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JP2002372722A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2002372722A
JP2002372722A JP2001181309A JP2001181309A JP2002372722A JP 2002372722 A JP2002372722 A JP 2002372722A JP 2001181309 A JP2001181309 A JP 2001181309A JP 2001181309 A JP2001181309 A JP 2001181309A JP 2002372722 A JP2002372722 A JP 2002372722A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rescue
disconnection
demultiplexer
source
signal line
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001181309A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Tabata
弘志 田畠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の液晶表示装置でのソース信号線の断線
レスキュー構成では、表示領域とデマルチプレクサの間
のスペースにソース断線レスキュー用配線を配置してい
る為、レスキュー用配線とソース信号線のクロス容量が
が多くなり、断線をレスキューしても、容量による負荷
の為画素に十分な充電が得られず薄線となってしまう問
題がある。 【解決手段】 デマルチプレクサ3とIC8との間のスペ
ースに断線レスキュー配線4を配置することで、クロス
容量を減らし表示に問題の無い断線レスキューを可能に
する

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多結晶シリコンTF
Tからなる集積回路を内蔵する構成を用いた液晶表示装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】現在の液晶表示装置は、低価格化、無欠
陥化が進んでおり、欠陥のレスキューが不可欠となって
いる。図3に従来のゲートドライバを多結晶シリコンTF
Tからなる駆動回路で内蔵し、ソースドライバをICにて
構成する液晶表示パネルで、前記液晶表示パネルと同一
基板上にデマルチプレクサを内蔵した液晶表示装置での
ソース信号線の断線レスキュー構成の一例を示す。1は
表示領域、2はソース断線レスキュー用配線、3はデマ
ルチプレクサ、4はデマルチプレクサ走査配線、5はソ
ース信号線、6は断線箇所、7はレスキューコンタクト
部分、8はICである。表示領域1の周辺にすべてのソー
ス信号線5の始端側と終端側でクロスし、1本のライン
で繋がるようにソース断線レスキュー用配線2が配置さ
れている。ソース断線レスキュー用配線は複数本ある場
合もある。表示領域1内でソース信号線2(b)に断線個
所6があった場合、ソース断線レスキュー用配線2を使
用し、断線しているソース信号線5の始端側と終端側の
ソース断線レスキュー用配線2とクロスしているレスキ
ューコンタクト部分7でショートさせ、断線している箇
所以降のソース信号線に断線レスキュー配線2を利用し
信号を供給する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図3に示した従来のゲ
ートドライバを多結晶シリコンTFTからなる駆動回路で
内蔵し、ソースドライバをICにて構成し、デマルチプレ
クサを内蔵した液晶表示装置でのソース信号線の断線レ
スキュー構成では、表示領域とデマルチプレクサの間の
スペースにソース断線レスキュー用配線を配置している
為、レスキュー用配線とソース信号線のクロス容量がが
多くなり、断線をレスキューしても、容量による負荷の
為画素に十分な充電が得られず薄線となってしまう問題
がある。
【0004】本発明は前記の問題点を解決するものであ
り、ソース断線レスキューによる薄線の発生を抑えるこ
とが可能である。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明はゲートドライバを多結晶シリコンTFTから
なる駆動回路で内蔵し、ソースドライバをICにて構成
し、デマルチプレクサを内蔵した液晶表示装置でのソー
ス信号線の断線レスキュー構成を有する場合、デマルチ
プレクサとICの間のスペースにソース断線レスキュー配
線を配置し、ソース線とソース断線レスキュー用配線と
のクロス容量を減らし、表示に問題の無い断線レスキュ
ーを可能にする構造であり、ソース断線レスキューによ
る薄線の発生を抑えることが得られる。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、ゲートドライバを多結晶シリコンTFTからなる駆動
回路で内蔵し、ソースドライバをICにて構成し、デマル
チプレクサを内蔵した液晶表示装置で、ソース信号線の
断線をレスキューする為の表示領域外周に配線する断線
レスキュー配線は、デマルチプレクサの辺にて、デマル
チプレクサとICとの間のスペースに配置することで、ク
ロス容量を減らし表示に問題の無い断線レスキューを可
能にする構造であり、ソース断線レスキューによる薄線
の発生を抑えることができるという作用を有する。
【0007】また、請求項2に記載の発明は、前記デマ
ルチプレクサで構成される回路ブロックの両側又は片側
に、断線している前記ソース信号線に相当する信号を選
択し断線レスキュー配線に供給するための多結晶シリコ
ンTFTで構成されたスイッチを1個又は複数個配置する
ことで、デマルチプレクサとICとの間のスペースに断線
レスキュー配線を配置するソース断線レスキューにて、
表示に問題の無い断線レスキューを可能にする構造であ
り、ソース断線レスキューによる薄線の発生を抑えるこ
とができるという作用を有する。
【0008】また、請求項3に記載の発明は、請求項2
の多結晶シリコンTFTで構成されたスイッチは断線レス
キュー配線1本に対して1個が接続させ、断線したソー
ス信号線に相当する信号を選択するため、スイッチのゲ
ート線をデマルチプレクサ走査配線とクロスさせ、レス
キュー時にはゲート線と断線しているソース信号線に接
続されているデマルチプレクサの走査信号線とショート
させることで、デマルチプレクサとICとの間のスペース
に断線レスキュー配線を配置するソース断線レスキュー
にて、表示に問題の無い断線レスキューを可能にする構
造であり、ソース断線レスキューによる薄線の発生を抑
えることができるという作用を有する。
【0009】また、請求項4に記載の発明は、請求項2
の前記多結晶シリコンTFTで構成されたスイッチは断線
レスキュー配線1本に対してデマルチプレクサ数と同数
配置し、スイッチのゲート線をそれぞれのデマルチプレ
クサ走査配線と接続し、ドレイン側を断線レスキュー配
線と接続し、断線したソース信号線に相当する信号を選
択するためソース側にて断線レスキュー配線とクロスさ
せ、レスキュー時には断線したソース信号線に接続され
ているデマルチプレクサ走査配線で駆動するスイッチの
ソースと断線レスキュー配線をショートさせ、デマルチ
プレクサとICとの間のスペースに断線レスキュー配線を
配置するソース断線レスキューにて、表示に問題の無い
断線レスキューを可能にする構造であり、ソース断線レ
スキューによる薄線の発生を抑えることができるという
作用を有する。
【0010】以下、本発明の実施の形態について図面を
参照にしながら説明する。
【0011】(実施の形態1)図1は本発明の実施の形
態1におけるゲートドライバを多結晶シリコンTFTから
なる駆動回路で内蔵し、ソースドライバをICにて構成
し、デマルチプレクサを内蔵した液晶表示装置であっ
て、前記ソース信号線の断線をレスキューする為の表示
領域外周に配線する断線レスキュー配線を、デマルチプ
レクサの辺にて、デマルチプレクサとICとの間のスペー
スに配置し、デマルチプレクサで構成される回路ブロッ
クの片側に、断線している前記ソース信号線に相当する
信号を選択し断線レスキュー配線に供給するための多結
晶シリコンTFTで構成されたスイッチのゲート線をデマ
ルチプレクサ走査配線とクロスさせ、レスキュー時には
スイッチのゲート線と断線しているソース信号線に接続
されているデマルチプレクサ走査配線とショートさせソ
ース信号線の断線を救済する構成図を示す。
【0012】1は表示領域、2はソース断線レスキュー
用配線、3はデマルチプレクサ、4はデマルチプレクサ
走査配線、5はソース信号線、6は断線箇所、7はレス
キューコンタクト部分、8はIC、9は多結晶シリコンTF
Tで構成されたスイッチである。
【0013】液晶表示装置のデマルチプレクサ3の辺
で、デマルチプレクサ3とIC8との間のスペースに断線
レスキュー配線2を配置し、デマルチプレクサ3で構成
される回路ブロックの片側に、断線しているソース信号
線5に相当する信号を選択し断線レスキュー配線に供給
するための多結晶シリコンTFTで構成されたスイッチ9
のゲート線をすべてのデマルチプレクサ走査配線4とク
ロスさせた構成であり、表示領域1内でソース信号線2
に断線個所6があった場合、ソース断線レスキュー用配
線2を使用し、断線しているソース信号線5の終端側と
断線しているソース信号線5がデマルチプレクサ3を介
してICに接続されている配線とをソース断線レスキュー
用配線2とクロスしている部分でショートさせ、さらに
スイッチ9のゲート線と断線しているソース信号線5に
接続されているデマルチプレクサ走査配線4とショート
させ断線している箇所6以降のソース信号線5に信号を
供給しの断線を救済し、ソース断線レスキューによる薄
線の発生を抑えることができる。
【0014】(実施の形態2)図2は本発明の実施の形
態2におけるゲートドライバを多結晶シリコンTFTから
なる駆動回路で内蔵し、ソースドライバをICにて構成
し、デマルチプレクサを内蔵した液晶表示装置であっ
て、前記ソース信号線の断線をレスキューする為の表示
領域外周に配線する断線レスキュー配線を、デマルチプ
レクサの辺にて、デマルチプレクサとICとの間のスペー
スに配置し、デマルチプレクサで構成される回路ブロッ
クの片側に、断線している前記ソース信号線に相当する
信号を選択し断線レスキュー配線に供給するための多結
晶シリコンTFTで構成されたスイッチを断線レスキュー
配線1本に対してデマルチプレクサ数と同数配置し、ス
イッチのゲート線をそれぞれのデマルチプレクサ走査配
線と接続し、ドレイン側を断線レスキュー配線と接続
し、断線したソース信号線に相当する信号を選択するた
めソース側にて断線レスキュー配線とクロスさせ、レス
キュー時には断線したソース信号線に接続されているデ
マルチプレクサ走査配線で駆動するスイッチのソースと
断線レスキュー配線をショートさせ、ソース信号線の断
線を救済する構成図を示す。
【0015】1は表示領域、2はソース断線レスキュー
用配線、3はデマルチプレクサ、4はデマルチプレクサ
走査配線、5はソース信号線、6は断線箇所、7はレス
キューコンタクト部分、8はIC、9は多結晶シリコンTF
Tで構成されたスイッチである。液晶表示装置のデマル
チプレクサ3の辺で、デマルチプレクサ3とIC8との間
のスペースに断線レスキュー配線2を配置し、デマルチ
プレクサ3で構成される回路ブロックの片側に、断線し
ているソース信号線5に相当する信号を選択し断線レス
キュー配線に供給するための多結晶シリコンTFTで構成
されたスイッチ9を断線レスキュー配線1本に対してデ
マルチプレクサ数と同数配置し、スイッチ9のゲート線
をそれぞれのデマルチプレクサ走査配線4と接続し、ド
レイン側を断線レスキュー配線2と接続し、断線したソ
ース信号線に相当する信号を選択するためソース側にて
断線レスキュー配線2とクロスさせ、表示領域1内でソ
ース信号線2に断線個所6があった場合、ソース断線レ
スキュー用配線2を使用し、断線しているソース信号線
5の終端側と断線しているソース信号線5がデマルチプ
レクサ3を介してICに接続されている配線とをソース断
線レスキュー用配線2とクロスしている部分でショート
させ、さらに断線したソース信号線に接続されているデ
マルチプレクサ走査配線3で駆動するスイッチ9のソー
スと断線レスキュー配線2をショートさせ、断線してい
る箇所6以降のソース信号線5に信号を供給しの断線を
救済し、ソース断線レスキューによる薄線の発生を抑え
ることができる。
【0016】なお、本発明はソースドライバを多結晶シ
リコンTFTで内蔵した場合でも同様の効果が得られるこ
とは言うまでも無い。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ゲートド
ライバを多結晶シリコンTFTからなる駆動回路で内蔵
し、ソースドライバをICにて構成し、前記ソースドライ
バより出力されるソース信号一本に対し複数のデマルチ
プレクサを内蔵した液晶表示装置であって、前記ソース
信号線の断線をレスキューする為の表示領域外周に1本
又は複数本配線する断線レスキュー配線を、前記デマル
チプレクサの辺にて、前記デマルチプレクサと前記ICと
の間のスペースに前記断線レスキュー配線を配置するこ
とで、クロス容量を減らし表示に問題の無い断線レスキ
ューを可能にする構造であり、ソース断線レスキューに
よる薄線の発生を抑えることができ、ソース断線を救済
し、ソース断線による歩留まり悪化を低減させることで
コストダウンをすることが可能で、産業的価値が大であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における液晶表示装置の
構成図
【図2】本発明の実施の形態2のおける液晶表示装置の
構成図
【図3】従来の液晶表示装置の構成図
【符号の説明】
1 表示領域 2 ソース断線レスキュー用配線 3 デマルチプレクサ 4 デマルチプレクサ走査線 5 ソース信号線 6 断線部 7 レスキューコンタクト部 8 IC 9 スイッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/35 G09F 9/35 Fターム(参考) 2H092 GA28 JA24 JA41 JB31 MA52 NA13 PA06 5C094 AA04 AA09 AA13 AA42 AA43 AA48 AA53 BA03 BA43 CA19 DA09 DA13 DB01 DB04 DB10 EA04 EA10 FA01 GB10 5G435 AA16 AA17 BB12 CC09 KK05

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ゲートドライバを多結晶シリコンTFTか
    らなる駆動回路で内蔵し、ソースドライバをICにて構成
    し、前記ソースドライバより出力されるソース信号一本
    に対し複数の画素を駆動できるよう、複数のソース信号
    線をスイッチで選択することで画像表示できる駆動回路
    (以後、デマルチプレクサと呼ぶ)を内蔵した液晶表示
    装置であって、前記ソース信号線の断線をレスキューす
    る為の表示領域外周に1本又は複数本配線する断線レス
    キュー配線を、前記デマルチプレクサの辺にて、前記デ
    マルチプレクサと前記ICとの間のスペースに前記断線レ
    スキュー配線を配置することを特徴とする液晶表示装
    置。
  2. 【請求項2】 前記デマルチプレクサで構成される回路
    ブロックの両側又は片側に、断線している前記ソース信
    号線に相当する信号を選択し断線レスキュー配線に供給
    するための多結晶シリコンTFTで構成されたスイッチを
    1個又は複数個配置することを特徴とする請求項1記載
    の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記多結晶シリコンTFTで構成されたス
    イッチは断線レスキュー配線1本に対して1個が接続さ
    れており、断線したソース信号線に相当する信号を選択
    するため、スイッチのゲート線をデマルチプレクサの走
    査信号線とクロスさせ、レスキュー時にはゲート線と断
    線しているソース信号線に接続されているデマルチプレ
    クサの走査信号線とショートさせることを特徴とする請
    求項2記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記多結晶シリコンTFTで構成されたス
    イッチは断線レスキュー配線1本に対してデマルチプレ
    クサと同数配置し、スイッチのゲート線をそれぞれのデ
    マルチプレクサの走査信号線と接続し、ドレイン側を断
    線レスキュー配線と接続し、断線したソース信号線に相
    当する信号を選択するため、ソース側にて断線レスキュ
    ー配線とクロスさせ、レスキュー時には断線したソース
    信号線に接続されているデマルチプレクサの走査線で駆
    動するスイッチのソースと断線レスキュー配線をショー
    トさせることを特徴とする請求項2記載の液晶表示装
    置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005165334A (ja) * 2003-12-03 2005-06-23 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置用薄膜トランジスタ表示板
US8456396B2 (en) 2006-08-31 2013-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8729544B2 (en) 2008-07-31 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9136390B2 (en) 2008-12-26 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2024202288A1 (ja) * 2023-03-29 2024-10-03 パナソニックオートモーティブシステムズ株式会社 表示装置

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005165334A (ja) * 2003-12-03 2005-06-23 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置用薄膜トランジスタ表示板
US10088725B2 (en) 2006-08-31 2018-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8456396B2 (en) 2006-08-31 2013-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8462100B2 (en) 2006-08-31 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8643586B2 (en) 2006-08-31 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11971638B2 (en) 2006-08-31 2024-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11194203B2 (en) 2006-08-31 2021-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US10606140B2 (en) 2006-08-31 2020-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9184183B2 (en) 2006-08-31 2015-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9335599B2 (en) 2006-08-31 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9684215B2 (en) 2006-08-31 2017-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US10401699B2 (en) 2006-08-31 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9087745B2 (en) 2008-07-31 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10937897B2 (en) 2008-07-31 2021-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9111804B2 (en) 2008-07-31 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8729544B2 (en) 2008-07-31 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US12074210B2 (en) 2008-07-31 2024-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9711651B2 (en) 2008-12-26 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9136390B2 (en) 2008-12-26 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11817506B2 (en) 2008-12-26 2023-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US12224355B2 (en) 2008-12-26 2025-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2024202288A1 (ja) * 2023-03-29 2024-10-03 パナソニックオートモーティブシステムズ株式会社 表示装置

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