JP2001237160A

JP2001237160A - 位置検出装置および像検出装置

Info

Publication number: JP2001237160A
Application number: JP2000044497A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Mishima; 和彦三島
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-02-22
Filing date: 2000-02-22
Publication date: 2001-08-31
Anticipated expiration: 2020-02-22
Also published as: JP4541481B2

Abstract

(57)【要約】【課題】構造を単純化し、且つより高精度な焦点位置
の検出を可能にする。【解決手段】光源４１３側に開口部を有し、該開口部
の一部となる第１開口部４５０を通過した光を物体とし
てのウエハ６面上に斜め方向から照射且つ該第１開口部
４５０をウエハ６上に略結像する照明光学系と、ウエハ
６の面上からの反射光束を受光して該第１開口部像の位
置変化を検出する検出手段としての光電変換素子４１９
とを備え、開口部の第１開口部４５０以外である第２開
口部４１７を通過した光を該照明光学系内に設けた反射
部材４２２により、ウエハ６側に導光する事無く、光電
変換素子４１９に導光し、光電変換素子４１９で得られ
た第１開口部像位置と第２開口部像位置との情報に基づ
き、ウエハ６面の焦点位置を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被検出物体上の位
置合わせマークを検出する装置或いは、所謂光学顕微鏡
に於いて、被検出物体のフォーカス方向の距離を精度良
く計測する事が出来る位置検出装置および像検出装置に
関する。また、本発明は、その安定性を保証した位置検
出装置及び像検出装置に関するものであり、特に半導体
ＩＣ、ＬＳＩ、ＣＣＤ、液晶パネル、磁気ヘッド等の各
種のデバイスを製造する投影露光装置のようにウエハ等
の物体の位置を該物体の像を観察して高精度に検出し、
該検出情報に基づいて物体の位置合わせを行う際に好適
なものである。

【０００２】

【従来の技術】最近の半導体素子の製造技術の進展は目
覚ましく、また、それに伴う微細加工技術の進展も著し
い。特に光加工技術はサブミクロンの解像力を有する縮
小投影露光装置、通称ステッパが主流であり、更なる解
像力向上に向けて光学系の開口数（ＮＡ）の拡大や、露
光波長の短波長化が図られている。露光波長の短波長化
に伴って、露光光源もｇ線、ｉ線の高圧水銀ランプから
ＫｒＦ更にＡｒＦのエキシマレーザに変移してきてい
る。

【０００３】一方、投影パターンの解像力の向上に伴っ
て、投影露光装置に於けるウエハとマスク（レチクル）
を相対的位置合わせするアライメントについても高精度
化が必要とされている。投影露光装置は高解像度の露光
装置であると同時に高精度な位置検出装置としての機能
も要求されている。

【０００４】更に近年では、半導体製造工程として、Ｃ
ＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏ
ｌｉｓｈｉｎｇ）と呼ばれる、ウエハ表面の平坦化技術
の導入が推進されて来ている。ＣＭＰを推進する背景と
しては、露光光の短波長化に伴い、露光像面の焦点深度
の減少化がある。更に、半導体チップ自体の高集積化が
進むに連れて、縦構造が従来に比べ厚くなる為、露光領
域全てに対してフォーカスを合わせる事が困難となる。
従って、段差を平坦化する事で、焦点深度内にウエハ上
の全てのチップ全域に対して焦点を合わせる事が出来る
と言うメリットがある。

【０００５】こうした背景の下で、ウエハのアライメン
ト方式としては、オフアクシスアライメント検出系（Ｏ
ｆｆ−ＡｘｉｓＡＡ以下「ＯＡ」と呼ぶ。）がある。
これは、投影露光光学系とは、異なる位置に配置され、
投影露光光学系を介さずに、ウエハ上のアライメントマ
ークの位置を検出し、その検出結果に基づいてウエハの
位置合わせを行う。

【０００６】一方、従来のアライメント方式として、Ｔ
ＴＬ−ＡＡ（ＴｈｒｏｕｇｈｔｈｅＬｅｎｓＡｕ
ｔｏＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）と呼ばれる投影光光学系を
介して、非露光光のアライメント波長を用いてウエハ上
のアライメントマークを検出する方法がある。

【０００７】ＴＴＬ−ＡＡのメリットとしては、投影露
光光学系の光軸とＴＴＬ−ＡＡの光軸（所謂、ベースラ
イン）が非常に短く配置出来る為、アライメント計測時
と露光時のウエハステージの駆動量が少ない。従って、
ウエハステージ回りの環境変化による投影露光光学系の
光軸とＴＴＬ−ＡＡの光軸の距離の変動で発生する測定
誤差を抑える事が出来る。つまり、ベースラインの変動
が少ないと言うメリットがある。

【０００８】ところが、露光光がＫｒＦレーザやＡｒＦ
レーザと言った短波長光に移行すると、使用硝材が限定
される為、投影露光光学系のアライメント波長に対する
色収差の補正が困難になる。従って、投影露光光学系の
色収差の影響を受けないＯＡ検出系が重要になって来て
いる。

【０００９】また、ＯＡ検出系の場合、投影露光光学系
を介さない為、任意の波長に対して、或いは、広い波長
域の光源を使用出来ると言うメリットもある。広帯域の
波長光を使用するメリットとしては、ウエハ上に塗布さ
れた感光材（レジスト）に対して、薄膜干渉の影響を除
去できるといった事が上げられる。従って、広帯域の波
長光に対して収差補正可能なＯＡ検出系は重要なアライ
メント検出系と言える。

【００１０】従来のＯＡ検出系を備えた投影露光光学系
について、図３に示す概略図を用いて解説する。露光光
源を含む露光照明光学系１（光源としては水銀ランプ、
ＫｒＦエキシマレーザ、やＡｒＦエキシマレーザ等）か
ら出射した光ＩＬは、パターンを形成しているマスク
（レチクル）２を照明する。この時レチクル２は、レチ
クル２上方（或いは下方）に配置されたアライメント検
出系１１によって投影露光光学系３の光軸ＡＸとレチク
ルパターンの中心が一致するように、レチクルホルダ１
２，１２’に予め位置決めされている。

【００１１】レチクルパターンを通った光によって、投
影露光光学系３によりその像をウエハステージ８上に保
持されたウエハ６に所定の倍率で転写する。尚、レチク
ル上方から照射光を照射し、投影露光光学系を介して、
固定位置でレチクルパターンをウエハ６上に順次露光す
るのがステッパと呼ばれ、レチクル及びウエハが相対的
に駆動（レチクルの駆動量はウエハ駆動量の投影倍率を
乗じた分）する露光装置をスキャナ（走査型露光装置）
と呼ぶ。

【００１２】一方、ウエハ６にはセカンドウエハと呼ば
れる既にパターンが形成されている種類のものが有り、
このウエハに次のパターンを形成する場合には、予めウ
エハの位置を検出しておかなければならない。その位置
検出方法に上記のＴＴＬ−ＡＡ方式やＯＡ検出方式があ
る。

【００１３】ここでは、ＯＡ検出系を備えたアライメン
ト方式に関して、図３に基づいて解説する。ＯＡ検出系
４は図３に示すように投影露光光学系３とは、別個に構
成されており、ウエハステージ８を、横方向距離を計測
出来る干渉計９に基づいてウエハ駆動系１０で駆動し、
ＯＡ検出系４の観察領域にウエハ６を位置決めする。干
渉計９によって位置決めされたウエハ６に対して、ウエ
ハ６上に形成されたアライメントマークをＯＡ検出系４
で位置検出し、ウエハ６上に形成されたチップ（素子）
の配列情報を得ることが出来る。

【００１４】次に、このチップ（素子）の配列情報に基
づいて、ウエハ６を投影露光光学系３の露光領域（レチ
クルの転写領域）にウエハステージ８を駆動して、順次
露光を行っていく。

【００１５】ここで、通常投影露光光学系３の露光領域
には、投影露光光学系３のフォーカス方向を計測するフ
ォーカス検出系５が構成されている。このフォーカス検
出系５の構成は、照明光源５０１から出射した光を照明
レンズ５０２を介してスリットパターン５０３を照明す
る。スリットパターン５０３を透過した光で照明光学系
５０４、ミラー５０５によってウエハ６上にスリットパ
ターンを結像する。

【００１６】ウエハ６上に投影されたスリットパターン
はウエハ表面上で反射し、照明系と反対側に構成された
ミラー５０６、検出光学系５０７に入射する。検出光学
系５０７はウエハ６上に形成されたスリット像を光電変
換素子５０８上に再結像させる。ウエハ６が上下する事
で、光電変換素子５０８上のスリット像が移動し、その
移動量からウエハ６のフォーカス方向の距離を測定出来
る。通常は、このスリットを複数（ウエハ６上の多点）
用意しておき、それぞれのフォーカス位置を検出する事
（ウエハ６上の多点計測）で、投影露光光学系３のレチ
クル像の像面に対するウエハの傾きを計測する事も出来
る。ウエハ駆動系１０によるウエハステージ８の駆動は
制御ユニット１４によって制御される。

【００１７】一方、更にＯＡ検出系４について、図４の
概略図を参照しながら解説する。図４中に於いて、照明
光源４０１（ファイバ等）から導光された光は、照明光
学系４０２により、偏光ビームスプリッタ４０３に導か
れる。偏光ビームスプリッタ４０３によって反射された
紙面垂直なＳ偏光光は、リレーレンズ４０４、λ／４板
４０９を通過した後、円偏光に変換され、対物レンズ４
０５を通ってウエハ６上に形成されたアライメントマー
クＡＭをケーラ照明する。

【００１８】アライメントマークＡＭから発生した反射
光、回折光、散乱光は、再度対物レンズ４０５、λ／４
板４０９を戻り、今度は紙面に平行なＰ偏光に変換さ
れ、偏光ビームスプリッタ４０３を通過し、結像光学系
４０７によって、アライメントマークＡＭの像を光電変
換素子４０８（例えばＣＣＤカメラ）上に形成する。光
電変換されたアライメントマーク像の位置に基づいて、
ウエハ６の位置を検出する。

【００１９】この時、ウエハ６上のアライメントマーク
ＡＭを精度良く検出する為には、アライメントマークＡ
Ｍの像が明確に検出されなければならない。つまり、Ｏ
Ａ検出系４のピントがアライメントマークＡＭに合って
いなければならない。

【００２０】ところが、以上の様なＯＡ検出系には周辺
の空間の制限により通常、投影露光光学系３には構成さ
れているフォーカス検出系５を構成出来ない。その為、
ＯＡ検出系４に別個のフォーカス検出系が無い場合、一
旦、投影露光光学系３の下に構成されているフォーカス
検出系５でフォーカス値を測定し、その後ＯＡ検出系の
計測領域に駆動してから、位置検出マークの観察を行わ
なくてはならない。

【００２１】この様にすると、例えばウエハステージの
横方向駆動による他成分としてフォーカス方向に駆動エ
ラーが発生してしまったり、ウエハが傾いてしまうと、
ＯＡ検出系４にとってウエハ全体にフォーカスを合わせ
る事が困難になってしまう。そこで、ウエハ６上の複数
のチップに対して、位置検出する度に、例えば画像のコ
ントラストを計測するような、フォーカス方向に位置を
振りながら複数の計測を行う（以下「駆動ＡＦ計測」）
フォーカス計測を行わなくてはならず、スループットの
減少が発生する。

【００２２】そこで、ＯＡ検出系自体に、フォーカス検
出系５に相当するフォーカス検出系を構成させる事が考
えられている。従来のＯＡ検出系４に構成されているフ
ォーカス検出系（以下「ＡＦ系」という。）を図５の概
略図に基づいて解説する。尚、位置検出系として機能す
る部分（上述済み部分）に関しては、同じ符号を記し、
説明は省略し、異なる部分のみについて解説する。

【００２３】ＡＦ用の光源４１３から出射した光は、照
明レンズ４１４により、パターンが形成されたスリット
４１６（１本、又は複数本）を照明する。尚、スリット
を複数本構成する効果としては、スリットの位置検出
（後述）する際の測定精度を向上（平均化効果）させる
為である。スリットを抜けた光は、更に照明レンズ４１
５及びミラー４１８により、第２リレーレンズ４１２に
導光される。ミラー４１８は後述する対物レンズ４０５
の観察物体のフーリエ変換面（以下「瞳面」という。）
とほぼ共役位置に配置されている。第２リレーレンズ４
１２を通った光は中間結像面ＩＰでスリット像を結像
し、その後、第１リレーレンズ４１１、ミラー４１０、
対物レンズ４０５によって、観察物体上（ウエハ６上）
にスリット像を結像している。尚、予め位置検出系の光
源波長とＡＦ系の光源波長を異ならしており、ミラー４
１０は、ダイクロミックミラーで構成する事で、ＡＦ系
の光は反射し、位置検出系の光は透過させることができ
る。

【００２４】また、図５に示すように照明系の光束ＦＩ
Ｌは、対物レンズの瞳面上で光軸から偏心した位置を通
る様に構成されている。その為、ウエハ６上ではスリッ
トの光束ＦＩＬが傾いた角度から入射し、ウエハ６上
（観察物体上）で反射した光は、対物レンズ４０５の瞳
面上の照明光ＦＩＬが通過した位置に対して、光軸に対
称な位置を通過してミラー４１０、第１リレーレンズ４
１１に向かう。第１リレーレンズ４１１によって、ウエ
ハ６上に形成されたスリット像をＩＰ面上に再度結像
し、第２リレーレンズ４１２を通過した後、対物レンズ
の瞳面と共役な開口絞り４２１を通過して結像レンズ４
２０によって光電変換素子４１９上に、再度スリット像
を結像する。この様な光学配置によってＡＦ系を構成
し、ウエハ６（観察物体）が上下駆動に対して、光電変
換素子４１９上のスリット像が移動し、その移動量から
ウエハ６（観察物体）のフォーカス方向の位置を検出す
る事が出来る。

【００２５】従来この様なＡＦ系には、光電変換素子４
１９等の変動成分を除去する為に、基準となる光も構成
されている。本図に於いては、第２リレーレンズ４１２
と結像レンズ４２０の間に、ハーフミラー４２５が構成
されており、このハーフミラー４２５によって、基準光
を光電変換素子４１９上に導光している。

【００２６】光源４１３とは別な光源４２９から出射し
た光は、ＡＦ基準光照明レンズ４２８によって、基準光
スリット４２７上を均一に照明する。

【００２７】基準光スリット４２７を通過した光は、Ａ
Ｆ基準光照明光学系４２６、ハーフミラー４２５、結像
レンズ４２０によって、基準光スリット像を光電変換素
子４１９上に結像させている。

【００２８】基準光と検出光との関係について、もう少
し解説すると、基準光と検出光は別な光源を用いるよう
になっており、基準光を点灯した場合、検出光は消灯し
た状態にする。すると、光電変換素子４１９上では、基
準光のみ検出され、基準となる位置を決定する。次に、
測定すべきウエハ６が測定領域にある状態で、基準光側
を消灯し、検出光側を点灯する。検出光は上記の様な光
路を通り、光電変換素子４１９上に検出光スリット像を
結像させる。先に検出された基準光の位置と検出光の相
対位置を検出する事で、ウエハ６のフォーカス方向の位
置を検出する事が出来る。この様にすることで、仮に、
光電変換素子４１９の位置が経時的（基準光測定から検
出光測定までは十分に安定している。）に変化した場合
でも、基準光と検出光の相対位置を検出している為、そ
うした変動成分を除去することが出来ていた。

【００２９】以上の様なＡＦ系を位置検出系に構成する
事で、ウエハ６のあるチップで位置検出系のベストピン
ト位置をこのＡＦ系で測定しておけば、次のチップに移
動した際には、このＡＦ系から計測されるフォーカス値
を使って常にベストピント位置に駆動する事が出来る。
そうすることで、各チップで駆動ＡＦ計測を行わなくて
良い為、スループットの向上も図る事が出来ていた。

【００３０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
様なＡＦ系には測定誤差を発生する要因が含まれてい
る。それは、検出光スリット４１６自体が測定方向（光
電変換素子上のスリットの移動方向）に動いてしまった
場合、フォーカスが変化していないのにも関わらず、フ
ォーカスがずれて測定されてしまう。

【００３１】この現象は、検出光スリット４１６だけで
はなく基準光スリット４２７自体が変動してしまった場
合、または、中間に構成されているＡＦ基準光照明光学
系４２６、結像レンズ４２０、第２リレーレンズ４１２
の偏心や中間に構成されているミラー４１８、４２５の
傾き偏心が発生しても同様な計測誤差を発生してしま
う。また、従来の様な基準光を生成する別の光学系を構
成する事は、以上の様な逆に誤差要因を発生する原因に
なってしまう。

【００３２】一般に、この様なＡＦ系は、対物レンズ自
体のもっているＮＡよりもウエハ６（観察物体）上の照
明光の入射角が小さくしか構成できない。その為、フォ
ーカス変動に対する光電変換素子上のスリットの移動敏
感度が小さい。つまり、光電変換素子上のスリット像の
微小量移動からフォーカス変動を測定しなければなら
ず、この事がスリット自体等々の変動による測定誤差へ
の影響度が大きくなってしまう事を意味している。

【００３３】本発明は上記の問題を鑑み、こうしたＡＦ
系の変動要因を極力除去し、且つ従来の基準光専用の光
学系を構成する事なく、安定したフォーカス計測をもつ
位置検出装置および所謂光学顕微鏡などの像検出装置を
提供する事を目的とする。

【００３４】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、本発明は、物体の位置を検出する位置検
出装置または物体の像を検出する像検出装置に於いて、
光源手段側に開口部を有し、該開口部の一部となる第１
開口部を通過した光を前記物体面上に斜め方向から照射
且つ該第１開口部を物体上に略結像する照明光学系と、
該物体面上からの反射光束を受光して該第１開口部像の
位置変化を検出する検出手段とを備え、該開口部の該第
１開口部以外である第２開口部を通過した光を該照明光
学系内に設けた反射部材により、該物体側に導光する事
無く、該検出手段に導光し、該検出手段で得られた該第
１開口部像位置と該第２開口部像位置情報とに基づい
て、該物体面の焦点位置を検出する事を特徴とする。

【００３５】また、本発明に係る検出装置は、例えば図
１に示すように、ウエハ６（観察物体）上に投影するＡ
Ｆ系のスリット上に基準光と検出光との両方を構成し、
スリット像の中間像面ＩＰ上に配置された部分反射ミラ
ー４２２によって、基準光は反射し、検出光は部分反射
ミラー４２２を通過した後、ウエハ６（観察物体）上に
投影され、ウエハ６（観察物体）から反射したスリット
像を光電変換素子４１９で検出する。

【００３６】基準光は、部分反射ミラー４２２によって
反射された後、直ぐに光電変換素子４１９側に向かい、
光電変換素子４１９上にその像を結像する。

【００３７】上記の様に、ウエハ６（観察物体）上に向
かい反射して来た検出光及び、部分反射ミラーから戻っ
て来た基準光の両方を検出する。従って、光電検出され
た基準光と検出光の差分より焦点位置を検出する（基準
光の位置を基準に検出光の位置を検出する）為、スリッ
ト自体の変動、光電変換素子、及び光学系の変動にる計
測誤差を除去する事ができる。また、基準光を形成する
光学系が不要になる為、よりコンパクトに構成する事が
出来、装置全体としての拡大化を防ぐ事が可能である。

【００３８】

【実施例】（第１の実施例）まず、第１の実施例に係る
位置検出装置または像検出装置のＡＦ系に関する測定原
理について、図２を用いて詳細に解説する。尚、図２に
示す構成要素に関しては、ＡＦ系に関する構成要素のみ
を抽出して解説する。

【００３９】まず、ＡＦ用光源４１３から出射した光
は、複数のスリットを有するスリット部材４１６を均一
に照明する。スリット部材４１６の開口部であるスリッ
ト４１７を通過した光は、ＡＦ照明光学系４１５を通っ
た後、ミラー４１８によって、対物レンズ４０５側に導
光される。尚、対物レンズ４０５とＡＦ照明光学系４１
５によって、ウエハ６面上とスリット部材４１６とは、
共役な関係（結像関係）になる。ＡＦ照明光ＦＩＬは、
対物レンズ４０５の瞳面に対し、偏心した位置を通し
て、ウエハ６上に導光される為、ウエハ６上に傾いた方
向（角度θ）から入射し、スリット像をウエハ６上に結
像している。また、ウエハ初期状態としては、実線で示
した（フォーカス位置）焦点位置にあるとする。

【００４０】ウエハ６で反射した光（スリット像）は、
入射角度θと同じ角度で反射し、対物レンズ４０５を透
過して、検出系開口絞り４２１を通過する。開口絞り４
２１を通過した光は、ＡＦ系リレーレンズ４２０を通過
した後、焦点位置を検出する検出手段を構成する光電変
換素子４１９上にスリット像を結像させる。

【００４１】ここで、開口絞り４２１の大きさに付いて
解説すると、この開口絞り４２１の大きさとスリット部
材４１６の幅は以下の条件を満足する関係になる様に、
決めるとよい。

【００４２】本実施例に於いては、開口絞り４２１の大
きさとスリット部材４１６の大きさ（スリット幅）を最
適にすることで、光電変化素子４１９を検出光ＦＭＬの
主光線に対して、垂直になるように配置する事が出来
る。光電変換素子４１９を垂直に配置する事で、光電変
換素子４１９の光の入射角度に依存した感度ムラの影響
を除去出来る。その為には、ウエハ６上に結像されるス
リット部材４１６のスリットの大きさ（スリット幅）に
対して、開口絞り４２１の大きさで決まるウエハ６上の
ＮＡ（図中：α）（つまり解像力）を計測したいフォー
カス範囲に対して、スリット像のコントラスト変化の影
響が発生しない様に絞れば良い。（スリット部材４１６
の焦点深度をフォーカス計測範囲よりも大きくする。）
そうすることで、ウエハ６の面と光電変化素子４１９の
面を検出光ＦＭＬの主光線に対して、所謂シャインプル
ーフの関係にする必要が無く、つまり、検出光ＦＭＬの
主光線に対して垂直に配置する事が出来る。

【００４３】ところで、ウエハ６の面が検出光ＦＭＬの
主光線方向に△Ｚだけずれた位置にあるとする。する
と、ウエハ６上に投影されたスリット像は、２△Ｚ×ｔ
ａｎθ分だけずれた位置になる。尚、上記の様に開口絞
り４２１の大きさを決めている為、ΔＺフォーカスが変
動しても、ウエハ６上に投影されるスリット像のコント
ラストは殆ど変化しない。

【００４４】先と同様に、対物レンズ４０５の瞳面に配
置された開口絞り４２１を通過した（破線で示した光）
ＦＭＬ’は、ＡＦ系リレーレンズ４２０を通過し、ウエ
ハ６上のスリット像を先とはｄだけずれた位置で光電変
換素子４１９上に結像させる。ここで、対物レンズ４０
５及び、ＡＦ系リレーレンズ４２０で決まるウエハ６か
ら光電変換素子４１９上までの結像倍率をβとすると、
デフォーカス量△Ｚと入射角度θには、以下の関係が成
り立つ。

【００４５】ｄ＝２×β×△Ｚ×ｔａｎθ これを、△Ｚについて書き改めると、 △Ｚ＝ｄ／（２βｔａｎθ）となり、設計値的に決まるβ、θ及び、光電変換素子４
１９から得られるｄより、デフォーカス△Ｚが求められ
る。以上が、本実施例におけるＡＦ系の基本原理であ
り、更にＡＦスリットをマルチタイプ（複数本）にした
のが、図１２に示すＡＦ系である。

【００４６】図１２では図２に示すのと同じ構成要素に
関しては、同符号を付してあり、それらの構成要素につ
いて解説は省略する。図１２に於いては、ＡＦスリット
部材４１６が複数本のスリット（本図では３本）で構成
されている。ＡＦスリット部材４１６のそれぞれのスリ
ットＩＳａ、ＩＳｂ、ＩＳｃを通過した光は、図２に示
すのと同様に、ＡＦ照明光学系４１５を通過した後、対
物レンズ４０５を通して、３本のスリット像として、ウ
エハ６面上にその像を投影させる。

【００４７】その後、ウエハ６面上で反射した光は、対
物レンズ４０５を再度通過し、対物レンズ４０５の瞳面
（或いは、瞳面近傍）に配置された開口絞り４２１を通
過し、ＡＦリレーレンズ４２０によって、光電変換素子
４１９上に、スリット像を結像させる。

【００４８】スリットＩＳａ、ＩＳｂ、ＩＳｃ、はそれ
ぞれ、光電変換素子４１９上にＭＳａ、ＭＳｂ、ＭＳｃ
として結像されている。

【００４９】尚、この検出系開口絞り４２１の大きさは
先に述べた条件を満足する大きさである。

【００５０】次に、ウエハ６が△Ｚだけずれた位置に配
置されたとすると、図２に示す装置について解説したと
同様に、光束は破線の様に通過し、光電変換素子４１９
上でｄだけ全体がずれた位置（ＭＳａ’、ＭＳｂ’、Ｍ
Ｓｃ’）にスリット像を結像させる。

【００５１】３本のスリットはそれぞれ、ｄだけずれた
位置で検出される。ここで、３本の平均的な位置を求め
ることで、平均化効果により、精度が向上する。

【００５２】一般的に、この様に検出マークを複数本に
する事によって、精度が向上し、本ＡＦ系に於いても、
マルチマーク（複数本）する事で、検出精度の向上が見
込まれる。

【００５３】以上の様に、スリットをマルチマーク化
し、マークの平均的な位置変化ｄを求める事で、ウエハ
６の焦点位置をより高精度に検出することが出来る。

【００５４】次に本発明の第１の実施例に付いて図１に
基づいて詳細に解説する。尚、アライメント検出系とし
ては、前述の図５に示したのと同じ為、解説は省略す
る。ＡＦ照明光源４１３から出射した光は、照明レンズ
４１４により、スリット部材４１６上を均一に照明す
る。スリット部材４１６は、複数本（２本以上）のスリ
ットが構成されており（本図に於いては、３本）、今、
第１開口部である検出光スリット部４５０を通過した光
に付いて、解説する。

【００５５】スリット部４５０を通過した光ＦＩＬ（実
線）は、ＡＦ照明光学系４１５、ミラー４１８、第２リ
レーレンズ４１２によって、スリット像を中間結像面Ｉ
Ｐ上に結像している。中間結像面ＩＰ上には、部分的に
反射する部分反射部材４２２が構成されている。検出光
スリット部４５０を通過した光は、この部分反射部材４
２２の透過部を透過し、第１リレーレンズ４１１側にそ
のまま導光される。第１リレーレンズ４１１を透過した
後、ダイクロミックミラー４１０（前述）で反射し、対
物レンズ瞳面４０６で偏心した位置を通過する。対物レ
ンズ４０５を通過した光は、瞳面上で偏心している為、
ウエハ６面上に斜め方向から照射されて検出光ＦＩＬと
なり、スリット部４５０像をウエハ６上に結像させる。
ウエハ６からの反射光ＦＭＬは、対物レンズ４０５の瞳
面４０６で入射光とは光軸の反対側を通過し、再度、ダ
イクロミックミラー４１０、第１リレーレンズ４１１、
部分反射部材４２２を透過し、開口絞り４２１を通過す
る。尚、この部分反射部材４２２は、ウエハ６のフォー
カス検出位置範囲内で、検出光を遮蔽しない程度の大き
さにする必要がある。

【００５６】開口絞り４２１は、前述の様に、対物レン
ズ４０５の瞳面４０６と共役或いはほぼ共役な位置に配
置され、且つ対物レンズ４０５の光軸中心からは偏心し
た位置に配置されているのは、前述と同様である。ま
た、開口絞り４２１の大きさは、先に解説した様に、ウ
エハ６のフォーカス検出範囲内でスリット像のコントラ
スト変化が許容出来るまで、絞った大きさとしている。
開口絞り４２１を通過した光ＦＭＬは、結像レンズ４２
０によって、ウエハ６上に結像した検出光スリット４５
０像を光電変換素子４１９上に結像している。従って、
ウエハ６のフォーカス方向の位置変化を光電変換素子４
１９上でのスリット位置として検出する事が出来るの
は、原理で解説した通りである。

【００５７】一方、基準光に関して解説する。スリット
部材４１６上の第２開口部としての基準光スリット部４
１７を通過した光は、検出光ＦＩＬと同様に、ＡＦ照明
光学系４１５、ミラー４１８、第２リレーレンズ４１２
を通って、その像は中間結像面ＩＰ上に結像される。但
し、この基準光スリット部４１７の結像位置には、部分
反射部材４２２の反射面が構成されており、基準光スリ
ット部４１７の光は、第１リレーレンズ側を通過する事
無く、直接、第２リレーレンズ４１２、開口絞り４２１
側に導光される。その後は、結像レンズ４２０によって
検出光と同様に光電変換素子４１９上にその像を結像さ
せている。但し、検出光とは異なった位置に結像されて
いる。基本的なこの位置関係は、スリット部材４１６か
ら光電変換素子４１９までの結像倍率（ＡＦ照明光学系
４１５と結像レンズ４２０で決まる）と基準光スリット
部４１７から検出光スリット部４５０までの距離とで決
まる。

【００５８】基準光スリット部４１７と検出光スリット
部４５０を同じスリット部材４１６に構成し、基準光と
検出光の光電変換素子４１９上での相対位置を同時に検
出する事で、ウエハ６の焦点位置を検出する事が出来
る。

【００５９】以上の構成を取ることで、従来の様な基準
光照明系と言う別光学系を構成する必要が無く、検出系
としてシンプルな構成が可能となり、且つ誤差要因が発
生する構成要素を削減出来る。また、スリット部材４１
６自体の変動、ミラー４１８、ＡＦ照明光学系４１５、
第２リレーレンズ４１２、結像光学系４２０、光電変換
素子４１９等の多数の構成要素の変動に対して、補正可
能となり、ウエハ６面上のより高精度な焦点位置の検出
が可能となる。

【００６０】ここで、基準光と検出光の関係に付いて、
図６を用いて詳細に解説する。まず、図６（ａ）には、
スリット部材４１６上のスリット部を示している。ＲＳ
ａ、ＲＳｂは共に、基準光が通るスリット部を示してお
り、部分反射部材４２２によって、対物レンズ４０５側
を介さず直接、光電変換素子４１９側に導光される。

【００６１】一方、スリット（ＭＳａ、ＭＳｂ、ＭＳ
ｃ：本図では３本）部を通った検出光は、前述の様にウ
エハ６側まで到達し、光電変換素子４１９上にその像が
結像される。この様に、基準光に対して、検出光を挟み
込む様に配置する事には、メリットがある。それは、上
記の様な検出系には、大小なりとも倍率の誤差や、ディ
ストーションと言った光学的な誤差要因がある。基準光
と検出光を挟み込まない配置にすると、上記の光学的な
誤差要因を大きく受け、オフセットが発生してしまう。

【００６２】従って、基準光に対し検出光を挟み込むこ
とで、倍率やディストーションが振り分けられ、このよ
うな光学的な誤差要因の影響は受けなくなると言うメリ
ットがある。

【００６３】ここで、図６（ｂ）には、ウエハ６が基本
焦点位置（ベストフォーカス位置）にある場合の、基準
光と検出光の光電変換素子４１９から得られる信号波形
が模式的に示されている。この様に、ベストフォーカス
位置では、基準光の信号に対して、検出光が中心になる
ように配置されている。ところが、図６（ｃ）に示すよ
うに、ウエハ６がフォーカス方向に駆動した場合、検出
光信号のみが横方向に移動する。この移動量ｅ（ＲＳａ
とＲｓｂの中心位置とＭＳａ〜ＭＳｃまでの中心位置ズ
レ）を検出する事で、ウエハ６の焦点位置を検出する事
が出来る。検出光に関しては、３本のスリット像位置か
ら平均的な位置を算出し、この情報により焦点位置を検
出する事で、マルチマーク効果（平均化効果）が得られ
る。

【００６４】一方、例えば、ウエハ６の焦点位置が変わ
らずに、光電変換素子４１９が計測方向に動いてしまっ
た場合を考える。この場合（図６（ｄ）、基準光を構成
していなければ、検出光の位置は変化してしまう。しか
し、本実施例に於いては基準光自体も同量だけ変化し、
結果として基準光と検出光との相対位置は変化せず従っ
て、ＡＦ計測だまされは発生しない事となる。

【００６５】ＡＦ計測には、ウエハ６（測定物体）の反
射率によって、光量調整を行う必要がある。例えば、Ｓ
ｉのウエハ基板とレジストを塗布したウエハ基板では、
ＡＦ検出光の光電変換素子４１９まで戻って来る光量は
異なっている。勿論、半導体製造過程の様々な工程を考
慮するとより反射率変化は大きいと云える。

【００６６】本実施例では、同一のスリットに基準光と
検出光の両方を構成し、且つ同じ光源で照明している。
その為、例えば、ウエハ６がＡＦ光源波長に対して反射
率が低い場合、検出精度を上げるよう最適光量とする
為、光源の光量を上げる必要がある。但し、検出光の光
量に合わせて、光源の光量を上げるため、同時に照明さ
れている基準光の光量は非常に大きな物となってしま
う。

【００６７】そうなると、基準光から光がフレア等の漏
れ光を発生し、検出光の妨げとなってしまう可能性があ
る。これに対しては、基準光の光量を予め小さくなる様
にしておけば良い。

【００６８】つまり、基準光を測定する場合、ＡＦ光源
の光量を最大にして初めて信号強度が得られる様に基準
光スリットの面積を検出光スリットの面積よりも小さく
しておく。

【００６９】或いは、部分反射部材４２２の基準光反射
面の反射率を予め小さくしておくと良い。如何なる手法
でも、要するに基準光の光量を検出光の光量に比べ、小
さくする事が出来れば良い。

【００７０】以上で説明した構成の場合の計測手順に関
して、図７を用いて解説する。図７（ａ）は、基準光ス
リットの面積を検出光スリットに比べ小さくしているス
リットを示している。計測信号強度は、このスリットの
面積に比例して、増減するように構成されている（例え
ば、非計測方向に積算する）。この様に予め基準光スリ
ット信号強度と検出光スリット信号強度とを比べて基準
光の信号強度の方が小さくなるようにしておき、ウエハ
６の無い状態で、ＡＦ計測する。その時、図７（ｂ）に
示すように、ウエハ６面には反射物体が無い為、基準光
の信号しか発生しておらず、基準光の位置だけを検出し
その位置を記憶しておく。次に、ウエハ６面上に比較的
反射率の高い（ＡＦ光源を暗くする）場合の基準光と検
出光信号の模式図を図７（ｃ）に示す。この様に、反射
率が比較的高いウエハ６の場合、基準光は検出光信号の
外側に、信号強度の低い状態で検出される。従って、検
出光への漏れ光の様な現象は発生しない。次に、ウエハ
６の反射率が最も悪い（ＡＦ光源が最も明るい）場合の
信号を図７（ｄ）に示す。このように、ＡＦ光源を最大
にして初めて、基準光の信号が最適になるようにしてい
る為、この場合に付いても、基準光の漏れ光の影響は発
生しない。

【００７１】以上の様に、検出光スリット部４５０と同
じ部材に基準光スリット部４１７を設け、中間結像面上
に配置した部分反射部材４２２によって、基準光はウエ
ハ６を介さずに直接、光電変換素子４１９ヘ導光し、検
出光との相対位置を検出し、ウエハ６の焦点位置検出を
する為、基準光専用の光学系が不要となり、且つ多数の
変動要因の除去が出来、高精度なＡＦ計測が可能とな
る。また装置の拡大化を防ぐ事が出来る。

【００７２】尚、本実施例に示した様な、スリットの配
置及びレンズ、ミラーに付いては、これらに限定される
物ではない。つまり、基準光スリットと検出光スリット
を同一部材上に構成し、基準光だけを検出系内に構成さ
れた反射部材によって、光電変換素子４１９側に導光す
る物で有れば、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の
変更は可能である。

【００７３】但し、本実施例では、スリット部材４１
６、部分反射部材４２２、光電変換素子４１９が全て共
役関係になるように配置している為、部分反射部材４２
２の傾き偏心（当然ミラーの為、平行偏心は効かない）
が発生しても、基準光の位置は変化しないと言うメリッ
トもある。

【００７４】（第２の実施例）図８には、第１の実施例
で示したスリット照明部を表している。上述のように、
基準光と検出光を同じ光源で照明し検出する場合、第１
の実施例の様に基準光と、検出光との測定タイミングを
異ならせ、シリアルに基準光と検出光を測定しなければ
ならない。つまり、基本的に様々のウエハ６（反射率）
に対して、基準光と検出光を同時に測定出来ず、その間
の変動成分が発生する可能性がある。

【００７５】そこで、第２の実施例では、ＡＦスリット
部の照明系に関して、基準光と検出光を同時に計測出来
る構成に付いて解説する。

【００７６】図９は、光源４１３にバンドルファイバを
使った照明系を示している。このバンドルファイバは、
出射口では１本になっており、入射側は２本になってい
る事を特徴とする。入射側のファイバ１本には、基準光
側の光源４３１ａとその光をファイバに導光する照明光
学系４３０ａが構成されており、ファイバ４１３ａ側に
基準光となる光を導光している。

【００７７】一方、検出系側は、同様に検出系側の光源
４３１ｂとその光をファイバに導光する照明光学系４３
０ｂによってファイバ４１３ｂに導光している。光源４
３１ａと４３１ｂはそれぞれ独立に光量調整可能な構成
になっている。

【００７８】ファイバ４１３ａと４１３ｂは４１３で１
本のファイバとして束ねられ且つ、断面を見ると、内側
にはファイバ４１３ｂを充填し、その周辺部に４１３ａ
を配置するようなファイバになっている。ファイバ４１
３の出射端面は、照明レンズ４３２と４１４により、ス
リット部材４１６上に結像する様になっている。且つそ
の端面の像とスリットの関係は、図に示すように、ファ
イバ４１３ａ部に基準光スリット部４１７が入り、ファ
イバ４１３ｂに検出光スリット部４５０が入るように構
成されている。この様に、照明系を構成する事で、基準
光と検出光を独立に調光できる。従って、ウエハ６の反
射率に依存せずに、基準光の光量を最適に出来、ウエハ
６に合わせて検出光の光量だけを調光する事ができる。
その為、いかなる反射率を持ったウエハ６に対しても、
基準光と検出光を同時に計測出来、より焦点位置検出の
高精度化を図る事が出来る。

【００７９】尚、本発明は本実施例に示したファイバの
形態に限定される物ではない。つまり、入射光側が２つ
あり、出射光側が１本になっているファイバを使用し、
ファイバ出射端面とスリットが結像関係に構成されてい
る物で有れば、ファイバの断面形状、光学配置は本実施
例に限定されない。

【００８０】（第３の実施例）第２の実施例と同様に、
第３の実施例に係るＡＦ照明系に関して、図１０を用い
て解説する。

【００８１】本図に於いて上述の図９に示したスリット
部材４１６から照明レンズ４３２までは同じ構成となっ
ている。異なる点は、スリット部材４１６と共役な面に
ファイバの代わりに、部分反射ミラー４３３を配置して
いる点にある。部分反射ミラー４３３の反射領域とスリ
ット部材４１６上の検出光スリット部が一致するように
配置されている。光源４３５ａから出射した光は、照明
光学系４３４ａによって、部分反射ミラー４３３を照明
する。部分反射ミラー４３３によって反射した光は、照
明レンズ４３２、４１４によって検出光スリット部を照
明している。一方、光源４３５ａとは別光源４３５ｂか
ら出射した光は照明レンズ４３４ｂを介して、照明レン
ズ４３２、４１４を通して、基準光スリット上を照明し
てる。つまり、部分反射ミラー４３３によって、光源４
３５ａの光を検出光スリット部に導光し、部分反射ミラ
ー４３３で遮光されない光源４３５ｂの光を基準光スリ
ット部を照明する様に構成している。

【００８２】以上の様に、構成する事で、基準光と検出
光を別個に調光することが出来、第２の実施例と同様
に、基準光と検出光を同時に出射して測定する事が出来
る。

【００８３】（第４の実施例）上記の例に示す構成で
は、照明レンズ４３２が構成されなくてはならなかった
が、このレンズを構成せずに、同様な効果が得られる第
４の実施例に付いて、図１１を用いて解説する。

【００８４】検出光スリット部を照明する光源４３６ａ
はある広がりを持った光を出射する。同様に、光源４３
６ｂも広がりを持った光を出射する。それぞれの光源４
３６ａ，４３６ｂと照明レンズ４１４との間には、部分
反射ミラー４３３が構成されている。光源４３６ａ、４
３６ｂとスリットはフーリエ変換の関係になっており、
光源４３６ｂの出射した光を角度に依存させて遮光する
ように構成している。この様に構成を簡略化する事が出
来、且つ基準光と検出光が独立に調光出来る為、基準光
と検出光を同時に出射して計測出来る。従って、より高
精度なウエハ６の焦点位置検出が可能となる。

【００８５】

【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した検出装
置を備えた露光装置または露光方法を利用したデバイス
の生産方法の実施例を説明する。図１３は微小デバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフロ
ーを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパタ
ーン設計を行う。ステップ２（マスクまたはレチクル製
作）では設計したパターンを形成したマスク（レチク
ル）を製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）では
シリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。
ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記
用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術に
よってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ
５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。

【００８６】図１４は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した位置または像検出
装置を有する露光装置によってマスクの回路パターンを
ウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光
したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）で
は現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し
行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形
成される。

【００８７】本実施例ではこの繰り返しの各プロセスに
おいて、上記述べたようにアライメント電子ビームの加
速電圧を最適に設定することで、プロセスに影響を受け
ず正確な位置合わせを可能としている。本実施例の生産
方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデ
バイスを低コストに製造することができる。

【００８８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、位
置検出系内に構成されているフォーカス検出系に関し
て、基準光と検出光を同じ部材上に構成し、照明光学系
内に設けた反射部材によって、基準光のみを被検出物体
であるウエハなどを介さずに光電変換検出する基準光を
使用する事で、より構成をシンプルに出来、且つより高
精度な焦点位置の検出が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る位置または像検
出装置を示す概略図である。

【図２】本発明の第１の実施例に係るフォーカス検出
（ＡＦ）系の原理図である。

【図３】位置検出系を備えた投影露光光学系の概略図
である。

【図４】位置検出系の概略図である。

【図５】従来の位置検出装置の一例を示す詳細図であ
る。

【図６】基準光と検出光信号の模式図である。

【図７】基準光と検出光光量の関係を示した模式図で
ある。

【図８】本発明の第１の実施例に係るＡＦ照明系を示
す概略図である。

【図９】本発明の第２の実施例に係るＡＦ照明系を示
す概略図である。

【図１０】本発明の第３の実施例に係るＡＦ照明系を
示す概略図である。

【図１１】本発明の第４の実施例に係るＡＦ照明系を
示す概略図である。

【図１２】マルチマーク化したＡＦ系の原理図であ
る。

【図１３】微小デバイスの製造の流れを示す図であ
る。

【図１４】図１３におけるウエハプロセスの詳細な流
れを示す図である。

【符号の説明】

１：露光照明光学系、２：レチクル（マスク）、３：投
影露光光学系、４：位置検出系、５：フォーカス検出
系、６：ウエハ、８：ウエハステージ、１０：ウエハ駆
動系、１３：アライメント基準マーク、１４：制御ユニ
ット、４０５：対物レンズ、４１３：ＡＦ光源、４１
５：ＡＦ照明光学系、４１６：ＡＦスリット部材、４１
７：スリット（第２開口部）、４１９：光電変換素子、
４２０：ＡＦ系リレーレンズ、４２１：開口絞り、４２
２：部分反射部材、４５０：スリット（第１開口部）。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】物体の位置を検出する位置検出装置に於
いて、光源手段側に開口部を有し、該開口部の一部とな
る第１開口部を通過した光を前記物体面上に斜め方向か
ら照射且つ該第１開口部を該物体上に略結像する照明光
学系と、該物体面上からの反射光束を受光して該第１開
口部像の位置変化を検出する検出手段とを備え、該開口
部の該第１開口部以外である第２開口部を通過した光を
該照明光学系内に設けた反射部材により、該物体側に導
光する事無く、該検出手段に導光し、該検出手段で得ら
れた該第１開口部像位置と該第２開口部像位置との情報
に基づいて、該物体面の焦点位置を検出する事を特徴と
する位置検出装置。
【請求項２】前記光源手段からの光束を限定する複数
の開口部の前記第１開口部と前記第２開口部が同一基板
上に構成されている事を特徴とする請求項１に記載の位
置検出装置。
【請求項３】前記第１開口部像が前記検出手段で検出
される第１信号強度に比べ、前記第２開口部像が該検出
手段で検出される第２信号強度を、予め小さく設定した
事を特徴とする請求項１または２に記載の位置検出装
置。
【請求項４】前記第１開口部を前記第２開口部で挟み
込む様に配置した事を特徴とする請求項１、２または３
のいずれかに記載の位置検出装置。
【請求項５】前記第２開口部像の位置を前記検出手段
で検出する際に、前記物体を該検出手段の検出範囲から
退避させる事を特徴とした請求項１〜４のいずれかに記
載の位置検出装置。
【請求項６】前記第１開口部を照明する光源と前記第
２開口部を照明する光源を別個に持っている事を特徴と
する請求項１〜５のいずれかに記載の位置検出装置。
【請求項７】前記反射部材は、前記第２開口部と略共
役な位置に配置された事を特徴とする請求項１〜６のい
ずれかに記載の位置検出装置。
【請求項８】請求項１〜７のいずれかに記載された位
置検出装置を用いて位置検出を実行することを特徴とす
る露光装置。
【請求項９】物体の像を検出する像検出装置に於い
て、光源手段側に開口部を有し、該開口部の一部となる
第１開口部を通過した光を前記物体面上に斜め方向から
照射且つ該第１開口部を該物体上に略結像する照明光学
系と、該物体面上からの反射光束を受光して該第１開口
部像の位置変化を検出する検出手段とを備え、該開口部
の該第１開口部以外である第２開口部を通過した光を該
照明光学系内に設けた反射部材により、該物体側に導光
する事無く、該検出手段に導光し、該検出手段で得られ
た該第１開口部像位置と該第２開口部像位置との情報に
基づいて、該物体面の焦点位置を検出する事を特徴とす
る像検出装置。
【請求項１０】前記光源手段からの光束を限定する複
数の開口部の該第１開口部と該第２開口部が同一基板上
に構成されている事を特徴とする請求項９に記載の像検
出装置。
【請求項１１】前記第１開口部像が前記検出手段で検
出される第１信号強度に比べ、前記第２開口部像が該検
出手段で検出される第２信号強度を、予め小さく設定し
た事を特徴とする請求項９または１０に記載の像検出装
置。
【請求項１２】前記第１開口部を前記第２開口部で挟
み込む様に配置した事を特徴とする請求項９、１０また
は１１のいずれかに記載の像検出装置。
【請求項１３】前記第２開口部像の位置を前記検出手
段で検出する際に、前記物体を該検出手段の検出範囲か
ら退避させる事を特徴とした請求項９〜１２のいずれか
に記載の像検出装置。
【請求項１４】前記第１開口部を照明する光源と前記
第２開口部を照明する光源を別個に持っている事を特徴
とする請求項９〜１３のいずれかに記載の像検出装置。
【請求項１５】前記反射部材は、前記第２開口部と略
共役な位置に配置された事を特徴とする請求項９〜１４
のいずれかに記載の像検出装置。
【請求項１６】請求項９〜１５のいずれかに記載の像
検出装置を用いてパターン像検出を行うことを特徴とす
る露光装置。
【請求項１７】請求項８または１６に記載の露光装置
を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス
製造方法。