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JP2005251986A - ウエーハの分離検出方法および分離検出装置 - Google Patents

ウエーハの分離検出方法および分離検出装置 Download PDF

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JP2005251986A JP2004060513A JP2004060513A JP2005251986A JP 2005251986 A JP2005251986 A JP 2005251986A JP 2004060513 A JP2004060513 A JP 2004060513A JP 2004060513 A JP2004060513 A JP 2004060513A JP 2005251986 A JP2005251986 A JP 2005251986A
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Masahiro Murata
正博 村田
Yusuke Nagai
祐介 永井
Yukio Morishige
幸雄 森重
Naoki Omiya
直樹 大宮
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Abstract

【課題】表面に格子状に形成された分割予定ラインに沿って分割されたウエーハが、分離されているか否かを確実に検出する。
【解決手段】表面に格子状に形成された複数の分割予定ライン101に沿って分割されたウエーハ10が、該分割予定ライン101に沿って分離されているが否かを検出するウエーハの分離検出方法であって、ウエーハ10を環状のダイシングフレーム15に装着された伸長可能なダイシングテープ16の表面に貼着するテープ貼着工程と、ウエーハ10が貼着されたダイシングテープ16を拡張するテープ拡張工程と、ウエーハ10の一方の面に光を照射する光照射工程と、ウエーハ10の他方の面側において分割予定ライン101から光が漏出しているか否かを検出し、光が漏出している場合はウエーハ10が分割予定ライン101に沿って分離されていると判定し、光が漏出していない場合には未分離領域が存在すると判定する分離検出工程とを含む。
【選択図】図13

Description

本発明は、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに沿って分割されたウエーハが、該分割予定ラインに沿って分離されているか否かを検出するウエーハの分離検出方法および分離検出装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等の回路を形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも所定の分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ20μm程度に形成されている。
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。(例えば、特許文献1参照。)
特許第3408805号公報
上述したように分割予定ラインに沿って変質層が連続的に形成されたウエーハの分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを個々のチップに分割する方法として、本出願人はウエーハが貼着された保護テープを拡張してウエーハに引っ張り力を付与することにより、ウエーハを個々のチップに分割する技術を特願2003−361471号として提案した。
而して、上述したウエーハを分割予定ラインに沿って分割しても完全に分断されない場合があり、特にウエーハが貼着された保護テープを拡張してウエーハに引張力を付与する方法は、引張力がウエーハの全領域に十分伝達されず、ウエーハが全ての分割予定ラインに沿って分断されない場合がある。
ウエーハが全ての分割予定ラインに沿って完全に分断されずに分離されていない領域があると、その後のダイボンディング工程において個々のチップをピックアップする際に、分離されていないチップに無理な力が加わりチップを破損したり、ダイボンディング作用に支障を来すという問題が発生する。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに沿って分割されたウエーハが、該分割予定ラインに沿って分離されているか否かを確実に検出することができるウエーハの分離検出方法および分離検出装置を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに沿って分割されたウエーハが、該分割予定ラインに沿って分離されているか否かを検出するウエーハの分離検出方法であって、
ウエーハを環状のダイシングフレームに装着された伸長可能なダイシングテープの表面に貼着するテープ貼着工程と、
ウエーハが貼着された該ダイシングテープを拡張するテープ拡張工程と、
ウエーハの一方の面に光を照射する光照射工程と、
ウエーハの他方の面側において分割予定ラインから光が漏出しているか否かを検出し、光が漏出している場合はウエーハが分割予定ラインに沿って分離されていると判定し、光が漏出していない場合には未分離領域が存在すると判定する分離検出工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分離検出方法が提供される。
また、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに沿って分割されるウエーハが、該分割予定ラインに沿って分離されているか否かを検出するウエーハの分離検出方法であって、
ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程を実施する前または該変質層形成工程を実施した後に、ウエーハを環状のダイシングフレームに装着された伸長可能なダイシングテープの表面に貼着するテープ貼着工程と、
ウエーハが貼着された該ダイシングテープを拡張することによりウエーハを分割予定ラインに沿って分割するとともに分離するテープ拡張工程と、
ウエーハの一方の面に光を照射する光照射工程と、
ウエーハの他方の面側において分割予定ラインから光が漏出しているか否かを検出し、光が漏出している場合はウエーハが分割予定ラインに沿って分離されていると判定し、光が漏出していない場合には未分離領域が存在すると判定する分離検出工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分離検出方法が提供される。
上記分離検出工程を実施した後に、上記未分離領域の分割予定ラインに外力付与して未分離領域を分離する再分離工程を実施することが望ましい。
また、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに沿って分割されたウエーハが、該分割予定ラインに沿って分離されているか否かを検出するウエーハの分離検出装置であって、
ウエーハが貼着された伸長可能なダイシングテープを装着した環状のダイシングフレームを保持するフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段に保持された該ダイシングフレームに装着された該ダイシングテープを拡張するテープ拡張手段と、
該フレーム保持手段に保持された該ダイシングフレームに該ダイシングテープを介して支持されたウエーハの一方の面に光を照射する照明器と、を具備している、
ことを特徴とするウエーハの分離検出装置が提供される。
上記フレーム保持手段に保持されたダイシングフレームにダイシングテープを介して支持されたウエーハの他方の面を撮像する撮像手段と、該撮像手段からの撮像信号に基づいて所定の画像処理を実行する画像処理部を備えた制御手段と、該制御手段の画像処理部によって画像処理された画像情報を表示する表示手段とを具備している。また、制御手段は、画像処理部によって画像処理された画像情報に基づいて上記照明器から照射された光が漏出されていない分割予定ラインの未分離領域を検出する未分離領域検出部と、該未分離領域検出部によって検出された未分離領域の座標値を記憶する記憶手段とを具備している。更に、ウエーハに外力を付与する外力付与手段を具備し、上記制御手段は上記記憶手段に記憶された未分離領域の座標値に外力付与手段を位置付け未分離領域に外力を付与せしめるように外力付与手段を作動する。
本発明においては、格子状に形成された複数の分割予定ラインに沿って分割されたウエーハが貼着されているダイシングテープを拡張し、個々に分離されたチップ間に隙間を形成した状態でウエーハの一方の面に光を照射するとともに、ウエーハの他方の面側において分割予定ラインから光が漏出しているか否かを検出するので、ウエーハが分割予定ラインに沿って分離されているか否かを確実に検出することができる。
以下、本発明によるウエーハの分離検出方法および分離検出装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本発明に従って分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ10は、例えば厚さが300μmのシリコンウエーハからなっており、表面10aに複数の分割予定ライン101が格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ライン101によって区画された複数の領域に回路102が形成されている。以下、この半導体ウエーハ10を個々の半導体チップに分割する分割方法について説明する。
半導体ウエーハ10を個々の半導体チップに分割するには、ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図2乃至4に示すレーザー加工装置1を用いて実施する。図2乃至図4に示すレーザー加工装置1は、被加工物を保持するチャックテーブル11と、該チャックテーブル11上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段12と、チャックテーブル11上に保持された被加工物を撮像する撮像手段13を具備している。チャックテーブル11は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図2において矢印Xで示す加工送り方向および矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段12は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング121を含んでいる。ケーシング121内には図3に示すようにパルスレーザー光線発振手段122と伝送光学系123とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段122は、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器122aと、これに付設された繰り返し周波数設定手段122bとから構成されている。伝送光学系123は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。上記ケーシング121の先端部には、それ自体は周知の形態でよい組レンズから構成される集光レンズ(図示せず)を収容した集光器124が装着されている。上記パルスレーザー光線発振手段122から発振されたレーザー光線は、伝送光学系123を介して集光器124に至り、集光器124から上記チャックテーブル11に保持される被加工物に所定の集光スポット径Dで照射される。この集光スポット径Dは、図4に示すようにガウス分布を示すパルスレーザー光線が集光器124の対物レンズ124aを通して照射される場合、D(μm)=4×λ×f/(π×W)、ここでλはパルスレーザー光線の波長(μm)、Wは対物レンズ124aに入射されるパルスレーザー光線の直径(mm)、fは対物レンズ124aの焦点距離(mm)、で規定される。
上記レーザー光線照射手段12を構成するケーシング121の先端部に装着された撮像手段13は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置1を用いて実施する変質層形成工程について、図2、図5および図6を参照して説明する。
この変質層形成行程は、先ず上述した図2に示すレーザー加工装置1のチャックテーブル11上に半導体ウエーハ10を裏面10bを上にして載置し、該チャックテーブル11上に半導体ウエーハ10を吸着保持する。半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル11は、図示しない移動機構によって撮像手段13の直下に位置付けられる。
チャックテーブル11が撮像手段13の直下に位置付けられると、撮像手段13および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ10のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段13および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ10の所定方向に形成されている分割予定ライン101と、分割予定ライン101に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段12の集光器124との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ10に形成されている上記所定方向に対して直角に延びる分割予定ライン101に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ10の分割予定ライン101が形成されている表面10aは下側に位置しているが、撮像手段13が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、裏面10bから透かして分割予定ライン101を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル11上に保持されている半導体ウエーハ10に形成されている分割予定ライン101を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図5の(a)で示すようにチャックテーブル11をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段12の集光器124が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン101の一端(図5の(a)において左端)をレーザー光線照射手段12の集光器124の直下に位置付ける。そして、集光器124から透過性を有するパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル11即ち半導体ウエーハ10を図5の(a)において矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図5の(b)で示すようにレーザー光線照射手段12の集光器124の照射位置が分割予定ライン101の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル11即ち半導体ウエーハ10の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ2の表面10a(下面)付近に合わせることにより、表面10a(下面)に露出するとともに表面10aから内部に向けて変質層110が形成される。この変質層110は、溶融再固化層として形成される。
上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ;LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 ;1064nmのパルスレーザー
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 ;φ1μm
パルス幅 ;100nsec
集光点のピークパワー密度;1.3×1010W/cm
繰り返し周波数 :400kHz
加工送り速度 ;400mm/秒
なお、半導体ウエーハ10の厚さが厚い場合には、図6に示すように集光点Pを段階的に変えて上述した変質層形成工程を複数回実行することにより、複数の変質層110を形成する。例えば、上述した加工条件においては1回に形成される変質層の厚さは約50μmであるため、図示の実施形態においては厚さが300μmのウエーハ10に対して6層の変質層を形成する。この結果、半導体ウエーハ10の内部に形成される変質層110は、分割予定ライン101に沿って表面10aから裏面10bに渡って形成される。
上述した変質層形成工程によって半導体ウエーハ10の内部に分割予定ライン101に沿って変質層110を形成したならば、ウエーハの一方の面を環状のダイシングフレームに装着された伸長可能なダイシングテープの表面に貼着するテープ貼着工程を実施する。即ち、図7に示すように環状のダイシングフレーム15の内側開口部を覆うように外周部が装着された伸長可能なダイシングテープ16の表面に半導体ウエーハ10の裏面10bを貼着する。なお、上記ダイシングテープテープ16は、図示の実施形態においては厚さが70μmのポリ塩化ビニル(PVC)からなるシート基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さが5μm程度塗布されている。このテープ貼着工程は、上述した変質層形成工程を実施する前に実施してもよい。この場合には、半導体ウエーハ10の裏面10bを上側にして表面10aをダイシングテープ16に貼着し、ダイシングフレーム15に支持された状態で上述した変質層形成工程を実施する。
上述した変質層形成工程およびテープ貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ10を分割予定ライン101に沿って分割する分割行程を実施する。この分割行程においては、ダイシングテープに貼着された半導体ウエーハ10を柔軟なゴムシート上に載置し、その上面をローラーによって押圧することによって、半導体ウエーハ2を変質層110が形成され強度が低下した分割予定ライン101に沿って割断する方法を用いることができる。また、分割工程としては、変質層110が形成され強度が低下した分割予定ライン101に沿って例えば周波数が28kHz程度の縦波(疎密波)からなる超音波を作用せしめる方法や、変質層110が形成され強度が低下した分割予定ライン101に沿って押圧部材を作用せしめる方法、或いは変質層110が形成され強度が低下した分割予定ライン101に沿ってレーザー光線を照射してヒートショックを与える方法等を用いることができる。このようにして分割行程を実施することにより、図8に示すように半導体ウエーハ10は分割予定ライン101に沿って破断され、半導体ウエーハ10は個々のチップ120に分割される。
上述した分割工程を実施したならば、半導体ウエーハ10が分割予定ライン101に沿って破断され、個々のチップに分離されたか否かを検出する。以下、ウエーハの分離検出装置について、図9乃至図12を参照して説明する。
図9にはウエーハの分離検出装置の斜視図が示されており、図10には図9に示す分離検出装置の要部を分解して示す斜視図が示されている。図示の実施形態におけるウエーハの分離検出装置2は、基台20と、該基台20上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された第1のテーブル3と、該第1のテーブル3上に矢印Yと直交する矢印Xで示す方向に移動可能に配設された第2のテーブル4を具備している。基台20は矩形状に形成され、その両側部上面には矢印Yで示す方向に2本の案内レール21、22が互いに平行に配設されている。なお、2本の案内レールのうち一方案内レール21には、その上面に断面がV字状の案内溝211が形成されている。
上記第1のテーブル3は、図10に示すように中央部に矩形状の開口31を備えた窓枠状に形成されている。この第1のテーブル3の一方の側部下面には、上記基台20に設けられた一方の案内レール21に形成されている案内溝211に摺動可能に嵌合する被案内レール32が設けられている。また第1のテーブル3の両側部上面には上記被案内レール32と直交する方向に2本の案内レール33、34が互いに平行に配設されている。なお、2本の案内レールのうち一方案内レール33には、その上面に断面がV字状の案内溝331が形成されている。このように構成された第1のテーブル3は、図9に示すように被案内レール32を基台20に設けられた一方の案内レール21に形成された案内溝211に嵌合するとともに、他方の側部下面を基台20に設けられた他方の案内レール22上に載置される。図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、第1のテーブル3を基台2に設けられた案内レール21、22に沿って矢印Yで示す方向に移動する第1の移動手段35を具備している。この第1の移動手段35は、図10に示すように基台20に設けられた他方の案内レール22に平行に配設された雄ネジロッド351と、基台2に配設され雄ネジロッド351の一端部を回転可能に支持する軸受352と、雄ネジロッド351の他端に連結され雄ネジロッド351を回転駆動するためのパルスモータ353(M1)と、上記第1のテーブル3の下面に設けられ雄ネジロッド351に螺合する雌ネジブロック354とからなっている。このように構成された第1の移動手段35は、パルスモータ353(M1)を駆動して雄ネジロッド351を回動することにより、第1のテーブル3を矢印Yで示す方向に移動せしめる。
上記第2のテーブル4は、図10に示すように矩形状に形成され、中央部に円形の穴41を備えている。この第2のテーブル4の一方の側部下面には、上記第1のテーブル3に設けられた一方の案内レール33に形成されている案内溝331に摺動可能に嵌合する被案内レール42が設けられている。このように構成された第2のテーブル4は、図9に示すように被案内レール42を第1のテーブル3に設けられた一方の案内レール33に形成されている案内溝331に嵌合するとともに、他方の側部下面を第1のテーブル3に設けられた他方の案内レール34上に載置される。図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、第2のテーブル4を第1のテーブル3に設けられた案内レール33、34に沿って矢印Xで示す方向に移動する第2の移動手段45を具備している。この第2の移動手段45は、図10に示すように第1のテーブル3に設けられた他方の案内レール34に平行に配設された雄ネジロッド451と、第1のテーブル3に配設され雄ネジロッド451の一端部を回転可能に支持する軸受452と、雄ネジロッド451の他端に連結され雄ネジロッド451を回転駆動するためのパルスモータ453(M2)と、上記第2のテーブル4の下面に設けられ雄ネジロッド451に螺合する雌ネジブロック454とからなっている。このように構成された第2の移動手段45は、パルスモータ453(M2)を駆動して雄ネジロッド451を回動することにより、第2のテーブル4を矢印Xで示す方向に移動せしめる。
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、上記環状のダイシングフレーム15を保持するフレーム保持手段5と、該フレーム保持手段5に保持されたダイシングフレーム15に装着されたダイシングテープ16を拡張するテープ拡張手段6を具備している。フレーム保持手段5は、図9および図11に示すように上記第2のテーブル4に設けられた穴41の径より大きい内径を有する環状のフレーム保持部材51と、該フレーム保持部材51の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ機構52とからなっている。フレーム保持部材51の上面はダイシングフレーム15を載置する載置面511を形成しており、この載置面511上にダイシングフレーム15が載置される。そして、載置面511上に載置されたダイシングフレーム15は、クランプ機構52によってフレーム保持部材51に固定される。このように構成されたフレーム保持手段5は、第2のテーブル4の穴41の上方に配設され、後述するテープ拡張手段6によって上下方向に進退可能に支持されている。
テープ拡張手段6は、図9および図11に示すように上記環状のフレーム保持部材51の内側に配設される拡張ドラム60を具備している。この拡張ドラム60は、環状のダイシングフレーム15の内径より小さく該ダイシングフレーム15に装着されたダイシングテープ16に貼着される半導体ウエーハ10の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム60は、下端部に上記第2のテーブル4に設けられた穴41の内周面に回動可能に嵌合する装着部61を備えているとともに、該装着部61の上側外周面には径方向に突出して形成された支持フランジ62を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段6は、上記環状のフレーム保持部材51を上下方向に進退可能な支持手段63を具備している。この支持手段63は、上記支持フランジ62上に配設された複数のエアシリンダ630(CL1)からなっており、そのピストンロッド631が上記環状のフレーム保持部材51の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ630(CL1)からなる支持手段63は、環状のフレーム保持部材51を載置面511が拡張ドラム60の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム60の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ630(CL1)からなる支持手段63は、拡張ドラム60とフレーム保持部材51とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、図9に示すように上記拡張ドラム60およびフレーム保持部材51を回動せしめる回動手段65を具備している。この回動手段65は、上記第2のテーブル4に配設されたパルスモータ651(M3)と、該パルスモータ651(M3)の回転軸に装着されたプーリ652と、該プーリ652と拡張ドラム60の支持フランジ62とに捲回された無端ベルト653とからなっている。このように構成された回動手段65は、パルスモータ651(M3)を駆動することにより、プーリ652および無端ベルト653を介して拡張ドラム60を回動せしめる。
また、図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、図10に示すように上記基台20上に配設された照明器7(LMP)を具備している。この照明器7(LMP)は、上記環状のフレーム保持部材51に保持されたダイシングフレーム15にダイシングテープ16を介して支持されている半導体ウエーハ10に光を照射する。即ち、照明器7(LMP)の光は、上記拡張ドラム60内を通して環状のフレーム保持部材51に保持されたダイシングフレーム15にダイシングテープ16を介して支持されている半導体ウエーハ10の下面に照射される。
また、図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、上記環状のフレーム保持部材51に保持されたダイシングフレーム15にダイシングテープ16を介して支持されている半導体ウエーハ10の分割予定ライン101に沿って外力を作用せしめる外力付与手段としての押圧手段70を具備している。押圧手段70は、上記基台20上に配設され拡張ドラム60内に配置されている。この押圧手段70は、図10に示すように基台20上に配設されたエアシリンダ701(CL2)と、該エアシリンダ701(CL2)のピストンロッド702の先端に設けられた押圧部材703とからなっている。押圧部材703は、その先端部が球面形状に形成されている。なお、押圧部材703の球面形状の半径は、1〜2mmに設定されている。
図9に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、上記環状のフレーム保持部材51に保持されたダイシングフレーム15にダイシングテープ16を介して支持されている半導体ウエーハ10を撮像する撮像手段8(IM)を具備している。この撮像手段8(IM)は、光学系および撮像素子(CCD)等で構成されており、基台20に配設されたエアシリンダ81(CL3)によって図において上下方向に作動せしめられるL字状の支持部材82に取り付けられ、上記環状のフレーム保持部材51の上方位置に配置されている。このように構成された撮像手段8(IM)は、上記環状のフレーム保持部材51に保持されたダイシングフレーム15にダイシングテープ16を介して支持されている半導体ウエーハ10を撮像し、これを電気信号に変換して後述する制御手段に送る。
また、図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、個々に分割されたチップをダイシングテープ16からピックアップするピックアップ手段9を具備している。このピックアップ手段9は、基台2に配設された旋回アーム91と、該先端に装着されたピックアップコレット92とからなっており、旋回アーム91が図示しない駆動手段によって旋回せしめられる。なお、旋回アーム91は上下動可能に構成されており、先端に装着されたピックアップコレット92は、ダイシングテープ16に貼着されているチップをピックアップすることができる。
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、図12に示す制御手段200を具備している。制御手段200は、制御プログラムに従って演算処理する中央処理部(CPU)201と、画像処理部202と、未分離領域検出部203と、記憶部204と、入力インターフェース205および出力インターフェース206等を備えている。このように構成された制御手段200の入力インターフェース205には、上記撮像手段8(IM)からの検出信号等が入力される。また、出力インターフェース206からは上記パルスモータ353(M1)、パルスモータ453(M2)、パルスモータ651(M3)、照明器7(LMP)、エアシリンダ630(CL1)、エアシリンダ701(CL2)、エアシリンダ81(CL3)、表示手段210(DSP)等に制御信号を出力する。
図示の実施形態におけるウエーハの分離検出装置2は以上のように構成されており、以下、分離検出装置2を用いて半導体ウエーハ10が個々のチップに分離されたか否かを検出する手順について、図9及び図13を参照して説明する。
上記図8に示すように分割予定ライン101に沿って分割せしめられた半導体ウエーハ10をダイシングテープ16を介して支持したダイシングフレーム15を、図13の(a)に示すようにフレーム保持手段5を構成するフレーム保持部材51の載置面511上に載置し、クランプ機構52によってフレーム保持部材51に固定する。このとき、フレーム保持部材51は図13の(a)に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段6を構成する支持手段63としての複数のエアシリンダ630(CL1)を作動して、環状のフレーム保持部材51を図13の(b)に示す拡張位置に下降せしめる(テープ拡張工程)。従って、フレーム保持部材51の載置面511上に固定されているダイシングフレーム15も下降するため、図13の(b)に示すように環状のフレーム15に装着されたダイシングテープ16は拡張ドラム60の上端縁に当接して拡張せしめられる。この結果、ダイシングテープ16に貼着されている半導体ウエーハ10(分割予定ライン101に沿って分割されている)は、チップ120間に隙間103が形成される。
次に、上記照明器7(LMP)を点灯して半導体ウエーハ10にダイシングテープ16側から光を照射する(光照射工程)。この光照射工程は、図示の実施形態においては半導体ウエーハ10(個々の分割されたチップ120)の下面に光が照射されることになる。そして、撮像手段8(IM)によって半導体ウエーハ10を撮像し、撮像手段8(IM)は撮像した画像信号を制御手段200に送る。この撮像手段8(IM)による撮像は、図示の実施形態においては半導体ウエーハ10(個々の分割されたチップ120)の上面側を撮像することになる。制御手段200は、撮像手段8(IM)から入力した画像信号を画像処理部202によって画像処理し、画像処理した画像情報を表示手段210(DSP)に表示する。図14には、表示手段210(DSP)に表示される画像の例が示されている。図14から判るように、半導体ウエーハ10は分割予定ライン101に沿って分離されている場合にはチップ120間には隙間103が形成されるので、分割予定ラインから光が漏出している。一方、分割予定ライン101に沿って分離されてい未分離領域(図14においてA部)は、チップ120間に隙間が形成されないので光が漏出しない。従って、この光が漏出しない領域(図14においてA部)は、分割予定ライン101に沿って分離されていない、即ちチップ120が分離されていないと判定することができる(分離検出工程)。
図示の実施形態においては、制御手段200は未分離領域検出部203を備えており、未分離領域検出部203が上記分割予定ライン101に沿って分離されていない未分離領域(図14においてA部)のX,Y座標値を検出する。そして、制御手段200は未分離領域検出部203が検出した未分離領域の座標値を記憶部204に一時格納する。次に、制御手段200は、第1の移動手段35および第2の移動手段45を作動して、第1のテーブル3を矢印Yで示す方向(図9参照)に移動するとともに、第2のテーブル4を矢印Xで示す方向(図9参照)に移動し、図15の(a)に示すように記憶部204に記憶された上記未分離領域(図14においてA部)の座標値を押圧手段70の押圧部材703と対応する位置に位置付ける。そして、制御手段200は、押圧手段70のエアシリンダ701(CL2)を作動してピストンロッド702を上昇させ、図15の(b)に示すようにピストンロッド702の先端に設けられた押圧部材703を、保護テープ16を介して上記未分離領域A部に押圧する。この結果、未分離領域A部は分割予定ライン101に沿って破断され、分離される(再分離工程)。なお、未分離領域が長い場合には、第1の移動手段35または第2の移動手段45を作動して未分離領域の分割予定ライン101を押圧部材703に対して移動することにより未分離領域を分割予定ライン101に沿って破断し、分離することができる。
なお、上述したウエーハの分離検出装置2を用いることにより上記分割工程も実施することができる。即ち、図7に示すように半導体ウエーハ10(分割予定ライン101に沿って変質層110が形成されている)をダイシングテープ16を介して支持したダイシングフレーム15を、図16の(a)に示すようにフレーム保持手段5を構成するフレーム保持部材51の載置面511上に載置し、クランプ機構52によってフレーム保持部材51に固定する。このとき、フレーム保持部材51は図16の(a)に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段6を構成する支持手段63としての複数のエアシリンダ630(CL1)を作動して、環状のフレーム保持部材51を図16の(b)に示す拡張位置に下降せしめる(テープ拡張工程)。従って、フレーム保持部材51の載置面511上に固定されているダイシングフレーム15も下降するため、図16の(b)に示すように環状のフレーム15に装着されたダイシングテープ16は拡張ドラム60の上端縁に当接して拡張せしめられる。この結果、ダイシングテープ16に貼着されている半導体ウエーハ10は放射状に引張力が作用する。このように半導体ウエーハ10に放射状に引張力が作用すると、各分割予定ライン101に沿って形成された変質層110は強度が低下せしめられているので、半導体ウエーハ10は変質層110に沿って破断され個々の半導体チップ120に分割される。なお、上記テープ拡張工程におけるダイシングテープ16の拡張量即ち伸び量はフレーム保持部材51の下方への移動量によって調整することができ、本発明者等の実験によるとダイシングテープ16を20mm程度を引き伸ばしたときに半導体ウエーハ10を変質層110に沿って破断することができた。このようにしてテープ拡張工程を実施した後は、上述した光照射工程および分離検出工程を実施し、必要に応じて上記再分離工程を実施する。
以上のようにして、半導体ウエーハ10が分割予定ライン101に沿って分離されたことが確認されたならば、図9に示すピックアップ手段9を作動しピックアップコレット92によってチップ120をピックアップし、ダイボンディング工程に搬送する。このとき、チップ120は個々に分離されているので、分離されていないためにチップを破損したり、ダイボンディング作用に支障を来すという問題を防止することができる。
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。上述した実施形態においてはシリコンウエーハからなる半導体ウエーハを分割する例を説明したが、本発明はサファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハ等他のウエーハの分割に適用することができる。また、上述した実施形態においては上記再分離工程によって未分離領域に外力を付与せしめる外力付与手段として押圧手段7を用いた例を示したが、外力付与手段としては、超音波を作用せしめる方法やレーザー光線を照射してヒートショックを与える方法等を用いることができる。
被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。 半導体ウエーハに形成された分割予定ラインに沿って変質層を形成するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 図2に示すレーザー加工装置に装備されるレーザ光線照射手段の構成を簡略に示すブロック図。 パルスレーザー光線の集光スポット径を説明するための簡略図。 ウエーハに形成された分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成行程の説明図。 図5に示す変質層形成行程においてウエーハの内部に変質層を積層して形成した状態を示す説明図。 変質層形成工程が実施されたウエーハを環状のフレームに装着された伸長可能な保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。 図7に示すウエーハに分割予定ラインに沿って分割する分割工程を実施した状態を示す斜視図。 本発明に従って構成されたウエーハの分離検出装置の斜視図。 図9に示す分離検出装置の要部を分解して示す斜視図。 図9に示す分離検出装置を構成する第2のテーブルとフレーム保持手段およびテープ拡張手段を示す断面図。 図9に示す分離検出装置に装備される制御手段の構成ブロック図。 本発明によるウエーハの分離検出方法におけるテープ拡張工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの分離検出方法におけるテープ拡張工程が実施されたウエーハを撮像手段によって撮像し、画像処理して表示した例を示す図。 本発明によるウエーハの分離検出方法における再分離工程を示す説明図。 図9に示す分離検出装置を用いて分割工程およびテープ拡張工程を実施した説明図。
符号の説明
1:レーザー加工装置
11:レーザー加工装置のチャックテーブル
21:レーザー光線照射手段
13:撮像手段
2:ウエーハの分離検出装置
20:基台
3:第1のテーブル
35:第1の移動手段
4:第2のテーブル
45:第2の移動手段
5:フレーム保持手段
51:環状のフレーム保持部材
6:テープ拡張手段
60:拡張ドラム
65:回動手段
7:照明器
70:押圧手段
8:撮像手段
9:ピックアップ手段
10:半導体ウエーハ
101:分割予定ライン
102:回路
110:変質層
120:半導体チップ
15:ダイシングフレーム
16:ダイシングテープ
200:制御手段

Claims (7)

  1. 表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに沿って分割されたウエーハが、該分割予定ラインに沿って分離されているか否かを検出するウエーハの分離検出方法であって、
    ウエーハを環状のダイシングフレームに装着された伸長可能なダイシングテープの表面に貼着するテープ貼着工程と、
    ウエーハが貼着された該ダイシングテープを拡張するテープ拡張工程と、
    ウエーハの一方の面側から光を照射する光照射工程と、
    ウエーハの他方の面側において分割予定ラインから光が漏出しているか否かを検出し、光が漏出している場合はウエーハが分割予定ラインに沿って分離されていると判定し、光が漏出していない場合には未分離領域が存在すると判定する分離検出工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハの分離検出方法。
  2. 表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに沿って分割されるウエーハが、該分割予定ラインに沿って分離されているか否かを検出するウエーハの分離検出方法であって、
    ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
    該変質層形成工程を実施する前または該変質層形成工程を実施した後に、ウエーハを環状のダイシングフレームに装着された伸長可能なダイシングテープの表面に貼着するテープ貼着工程と、
    ウエーハが貼着された該ダイシングテープを拡張することによりウエーハを分割予定ラインに沿って分割するとともに分離するテープ拡張工程と、
    ウエーハの一方の面側から光を照射する光照射工程と、
    ウエーハの他方の面側において分割予定ラインから光が漏出しているか否かを検出し、光が漏出している場合はウエーハが分割予定ラインに沿って分離されていると判定し、光が漏出していない場合には未分離領域が存在すると判定する分離検出工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハの分離検出方法。
  3. 該分離検出工程を実施した後に、該未分離領域の分割予定ラインに外力付与して該未分離領域を分離する再分離工程を含む、請求項2記載のウエーハの分離検出方法。
  4. 表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに沿って分割されたウエーハが、該分割予定ラインに沿って分離されているか否かを検出するウエーハの分離検出装置であって、
    ウエーハが貼着された伸長可能なダイシングテープを装着した環状のダイシングフレームを保持するフレーム保持手段と、
    該フレーム保持手段に保持された該ダイシングフレームに装着された該ダイシングテープを拡張するテープ拡張手段と、
    該フレーム保持手段に保持された該ダイシングフレームに該ダイシングテープを介して支持されたウエーハの一方の面に光を照射する照明器と、を具備している、
    ことを特徴とするウエーハの分離検出装置。
  5. 該フレーム保持手段に保持された該ダイシングフレームに該ダイシングテープを介して支持されたウエーハの他方の面を撮像する撮像手段と、該撮像手段からの撮像信号に基づいて所定の画像処理を実行する画像処理部を備えた制御手段と、該制御手段の画像処理部によって画像処理された画像情報を表示する表示手段とを具備している、請求項4記載のウエーハの分離検出装置。
  6. 該制御手段は、該画像処理部によって画像処理された画像情報に基づいて該照明器から照射された光が漏出されていない分割予定ラインの未分離領域を検出する未分離領域検出部と、該未分離領域検出部によって検出された未分離領域の座標値を記憶する記憶手段とを具備している、請求項5記載のウエーハの分離検出装置。
  7. ウエーハに外力を付与する外力付与手段を具備し、該制御手段は該記憶手段に記憶された該未分離領域の座標値に外力付与手段を位置付け該未分離領域に外力を付与せしめるように該外力付与手段を作動する、請求項6記載のウエーハの分離検出装置。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007040032A1 (ja) * 2005-10-04 2007-04-12 Lintec Corporation 転着装置及び転着方法
JP2008112754A (ja) * 2006-10-27 2008-05-15 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2008135513A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP2009064905A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd 拡張方法および拡張装置
KR20160001666A (ko) * 2014-06-27 2016-01-06 가부시기가이샤 디스코 테이프 확장 장치
JP2018067667A (ja) * 2016-10-20 2018-04-26 株式会社ディスコ 分割方法
KR20180108457A (ko) * 2017-03-24 2018-10-04 가부시기가이샤 디스코 시트 확장 장치
JP2019102547A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 株式会社ディスコ 板状物の分割方法及び分割装置
JP2019175907A (ja) * 2018-03-27 2019-10-10 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
TWI793882B (zh) * 2021-06-04 2023-02-21 日商山葉發動機股份有限公司 零件拾取裝置、零件安裝裝置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58127648U (ja) * 1982-02-23 1983-08-30 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 照明装置
JPS61280906A (ja) * 1985-06-07 1986-12-11 三菱電機株式会社 ウエハのブレ−ク装置
JPH0334443A (ja) * 1989-06-30 1991-02-14 Toshiba Seiki Kk 半導体ウエハの引き伸ばし装置
JP2002289628A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Seiko Epson Corp 画像認識方法及び画像認識装置並びに半導体装置の製造方法及び製造装置
JP2003334812A (ja) * 2002-03-12 2003-11-25 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2004022936A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法および分割装置
JP2004055661A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体チップのピックアップ装置および吸着剥離ツール

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58127648U (ja) * 1982-02-23 1983-08-30 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 照明装置
JPS61280906A (ja) * 1985-06-07 1986-12-11 三菱電機株式会社 ウエハのブレ−ク装置
JPH0334443A (ja) * 1989-06-30 1991-02-14 Toshiba Seiki Kk 半導体ウエハの引き伸ばし装置
JP2002289628A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Seiko Epson Corp 画像認識方法及び画像認識装置並びに半導体装置の製造方法及び製造装置
JP2003334812A (ja) * 2002-03-12 2003-11-25 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2004022936A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法および分割装置
JP2004055661A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体チップのピックアップ装置および吸着剥離ツール

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007040032A1 (ja) * 2005-10-04 2007-04-12 Lintec Corporation 転着装置及び転着方法
JP2008112754A (ja) * 2006-10-27 2008-05-15 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2008135513A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP2009064905A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd 拡張方法および拡張装置
KR102214367B1 (ko) 2014-06-27 2021-02-08 가부시기가이샤 디스코 테이프 확장 장치
KR20160001666A (ko) * 2014-06-27 2016-01-06 가부시기가이샤 디스코 테이프 확장 장치
JP2018067667A (ja) * 2016-10-20 2018-04-26 株式会社ディスコ 分割方法
KR20180108457A (ko) * 2017-03-24 2018-10-04 가부시기가이샤 디스코 시트 확장 장치
KR102326394B1 (ko) 2017-03-24 2021-11-12 가부시기가이샤 디스코 시트 확장 장치
JP2019102547A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 株式会社ディスコ 板状物の分割方法及び分割装置
JP2019175907A (ja) * 2018-03-27 2019-10-10 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP7027215B2 (ja) 2018-03-27 2022-03-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
TWI793882B (zh) * 2021-06-04 2023-02-21 日商山葉發動機股份有限公司 零件拾取裝置、零件安裝裝置

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