移動方向及び噴出状態に起因して、有機材料の成膜後において、X方向における有機材料のテーパの形状と、Y方向における有機材料のテーパの形状が異なる。
The shape of the taper of the organic material in the X direction and the shape of the taper of the organic material in the Y direction are different after deposition of the organic material due to the moving direction and the ejection state of the
図4Aは、画素定義層253に各色の有機材料が蒸着された状態を模式的に示す。赤画素の有機層402R、402Raは、それぞれ、図2で説明した赤画素の正孔供給層、有機発光層を模式的に示す。青画素の有機層402Bは、青画素の正孔供給層、有機発光層を模式的に示す。緑画素の有機層402Gは、緑画素の正孔供給層、有機発光層を模式的に示す。青画素の有機層402B、緑画素の有機層402Gは、それぞれ、図3Aで説明した、赤副画素用のメタルマスク400Rにおける開口パターンと異なる開口パターンを有するメタルマスクにより蒸着されている。
FIG. 4A schematically shows a state in which the organic material of each color is deposited on the
図4Bは、図4AにおけるIVB−IVB切断線での断面図であり、蒸着源500の移動しない方向であるX方向における、有機層402R、402Bのテーパ形状を示す。図4Cは、図4BにおけるIVC−IVC切断線での断面図であり、蒸着源500が移動する方向であるY方向における、有機層402R、402Raのテーパ形状を示す。
FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line IVB-IVB in FIG. 4A, and shows the tapered shape of the
図4B、図4Cに示すように、X方向のテーパは、Y方向のテーパに比べて急峻になる。詳しく説明すると、図4Bの有機層402Rの傾斜面402Rxの角度(画素定義層253の平面部に対する角度)は、同じ有機層402Rの傾斜面402Ry(図4C参照)の角度よりも大きい。
As shown in FIGS. 4B and 4C, the taper in the X direction is sharper than the taper in the Y direction. Specifically, the angle of the inclined surface 402Rx of the
なお、他の画素、例えば青画素の有機層402Bや赤画素の有機層402Raの場合でも、X方向のテーパの方がY方向のテーパに比べて急峻になる。この理由は、蒸着源500がY方向に移動し、さらに有機材料の噴出方向がY方向における複数の方向であるから、単位時間あたりにX方向に蒸着される有機材料の量が、Y方向に積層される有機材料の量に比べて多くなる傾向があるからである。このように、異なる色の副画素が配置されるX方向において、有機層のテーパが急峻なので、異なる色の副画素が互いに接することを抑制できる。
Note that the taper in the X direction is steeper than that in the Y direction even in the case of the
なお、図3A〜図4Cでは蒸着源が一方向(例えばY方向)に動く場合を例示したが、蒸着源又は基板101Aを回転して有機材料を基板101Aに蒸着させて成膜する、いわゆる回転成膜方法もある。この回転成膜方法の場合は、表示パネル内の副画素の位置により、この副画素のテーパの形状が異なる。
3A to 4C illustrate the case where the deposition source moves in one direction (for example, Y direction), but the so-called rotation is performed by depositing the organic material on the
このように同じ画素でも各方向において有機層のテーパ形状が異なる現象は、スパッタリングやCVD(chemical vapor deposition)で有機材料を成膜した場合と異なり、メタルマスクを利用して有機材料を蒸着する場合に生じる固有の現象である。 The phenomenon that the taper shape of the organic layer is different in each direction even in the same pixel like this is different from the case where the organic material is formed by sputtering or chemical vapor deposition (CVD), and the organic material is deposited using a metal mask. Is an inherent phenomenon that occurs in
[製造方法]
OLED表示装置10の製造方法の一例を説明する。以下の説明において、同一工程で(同時に)形成される要素は、同一層の要素である。OLED表示装置10の製造は、まず、絶縁基板261上に、TFT回路層263を形成する。TFT回路層263の形成は、公知の技術を利用することができ、詳細な説明を省略する。次に、TFT回路層263上にアノード電極を形成する。例えば、スパッタを使用して、コンタクトホールを形成した平坦化膜上に、アノード電極を形成する。
[Production method]
An example of a method of manufacturing the
アノード電極は、上部ITO/Ag合金/下部ITOで構成される。上部ITOの代わりにITO、IZO、ZnO、In2O3等の透明膜、上部ITOの代わりにAg、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr又はこれらの化合物金属の反射膜、及び下部ITOに替えて前記した透明膜を用いてもよい。なお、アノード電極の層構成は任意であり、例えばAlが1層でもよい。アノード電極は、コンタクト部を介して、TFT回路層263内の画素回路に接続される。
The anode electrode is composed of upper ITO / Ag alloy / lower ITO. Transparent films such as ITO, IZO, ZnO, In 2 O 3 or the like instead of upper ITO, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr or metal compounds thereof instead of upper ITO The above-described transparent film may be used instead of the reflective film and the lower ITO. The layer configuration of the anode electrode is optional, and, for example, Al may be one layer. The anode electrode is connected to the pixel circuit in the
次に、スピンコート法等によって、例えば感光性の有機樹脂膜を堆積し、パターニングを行って画素定義層253を形成する。パターニングにより画素定義層253には開口が形成され、各副画素のアノード電極が、形成された開口で露出する。画素定義層253により、副画素(発光領域)が分離される。
Next, for example, a photosensitive organic resin film is deposited by spin coating or the like, and patterning is performed to form a
画素定義層253を形成した後の製造工程を、図4のフローチャートを参照して説明する。画素定義層253を形成した絶縁基板261に赤副画素の正孔供給層を形成する(S101)。具体的には、赤副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔供給層の材料を、画素定義層253を形成した基板261に付着して、赤副画素の正孔供給層を成膜する。正孔供給層が正孔注入層と正孔輸送層とを含む複数層で構成される場合、複数層を繰り返し成膜する。正孔供給層の厚みは、マイクロキャビティ構造のために、制御されてもよい。
The manufacturing process after forming the
次に、画素定義層253を形成した絶縁基板261に緑副画素の正孔供給層を形成する(S102)。具体的には、緑副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔供給層の材料を、画素定義層253を形成した基板261に付着して、緑副画素の正孔供給層を成膜する。正孔供給層が複数層で構成される場合、複数層を繰り返し成膜する。正孔供給層の厚みは、マイクロキャビティ構造のために、制御されてもよい。
Next, the hole supplying layer of the green sub pixel is formed on the insulating
次に、画素定義層253を形成した絶縁基板261に青副画素の正孔供給層を形成する(S103)。具体的には、青副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔供給層の材料を、画素定義層253を形成した基板261に付着して、青副画素の正孔供給層を成膜する。正孔供給層が複数層で構成される場合、複数層を繰り返し成膜する。正孔供給層の厚みは、マイクロキャビティ構造のために、制御されてもよい。
Next, the hole supplying layer of the blue subpixel is formed on the insulating
図2B、図2Cに示すように、本例の製造ステップは、各色の副画素の正孔供給層の成膜において、画素定義層253に形成される開口よりも広い面積(蒸着塗分けマージンとも呼ぶ)に、正孔供給層を蒸着する。これは、メタルマスクのパターン精度、成膜中の熱によるメタルマスクの変形、メタルマスクと基板とのアライメント精度、蒸着分子の入射角度などを考慮したものである。なお、ステップS101、S102及びS103は、順不同である。 As shown in FIGS. 2B and 2C, in the film formation of the hole supply layer of the sub-pixel of each color, the manufacturing step of this example has an area larger than the opening formed in the pixel definition layer 253 A hole supply layer is deposited. This takes into consideration the pattern accuracy of the metal mask, the deformation of the metal mask due to the heat during film formation, the alignment accuracy between the metal mask and the substrate, the incident angle of vapor deposition molecules, and the like. Steps S101, S102 and S103 are in random order.
次に、正孔供給層の上に、有機発光材料を付着して有機発光層を成膜する。赤、緑、青の色毎に、有機発光材料を成膜して、正孔供給層上に、有機発光層を形成する。有機発光層の成膜は、メタルマスクを使用する。 Next, an organic light emitting material is deposited on the hole supply layer to form an organic light emitting layer. An organic light emitting material is formed into a film for each of red, green and blue colors to form an organic light emitting layer on the hole supply layer. A metal mask is used to form an organic light emitting layer.
まず、赤副画素の有機発光層を形成する(S104)。具体的には、赤副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、赤有機発光層の材料を、赤副画素の正孔供給層上に付着して、赤有機発光層を成膜する。 First, an organic light emitting layer of a red subpixel is formed (S104). Specifically, the material of the red organic light emitting layer is deposited on the hole supplying layer of the red sub pixel by vapor deposition through a metal mask corresponding to the pattern of the red sub pixel to form a red organic light emitting layer Do.
次に、緑副画素の有機発光層を形成する(S105)。具体的には、緑副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、緑有機発光層の材料を、緑副画素の正孔供給層上に付着して、緑有機発光層を成膜する。 Next, the organic luminescent layer of the green subpixel is formed (S105). Specifically, the material of the green organic light emitting layer is deposited on the hole supplying layer of the green sub pixel by vapor deposition through a metal mask corresponding to the pattern of the green sub pixel to form a green organic light emitting layer Do.
次に、青副画素の有機発光層を形成する(S106)。具体的には、青副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、青有機発光層の材料を、青副画素の正孔供給層上に付着して、青有機発光層を成膜する。 Next, the organic luminescent layer of the blue subpixel is formed (S106). Specifically, the material of the blue organic light emitting layer is deposited on the hole supplying layer of the blue sub pixel by vapor deposition through a metal mask corresponding to the pattern of the blue sub pixel to form a blue organic light emitting layer Do.
各色の副画素の有機発光層の成膜は、正孔供給層と同様に、画素定義層253に形成される開口よりも広い面積に、有機発光層を蒸着する。さらに、各副画素の有機発光層は、当該副画素の正孔輸送層の全面を覆うように成膜される。なお、ステップS104、S105及びS106は、順不同である。
Similarly to the hole supply layer, in forming the organic light emitting layers of the subpixels of each color, the organic light emitting layer is vapor-deposited on an area larger than the opening formed in the
次に、有機発光層上に電子供給層271の材料を付着して、全副画素に共通の電子供給層271を形成する(S107)。電子供給層271は、表示領域125全域に成膜する。電子供給層271は、全ての副画素に対して同時に成膜する。
Next, the material of the
次に、電子供給層271上にカソード電極273のための金属材料を付着する(S108)。カソード電極273は、表示領域125全域に成膜する。カソード電極273は、全ての副画素に対して同時に成膜する。カソード電極273は、例えば、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg又はこれらの合金を蒸着して、形成する。カソード電極273の形成後、光取り出し効率向上のため、ガラスより屈折率の高い絶縁膜を堆積させキャップ層を形成してもよい。
Next, a metal material for the
次に、TFT基板100の外周にガラスフリットを塗設し、その上に封止基板200を載置し、ガラスフリット部をレーザ光により加熱し、溶融させTFT基板100と封止基板200を密封する。
Next, a glass frit is coated on the outer periphery of the
上述のように、本実施形態は、各色の副画素の有機発光層を、その正孔供給層の全面を覆うように形成する。正孔供給層と有機発光層は、異なるメタルマスクを使用した蒸着により形成することができる。図6は、同一色副画素の正孔供給層のためのメタルマスク43及び有機発光層のためのメタルマスク45の関係を模式的に示す。 As described above, in the present embodiment, the organic light emitting layer of the sub-pixel of each color is formed to cover the whole surface of the hole supply layer. The hole supply layer and the organic light emitting layer can be formed by vapor deposition using different metal masks. FIG. 6 schematically shows the relationship between the metal mask 43 for the hole supply layer of the same color sub-pixel and the metal mask 45 for the organic light emitting layer.
正孔供給層のためのメタルマスク43は、対応する副画素のパターンに応じてレイアウトされた開口432を有する。有機発光層のためのメタルマスク45は、対応する副画素のパターンに応じてレイアウトされた開口452を有する。なお、図6は、正孔供給層のための複数の開口の一つのみを符号432で指示し、有機発光層のための複数の開口の一つのみを符号452で指示している。
The metal mask 43 for the hole supply layer has an
図6に示すように、有機発光層のための開口452は、正孔供給層のための開口432よりも大きい。有機発光層のための開口452は、正孔供給層のための開口432を収容できる形状及び大きさを有する。この関係により、正孔供給層の全面をより確実に有機発光層で覆うことができる。赤副画素、青副画素及び緑副画素それぞれのために、上記関係を有する正孔供給層のためのメタルマスク43及び有機発光層のためのメタルマスク45が用意される。
As shown in FIG. 6, the
図7は、上記関係を有する正孔供給層用メタルマスク及び有機発光層用メタルマスクを、各色の副画素に対して使用して製造したTFT基板100の断面構造を模式的に示す。
図2Bに示す構成例と比較して、青副画素の有機発光層269Bの、青副画素の正孔供給層267Bの外側の部分(マージン)が大きい。同様に、緑副画素の有機発光層269Gの、緑副画素の正孔供給層267Gの外側の部分(マージン)が大きい。
FIG. 7 schematically shows a cross-sectional structure of a
Compared to the configuration example shown in FIG. 2B, the portion (margin) of the organic
<実施形態2>
以下において、実施形態2の表示領域の構成及び製造方法を説明する。主に実施形態1との相違点を説明する。
Second Embodiment
The configuration and manufacturing method of the display area of Embodiment 2 will be described below. The differences from the first embodiment will be mainly described.
[表示領域の構成]
図8Aは、表示領域125の一部の平面図を示す。図8Aは、行列状に配置された複数の副画素を示す。図8Aは、赤副画素(発光領域)251R、青副画素(発光領域)251B、及び緑副画素(発光領域)251Gを示す。図8Aにおける副画素のうち、赤、青、緑それぞれの一つの副画素のみが、符号で指示されている。
[Display area configuration]
FIG. 8A shows a plan view of a portion of the
図8Aが示す副画素のレイアウトは、実施形態1における図2Aが示すレイアウトと同様である。本構成例において、高精細化のために、副画素の間の距離が短い。同一色の副画素の有機発光層は連続している。具体的には、赤有機発光層269R、青有機発光層269B、及び緑有機発光層269Gは、それぞれ、同色の副画素の間で切断されておらず、連続である。
The layout of the sub-pixels shown in FIG. 8A is the same as the layout shown in FIG. 2A in the first embodiment. In this configuration example, the distance between the sub-pixels is short for high definition. The organic light emitting layers of subpixels of the same color are continuous. Specifically, the red organic
図8Aに示していないが、正孔供給層も同様である。つまり、赤副画素の正孔供給層、青副画素の正孔供給層、及び緑副画素の正孔供給層は、それぞれ、同色の副画素の間で切断されておらず、連続である。 Although not shown in FIG. 8A, the same applies to the hole supply layer. That is, the hole supply layer of the red subpixel, the hole supply layer of the blue subpixel, and the hole supply layer of the green subpixel are not cut between the subpixels of the same color, but are continuous.
さらに、異なる色の隣接する有機発光層は、画素定義層253の頂面上で、部分的に重なっている。図8Aの例において、赤有機発光層269Rの端部が、青有機発光層269Bの端部上に積層され、赤有機発光層269Rの他の端部が、緑有機発光層269Gの端部上に積層されている。また、緑有機発光層269Gの端部が、青有機発光層269Bの端部上に積層されている。
Furthermore, adjacent organic light emitting layers of different colors are partially overlapped on the top surface of the
図8Bは、青副画素の正孔供給層267Bと青有機発光層269Bとの間の関係を模式的に示す。本例において、正孔供給層267Bは、青副画素251Bの配列方向において連続している。正孔供給層267Bは、青副画素251Bと緑副画素251Gとの間に一方の端を有し、青副画素251Bと赤副画素251Rとの間に他方の端を有する。有機発光層269Bは、正孔供給層267Bの両側の端を含む、正孔供給層267Bの全面を覆うように、正孔供給層267B上に積層されている。
FIG. 8B schematically shows the relationship between the
図8Cは、図8AにおけるVIIIC−VIIIC切断線での断面構造の一部を示す。図8Cは、青副画素251Bと緑副画素251Gとの間において、二つの正孔供給層267B、267G及び二つの有機発光層269B、269Gの積層関係を模式的に示す。
FIG. 8C shows a part of the cross-sectional structure along the VIIIC-VIIIC cutting line in FIG. 8A. FIG. 8C schematically shows a stacking relationship of two hole supply layers 267B and 267G and two organic
実施形態1と同様に、青副画素の正孔供給層267Bは、その周囲を囲む画素定義層253の頂面の一部を覆うように形成されている。つまり、正孔供給層267Bは頂面の一部上のみに形成され、正孔供給層267Bの端は、画素定義層253の頂面上に存在している。正孔供給層267Bの直上、つまり、正孔供給層267B上に正孔供給層267Bに接触して界面を形成するように青有機発光層269Bが積層されている。青有機発光層269Bは、正孔供給層267Bの両端(全端)を含む全面を覆っている。
As in the first embodiment, the
緑副画素の正孔供給層267Gは、その周囲を囲む画素定義層253の頂面の一部を覆うように形成されている。つまり、正孔供給層267Bは頂面の一部上のみに形成され、正孔供給層267Bの端は、画素定義層253の頂面上に存在している。
The green sub-pixel
さらに、緑副画素の正孔供給層267Gの一部は、画素定義層253の頂面上で、青副画素の正孔供給層267B及び有機発光層269Bの一部と重なっている。具体的には、緑副画素の正孔供給層267Gの端部は、青有機発光層269Bの端部の直上に積層されている。緑副画素の正孔供給層267Gの端部は、青副画素の正孔供給層267Bの端部及び青有機発光層269Bの端部と共に、積層構造を構成する。
Furthermore, a part of the
緑副画素の正孔供給層267Gの端は、青副画素の正孔供給層267Bの端及び青有機発光層269の端と、青副画素251Bとの間にある。青副画素の正孔供給層267Bの端及び青有機発光層269の端は、緑副画素の正孔供給層267Gの端と緑副画素251Gとの間にある。
The end of the
青有機発光層269Bの端部は、青副画素の正孔供給層267Bの端部と緑副画素の正孔供給層267Bの端部との間に存在している。青有機発光層269Bの端部は、青副画素の正孔供給層267Bの端を完全に覆っており、緑副画素の正孔供給層267Bは、青副画素の正孔供給層267Bに接触することなく、離間している。
An end of the blue organic
このように、高精細化に伴い隣接副画素の正孔供給層が部分的に重なる構成において、有機発光層が、隣接副画素の積層された正孔供給層間に存在している。有機発光層は、積層されている正孔供給層の間において、下側の正孔供給層の端を含む全領域を覆い、上側の正孔供給層から下側の正孔供給層を分離している。キャリア移動度が小さい有機発光層が異なる色の正孔供給層間に存在し、正孔供給層間のリークパスを遮断する。 As described above, in the configuration in which the hole supply layers of the adjacent subpixels partially overlap with high definition, the organic light emitting layer is present between the stacked hole supply layers of the adjacent subpixels. The organic light emitting layer covers the entire area including the end of the lower hole supply layer between the stacked hole supply layers, and separates the lower hole supply layer from the upper hole supply layer. ing. An organic light emitting layer having a low carrier mobility exists between the hole supplying layers of different colors, and blocks a leak path between the hole supplying layers.
また、図2で説明したように、正孔供給層と有機発光層のキャリア移動度が同程度であっても正孔供給層から有機発光層に正孔は容易に移動するが、正孔に対するエネルギ障壁が大きいことから有機発光層から正孔供給層にはほとんど移動しないため、積層されている正孔供給層間のリークパスを遮断する。これらにより、正孔供給層間のリーク電流を防ぐことができる。 Also, as described in FIG. 2, even if the carrier mobility of the hole supply layer and the organic light emitting layer is approximately the same, holes move easily from the hole supply layer to the organic light emitting layer, but Since the energy barrier is large, the organic light emitting layer hardly moves from the organic light emitting layer to the hole supplying layer, so that the leak path between the stacked hole supplying layers is blocked. By these, the leak current between the hole supply layers can be prevented.
緑副画素の正孔供給層267Gの直上、つまり、正孔供給層267G上に正孔供給層267Gに接触して界面を形成するように緑有機発光層269Gが積層されている。緑有機発光層269Gは、正孔供給層267Gの両端(全端)を含む全面を覆っている。
A green organic
本例において、正孔供給層267Gは、緑副画素251Gの配列方向において連続している。正孔供給層267Bは、青副画素251Bと緑副画素251Gとの間に一方の端を有し、青副画素251Bと赤副画素251Rとの間に他方の端を有する。有機発光層269Bは、正孔供給層267Bの両側の端を含む、正孔供給層267Bの全面を覆うように、正孔供給層267B上の積層されている。
In the present example, the
図8B及び図8Cを参照した説明は、赤副画素の正孔供給層267R及び有機発光層269R、並びに、赤副画素251Rと他の色の副画素251B、251Gとの間の関係に適用される。上記例において、赤副画素の正孔供給層267Rは、緑及び青有機発光層269G及び269Bの上層である。
The description with reference to FIGS. 8B and 8C applies to the relationship between the hole supplying layer 267R and the organic
[製造方法]
以下において、本実施形態の上記構成を有するOLED表示装置1を製造する方法を説明する。図9は、本実施形態の製造方法のフローチャートを示す。画素定義層253を形成した絶縁基板261に赤副画素の正孔供給層を形成する(S131)。具体的には、青副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔供給層の材料を、画素定義層253を形成した基板に付着して、青副画素の正孔供給層を成膜する。
[Production method]
Hereinafter, a method of manufacturing the OLED display 1 having the above-described configuration according to the present embodiment will be described. FIG. 9 shows a flowchart of the manufacturing method of the present embodiment. The hole supply layer of the red sub-pixel is formed on the insulating
次に、青有機発光層を形成する(S132)。具体的には、青副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、青有機発光層の材料を、青副画素の正孔供給層上に付着して、青有機発光層を成膜する。上述のように、青有機発光層は、青副画素の正孔供給層の端を含む全面を覆うように、青副画素の正孔供給層上に積層される。 Next, a blue organic light emitting layer is formed (S132). Specifically, the material of the blue organic light emitting layer is deposited on the hole supplying layer of the blue sub pixel by vapor deposition through a metal mask corresponding to the pattern of the blue sub pixel to form a blue organic light emitting layer Do. As described above, the blue organic light emitting layer is stacked on the hole supplying layer of the blue sub-pixel so as to cover the entire surface including the end of the hole supplying layer of the blue sub-pixel.
青副画素の正孔供給層のメタルマスクと青有機発光層のメタルマスクは、共通でもよく、異なっていてもよい。共通なメタルマスクを使用する場合、メタルマスクに対する材料の入射角度を制御することで、正孔供給層及び有機発光層それぞれの成膜領域を制御することができる。 The metal mask of the hole supply layer of the blue subpixel and the metal mask of the blue organic light emitting layer may be the same or different. When a common metal mask is used, the film formation region of each of the hole supply layer and the organic light emitting layer can be controlled by controlling the incident angle of the material to the metal mask.
次に、青有機発光層を成膜した絶縁基板261に緑副画素の正孔供給層を形成する(S133)。具体的には、緑副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔供給層の材料を画素定義層253上に付着して、緑副画素の正孔供給層を成膜する。
Next, the hole supplying layer of the green sub-pixel is formed on the insulating
次に、緑有機発光層を形成する(S134)。具体的には、緑副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、緑有機発光層の材料を、緑副画素の正孔供給層上に付着して、緑有機発光層を成膜する。上述のように、緑有機発光層は、緑副画素の正孔供給層の端を含む全面を覆うように、緑副画素の正孔供給層上に積層される。緑副画素の正孔供給層のメタルマスクと緑有機発光層のメタルマスクは、共通でもよく、異なっていてもよい。 Next, a green organic light emitting layer is formed (S134). Specifically, the material of the green organic light emitting layer is deposited on the hole supplying layer of the green sub pixel by vapor deposition through a metal mask corresponding to the pattern of the green sub pixel to form a green organic light emitting layer Do. As described above, the green organic light emitting layer is stacked on the hole supplying layer of the green subpixel so as to cover the entire surface including the end of the hole supplying layer of the green subpixel. The metal mask of the hole supply layer of the green sub-pixel and the metal mask of the green organic light emitting layer may be common or different.
次に、赤有機発光層を成膜した絶縁基板261に赤副画素の正孔供給層を形成する(S135)。具体的には、赤副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔供給層の材料を画素定義層253上に付着して、赤副画素の正孔供給層を成膜する。
Next, the hole supply layer of the red sub pixel is formed on the insulating
次に、赤有機発光層を形成する(S136)。具体的には、赤副画素のパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、赤有機発光層の材料を、赤副画素の正孔供給層上に付着して、赤有機発光層を成膜する。上述のように、赤有機発光層は、赤副画素の正孔供給層の端を含む全面を覆うように、赤副画素の正孔供給層上に積層される。赤副画素の正孔供給層のメタルマスクと赤有機発光層のメタルマスクは、共通でもよく、異なっていてもよい。 Next, a red organic light emitting layer is formed (S136). Specifically, the material of the red organic light emitting layer is deposited on the hole supplying layer of the red sub pixel by vapor deposition through a metal mask corresponding to the pattern of the red sub pixel to form a red organic light emitting layer Do. As described above, the red organic light emitting layer is stacked on the hole supplying layer of the red sub pixel so as to cover the entire surface including the end of the hole supplying layer of the red sub pixel. The metal mask of the hole supply layer of the red sub-pixel and the metal mask of the red organic light emitting layer may be common or different.
上述のように、異なる色の副画素の正孔供給層と有機発光層のペアを、順次形成する。異なる色の副画素のペアの形成順序は任意である。上述のように、本実施形態の製造方法は、一つの色の副画素の正孔供給層を形成した後すぐに、他の色の正孔供給層を形成する前に、同一色の副画素の有機発光層を形成する。これにより、異なる色の副画素の正孔供給層の端部が重なる構成において、それらの間に、正孔供給層よりもキャリア移動度が小さい有機発光層を形成することができ、それにより、正孔供給層間のリーク電流を効果的に防止できる。 As described above, pairs of hole supply layers and organic light emitting layers of subpixels of different colors are sequentially formed. The formation order of the sub-pixel pairs of different colors is arbitrary. As described above, according to the manufacturing method of this embodiment, immediately after forming the hole supply layer of the subpixel of one color, before forming the hole supply layer of the other color, the subpixel of the same color is formed. Form an organic light emitting layer of Thereby, in the configuration in which the end portions of the hole supply layers of the sub-pixels of different colors overlap, an organic light emitting layer having a carrier mobility smaller than that of the hole supply layer can be formed between them. Leakage current between the hole supply layers can be effectively prevented.
次に、電子供給層271の材料を付着して、全ての副画素に共通の電子供給層271を成膜する(S137)。電子供給層271は、表示領域125全域に成膜する。次に、電子供給層271上にカソード電極273のための金属材料を付着する(S138)。電子供給層271及びカソード電極273の形成は、実施形態1と同様である。なお、本実施形態の製造方法は、実施形態1で説明した構成のOLED表示装置1を製造することもできる。
Next, the material of the
<実施形態3>
以下において、実施形態3の製造方法を説明する。主に他の実施形態との相違点を説明する。本実施形態は、全ての色の副画素の正孔供給層を同時に形成する。図10は、正孔供給層の形成に使用されるメタルマスク41の構成例を模式的に示す。メタルマスク41は、赤副画素の正孔供給層のための開口412R、青副画素の正孔供給層のための開口412B、及び、緑副画素の正孔供給層のための開口412Gを有する。図10は、それぞれの色の一つの開口にのみ符号で示している。開口パターンは、副画素のパターンに一致する。
Embodiment 3
Below, the manufacturing method of Embodiment 3 is demonstrated. The differences from the other embodiments will be mainly described. In the present embodiment, the hole supply layers of subpixels of all colors are simultaneously formed. FIG. 10 schematically shows a configuration example of the
図11は、図10に示すメタルマスク41を使用して正孔供給層を形成する製造方法のフローチャートを示す。画素定義層253を形成した絶縁基板261に、全ての副画素の正孔供給層を形成する(S151)。具体的には、図10に示す全ての副画素のための開口パターンを有するメタルマスク41を介した蒸着により、正孔供給層の材料を、画素定義層253を形成した基板261に付着して、全ての副画素の正孔供給層を成膜する。共通メタルマスク41を使用することで、効率的に正孔供給層を形成できる。
FIG. 11 shows a flowchart of a manufacturing method for forming a hole supply layer using the
次に、正孔供給層上に、青副画素の有機発光層、緑副画素の有機発光層、及び赤副画素の有機発光層を、それぞれ異なるメタルマスクを使用した蒸着により、順次形成する(S152、S153、及びS154)。他の実施形態と同様に、各色の副画素の有機発光層は、対応する正孔供給層の全面を覆うように、成膜される。また、3色の有機発光層の成膜順序は、任意である。 Next, the organic light emitting layer of the blue sub-pixel, the organic light emitting layer of the green sub-pixel, and the organic light emitting layer of the red sub-pixel are sequentially formed on the hole supply layer by vapor deposition using different metal masks. S152, S153, and S154). As in the other embodiments, the organic light emitting layer of each color sub-pixel is formed to cover the entire surface of the corresponding hole supply layer. In addition, the order of forming the organic light emitting layers of three colors is arbitrary.
次に、電子供給層の材料を付着して、全ての副画素に共通の電子供給層を成膜する(S155)。電子供給層は、表示領域125全域に成膜する。次に、赤副画素(のみ)の電子供給層を、例えば、メタルマスクを使用した蒸着により形成する(S156)。次に、緑副画素(のみ)の電子供給層を、例えば、メタルマスクを使用した蒸着により形成する(S157)。
Next, the material of the electron supply layer is attached, and an electron supply layer common to all the sub-pixels is formed (S155). The electron supply layer is formed on the
赤副画素及び緑副画素の電子供給層をそれぞれ選択的に追加することで、マイクロキャビティ構造のために、各色の副画素の電子供給層の厚みを制御できる。なお、赤副画素の電子供給層の形成と緑副画素の電子供給層の形成の順序は、任意である。全副画素に共通の電子供給層を形成した後、赤副画素と緑副画素(青副画素を除く)に共通の電子供給層を形成し、次に、赤副画素(のみ)の電子供給層を形成してもよい。マイクロキャビティ構造が不要である場合、全ての副画素に共通の電子供給層のみを形成してもよい。 By selectively adding the electron supply layers of the red sub-pixel and the green sub-pixel, it is possible to control the thickness of the electron supply layer of each color sub-pixel due to the microcavity structure. The order of the formation of the electron supply layer of the red sub-pixel and the formation of the electron supply layer of the green sub-pixel is arbitrary. After forming the electron supply layer common to all the sub-pixels, form the electron supply layer common to the red sub-pixel and the green sub-pixel (except for the blue sub-pixel), and then the electron supply layer of the red sub-pixel (only) May be formed. If the microcavity structure is unnecessary, only a common electron supply layer may be formed for all the sub-pixels.
次に、電子供給層上にカソード電極のための金属材料を付着する(S158)。カソード電極の形成は、実施形態1と同様である。 Next, a metal material for the cathode electrode is deposited on the electron supply layer (S158). The formation of the cathode electrode is the same as in the first embodiment.
図12〜図16を参照してOLEDデバイスの様々な断面構造について説明する。なお、副画素のアノード電極の下層にこの副画素のOLEDデバイスを駆動するための画素回路が形成されているが、この画素回路については図示を省略している。図12は、TFT基板100の断面構造の例を模式的に示す。赤副画素のアノード電極265Rの上に、正孔注入層266R及び正孔輸送層268Rが形成されている。緑副画素のアノード電極265Gの上に、正孔注入層266G及び正孔輸送層268Gが形成されている。青副画素のアノード電極265Bの上に、正孔注入層266B及び正孔輸送層268Bが形成されている。
Various cross sectional structures of the OLED device will be described with reference to FIGS. 12 to 16. Although a pixel circuit for driving the OLED device of the sub-pixel is formed under the anode electrode of the sub-pixel, illustration of the pixel circuit is omitted. FIG. 12 schematically shows an example of the cross-sectional structure of the
破線の円Faが示すように、赤副画素の有機発光層269Rは、正孔注入層266R及び正孔輸送層268Rを覆う。さらに、緑副画素の有機発光層269Gは、正孔注入層266G及び正孔輸送層268Gを覆う。また、青副画素の有機発光層269Bは、正孔注入層266B及び正孔輸送層268Bを覆う。これにより、メタルマスクのアライメントずれ等の原因により異なる色の副画素の正孔注入層/正孔輸送層の一部が重なる場合でも、キャリアリークを防ぐことができる。すなわち、高精細化を実現するため2つの副画素の距離を短くすると、隣接副画素の正孔供給層が部分的に重なる場合がある。しかし、この場合でも、図8Cで説明したように、キャリア移動度が小さい有機発光層を異なる色の正孔供給層間に積層することで、リークパスを遮断することができる。
As the dashed circle Fa indicates, the organic
図13は、TFT基板100の断面構造の例を模式的に示す。副画素毎に、電子供給層が形成されている。赤副画素、緑副画素、青副画素は、それぞれ、電子供給層271R、電子供給層271G、電子供給層271Bを含み、これらは分離している。
FIG. 13 schematically shows an example of the cross-sectional structure of the
破線の円Fbが示すように、カソード電極273は、画素定義層253に接触している。そして、カソード電極273は、正孔輸送層268Rと正孔輸送層268Gとの間に形成されている。この構造により、例えば正孔輸送層268Rから漏れ出た電流は、カソード電極273に引き抜かれるので、赤副画素の隣の緑副画素の正孔輸送層268Gに流れることがない。すなわち、リーク電流が隣接する副画素の間で流れない。隣接画素の正孔注入層/正孔輸送層が全く重なっていなければ(分離していれば)、画素定義層253上での層構造は任意である。
As indicated by the dashed circle Fb, the
図14は、TFT基板100の断面構造の例を模式的に示す。電子供給層271は全ての副画素に共通である。破線の円Fcが示すように、電子供給層271は、画素定義層253に接触している。そして、正孔輸送層268Rと正孔輸送層268Gとの間に、電子供給層271が形成されている。この構造により、例えば正孔輸送層268Rにおける電流が、赤副画素の隣の緑副画素の正孔輸送層268Gに流れることが抑制される。
FIG. 14 schematically shows an example of the cross-sectional structure of the
すなわち、リーク電流が電子供給層271を介して隣接副画素間を流れることを抑制する。電子供給層271の抵抗が大きい(エネルギ障壁)ので、このような抑制を実現できる。隣接画素の正孔注入層/正孔輸送層が全く重なっていなければ(分離していれば)、画素定義層253上での層構造は任意である。
That is, it is suppressed that the leak current flows between the adjacent sub-pixels via the
図15は、TFT基板100の断面構造の例を模式的に示す。赤副画素は、有機発光層269Rと正孔注入層266Rとの間に、2層の正孔輸送層である、下層の正孔輸送層681R、上層の正孔輸送層682Rを含む。緑副画素は、有機発光層269Gと正孔注入層266Gとの間に、2層の正孔輸送層である、下層の正孔輸送層681G、上層の正孔輸送層682Gを含む。青副画素は、有機発光層269Bと正孔注入層266Bとの間に、一層のみの正孔輸送層681Bを含む。カソード電極及び電子供給層273aは、有機発光層269R、269G、269Bに接触している。なお、電子供給層は、前記したように、電子注入層及び電子輸送層からなる又はそれら層の機能を有する1又は3層以上の層からなる。
FIG. 15 schematically shows an example of the cross-sectional structure of the
各色の正孔注入層(266R、266G、266B)、下層の正孔輸送層(681R、681G)、青色の正孔輸送層681Bは、同一メタルマスクを使用して、分離した状態で形成されている。そして、赤副画素の有機発光層269R及び正孔輸送層682Rは、同一メタルマスクを使用して形成されている。緑副画素の有機発光層269G及び正孔輸送層682Gは、同一メタルマスクを使用して形成されている。青副画素の有機発光層269Rは、他の層とメタルマスクを共有することなく、単独で形成されている。
The hole injection layer (266R, 266G, 266B) of each color, the lower hole transport layer (681R, 681G), and the blue
以上説明したように、赤、緑の副画素については下層の正孔輸送層(681R、681G)、青画素については1層の正孔輸送層681Bを共通に形成し、さらに、赤、緑の副画素については上層の正孔輸送層(266R、266G)を形成している。この形成により、各色の正孔輸送層の膜厚を調整してマイクロキャビティ構造を実現する。カソード電極及び電子供給層273aは、同一メタルマスクを使用して、分離しない状態(いわゆる共通層)で形成されている。
As described above, the lower hole transport layer (681R, 681G) for the red and green subpixels and the single
ここで、基板に対してメタルマスクを配置する場合に生じるずれ、すなわち基板とメタルマスクとを重ね合わせる場合に生じるずれについて説明する。基板に対してメタルマスクを配置する場合、配置ズレを無くすことは困難である。そこで、この配置の設計においては、配置ズレに対する許容条件が定められる。許容条件の一例としては、厳しい許容条件(例えば、ずれが+/−2um以下)、また、緩い許容条件(例えば、ずれが+/−5um以下)がある。 Here, a shift that occurs when the metal mask is disposed on the substrate, that is, a shift that occurs when the substrate and the metal mask are superimposed will be described. When disposing a metal mask on a substrate, it is difficult to eliminate the misalignment. Therefore, in the design of this arrangement, an allowable condition for the misalignment is defined. Examples of acceptable conditions include tight tolerance conditions (e.g., deviation less than +/- 2 um) and loose allowance conditions (e.g., less than +/- 5 um).
赤副画素の有機発光層269R及び正孔輸送層682Rは、厳しい許容条件を満たすように位置決めができたメタルマスクを使用して形成されている。緑副画素の有機発光層269G及び正孔輸送層682Gは、青副画素側(図15の右側)にアライメントずれが生じてしまい、厳しい許容条件を満たさないが緩い許容条件を満たすように位置決めがされたメタルマスクを使用して形成されている。同じく、赤副画素の有機発光層269Rは、緑副画素側(図15の右側)にアライメントずれが生じてしまい、厳しい許容条件を満たさないが緩い許容条件を満たすように位置決めがされたメタルマスクを使用して形成されている。
The organic
なお、隣接する副画素において、第1副画素(例えば、赤副画素)のアノード電極の端と、第1副画素に隣接する第2副画素(例えば、緑副画素)のアノード電極の端との間の領域RNG1に、正孔供給層、有機発光層の分離部分が収まるように、正孔供給層、有機発光層が蒸着される。 In the adjacent sub-pixels, the end of the anode electrode of the first sub-pixel (for example, red sub-pixel) and the end of the anode electrode of the second sub-pixel (for example, green sub-pixel) adjacent to the first sub-pixel The hole supply layer and the organic light emitting layer are vapor-deposited so that the separated portions of the hole supply layer and the organic light emitting layer fit in the region RNG1 between them.
図16は、TFT基板100の断面構造の例を模式的に示す。カソード電極及び電子供給層273aは、有機発光層269R、269G、269Bに接触している。赤副画素の有機発光層269R、正孔輸送層268R、及び正孔注入層266Rは、同一メタルマスクを使用して形成されている。緑副画素の有機発光層269G、正孔輸送層268G、及び正孔注入層266Gは、同一メタルマスクを使用して形成されている。
FIG. 16 schematically shows an example of the cross-sectional structure of the
青副画素の有機発光層269B、正孔輸送層268B、及び正孔注入層266Bは、同一メタルマスクを使用して形成されている。なお、カソード電極及び電子供給層273aは、同一メタルマスクを使用して、分離しない状態(いわゆる共通層)で形成されている。
The organic
赤副画素の有機発光層269R、正孔輸送層268R、及び正孔注入層266Rは、緑副画素側(図15の右側)にアライメントずれが生じてしまい、厳しい許容条件を満たさないが緩い許容条件を満たすように位置決めができたメタルマスクを使用して形成されている。
The organic
緑副画素の有機発光層269G、正孔輸送層268G、及び正孔注入層266Gは、厳しい許容条件を満たすように位置決めできたメタルマスクを使用して形成されている。青副画素の有機発光層269B、正孔輸送層268B、及び正孔注入層266Bは、緑副画素側(図15の左側)にアライメントずれが生じてしい、厳しい許容条件を満たさないが緩い許容条件を満たすように位置決めがされたメタルマスクを使用して形成されている。
The organic
以上説明したアライメントずれが生じた場合であっても、従来では、厳しい許容条件を満たさなければ良品を製造できなかったが、本願の構成を採用することにより、緩い許容条件を満たしさえすれば、異なる色の有機発光層を分離できるので良品が得られ製造歩留りが向上する。 Even in the case where the misalignment described above occurs, conventionally, a non-defective product can not be manufactured unless the strict tolerance condition is satisfied. However, if the loose tolerance condition is satisfied by adopting the configuration of the present application, Since the organic light emitting layers of different colors can be separated, a non-defective product can be obtained and the manufacturing yield can be improved.
<実施形態4>
最初に実施形態4の概要について説明する。高精細化を実現するため、副画素の間の距離を短くする。この距離が短くなると、メタルマスクのアライメントずれ等の原因により、図8Cで示したように、ある副画素の有機発光層が、この副画素に隣接する副画素の正孔供給層に入り込むことがある。実施形態4では、入り込みが生じた場合であっても、副画素間のクロストークによる画像品質の低下をより抑制する積層構造について説明する。
Fourth Embodiment
First, an outline of the fourth embodiment will be described. In order to realize high definition, the distance between subpixels is shortened. When this distance becomes short, as shown in FIG. 8C, the organic light emitting layer of a certain sub pixel may enter the hole supply layer of the sub pixel adjacent to this sub pixel due to the misalignment of the metal mask or the like. is there. In the fourth embodiment, a laminated structure will be described in which the deterioration of the image quality due to the crosstalk between the sub-pixels is further suppressed even when the intruding occurs.
OLED素子を発光させるためには、発光閾値電圧以上で電流をOLED素子に流す必要がある。発光閾値電圧とは、この電圧以上で電流が流れるとOLED素子が発光する電圧を意味する。例えば、青副画素251Bを発光させるためには、アノード電極265Bからカソード電極273(図8参照)に、青副画素251Bの発光閾値電圧以上で電流を流す必要がある。異なる色の副画素の発光閾値電圧(以下、閾値電圧と適宜記す)は異なる。例えば、青色のOLED素子の閾値電圧は、緑色のOLED素子の閾値電圧よりも高い。そして、緑色のOLED素子の閾値電圧は、赤色のOLED素子の閾値電圧よりも高い。
In order to make the OLED element emit light, it is necessary to flow a current to the OLED element above the emission threshold voltage. The light emission threshold voltage means a voltage at which the OLED element emits light when current flows above this voltage. For example, in order to cause the
実施形態4では、異なる色の副画素の発光閾値電圧が異なることを利用して、各色の有機発光層等の層構造を工夫することで副画素間のクロストークを抑制する。以下において、実施形態4の表示領域の構成及び製造方法を説明する。主に実施形態1との相違点を説明する。 In the fourth embodiment, crosstalk between subpixels is suppressed by devising the layer structure of the organic luminescent layer or the like of each color by utilizing the fact that the luminescence threshold voltages of the subpixels of different colors are different. The configuration and manufacturing method of the display area of the fourth embodiment will be described below. The differences from the first embodiment will be mainly described.
図17は、表示領域125の一部の平面図を示す。図17は、行列状に配置された複数の副画素を示す。図17は、赤副画素(発光領域)251R、青副画素(発光領域)251B、及び緑副画素(発光領域)251Gを示す。図17における副画素のうち、赤、青、緑それぞれの一つの副画素のみが、符号で指示されている。
FIG. 17 shows a plan view of part of the
図17が示す副画素のレイアウトにおいて、複数の副画素は、行列状に配置されている。実施形態1における図2Aが示すレイアウトと異なり、列方向(図17における上下方向)においても、同一色の副画素が配列されていない。すなわち、赤副画素251Rは、行列方向において青副画素251Bに隣接し、緑副画素251Gは、行列方向において青副画素251Bに隣接する。なお、行方向はX方向、列方向はY方向である。
In the layout of the subpixels shown in FIG. 17, the plurality of subpixels are arranged in a matrix. Unlike the layout shown in FIG. 2A in the first embodiment, sub-pixels of the same color are not arranged in the column direction (vertical direction in FIG. 17). That is, the
換言すれば、図17の画素レイアウトでは、赤副画素251R、青副画素251B、緑副画素251Gの閾値電圧の中で閾値電圧が最も高い青副画素251Bが、赤副画素251R及び緑副画素251Gを囲むように配置されている。なお、斜め方向に隣接する2つの青副画素、同じく斜め方向に隣接する1つの赤副画素と1つの緑副画素により1つの主画素が構成される。図17では、1点鎖線で、1つの主画素600を示す。
In other words, in the pixel layout of FIG. 17, the
図18は、図17におけるXVIII−XVIII切断線での第1の断面図を示す。実施形態4では、青有機発光層269Bの上側の層(上層)に、赤有機発光層269R、緑有機発光層269Gが積層されている層構造を模式的に示す。換言すれば、赤有機発光層269R、緑有機発光層269Gの下側の層(下層)に、青有機発光層269Bが積層されている。なお、上側を矢印UPで示し、下側を矢印DWで示す。
FIG. 18 shows a first cross-sectional view taken along line XVIII-XVIII in FIG. Embodiment 4 schematically shows a layer structure in which a red organic
例えば、一点鎖線で示す符号RB1で示すように、青副画素251Bと、青副画素251Bに隣接する赤副画素251Rとの間に配置された第1の画素定義部253aの頂面253a1の上側において、青副画素251Bの青有機発光層269Bの端部と赤副画素251Rの正孔供給層(例えば、赤副画素の正孔注入層266R、正孔輸送層268R)とが接触している。
For example, as indicated by a symbol RB1 indicated by an alternate long and short dash line, the upper side of the top surface 253a1 of the first
さらに、一点鎖線で示す符号RB2で示すように、青副画素251Bと、青副画素251Bに隣接する緑副画素251Gとの間に配置された第2の画素定義部253b1の頂面253b2の上側において、青副画素251Bの青有機発光層269Bの端部と緑副画素251Gの正孔供給層(例えば、緑副画素の正孔注入層266G、正孔輸送層268G)とが接触している。
Furthermore, as indicated by a symbol RB2 indicated by an alternate long and short dash line, the upper side of the top surface 253b2 of the second pixel definition portion 253b1 disposed between the
赤副画素251Rを発光させ、青副画素251B(又は緑副画素251G)を発光させない場合、赤副画素251Rの画素回路(図示しない)は、赤副画素251Rの閾値電圧以上、青画素251Bの閾値電圧未満の電流(以下、赤副画素の駆動電流と記す)を、アノード電極265Rからカソード電極273aに流す。この電流により、赤有機発光層269Rは、発光する。
When the
符号RB1に示すように、青有機発光層269Bの左端は、正孔注入層266R、正孔輸送層268Rに接触している。そのため、仮に接触面積が僅かであっても、赤画素251Rの発光時に、赤副画素251Rの駆動電流が、青有機発光層269Bに流れ込む場合がある。しかし、赤副画素251Rの駆動電流の電圧は、青画素251Bの閾値電圧よりも小さいので、青画素251Bが発光することがない。
As indicated by symbol RB1, the left end of the blue organic
すなわち、赤副画素251Rの発光時における隣接する青画素251Bの意図しない発光を抑制することができる。なお、青副画素251Bを発光させ、赤副画素251Rを発光させない場合を想定する。この場合には、図2で説明したように、正孔に対するエネルギ障壁が大きいことから、正孔は有機発光層から正孔供給層にはほとんど移動しない。そのため、青副画素251Bの駆動電流が、正孔注入層266Rに流れることはない。
That is, it is possible to suppress unintended light emission of the adjacent
図18で示した層構造を形成するためには、各色用のメタルマスクを利用して、正孔輸送層と有機発光層とを蒸着する。すなわち、1枚のメタルマスクを利用して、同色の正孔注入層と、正孔輸送層と、有機発光層とを蒸着する。なお、赤副画素用のメタルマスクについては、図3Aを参照されたい。 In order to form the layer structure shown in FIG. 18, a hole transport layer and an organic light emitting layer are vapor-deposited using a metal mask for each color. That is, a hole injection layer, a hole transport layer, and an organic light emitting layer of the same color are vapor-deposited using one metal mask. See FIG. 3A for the metal mask for the red sub-pixel.
しかし、製造時においては、正孔注入層及び正孔輸送層を第1チャンバで蒸着し、有機発光層を第1チャンバとは異なる第2チャンバで蒸着する場合がある。また、正孔注入層及び/又は正孔輸送層を含む正孔供給層の端を有機発光層で確実に覆うことが好ましい。そこで、同色の正孔供給層と有機発光層とを異なる2枚のメタルマスクを利用して蒸着する。 However, in production, the hole injection layer and the hole transport layer may be deposited in the first chamber, and the organic light emitting layer may be deposited in the second chamber different from the first chamber. In addition, it is preferable to reliably cover the end of the hole supply layer including the hole injection layer and / or the hole transport layer with the organic light emitting layer. Therefore, the same color hole supply layer and the organic light emitting layer are deposited using two different metal masks.
図19は、図17におけるXVIII−XVIII切断線での第2の断面図を示す。図19では、正孔供給層の端を有機発光層で確実に覆う構造を説明する。図18の断面図で説明したのと同様に、青有機発光層269Bの上側の層に、赤有機発光層269R、緑有機発光層269Gが積層されている層構造を図19に模式的に示す。図19に示すように、正孔輸送層の端の全面を覆う有機発光層の端部の厚みを大きくしている。例えば、符号RB2で示すように、正孔輸送層268Rの右端の全面を覆う赤有機発光層269Rの端部269R1の厚みを大きくしている。このように、有機発光層の端部の厚みを大きくすることで、確実にリークパスを遮断する。
FIG. 19 shows a second cross-sectional view taken along line XVIII-XVIII in FIG. FIG. 19 illustrates a structure in which the end of the hole supply layer is reliably covered with the organic light emitting layer. A layer structure in which a red organic
図20、図21は、図18の断面図で説明した層構造を形成するために使用するメタルマスクを説明する図である。図20のメタルマスク47は、例えば青色用の正孔供給層を形成するために使用されるメタルマスクである。メタルマスク47は、青副画素の正孔供給層のための開口461Bを有する。開口461Bの縦の長さはL1であり横の長さはW1である。
20 and 21 are diagrams for explaining the metal mask used to form the layer structure described in the cross-sectional view of FIG. The
次に、図21のメタルマスク49は、例えば青色用の有機発光層を形成するために使用されるメタルマスクである。メタルマスク49は、青副画素の有機発光層のための開口463Bを有する。開口463Bの縦の長さは、長さL1よりも長いL2である。そして、開口463Bの横の長さは、長さW1よりも長いW2である。
Next, the
このように、正孔供給層用のメタルマスクの開口の縦横幅を有機発光層用のメタルマスクの開口の縦横幅よりも大きくすることで、正孔輸送層の端の全面を覆う有機発光層の端部の厚みを大きくする。 Thus, the organic light emitting layer which covers the entire surface of the end of the hole transport layer by making the width and width of the opening of the metal mask for the hole supply layer larger than the width and width of the opening of the metal mask for the organic light emitting layer Increase the thickness of the end of the
実施形態4の層構造では、図18、図19で説明したように、青有機発光層269Bの上側の層(上層)に、赤有機発光層269R、緑有機発光層269Gが積層されている。この層構造を実現するため、最初に、青副画素の正孔供給層と有機発光層とを形成し、次に、緑副画素、赤副画素の正孔供給層と有機発光層とを形成する。
In the layer structure of the fourth embodiment, as described in FIGS. 18 and 19, the red organic
以下、実施形態4における、画素定義層253を形成した後の製造工程を、図22のフローチャートを参照して説明する。最初に、画素定義層253を形成した絶縁基板261に青副画素の正孔供給層を形成する(S161)。具体的には、図21に示した青副画素のパターンに対応したメタルマスク47を介した蒸着により、正孔供給層の材料を、画素定義層253を形成した基板261に付着して、青副画素の正孔供給層を成膜する。正孔供給層が正孔注入層と正孔輸送層とを含む複数層で構成される場合、複数層を繰り返し成膜する。正孔供給層の厚みは、マイクロキャビティ構造のために、制御されてもよい。
Hereinafter, the manufacturing process after forming the
次に、青副画素の有機発光層を形成する(S162)。具体的には、図22に示した青副画素のパターンに対応したメタルマスク49を介した蒸着により、青有機発光層の材料を、青副画素の正孔供給層上に付着して、青有機発光層を成膜する。
Next, an organic light emitting layer of blue subpixels is formed (S162). Specifically, the material of the blue organic light emitting layer is deposited on the hole supplying layer of the blue sub pixel by vapor deposition through the
次に、画素定義層253を形成した絶縁基板261に緑副画素の正孔供給層を形成し(S163)、緑副画素の有機発光層を形成し(S164)、赤副画素の正孔供給層を形成し(S165)、赤副画素の有機発光層を形成し(S166)、全副画素に共通の電子供給層271を形成し(S167)、電子供給層271上にカソード電極273のための金属材料を付着する(S168)。
Next, the hole supplying layer of the green sub-pixel is formed on the insulating
ステップS163〜S168までの工程の詳細は、それぞれ、図5のS102、S105、S103、S106、S107、S108で説明したので、これらの工程の詳細な説明は省略する。なお、緑副画素の正孔供給層と有機発光層との形成(S163、S164)と、赤副画素の正孔供給層と有機発光層との形成(S165、S166)との順序を入れかえてもよい(順不同)。 The details of steps S163 to S168 have been described in S102, S105, S103, S106, S107, and S108 of FIG. 5, respectively, and thus detailed description of these steps is omitted. Note that the order of the formation of the hole supply layer and the organic light emitting layer of the green subpixel (S163, S164) and the formation of the hole supply layer of the red subpixel and the organic light emitting layer (S165, S166) are changed. Also good (in any order).
以上、実施形態4では、各色の発光閾値電圧に着目して各色の有機層を積層したので、異なる発光層の重なりが生じた場合であっても、副画素間のクロストークによる画像品質の低下をより抑制する事ができる。 As described above, in the fourth embodiment, since the organic layers of the respective colors are stacked focusing on the light emission threshold voltage of each color, even if overlapping of different light emitting layers occurs, deterioration of the image quality due to crosstalk between sub-pixels Can be further suppressed.
上記各実施形態で説明した表示領域125は、トップエミッション型の画素構造を有する。トップエミッション型の画素構造は、光が出射する側(図面上側)に、複数の画素に共通のカソード電極273が配置される。カソード電極273は、表示領域125の全面を完全に覆う形状を有する。本開示の特徴は、ボトムエミッション型の画素構造を有するOLED表示装置にも適用できる。ボトムエミッション型の画素構造は、透明アノード電極と反射カソード電極を有し、TFT基板100を介して外部に光を出射する。
The
上記各実施形態で説明した表示領域125の画素配列は、3色の副画素列が循環的に配置された、いわゆるストライプ配列である。本開示の特徴は、異なる色の副画素を含む画素列から構成される画素配列に適用することができ、モザイク配列、ペンタル配列等、様々な画素配列に適用することができる。
The pixel arrangement of the
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said embodiment. Those skilled in the art can easily change, add, or convert the elements of the above-described embodiment within the scope of the present invention. It is possible to replace part of the configuration of one embodiment with the configuration of another embodiment, and it is also possible to add the configuration of another embodiment to the configuration of one embodiment.
10 OLED表示装置、41、43、45 メタルマスク、100 TFT基板、114 カソード電極形成領域、125 表示領域、131 走査ドライバ、132 エミッションドライバ、133 保護回路、200 封止基板、251B 青副画素、251G 緑副画素、251R 赤副画素、253 画素定義層、261 絶縁基板、263 回路層、265R 赤副画素のアノード電極、265B 青副画素のアノード電極、265G 緑副画素のアノード電極、266R 赤副画素の正孔注入層、266G 緑副画素の正孔注入層、266B 青副画素の正孔注入層、267B 青副画素の正孔供給層、267G 緑副画素の正孔供給層、267R 赤副画素の正孔供給層、268R 赤副画素の正孔輸送層、268G 緑副画素の正孔輸送層、268B 青副画素の正孔輸送層、269B 青有機発光層、269G 緑有機発光層、269R 赤有機発光層、271 電子供給層、273 カソード電極、300 接合部、412B 青副画素の開口、412G 緑副画素の開口、412R 赤副画素の開口、452 開口
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記複数の副画素それぞれの発光領域を囲む画素定義層と、を含み、
前記複数の副画素のそれぞれは、
上部電極と、
下部電極と、
前記上部電極と前記下部電極との間において前記上部電極及び前記下部電極と積層された有機発光層と、
前記下部電極と前記有機発光層との間において前記下部電極及び前記有機発光層と積層された下部キャリア供給層と、を含み、
前記下部キャリア供給層は、
前記下部電極及び前記有機発光層それぞれと接触し、
前記下部電極から前記有機発光層へキャリアを供給し、
前記下部電極の前記画素定義層の開口内の全面を覆い、
前記下部電極を囲む前記画素定義層の頂面に端を有し、
前記有機発光層は、前記下部キャリア供給層の前記端を含む前記下部キャリア供給層の全面を覆う、
OLED表示装置。 A plurality of sub-pixels arranged on the surface of the substrate;
A pixel definition layer surrounding a light emitting area of each of the plurality of sub-pixels;
Each of the plurality of sub-pixels is
Upper electrode,
Lower electrode,
An organic light emitting layer laminated with the upper electrode and the lower electrode between the upper electrode and the lower electrode;
A lower carrier supply layer laminated with the lower electrode and the organic light emitting layer between the lower electrode and the organic light emitting layer;
The lower carrier supply layer is
Contact each of the lower electrode and the organic light emitting layer,
Supplying a carrier from the lower electrode to the organic light emitting layer;
Covering the entire surface within the opening of the pixel definition layer of the lower electrode;
Having an end on the top surface of the pixel definition layer surrounding the lower electrode;
The organic light emitting layer covers the entire surface of the lower carrier supply layer including the end of the lower carrier supply layer.
OLED display.
前記下部キャリア供給層の前記端を含む第1端部は、前記画素定義層の前記頂面において、隣接する異なる色の副画素の下部キャリア供給層の第2端部と重なり、
前記有機発光層の一部は、前記第1端部が前記第2端部から離間するように、前記第1端部と前記第2端部との間に積層されている、
OLED表示装置。 An OLED display device according to claim 1, wherein
The first end including the end of the lower carrier supply layer overlaps the second end of the lower carrier supply layer of the adjacent sub-pixel of different color on the top surface of the pixel definition layer;
A portion of the organic light emitting layer is laminated between the first end and the second end such that the first end is separated from the second end.
OLED display.
前記下部キャリア供給層の前記端は、隣接する異なる色の副画素の下部キャリア供給層から前記基板の面内方向において離間しており、
前記有機発光層の端部は、前記画素定義層の前記頂面において、前記下部キャリア供給層の前記端と前記隣接する異なる色の副画素の下部キャリア供給層との間に形成されている、
OLED表示装置。 An OLED display device according to claim 1, wherein
The end of the lower carrier supply layer is spaced in the in-plane direction of the substrate from the lower carrier supply layer of an adjacent sub-pixel of different color,
An end of the organic light emitting layer is formed on the top surface of the pixel defining layer between the end of the lower carrier supply layer and a lower carrier supply layer of the adjacent sub-pixel of different color.
OLED display.
少なくとも3つの副画素は、それぞれ異なる第1色〜第3色を発光する副画素であり、
前記第1色の副画素の有機発光層は、前記第1色の副画素の下部キャリア供給層の前記端を含む全面を覆い、
前記第1色の副画素と、前記第1色の副画素に隣接する第2色の副画素との間に配置された第1の画素定義部の頂面の上側において、前記第1色の副画素の有機発光層の端部と前記第2色の副画素の下部キャリア供給層とが接触し、
前記第1色の副画素の発光閾値電圧は、前記第2色の副画素の発光閾値電圧よりも高い、
OLED表示装置。 An OLED display device according to claim 1, wherein
The at least three sub-pixels are sub-pixels that emit different first to third colors,
The organic light emitting layer of the first color sub-pixel covers the entire surface including the end of the lower carrier supply layer of the first color sub-pixel,
In the upper side of the top surface of the first pixel defining portion disposed between the first color sub-pixel and the second color sub-pixel adjacent to the first color sub-pixel, the first color Contacting an end portion of the organic light emitting layer of the sub pixel and the lower carrier supply layer of the second color sub pixel;
The light emission threshold voltage of the first color sub pixel is higher than the light emission threshold voltage of the second color sub pixel.
OLED display.
前記第1色の副画素と、前記第1色の副画素に隣接する第3色の副画素との間に配置された第2の画素定義部の頂面の上側において、前記第1色の副画素の有機発光層の端部と前記第3色の副画素の下部キャリア供給層とが接触し、
前記第1色の副画素の発光閾値電圧は、前記第3色の副画素の発光閾値電圧よりも高い、
OLED表示装置。 An OLED display as claimed in claim 4, wherein
In the upper side of the top surface of the second pixel definition portion disposed between the first color sub-pixel and the third color sub-pixel adjacent to the first color sub-pixel, the first color Contacting an end portion of the organic light emitting layer of the sub pixel and a lower carrier supply layer of the third color sub pixel;
The light emission threshold voltage of the first color sub pixel is higher than the light emission threshold voltage of the third color sub pixel.
OLED display.
前記複数の副画素は、行列状に配置され、
前記第2色の副画素は、行列方向において第1色の副画素に隣接し、
前記第3色の副画素は、行列方向において第1色の副画素に隣接する、
OLED表示装置。 An OLED display device according to claim 5, wherein
The plurality of sub-pixels are arranged in a matrix,
The second color sub-pixel is adjacent to the first color sub-pixel in the matrix direction,
The third color sub-pixel is adjacent to the first color sub-pixel in the matrix direction.
OLED display.
前記複数の副画素の有機発光層と前記複数の副画素の上部電極との間において、前記有機発光層及び前記上部電極と接触して積層された、前記複数の副画素に共通の上部キャリア供給層をさらに含み、
前記複数の副画素それぞれの前記上部電極は、一つの共通の上部電極層の一部であり、
前記複数の副画素のそれぞれの前記有機発光層の前記端部は、前記画素定義層の前記頂面において、前記上部キャリア供給層と前記下部キャリア供給層の前記端との間に形成されている、
OLED表示装置。 An OLED display as claimed in claim 3, wherein
An upper carrier supply common to the plurality of sub-pixels stacked in contact with the organic light-emitting layer and the upper electrode between the organic light-emitting layer of the plurality of sub-pixels and the upper electrode of the plurality of sub-pixels Further include layers,
The upper electrode of each of the plurality of sub-pixels is a part of one common upper electrode layer,
The end of the organic light emitting layer of each of the plurality of sub-pixels is formed between the upper carrier supply layer and the end of the lower carrier supply layer on the top surface of the pixel definition layer. ,
OLED display.
前記複数の副画素の有機発光層と前記複数の副画素の上部電極との間において、前記有機発光層及び前記上部電極と接触して積層された、前記複数の副画素に共通の上部キャリア供給層をさらに含み、
前記複数の副画素それぞれの前記上部電極はカソード電極であって、一つの共通のカソード電極層の一部であり、
前記上部キャリア供給層は電子供給層であり、
前記下部電極はアノード電極であり、
前記下部キャリア供給層は正孔供給層である、
OLED表示装置。 An OLED display device according to claim 1, wherein
An upper carrier supply common to the plurality of sub-pixels stacked in contact with the organic light-emitting layer and the upper electrode between the organic light-emitting layer of the plurality of sub-pixels and the upper electrode of the plurality of sub-pixels Further include layers,
The upper electrode of each of the plurality of sub-pixels is a cathode electrode, and is a part of one common cathode electrode layer,
The upper carrier supply layer is an electron supply layer,
The lower electrode is an anode electrode,
The lower carrier supply layer is a hole supply layer,
OLED display.
基板上に副画素の下部電極を形成する、第1ステップと、
前記下部電極を形成した基板上に、前記下部電極がそれぞれ露出する開口を含む画素定義層を形成する、第2ステップと、
第1色の副画素の第1下部電極及び前記画素定義層の上に、第1下部キャリア供給層を形成し、前記第1下部キャリア供給層のそれぞれは、前記開口において前記第1下部電極と接触して前記第1下部電極の全面を覆い、前記第1下部電極を囲む前記画素定義層の頂面に端を有する、第3ステップと、
第2色の副画素の第2下部電極及び前記画素定義層の上に、第2下部キャリア供給層を形成し、前記第2下部キャリア供給層のそれぞれは、前記開口において前記第2下部電極と接触して前記第2下部電極の全面を覆い、前記第2下部電極を囲む前記画素定義層の頂面に端を有する、第4ステップと、
第3色の副画素の第3下部電極及び前記画素定義層の上に、第3下部キャリア供給層を形成し、前記第3下部キャリア供給層のそれぞれは、前記開口において前記第3下部電極と接触しての前記第3下部電極の全面を覆い、前記第3下部電極を囲む前記画素定義層の頂面に端を有する、第5ステップと、
前記第1下部キャリア供給層に接触し、前記第1下部キャリア供給層の前記端を含む前記第1下部キャリア供給層の全面を覆う、前記第1色の副画素それぞれの第1有機発光層を形成する、第6ステップと、
前記第2下部キャリア供給層に接触し、前記第2下部キャリア供給層の端を含む前記第2下部キャリア供給層の全面を覆う、第2有機発光層を形成する、第7ステップと、
前記第3下部キャリア供給層に接触し、前記第3下部キャリア供給層の端を含む前記第3下部キャリア供給層の全面を覆う、第3有機発光層を形成する、第8ステップと、
を含む方法。 A method of manufacturing an OLED display, comprising
Forming a lower electrode of the sub-pixel on the substrate;
Forming a pixel definition layer including an opening through which the lower electrode is exposed on the substrate on which the lower electrode is formed;
A first lower carrier supply layer is formed on the first lower electrode of the first color sub-pixel and the pixel defining layer, and each of the first lower carrier supply layers is formed with the first lower electrode at the opening. A third step contacting and covering the entire surface of the first lower electrode and having an end on the top surface of the pixel definition layer surrounding the first lower electrode;
A second lower carrier supply layer is formed on the second lower electrode of the second color sub-pixel and the pixel defining layer, and each of the second lower carrier supply layers is formed with the second lower electrode at the opening. A fourth step in contact with and covering the entire surface of the second lower electrode and having an end on the top surface of the pixel definition layer surrounding the second lower electrode;
A third lower carrier supply layer is formed on the third lower electrode of the third color sub-pixel and the pixel definition layer, and each of the third lower carrier supply layers is formed with the third lower electrode at the opening. A fifth step covering an entire surface of the third lower electrode in contact and having an end on a top surface of the pixel definition layer surrounding the third lower electrode;
The first organic light emitting layer of each of the first color sub-pixels is in contact with the first lower carrier supply layer and covers the entire surface of the first lower carrier supply layer including the end of the first lower carrier supply layer. Form the sixth step;
Forming a second organic light emitting layer in contact with the second lower carrier supply layer and covering the entire surface of the second lower carrier supply layer including the end of the second lower carrier supply layer;
Forming a third organic light emitting layer in contact with the third lower carrier supply layer and covering the entire surface of the third lower carrier supply layer including the end of the third lower carrier supply layer;
Method including.
前記第3ステップの後に前記第6ステップを実行し、
前記第6ステップの後に前記第4ステップを実行し、
前記第4ステップの後に前記第7ステップを実行し、
前記第7ステップの後に前記第5ステップを実行し、
前記第5ステップの後に前記第8ステップを実行する、
方法。 The method according to claim 9, wherein
Performing the sixth step after the third step;
Performing the fourth step after the sixth step;
Performing the seventh step after the fourth step;
Performing the fifth step after the seventh step;
Performing the eighth step after the fifth step;
Method.
前記第3ステップ、前記第4ステップ及び前記第5ステップの後に、前記第6ステップ、前記第7ステップ及び前記第8ステップを実行する、
方法。 The method according to claim 9, wherein
After the third step, the fourth step and the fifth step, the sixth step, the seventh step and the eighth step are executed.
Method.
前記第3ステップ、前記第4ステップ及び前記第5ステップを、一つのメタルマスクを使用した蒸着により、同時に実行する、
方法。 The method according to claim 9, wherein
The third step, the fourth step and the fifth step are performed simultaneously by vapor deposition using one metal mask,
Method.
前記第3ステップを、第1メタルマスクを使用した蒸着により実行し、
前記第6ステップを、前記第1メタルマスクよりも大きい開口を有する第2メタルマスクを使用した蒸着により実行し、
前記第4ステップを、第3メタルマスクを使用した蒸着により実行し、
前記第7ステップを、前記第3メタルマスクよりも大きい開口を有する第4メタルマスクを使用した蒸着により実行し、
前記第5ステップを、第5メタルマスクを使用した蒸着により実行し、
前記第8ステップを、前記第5メタルマスクよりも大きい開口を有する第6メタルマスクを使用した蒸着により実行する、
方法。 The method according to claim 9, wherein
Performing the third step by deposition using a first metal mask;
Performing the sixth step by deposition using a second metal mask having an opening larger than the first metal mask;
Performing the fourth step by deposition using a third metal mask;
Performing the seventh step by deposition using a fourth metal mask having an opening larger than the third metal mask;
Performing the fifth step by vapor deposition using a fifth metal mask;
Performing the eighth step by deposition using a sixth metal mask having an opening larger than the fifth metal mask;
Method.
少なくとも3つの副画素は、それぞれ異なる第1色〜第3色を発光する副画素であり、
前記第1色の副画素の有機発光層は、前記第1色の副画素の下部キャリア供給層の前記端を含む全面を覆い、
前記第1色の副画素と、前記第1色の副画素に隣接する第2色の副画素との間に配置された第1の画素定義部の頂面の上側において、前記第1色の副画素の有機発光層の端部と前記第2色の副画素の下部キャリア供給層とが接触し、
前記第1色の副画素の発光閾値電圧は、前記第2色の副画素の発光閾値電圧よりも高い、
方法。 The method according to claim 9, wherein
The at least three sub-pixels are sub-pixels that emit different first to third colors,
The organic light emitting layer of the first color sub-pixel covers the entire surface including the end of the lower carrier supply layer of the first color sub-pixel,
In the upper side of the top surface of the first pixel defining portion disposed between the first color sub-pixel and the second color sub-pixel adjacent to the first color sub-pixel, the first color Contacting an end portion of the organic light emitting layer of the sub pixel and the lower carrier supply layer of the second color sub pixel;
The light emission threshold voltage of the first color sub pixel is higher than the light emission threshold voltage of the second color sub pixel.
Method.
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