JP2013145918A - 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光装置は、投影光学系と液体とを介して基板を露光する。露光装置は、投影光学系が配置される第1領域と、第1領域と異なる第2領域とを含む所定領域内で、基板を載置して移動可能な第1ステージと、所定領域内で移動可能な第2ステージと、第1、第2ステージをそれぞれ第1、第2領域の一方から他方に移動するとともに、所定領域内で第1、第2ステージを独立に移動するリニアモータシステムと、投影光学系の直下に液体を供給して液浸領域を形成する液浸システムと、投影光学系と第1ステージとの間に液浸領域が維持される第1状態と、投影光学系と第2ステージとの間に液浸領域が維持される第2状態との一方が他方に遷移するように、投影光学系の直下に液浸領域を維持しつつ、リニアモータシステムによって、投影光学系の下方で第1、第2ステージを移動する制御システムと、を備える。
【選択図】図7
Description
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1はプロセス係数である。この式(1)より、使用する露光波長(露光光の波長)が短くなるほど、また投影光学系の開口数(NA)が大きいほど、解像度Rは高くなる。そのため、集積回路の微細化に伴い投影露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、今日では、KrFエキシマレーザ(波長248nm)より短波長のArFエキシマレーザ(波長193nm)を光源とする露光装置も実用化されている。また、投影光学系の開口数も次第に増大してきている。
なお、本明細書においては、水以外の液体を用いた場合に、先端レンズなどに形成される染みも水染み(ウォーターマーク)と称する。
本発明の他の態様に従えば、投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、それぞれ基板を載置するとともに、上面の一部に基準マーク部材が配置される第1、第2ステージの一方によって投影光学系と対向して配置される基板の一部に、液体によって投影光学系の下に形成される液浸領域を介してエネルギビームを照射することと、投影光学系と対向して配置される一方のステージが第1、第2ステージの他方に置き換えられるように、投影光学系の下方で液浸領域に対して第1、第2ステージを移動することと、液浸領域に対する第1、第2ステージの移動によって、一方のステージと置き換えられた他方のステージの基準マーク部材に、投影光学系と液浸領域の液体とを介してエネルギビームが照射されるように、他方のステージを移動することと、を含む露光方法が提供される。
本発明は、上述した事情の下になされたもので、第1の観点からすると、液体が局所的に供給される2次元面内の第1領域と該第1領域の第1軸方向の一側に位置する第2領域とを含む所定範囲の領域内で、第1ステージと第2ステージとを独立して駆動するステージ駆動方法において、前記第1、第2ステージのうちの一方のステージが前記第1領域に位置する第1の状態から他方のステージが前記第1領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、前記第1ステージと前記第2ステージとが、前記第1軸方向に交差する第2軸方向に関して近接した状態及び接触した状態のいずれかを維持して前記第1、第2ステージを前記第2軸方向に同時に駆動することを特徴とする第1のステージ駆動方法である。
すなわち、一方のステージ上に液体が保持された状態から、両方のステージ上に跨って液体が保持される状態を経て、他方のステージ上に液体が保持された状態に、液体の全回収、再度の供給という工程を経ることなく、遷移させることが可能となる。従って、第1の状態から第2の状態への遷移を短時間で行うことが可能となる。
以下、本発明の第1の実施形態を図1〜図10に基づいて説明する。
この照明系10では、レチクルブラインドで規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域をエネルギビームとしての照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。
ここで、照明光ILとしては、一例としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。また、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッドインテグレータ(内面反射型インテグレータ)あるいは回折光学素子などを用いることができる。この他、照明系10として、例えば特開平6−349701号公報及びこれに対応する米国特許第5,534,970号などに開示される構成を採用しても良い。本国際出願で指定した指定国(又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおいて、上記各公報及び対応する米国特許出願公開明細書又は米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
これらのX軸リニアガイド86、87は、例えばX軸方向に沿って所定間隔でかつ交互に配置されたN極磁石とS極磁石の複数の組から成る永久磁石群を内蔵する磁極ユニットによって構成されている。これらのX軸リニアガイド86、87の上方には、各2つのスライダ82,84及び83,85が、対応するX軸リニアガイド86、87を上方から取り囲む状態で非接触で設けられている。すなわち、合計4つのスライダ82、84、83、85は、X軸リニアガイド86又は87を上方及び側方から囲むような断面逆U字状の形状を有し、対応するX軸リニアガイド86又は87に対して不図示のエアパッドをそれぞれ介して例えば数μm程度のクリアランスを介して浮上支持されている。スライダ82、84、83、85のそれぞれは、例えばX軸方向に沿って所定間隔で配置された電機子コイルをそれぞれ内蔵する電機子ユニットによって構成されている。すなわち、本実施形態では、電機子ユニットから成るスライダ82、84と磁極ユニットから成るX軸リニアガイド86とによって、ムービングコイル型のX軸リニアモータがそれぞれ構成されている。同様にスライダ83、85とX軸リニアガイド87とによって、ムービングコイル型のX軸リニアモータがそれぞれ構成されている。以下においては、上記4つのX軸リニアモータのそれぞれを、それぞれの可動子を構成するスライダ82、84、83、85と同一の符号を用いて、適宜、X軸リニアモータ82、X軸リニアモータ84、X軸リニアモータ83、及びX軸リニアモータ85と呼ぶものとする。
なお、補助プレート72a〜72dは、一つの部材で構成しても良い。また、投影光学系PLの像面側に液体Lqを保持可能であれば、ウエハ表面と補助プレート表面との間に段差があっても良い。
従って、これらのY軸干渉計44,46,48では、ウエハステージWST1又はWST2のY軸方向の位置計測以外に、X軸回りの回転量(ピッチング量)の計測が可能となっている。
この場合、先端レンズ91とウエハW1(又はW2)との間に保持された水Lqは、常に入れ替わっている。
また、ウエハの移動方向とは無関係に、供給ノズル21a〜21c,22a〜22c,27a,28aから液体Lqを供給しつづけ、回収ノズル23a,23b,24a,24b,29a,29b,30a,30bから液体Lqを回収し続けるようにしても良い。
また、液体給排システムは上述の図4の形態に限られず、投影光学系PLの像面側に液浸領域を形成することができれば、いろいろな形態を適用することができる。
なお焦点位置検出系は、ウエハ表面の位置情報を液体を介して検出するものであっても良いし、液体を介さずに検出するものであっても良い。また焦点位置検出系は、投影光学系PLの像面側でウエハ表面の位置情報を検出するものに限られず、投影光学系PLから離れた場所でウエハ表面の位置情報を検出するものであっても良い。
このとき、基準マーク板FM2上の一対の第1基準マーク及びレチクルアライメントマークの像の検出は、投影光学系PL及び水を介して行われる。
次に、本発明の第2の実施形態を図11〜図15(B)に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第2の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成等、及び2つのウエハステージを用いた並行処理動作が前述の第1の実施形態と異なる。また、マーク検出系が1つのみ設けられている点が、前述の第1の実施形態と異なる。その他の部分の構成等は、前述の第1の実施形態と同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
なお、上記の移動の間中、ウエハステージWST1’、WST2’は弾性シール部材93を介して相互に接触する位置関係を保っている。
次に、本発明の第3の実施形態について、図16〜図18(B)に基づいて説明する。
ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第3の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成等が前述した第1の実施形態と異なるのみで、その他の部分の構成は、同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
またウエハステージWSTには、計測用の部材を搭載しても良いし、搭載してなくても良い。
図17(B)には、上記の移動の途中に水(液浸領域)がウエハステージWST、計測ステージMST上に同時に跨って存在するときの状態、すなわちウエハステージWST上から計測ステージMST上に水が渡される直前の状態が示されている。
なお、ウエハW上の各ショット領域の露光のための加速開始位置へのウエハステージWSTの移動は、上記のウエハアライメントの結果得られたウエハW上の複数のショット領域の位置座標と、直前に計測したベースラインとに基づいて行われる。
またウエハの交換毎などに計測ステージMSTに搭載された計測用部材を使って各種の計測を行って、その後の露光動作に計測結果を反映させることができるので、常に高精度に調整された状態でウエハの露光を行うことができる。
また、遷移の際の両ステージの間隙への水(液体)の漏れ出しは、漏れ出し量がわずかであれば許容される場合もあり得るので、遷移の際の両ステージの間隔は、ステージの材質やステージ表面の状態や形状、液体の種類だけでなく、漏れ出しの許容量を考慮して決めるようにしても良い。
次に、本発明の第4の実施形態について、図20〜図23(B)に基づいて説明する。
ここで、前述した第3の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第4の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成(干渉計の配置を含む)が前述した第3の実施形態と一部相違するのみで、その他の部分の構成等は、その第3の実施形態の装置と同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
この場合、庇部111aの上面と計測ステージMST’の上面の夫々を撥水性(水との接触角が80°以上)にすることによって、その隙間への水の浸入をより確実に防止することができる。なお、この移動の間に、干渉計IF2からの干渉計ビームは計測ステージMST’の端面Sbに当たらなくなるが、それとほぼ同時に(その直前又は直後に)干渉計IF3の干渉計ビームが計測ステージMST’の端面Sbに当たるようになるので、その時点で干渉計IF3のリセット(又はプリセット)が主制御装置20によって実行されている。
次に上記各実施形態の露光装置をリソグラフィ工程で使用するデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
以上のステップ211〜ステップ214それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
Claims (80)
- 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
それぞれ基板を載置するとともに、上面の一部に基準マーク部材が配置される第1、第2ステージと、
前記第1ステージ又は前記第2ステージによって前記投影光学系と対向して配置される前記基板の一部に、前記液体によって前記投影光学系の下に液浸領域を形成する液浸部材と、
前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記基準マーク部材に照射される前記エネルギビームを検出する第1検出系と、
前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2ステージの一方が他方に置き換えられるように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージを移動する駆動システムと、を備え、
前記駆動システムは、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動によって、前記一方のステージと置き換えられた前記他方のステージの前記基準マーク部材に、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームが照射されるように、前記他方のステージを移動する。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記投影光学系から離れて配置され、前記基板のマークを検出する第2検出系を、さらに備え、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動に先立ち、前記第2検出系によって、前記他方のステージに載置される基板のマーク、及び前記基準マーク部材の検出が行われる。 - 請求項2に記載の露光装置において、
前記第2検出系による検出動作は、前記一方のステージに載置される基板の露光動作と並行して実行される。 - 請求項2又は3に記載の露光装置において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われるとともに、前記液体を介すことなく前記第2検出系によって前記マーク及び前記基準マーク部材の検出が行われる。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動によって前記投影光学系の下から離脱可能となる前記一方のステージは基板交換位置に移動されて前記露光された基板が交換される。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板の露光に用いられるマスクのマーク検出のために、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームが前記基準マーク部材に照射される。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動の前後の少なくとも一方において、前記一方のステージと前記他方のステージとで互いに異なる動作が並行して行われる。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基準マーク部材に対する前記エネルギビームの照射に続いて前記他方のステージに載置される基板の露光を行うために、前記駆動システムは、前記基準マーク部材上に位置する前記液浸領域が前記基板上に位置するように前記他方のステージを移動する。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1ステージに載置される基板の露光動作と、前記第2ステージに載置される基板の露光動作とが交互に行われ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動はその露光動作の間に行われる。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージを交互に用いて複数の基板の露光動作が行われ、前記液浸領域は、前記複数の基板の露光動作において前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記駆動システムは、前記投影光学系の下に前記液浸領域が実質的に維持されるように近接した状態、または前記第1、第2ステージの間隙からの液体の漏出が防止又は抑制されるように近接した状態、または接触した状態で、前記第1、第2ステージを前記液浸領域に対して移動する。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、その少なくとも一方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように、互いに近接または接触した状態が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動中、前記液浸領域は、前記第1、第2ステージの少なくとも一方によって前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項13に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動の途中で、前記液浸領域は、前記1、第2ステージの両方によって前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動によって、前記液浸領域は、前記投影光学系の下に維持されつつ前記第1、第2ステージの一方から他方に移動する。 - 請求項1〜15のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記駆動システムは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して前記他方のステージが接近するように前記第1、第2ステージを相対移動し、
前記接近した第1、第2ステージが前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項16に記載の露光装置において、
前記接近した第1、第2ステージはその位置関係が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項1〜17のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基準マーク部材が配置される上面の一部に、前記基板の載置領域が設けられるとともに、前記上面と、前記載置領域に載置される基板との少なくとも一方によって、前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持可能である。 - 請求項18に記載の露光装置において、
前記基準マーク部材はその表面が前記上面とほぼ同一面となるように設けられる。 - 請求項18又は19に記載の露光装置において、
前記基板はその表面が前記上面とほぼ同一面となるように前記載置領域に載置される。 - 請求項18〜20のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記載置領域と前記基準マーク部材とは、前記上面内で互いに異なる開口内に配置され、
前記基板は、前記開口内で前記載置領域に載置される。 - 請求項1〜21のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の載置領域と、前記載置領域が配置される開口と前記基準マーク部材が配置される開口とが形成される補助部材と、を有し、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動において、前記補助部材によって前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持する。 - 請求項1〜22のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して、前記走査露光時に前記基板が移動される方向と交差する所定方向に移動される。 - 請求項1〜23のいずれか一項に記載の露光装置において、
所定方向に交差する方向に関して前記投影光学系と異なる位置に配置され、前記基板のマークを検出する第2検出系を、さらに備え、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜24のいずれか一項に記載の露光装置において、
所定方向に交差する方向に関して前記投影光学系と異なる位置で、前記第1ステージ又は前記第2ステージに載置される基板の交換が行われ、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜25のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、所定方向に交差する方向に関して前記第1領域と位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜23のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置に配置され、前記基板のマークを検出する第2検出系を、さらに備え、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜23、27のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置で、前記第1ステージ又は前記第2ステージに載置される基板の交換が行われ、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜23、27、28のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、所定方向に関して前記第1領域と位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項26又は29に記載の露光装置において、
前記第2領域において、前記基板のマーク検出と前記基板の交換との少なくとも一方が行われる。 - 請求項1〜30のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1領域から前記第2領域への移動経路が前記第1ステージと前記第2ステージとで異なる。 - 請求項31に記載の露光装置において、
前記第2領域から前記第1領域への移動経路が前記第1ステージと前記第2ステージとで異なる。 - 請求項1〜32のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動されるとともに、前記第1領域から前記第2領域への移動と、前記第2領域から前記第1領域への移動とで逆の経路を辿るように移動される。 - 請求項1〜33のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対する移動において対向する前記第1、第2ステージの端部が、前記液浸領域を維持する前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記液浸領域を維持する前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで同一となるように配置される。 - 請求項34に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域を維持する前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記液浸領域を維持する前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して逆向きに移動される。 - 請求項1〜33のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対する移動において対向する前記第1、第2ステージの端部が、前記液浸領域を維持する前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記液浸領域を維持する前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なるように配置される。 - 請求項36に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記対向する端部が、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して両端に配置される端部である。 - 請求項36又は37に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域を維持する前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記液浸領域を維持する前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して同一向きに移動される。 - 請求項1〜38のいずれか一項に記載の露光装置において、
少なくとも前記基板の露光動作において、前記液浸部材を介して、前記液浸領域への液体供給、及び前記液浸領域からの液体回収が常時行われる。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項1〜39のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
それぞれ基板を載置するとともに、上面の一部に基準マーク部材が配置される第1、第2ステージの一方によって前記投影光学系と対向して配置される前記基板の一部に、前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域を介して前記エネルギビームを照射することと、
前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージが前記第1、第2ステージの他方に置き換えられるように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージを移動することと、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動によって、前記一方のステージと置き換えられた前記他方のステージの前記基準マーク部材に、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームが照射されるように、前記他方のステージを移動することと、を含む。 - 請求項41に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動に先立ち、前記投影光学系から離れて配置され、前記基準マーク部材に照射された前記エネルギビームを検出する第1検出系と異なる第2検出系によって、前記他方のステージに載置される基板のマーク、及び前記基準マーク部材の検出が行われる。 - 請求項42に記載の露光方法において、
前記第2検出系による検出動作は、前記一方のステージに載置される基板の露光動作と並行して実行される。 - 請求項42又は43に記載の露光方法において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われるとともに、前記液体を介すことなく前記第2検出系によって前記マーク及び前記基準マーク部材の検出が行われる。 - 請求項41〜44のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動によって前記投影光学系の下から離脱可能となる前記一方のステージは基板交換位置に移動されて前記露光された基板が交換される。 - 請求項41〜45のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板の露光に用いられるマスクのマーク検出のために、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームが前記基準マーク部材に照射される。 - 請求項41〜46のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動の前後の少なくとも一方において、前記一方のステージと前記他方のステージとで互いに異なる動作が並行して行われる。 - 請求項41〜47のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基準マーク部材に対する前記エネルギビームの照射に続いて前記他方のステージに載置される基板の露光を行うために、前記他方のステージは、前記基準マーク部材上に位置する前記液浸領域が前記基板上に位置するように移動される。 - 請求項41〜48のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1ステージに載置される基板の露光動作と、前記第2ステージに載置される基板の露光動作とが交互に行われ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動はその露光動作の間に行われる。 - 請求項41〜49のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージを交互に用いて複数の基板の露光動作が行われ、前記液浸領域は、前記複数の基板の露光動作において前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項41〜50のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記投影光学系の下に前記液浸領域が実質的に維持されるように近接した状態、または前記第1、第2ステージの間隙からの液体の漏出が防止又は抑制されるように近接した状態、または接触した状態で前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項41〜51のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、その少なくとも一方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように、互いに近接または接触した状態が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項41〜52のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動中、前記液浸領域は、前記第1、第2ステージの少なくとも一方によって前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項53に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動の途中で、前記液浸領域は、前記1、第2ステージの両方によって前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項41〜54のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動によって、前記液浸領域は、前記投影光学系の下に維持されつつ前記第1、第2ステージの一方から他方に移動する。 - 請求項41〜55のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して前記他方のステージが接近するように相対移動され、
前記接近した第1、第2ステージが前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項56に記載の露光方法において、
前記接近した第1、第2ステージはその位置関係が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項41〜57のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基準マーク部材が配置される上面の一部に、前記基板の載置領域が設けられるとともに、前記上面と、前記載置領域に載置される基板の表面との少なくとも一方によって、前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持可能である。 - 請求項58に記載の露光方法において、
前記基準マーク部材はその表面が前記上面とほぼ同一面となるように設けられる。 - 請求項58又は59に記載の露光方法において、
前記基板はその表面が前記上面とほぼ同一面となるように前記載置領域に載置される。 - 請求項58〜60のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、前記上面内で前記基準マーク部材が配置される開口と異なる開口内で前記載置領域に載置される。 - 請求項41〜61のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の載置領域が配置される開口と、前記基準マーク部材が配置される開口とが形成される補助部材が設けられ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動において、前記補助部材によって前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持する。 - 請求項41〜62のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して、前記走査露光時に前記基板が移動される方向と交差する所定方向に移動される。 - 請求項41〜63のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基準マーク部材に照射された前記エネルギビームを検出する第1検出系と異なるとともに、所定方向に交差する方向に関して前記投影光学系と異なる位置に配置される第2検出系によって、前記基板のマークが検出され、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項41〜64のいずれか一項に記載の露光方法において、
所定方向に交差する方向に関して前記投影光学系と異なる位置で、前記第1ステージ又は前記第2ステージに載置される基板の交換が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項41〜65のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、所定方向に交差する方向に関して前記第1領域と位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項41〜63のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基準マーク部材に照射された前記エネルギビームを検出する第1検出系と異なるとともに、前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置に配置される第2検出系によって、前記基板のマークが検出され、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項41〜63、67のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置で、前記第1ステージ又は前記第2ステージに載置される基板の交換が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項41〜63、67、68のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、所定方向に関して前記第1領域と位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項66又は69に記載の露光方法において、
前記第2領域において、前記基板のマーク検出と前記基板の交換との少なくとも一方が行われる。 - 請求項41〜70のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1領域から前記第2領域への移動経路が前記第1ステージと前記第2ステージとで異なる。 - 請求項71に記載の露光方法において、
前記第2領域から前記第1領域への移動経路が前記第1ステージと前記第2ステージとで異なる。 - 請求項41〜72のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動されるとともに、前記第1領域から前記第2領域への移動と、前記第2領域から前記第1領域への移動とで逆の経路を辿るように移動される。 - 請求項41〜73のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対する移動において対向する前記第1、第2ステージの端部が、前記液浸領域を維持する前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記液浸領域を維持する前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで同一となるように配置される。 - 請求項74に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域を維持する前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記液浸領域を維持する前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して逆向きに移動される。 - 請求項41〜73のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対する移動において対向する前記第1、第2ステージの端部が、前記液浸領域を維持する前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記液浸領域を維持する前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なるように配置される。 - 請求項76に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記対向する端部が、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して両端に配置される端部である。 - 請求項76又は77に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域を維持する前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記液浸領域を維持する前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して同一向きに移動される。 - 請求項41〜78のいずれか一項に記載の露光方法において、
少なくとも前記基板の露光動作において、前記液体によって前記液浸領域を形成する液浸部材を介して、前記液浸領域への液体供給、及び前記液浸領域からの液体回収が常時行われる。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項41〜79のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法。
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| US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101225884B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
| TW201721717A (zh) | 2003-06-19 | 2017-06-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法 |
| KR101380989B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US20070030467A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-02-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
| JP4220423B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-02-04 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
| WO2005093792A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| WO2005124833A1 (ja) * | 2004-06-21 | 2005-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法 |
| KR101364347B1 (ko) | 2004-10-15 | 2014-02-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN101598903A (zh) * | 2004-11-01 | 2009-12-09 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法 |
| TWI588872B (zh) * | 2004-11-18 | 2017-06-21 | 尼康股份有限公司 | Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
| WO2006062074A1 (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | 基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20070258068A1 (en) * | 2005-02-17 | 2007-11-08 | Hiroto Horikawa | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method |
| USRE43576E1 (en) * | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP2527921A3 (en) | 2005-04-28 | 2017-10-18 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
| EP1918983A4 (en) * | 2005-08-05 | 2010-03-31 | Nikon Corp | STAGE EQUIPMENT AND EXPOSURE DEVICE |
| WO2007029829A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US7633073B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7871933B2 (en) * | 2005-12-01 | 2011-01-18 | International Business Machines Corporation | Combined stepper and deposition tool |
| US8953148B2 (en) | 2005-12-28 | 2015-02-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and making method thereof |
| CN101326617B (zh) | 2005-12-28 | 2012-06-20 | 株式会社尼康 | 图案形成方法及图案形成装置、以及元件制造方法 |
| WO2007080523A1 (en) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Maglev object positioning apparatus and method for positioning an object and maintaining position with high stability |
| EP3147710B1 (en) | 2006-01-19 | 2019-04-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| WO2007097380A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | パターン形成装置及びパターン形成方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| CN101980084B (zh) | 2006-02-21 | 2013-01-23 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及组件制造方法 |
| CN101385120B (zh) | 2006-02-21 | 2012-09-05 | 株式会社尼康 | 测定装置及方法、处理装置及方法、图案形成装置及方法、曝光装置及方法、以及元件制造方法 |
| JP5077770B2 (ja) | 2006-03-07 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 |
| US7230676B1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7310132B2 (en) * | 2006-03-17 | 2007-12-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7760324B2 (en) * | 2006-03-20 | 2010-07-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI454859B (zh) | 2006-03-30 | 2014-10-01 | 尼康股份有限公司 | 移動體裝置、曝光裝置與曝光方法以及元件製造方法 |
| TW200805000A (en) | 2006-05-18 | 2008-01-16 | Nikon Corp | Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method |
| CN102109773A (zh) | 2006-05-22 | 2011-06-29 | 株式会社尼康 | 曝光方法、曝光装置以及维修方法 |
| EP2034515A4 (en) | 2006-05-23 | 2012-01-18 | Nikon Corp | MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
| JPWO2007139017A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2009-10-08 | 株式会社ニコン | 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| TWI425318B (zh) | 2006-06-09 | 2014-02-01 | 尼康股份有限公司 | 移動體裝置、曝光裝置和曝光方法以及元件製造方法 |
| CN100456138C (zh) * | 2006-06-13 | 2009-01-28 | 上海微电子装备有限公司 | 浸没式光刻机浸液流场维持系统 |
| EP2043134A4 (en) | 2006-06-30 | 2012-01-25 | Nikon Corp | MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| KR101523388B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2015-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 클리닝 방법 및 클리닝용 부재 |
| KR101698291B1 (ko) | 2006-08-31 | 2017-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US8675171B2 (en) | 2006-08-31 | 2014-03-18 | Nikon Corporation | Movable body drive system and movable body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision-making method |
| KR101444473B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2014-09-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| CN102360169B (zh) | 2006-09-01 | 2014-01-22 | 株式会社尼康 | 移动体驱动方法及移动体驱动系统、图案形成方法及装置、曝光方法及装置、组件制造方法、以及校正方法 |
| SG10201407218XA (en) | 2006-09-01 | 2015-01-29 | Nippon Kogaku Kk | Movable Body Drive Method And Movable Body Drive System, Pattern Formation Method And Apparatus, Exposure Method And Apparatus, And Device Manufacturing Method |
| US7872730B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
| JP5120377B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US20080158531A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| JP5055971B2 (ja) | 2006-11-16 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7973910B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-07-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus and exposure apparatus |
| JP5089143B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置 |
| US20080156356A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
| JP2009033111A (ja) * | 2007-05-28 | 2009-02-12 | Nikon Corp | 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法 |
| US8164736B2 (en) | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
| US7737515B2 (en) * | 2007-06-20 | 2010-06-15 | New Jersey Institute Of Technology | Method of assembly using array of programmable magnets |
| JP5630634B2 (ja) | 2007-07-13 | 2014-11-26 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| US9025126B2 (en) | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
| US8421994B2 (en) | 2007-09-27 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US8279399B2 (en) * | 2007-10-22 | 2012-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| KR101470671B1 (ko) * | 2007-11-07 | 2014-12-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US8760622B2 (en) | 2007-12-11 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
| US20090153824A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Kla-Tencor Corporation | Multiple chuck scanning stage |
| US8964166B2 (en) | 2007-12-17 | 2015-02-24 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method of producing device |
| SG183058A1 (en) * | 2007-12-17 | 2012-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| US8269945B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
| TWI602033B (zh) * | 2007-12-28 | 2017-10-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, moving body driving system, pattern forming apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| JP5369443B2 (ja) | 2008-02-05 | 2013-12-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| WO2009098891A1 (ja) | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Nikon Corporation | 位置計測システム及び位置計測方法、移動体装置、移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、パターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2009218564A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-09-24 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US20100039628A1 (en) * | 2008-03-19 | 2010-02-18 | Nikon Corporation | Cleaning tool, cleaning method, and device fabricating method |
| JPWO2009125867A1 (ja) | 2008-04-11 | 2011-08-04 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US8654306B2 (en) * | 2008-04-14 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method |
| US8817236B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8786829B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8228482B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| CN102037312B (zh) * | 2008-05-22 | 2014-01-22 | 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 | 用于工件上先后形成的层之间的重叠补偿的方法和装置 |
| US9176393B2 (en) | 2008-05-28 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus |
| WO2010005081A1 (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | 株式会社ニコン | 変形計測装置、露光装置、変形計測装置用治具、位置計測方法、及びデバイス製造方法 |
| JPWO2010050240A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| EP2189849B1 (en) | 2008-11-21 | 2015-12-16 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus provided with a swap bridge |
| EP2196857A3 (en) | 2008-12-09 | 2010-07-21 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9062260B2 (en) | 2008-12-10 | 2015-06-23 | Chevron U.S.A. Inc. | Removing unstable sulfur compounds from crude oil |
| US8902402B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
| US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
| US8896806B2 (en) | 2008-12-29 | 2014-11-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US20100196832A1 (en) | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, liquid immersion member and device fabricating method |
| KR101712219B1 (ko) | 2009-03-10 | 2017-03-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
| US8202671B2 (en) | 2009-04-28 | 2012-06-19 | Nikon Corporation | Protective apparatus, mask, mask forming apparatus, mask forming method, exposure apparatus, device fabricating method, and foreign matter detecting apparatus |
| WO2010125813A1 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及びデバイス製造方法、並びに重ね合わせ誤差計測方法 |
| US20110085152A1 (en) * | 2009-05-07 | 2011-04-14 | Hideaki Nishino | Vibration control apparatus, vibration control method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US20100323303A1 (en) * | 2009-05-15 | 2010-12-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
| TW201115280A (en) | 2009-05-15 | 2011-05-01 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US8970820B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| IT1399285B1 (it) * | 2009-07-03 | 2013-04-11 | Applied Materials Inc | Sistema di lavorazione substrato |
| TWI579659B (zh) | 2009-08-07 | 2017-04-21 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, and an element manufacturing method |
| JP5618261B2 (ja) | 2009-08-07 | 2014-11-05 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US8514395B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US8493547B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
| US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
| US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
| US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
| US20110199591A1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-08-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method |
| KR20170113709A (ko) | 2009-11-09 | 2017-10-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 노광 장치의 조정 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
| US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
| US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
| DE102009054653A1 (de) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
| WO2011081062A1 (ja) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | 株式会社ニコン | 液浸部材、液浸部材の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US9223225B2 (en) | 2010-01-08 | 2015-12-29 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| JP2011156678A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sony Corp | 3次元造形装置、3次元造形物の製造方法及び3次元造形物 |
| KR20120116329A (ko) | 2010-02-20 | 2012-10-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 광원 최적화 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 노광 장치, 리소그래피 시스템, 광원 평가 방법 및 광원 변조 방법 |
| US20110222031A1 (en) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
| NL2006506A (en) * | 2010-04-28 | 2011-10-31 | Asml Netherlands Bv | A component of an immersion system, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
| US20120013863A1 (en) | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
| US8937703B2 (en) | 2010-07-14 | 2015-01-20 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
| US20120013864A1 (en) | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
| US20120012191A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
| US20120019804A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, cleaning apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
| US20120019803A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
| US20120019802A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
| US8418773B2 (en) | 2010-09-10 | 2013-04-16 | Jason Cerrano | Fire-fighting control system |
| JP5510299B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2014-06-04 | ウシオ電機株式会社 | 露光装置および露光方法 |
| EP2469339B1 (en) * | 2010-12-21 | 2017-08-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20120162619A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium |
| US20120188521A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-07-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium |
| US9030057B2 (en) | 2011-06-24 | 2015-05-12 | Nikon Corporation | Method and apparatus to allow a plurality of stages to operate in close proximity |
| US20130016329A1 (en) | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, measurement method, and device manufacturing method |
| US9329496B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-05-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium |
| US9256137B2 (en) | 2011-08-25 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method |
| US20130050666A1 (en) | 2011-08-26 | 2013-02-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method |
| US8794610B2 (en) * | 2011-09-20 | 2014-08-05 | Mitutoyo Corporation | Two-dimension precision transfer equipment, three-dimension precision transfer equipment, and coordinate measuring machine |
| NL2009345A (en) * | 2011-09-28 | 2013-04-02 | Asml Netherlands Bv | Method of applying a pattern to a substrate, device manufacturing method and lithographic apparatus for use in such methods. |
| JP6156147B2 (ja) | 2011-11-17 | 2017-07-05 | 株式会社ニコン | エンコーダ装置、光学装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US20130135594A1 (en) | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
| US20130169944A1 (en) | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
| US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
| CN103199046B (zh) * | 2012-01-05 | 2015-09-09 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 晶圆缺口边缘中心预对准方法 |
| US9268231B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-02-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
| US9323160B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-04-26 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium |
| KR20150003312A (ko) * | 2012-04-13 | 2015-01-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
| US9823580B2 (en) | 2012-07-20 | 2017-11-21 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
| KR102203305B1 (ko) | 2012-10-02 | 2021-01-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US9568828B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-02-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
| US9494870B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-11-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
| US9772564B2 (en) * | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| WO2014080957A1 (ja) | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 株式会社ニコン | 露光装置、移動体装置、及びデバイス製造方法 |
| HK1216271A1 (en) | 2012-11-30 | 2016-10-28 | Nikon Corporation | Suction apparatus, carry-in method, conveyance system, light exposure device, and device production method |
| KR101450713B1 (ko) * | 2012-12-05 | 2014-10-16 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR101754679B1 (ko) | 2012-12-20 | 2017-07-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 이러한 장치에서 이용되는 테이블 |
| US9651873B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-05-16 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
| US9720331B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-08-01 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
| JP6119242B2 (ja) | 2012-12-27 | 2017-04-26 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| US9352073B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-05-31 | Niko Corporation | Functional film |
| US9057955B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-06-16 | Nikon Corporation | Functional film, liquid immersion member, method of manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| WO2014132923A1 (ja) | 2013-02-28 | 2014-09-04 | 株式会社ニコン | 摺動膜、摺動膜が形成された部材、及びその製造方法 |
| JP5344105B1 (ja) * | 2013-03-08 | 2013-11-20 | ウシオ電機株式会社 | 光配向用偏光光照射装置及び光配向用偏光光照射方法 |
| JP6178092B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-08-09 | 株式会社荏原製作所 | ステージ装置及び電子線応用装置 |
| CN104377101B (zh) | 2013-08-14 | 2017-08-08 | Fei 公司 | 用于带电粒子束系统的电路探头 |
| JP6369472B2 (ja) | 2013-10-08 | 2018-08-08 | 株式会社ニコン | 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| NL2013457A (en) * | 2013-10-09 | 2015-04-13 | Asml Netherlands Bv | Polarization independent interferometer. |
| US20150187540A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Drawing apparatus and method of manufacturing article |
| JP6481242B2 (ja) * | 2014-10-29 | 2019-03-13 | 新シコー科技株式会社 | レンズ駆動装置、カメラ装置及び電子機器 |
| KR102688211B1 (ko) | 2015-02-23 | 2024-07-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| CN111610696A (zh) | 2015-02-23 | 2020-09-01 | 株式会社尼康 | 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法 |
| TWI878938B (zh) | 2015-02-23 | 2025-04-01 | 日商尼康股份有限公司 | 測量裝置、曝光裝置、微影系統、測量方法以及曝光方法 |
| US9927723B2 (en) * | 2015-03-24 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for on-the-fly digital exposure image data modification |
| EP3291011A4 (en) | 2015-03-25 | 2019-02-27 | Nikon Corporation | LAYOUT METHOD, MARKING RECOGNITION METHOD, LIGHT EXPOSURE METHOD, MEASURING DEVICE, LIGHT EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE DEVICE |
| TW201643558A (zh) * | 2015-03-31 | 2016-12-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法、及曝光方法 |
| JP6700932B2 (ja) * | 2016-04-20 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | 検出装置、検出方法、プログラム、リソグラフィ装置、および物品製造方法 |
| JP6353487B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2018-07-04 | 株式会社サーマプレシジョン | 投影露光装置及びその投影露光方法 |
| US10845720B2 (en) * | 2016-05-31 | 2020-11-24 | Nikon Corporation | Mark detection apparatus, mark detection method, measurement apparatus, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| JP6929024B2 (ja) * | 2016-07-06 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | 光学装置、露光装置及び物品の製造方法 |
| KR102566162B1 (ko) * | 2016-08-23 | 2023-08-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 검사 방법 |
| WO2018061811A1 (ja) | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 株式会社ニコン | 決定方法及び装置、プログラム、情報記録媒体、露光装置、レイアウト情報提供方法、レイアウト方法、マーク検出方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| SG11201906413XA (en) | 2017-02-03 | 2019-08-27 | Asml Netherlands Bv | Exposure apparatus |
| WO2018154941A1 (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 新東工業株式会社 | テストシステム |
| US10009119B1 (en) * | 2017-03-06 | 2018-06-26 | The Boeing Company | Bandgap modulation for underwater communications and energy harvesting |
| US11105619B2 (en) | 2017-07-14 | 2021-08-31 | Asml Netherlands B.V. | Measurement apparatus |
| JP6985102B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2021-12-22 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| JP7060995B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-04-27 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
| CN112204707B (zh) * | 2018-05-31 | 2024-07-23 | 应用材料公司 | 数字光刻系统的多基板处理 |
| JP2020022010A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | キヤノン株式会社 | 清掃装置及び清掃方法 |
| CN110773513B (zh) * | 2018-07-30 | 2022-12-20 | 佳能株式会社 | 清洁设备和清洁设备的控制方法 |
| CN110858551B (zh) * | 2018-08-24 | 2025-02-14 | 禾宬科技有限公司 | 半导体清洗装置及方法 |
| TWI721307B (zh) * | 2018-09-21 | 2021-03-11 | 禾宬科技有限公司 | 半導體清洗裝置及方法 |
| US11556066B2 (en) * | 2019-02-28 | 2023-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Stage system and lithographic apparatus |
| KR20220011903A (ko) | 2020-07-22 | 2022-02-03 | 삼성전자주식회사 | 식기 세척기 |
| US11094499B1 (en) * | 2020-10-04 | 2021-08-17 | Borries Pte. Ltd. | Apparatus of charged-particle beam such as electron microscope comprising sliding specimen table within objective lens |
| KR20240058311A (ko) * | 2022-10-26 | 2024-05-03 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0851069A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-02-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ステップ・アンド・リピート装置 |
| WO1998040791A1 (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Positioning device having two object holders |
| JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
| JP2000505958A (ja) * | 1996-12-24 | 2000-05-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置 |
| JP2000164504A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法 |
| JP2003017404A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-17 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| JP2003249443A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (338)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US478661A (en) | 1892-07-12 | Henri tudor | ||
| US723963A (en) * | 1902-10-01 | 1903-03-31 | Howard H Willson | Temporary binder. |
| GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
| US3626560A (en) | 1970-06-04 | 1971-12-14 | Cogsdill Tool Prod | Sizing and finishing device for external surfaces |
| US4026653A (en) | 1975-05-09 | 1977-05-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Proximity printing method |
| US4341164A (en) | 1980-06-13 | 1982-07-27 | Charles H. Ruble | Folding camp table |
| US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
| US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
| JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
| JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
| US4465363A (en) | 1981-11-27 | 1984-08-14 | Hoechst Aktiengesellschaft | Cleaning device for cleaning the peripheral surface of a photoconductive drum in an electrophotographic copier |
| JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
| JPS59228356A (ja) | 1983-06-09 | 1984-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空気電池の収納ケ−ス |
| DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
| US4650983A (en) | 1983-11-07 | 1987-03-17 | Nippon Kogaku K. K. | Focusing apparatus for projection optical system |
| DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
| JPS6122249A (ja) | 1984-07-11 | 1986-01-30 | Tokyo Keiki Co Ltd | 超音波探傷器 |
| JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
| US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
| JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
| JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
| JP2940553B2 (ja) | 1988-12-21 | 1999-08-25 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
| JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
| US5121256A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
| JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
| JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
| JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| US5243195A (en) | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
| JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
| JP3203719B2 (ja) | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
| US5469963A (en) * | 1992-04-08 | 1995-11-28 | Asyst Technologies, Inc. | Sealable transportable container having improved liner |
| JPH05304072A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
| JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
| JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
| KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
| JPH06208058A (ja) | 1993-01-13 | 1994-07-26 | Olympus Optical Co Ltd | 顕微鏡対物レンズ |
| US5591958A (en) | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
| JP3412704B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
| JPH09311278A (ja) | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JP3635684B2 (ja) | 1994-08-23 | 2005-04-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
| US5636066A (en) | 1993-03-12 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Optical apparatus |
| JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
| JP3747951B2 (ja) | 1994-11-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
| US5534970A (en) | 1993-06-11 | 1996-07-09 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
| JP3265503B2 (ja) | 1993-06-11 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
| DE69434633T2 (de) | 1993-06-18 | 2006-12-07 | Hitachi Maxell, Ltd., Ibaraki | Zelle mit organischer Elektrolytlösung |
| JP3212199B2 (ja) * | 1993-10-04 | 2001-09-25 | 旭硝子株式会社 | 平板型陰極線管 |
| JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
| US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
| US7365513B1 (en) | 1994-04-01 | 2008-04-29 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
| US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
| US6989647B1 (en) | 1994-04-01 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
| JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
| JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| KR0124189B1 (ko) * | 1994-07-29 | 1997-11-25 | 배순훈 | 다중광학계를 갖춘 광픽업장치 |
| USRE38438E1 (en) | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
| JPH0883753A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
| US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
| JPH08136475A (ja) | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Kawasaki Steel Corp | 板状材の表面観察装置 |
| JP3387075B2 (ja) | 1994-12-12 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
| JPH08171054A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| US5677758A (en) | 1995-02-09 | 1997-10-14 | Mrs Technology, Inc. | Lithography System using dual substrate stages |
| US6008500A (en) | 1995-04-04 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame |
| DE69604524T2 (de) * | 1995-04-25 | 2000-04-13 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Abtastbelichtungsapparat und Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben |
| JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| US5751404A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates |
| JP3526042B2 (ja) | 1995-08-09 | 2004-05-10 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JPH0954443A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-02-25 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
| JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US5964441A (en) | 1996-04-01 | 1999-10-12 | Lear Corporation | Linkage assembly with extruded hole member |
| JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
| JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
| JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| KR20030096435A (ko) * | 1996-11-28 | 2003-12-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법 |
| JP4029181B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JP4029180B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| US5815246A (en) | 1996-12-24 | 1998-09-29 | U.S. Philips Corporation | Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device |
| JPH10209039A (ja) | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
| JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
| JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
| JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
| JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
| US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
| KR100521704B1 (ko) | 1997-09-19 | 2005-10-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지장치, 주사형 노광장치 및 방법, 그리고 이것으로제조된 디바이스 |
| JP2000106340A (ja) | 1997-09-26 | 2000-04-11 | Nikon Corp | 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置 |
| JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
| WO1999027568A1 (fr) | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Nikon Corporation | Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection |
| JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| KR20010033118A (ko) | 1997-12-18 | 2001-04-25 | 오노 시게오 | 스테이지 장치 및 노광장치 |
| US6897963B1 (en) | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
| US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
| WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
| JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
| KR20010075157A (ko) | 1998-09-17 | 2001-08-09 | 오노 시게오 | 투영광학계의 조정방법 |
| EP1135795B1 (en) | 1998-12-02 | 2008-03-12 | Newport Corporation | Specimen holding robotic arm end effector |
| JP2000187338A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP2000216082A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Nikon Corp | ステ―ジ装置および露光装置 |
| WO2000055891A1 (fr) * | 1999-03-12 | 2000-09-21 | Nikon Corporation | Dispositif pour exposition, procede d'exposition et procede de fabrication d'un tel dispositif |
| JP4365934B2 (ja) | 1999-05-10 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
| JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
| JP2001118773A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
| TWI223734B (en) | 1999-12-21 | 2004-11-11 | Asml Netherlands Bv | Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus |
| TW546551B (en) | 1999-12-21 | 2003-08-11 | Asml Netherlands Bv | Balanced positioning system for use in lithographic apparatus |
| EP1111471B1 (en) | 1999-12-21 | 2005-11-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus with collision preventing device |
| US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
| US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
| JP2001267239A (ja) | 2000-01-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| US6771350B2 (en) | 2000-02-25 | 2004-08-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
| JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
| JP2001241439A (ja) | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Canon Inc | 静圧軸受を備えた移動装置 |
| US6426790B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-07-30 | Nikon Corporation | Stage apparatus and holder, and scanning exposure apparatus and exposure apparatus |
| KR100945707B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2010-03-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지장치와 홀더, 및 주사형 노광장치 그리고 노광장치 |
| US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
| DE60130754T2 (de) | 2000-05-03 | 2008-01-24 | Asml Holding, N.V. | Apparat zur Erzeugung eines gespülten optischen Weges in einer photolithographischen Projektionsanlage sowie ein entsprechendes Verfahren |
| TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
| JP4405071B2 (ja) | 2000-10-23 | 2010-01-27 | パナソニック株式会社 | 送り装置及びそれを具備する光ディスク原盤記録装置 |
| KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
| JP2002305140A (ja) | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
| US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
| JP2002339853A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Nissan Motor Co Ltd | 充電ステーション |
| KR100423783B1 (ko) * | 2001-06-13 | 2004-03-22 | 제일모직주식회사 | 인조 대리석의 제조 공정 |
| TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
| WO2003010802A1 (fr) * | 2001-07-26 | 2003-02-06 | Nikon Corporation | Appareil a etage, systeme et procede d'exposition et procede de production de dispositif |
| US6680774B1 (en) | 2001-10-09 | 2004-01-20 | Ultratech Stepper, Inc. | Method and apparatus for mechanically masking a workpiece |
| US6665054B2 (en) | 2001-10-22 | 2003-12-16 | Nikon Corporation | Two stage method |
| US7134668B2 (en) | 2001-10-24 | 2006-11-14 | Ebara Corporation | Differential pumping seal apparatus |
| KR20040086313A (ko) * | 2002-01-29 | 2004-10-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법 |
| US20050003048A1 (en) * | 2002-02-11 | 2005-01-06 | Edizone, Lc | Electrolyte-containing orally soluble films |
| DE10229249A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
| US7190527B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective |
| US7154676B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-12-26 | Carl Zeiss Smt A.G. | Very-high aperture projection objective |
| DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
| DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
| US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
| TW200305927A (en) * | 2002-03-22 | 2003-11-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device |
| EP1494267A4 (en) | 2002-04-09 | 2008-01-30 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE |
| KR20040104691A (ko) | 2002-05-03 | 2004-12-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈 |
| JP4360064B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | ステージ装置および露光装置 |
| TWI249082B (en) | 2002-08-23 | 2006-02-11 | Nikon Corp | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
| TW559895B (en) * | 2002-09-27 | 2003-11-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Exposure system and exposure method thereof |
| US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
| US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
| US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
| US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
| US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
| US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
| CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
| KR100585476B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
| CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
| SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| US7372541B2 (en) | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1420299B1 (en) | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
| SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
| EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
| JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| WO2004053955A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP4701606B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2011-06-15 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
| JP4645027B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2011-03-09 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
| EP1573730B1 (en) | 2002-12-13 | 2009-02-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
| US7514699B2 (en) | 2002-12-19 | 2009-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
| US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
| EP1584089B1 (en) | 2002-12-19 | 2006-08-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
| US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
| US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
| JP4604452B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
| US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
| US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
| US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
| EP1612850B1 (en) * | 2003-04-07 | 2009-03-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing a device |
| WO2004093159A2 (en) | 2003-04-09 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Immersion lithography fluid control system |
| WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
| EP3062152B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-20 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
| EP2950147B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-04-26 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
| EP3352010A1 (en) | 2003-04-10 | 2018-07-25 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
| JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
| CN101825847B (zh) | 2003-04-11 | 2013-10-16 | 株式会社尼康 | 用于沉浸式光刻光学系统的清洗方法 |
| KR101225884B1 (ko) | 2003-04-11 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
| SG194246A1 (en) | 2003-04-17 | 2013-11-29 | Nikon Corp | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
| JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
| TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR20060009356A (ko) * | 2003-05-15 | 2006-01-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| EP1480065A3 (en) | 2003-05-23 | 2006-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| TW201806001A (zh) | 2003-05-23 | 2018-02-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及元件製造方法 |
| JP2004349645A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
| TWI442694B (zh) | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
| US7213963B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP2261741A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| TW201721717A (zh) | 2003-06-19 | 2017-06-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法 |
| US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
| JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
| JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP1491956B1 (en) | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
| EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP1494074A1 (en) | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR20060027832A (ko) | 2003-07-01 | 2006-03-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 엘리먼트로서 동위원소적으로 특정된 유체를 사용하는방법 |
| EP3179309A1 (en) | 2003-07-08 | 2017-06-14 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
| SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
| EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
| US7309345B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-12-18 | Boston Scientific-Scimed, Inc. | Method and system for delivering an implant utilizing a lumen reducing member |
| KR101641011B1 (ko) | 2003-07-28 | 2016-07-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법 |
| US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
| EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
| US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
| US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7145643B2 (en) | 2003-08-07 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method |
| US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
| US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
| US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
| US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
| US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
| US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
| US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
| TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
| EP3223053A1 (en) | 2003-09-03 | 2017-09-27 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
| JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
| EP1519230A1 (en) | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1519231B1 (en) | 2003-09-29 | 2005-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7158211B2 (en) | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
| JP2005136374A (ja) | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
| EP1524558A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1524557A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
| US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
| WO2005050324A2 (en) | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dsm Ip Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
| US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
| JP2005150290A (ja) | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Canon Inc | 露光装置およびデバイスの製造方法 |
| EP1531362A3 (en) | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
| US7528929B2 (en) | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8854602B2 (en) | 2003-11-24 | 2014-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Holding device for an optical element in an objective |
| US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE10355301B3 (de) | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie |
| US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
| JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
| EP1700163A1 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-13 | Carl Zeiss SMT AG | Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
| EP1697798A2 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-06 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
| JP4308638B2 (ja) | 2003-12-17 | 2009-08-05 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
| JP2005183656A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Canon Inc | 露光装置 |
| WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
| US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
| JP4323946B2 (ja) | 2003-12-19 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
| US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE10360788A1 (de) | 2003-12-23 | 2005-07-28 | Marconi Communications Gmbh | Optisches Kommunikationsnetz und Komponente dafür |
| US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
| US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
| US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
| JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
| KR101204114B1 (ko) | 2004-01-14 | 2012-11-23 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
| KR101165862B1 (ko) | 2004-01-16 | 2012-07-17 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
| WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
| DE602005019689D1 (de) | 2004-01-20 | 2010-04-15 | Zeiss Carl Smt Ag | Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse |
| US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
| US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
| US8054947B2 (en) * | 2004-02-02 | 2011-11-08 | Eicon Networks Corporation | Apparatus and method for multiplexing communication signals |
| US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR20070039869A (ko) | 2004-02-03 | 2007-04-13 | 브루스 더블유. 스미스 | 용액을 사용한 포토리소그래피 방법 및 관련 시스템 |
| WO2005076321A1 (ja) | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2005076084A1 (en) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
| CN101727021A (zh) | 2004-02-13 | 2010-06-09 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜 |
| EP1721201A1 (en) | 2004-02-18 | 2006-11-15 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
| JP2005236087A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2005259789A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法 |
| US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
| JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
| US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
| JP2005285881A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7712905B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
| US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
| US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
| US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20060244938A1 (en) | 2004-05-04 | 2006-11-02 | Karl-Heinz Schuster | Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
| US8054448B2 (en) | 2004-05-04 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
| US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
| CN100483174C (zh) | 2004-05-17 | 2009-04-29 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 具有中间图像的反射折射投影物镜 |
| US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101199076B1 (ko) | 2004-06-04 | 2012-11-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소 |
| CN100594430C (zh) | 2004-06-04 | 2010-03-17 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 用于测量光学成像系统的图像质量的系统 |
| US7057702B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP3919782B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2007-05-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR101364347B1 (ko) | 2004-10-15 | 2014-02-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7119876B2 (en) | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7700365B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-04-20 | Mayo Foundation For Medical Education And Research | Vitamin D deficiencies |
| US7583357B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7403261B2 (en) | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE102004061462A1 (de) * | 2004-12-17 | 2006-07-06 | Delphi Technologies, Inc., Troy | Verfahren und Vorrichtung zur Motorsteuerung bei einem Kraftfahrzeug |
| US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP2034515A4 (en) * | 2006-05-23 | 2012-01-18 | Nikon Corp | MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
| JP4442904B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP5304072B2 (ja) | 2007-07-18 | 2013-10-02 | ヤマハ株式会社 | 力覚制御装置、鍵盤楽器、力覚制御方法およびプログラム |
| TWI452546B (zh) * | 2012-12-28 | 2014-09-11 | Univ Chienkuo Technology | Hybrid large - scale collapse model |
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0851069A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-02-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ステップ・アンド・リピート装置 |
| JP2000505958A (ja) * | 1996-12-24 | 2000-05-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置 |
| WO1998040791A1 (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Positioning device having two object holders |
| JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
| JP2000164504A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法 |
| JP2003017404A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-17 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| JP2003249443A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
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