JP2000269239A - Ｉｃチップ搬送システム、ｉｃチップ実装システム、ｉｃチップ搬送方法およびｉｃチップ実装方法 - Google Patents
Ｉｃチップ搬送システム、ｉｃチップ実装システム、ｉｃチップ搬送方法およびｉｃチップ実装方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易な構成でありながら、ＩＣチップの損傷
を低減する。 【解決手段】 ＩＣチップ４１を搬送する前に、ＩＣチ
ップ４１の能動面４２上にダミーバンプ４３を形成して
おく。そして、吸着コレット４４の下端部４４ａをダミ
ーバンプ４３に接触させた状態で上方に吸引することに
より、ＩＣチップ４１を保持する。これにより、搬送時
に能動面４２と吸着コレット４４とが接触することが防
止され、ＩＣチップ４１の損傷が低減される。
を低減する。 【解決手段】 ＩＣチップ４１を搬送する前に、ＩＣチ
ップ４１の能動面４２上にダミーバンプ４３を形成して
おく。そして、吸着コレット４４の下端部４４ａをダミ
ーバンプ４３に接触させた状態で上方に吸引することに
より、ＩＣチップ４１を保持する。これにより、搬送時
に能動面４２と吸着コレット４４とが接触することが防
止され、ＩＣチップ４１の損傷が低減される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップを搬送
するＩＣチップ搬送システムおよび搬送方法、ならびに
ＩＣチップを基板に実装するＩＣチップ実装システムお
よび実装方法に関する。
するＩＣチップ搬送システムおよび搬送方法、ならびに
ＩＣチップを基板に実装するＩＣチップ実装システムお
よび実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップを基板に実装する場合には、
製造されたＩＣチップを基板上の位置まで搬送した後、
基板上に実装されるようになっている。従来、ＩＣチッ
プを基板上の位置まで搬送する場合には、搬送装置がＩ
Ｃチップを吸着して保持し、基板上の位置まで移動する
ことにより、ＩＣチップを搬送している。ここで、図１
は、従来の搬送装置がＩＣチップを保持している状態を
示す。同図に示すように、この搬送装置は、筒状に形成
された保持部１を有しており、ＩＣチップ２を上方に吸
引することにより、ＩＣチップ２の能動面３に保持部１
の端部が接触した状態でＩＣチップ２を保持している。
製造されたＩＣチップを基板上の位置まで搬送した後、
基板上に実装されるようになっている。従来、ＩＣチッ
プを基板上の位置まで搬送する場合には、搬送装置がＩ
Ｃチップを吸着して保持し、基板上の位置まで移動する
ことにより、ＩＣチップを搬送している。ここで、図１
は、従来の搬送装置がＩＣチップを保持している状態を
示す。同図に示すように、この搬送装置は、筒状に形成
された保持部１を有しており、ＩＣチップ２を上方に吸
引することにより、ＩＣチップ２の能動面３に保持部１
の端部が接触した状態でＩＣチップ２を保持している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したよう
な保持方法でＩＣチップ２を保持した場合、ＩＣチップ
２の能動面３が保持部１と接触しているため、能動面３
に傷がついて損傷したり、静電気により能動面３が破壊
されたりすることがある。
な保持方法でＩＣチップ２を保持した場合、ＩＣチップ
２の能動面３が保持部１と接触しているため、能動面３
に傷がついて損傷したり、静電気により能動面３が破壊
されたりすることがある。
【０００４】このようなＩＣチップ２の能動面３の損傷
を低減する装置として、図２に示すような「角錐コレッ
ト」と呼ばれる保持部を備えた搬送装置が用いられてい
る。同図に示すように、この搬送装置では、ＩＣチップ
２の能動面３ではなく辺の部分５に接触するような形状
になされた保持部４を有しており、ＩＣチップ２を上方
に吸引することにより、能動面３には接触せずにＩＣチ
ップ２を保持することができるようになっている。従っ
て、保持部と能動面３との接触に起因する能動面３の損
傷を防止することができる。
を低減する装置として、図２に示すような「角錐コレッ
ト」と呼ばれる保持部を備えた搬送装置が用いられてい
る。同図に示すように、この搬送装置では、ＩＣチップ
２の能動面３ではなく辺の部分５に接触するような形状
になされた保持部４を有しており、ＩＣチップ２を上方
に吸引することにより、能動面３には接触せずにＩＣチ
ップ２を保持することができるようになっている。従っ
て、保持部と能動面３との接触に起因する能動面３の損
傷を防止することができる。
【０００５】しかし、近年では、電子機器の多機能化お
よび小型化に伴って複数のサイズの異なるＩＣチップ２
を１枚の基板に実装することがある。このような場合、
上述した角錐コレットと呼ばれる保持部４を有する搬送
装置では、搬送するＩＣチップ２のサイズ毎に保持部４
を用意する必要がある。また、保持部４をＩＣチップ２
の辺の部分５に正確に接触させることが要求されるた
め、時間を要するとともに、保持部４の位置決め精度に
優れた高価な搬送装置が必要となる。
よび小型化に伴って複数のサイズの異なるＩＣチップ２
を１枚の基板に実装することがある。このような場合、
上述した角錐コレットと呼ばれる保持部４を有する搬送
装置では、搬送するＩＣチップ２のサイズ毎に保持部４
を用意する必要がある。また、保持部４をＩＣチップ２
の辺の部分５に正確に接触させることが要求されるた
め、時間を要するとともに、保持部４の位置決め精度に
優れた高価な搬送装置が必要となる。
【０００６】本発明は、上記の事情を考慮してなされた
ものであり、簡易な構成でありながら、ＩＣチップの損
傷を低減することが可能なＩＣチップ搬送システムおよ
びＩＣチップ搬送方法、ならびにＩＣチップの実装を可
能とするＩＣチップ実装システムおよびＩＣチップ実装
方法を提供することを目的とする。
ものであり、簡易な構成でありながら、ＩＣチップの損
傷を低減することが可能なＩＣチップ搬送システムおよ
びＩＣチップ搬送方法、ならびにＩＣチップの実装を可
能とするＩＣチップ実装システムおよびＩＣチップ実装
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るＩＣチップ搬送システムは、能動面を
有するＩＣチップを搬送するＩＣチップ搬送システムで
あって、前記ＩＣチップの前記能動面に突起部を形成す
る突起部形成手段と、所定の区間内を移動可能に設けら
れ、前記突起部形成手段により前記ＩＣチップに形成さ
れた前記突起部に接触して前記ＩＣチップを吸引するこ
とにより前記ＩＣチップを保持する搬送手段とを具備し
ており、前記搬送手段が前記ＩＣチップを保持した状態
で移動することにより、前記ＩＣチップを搬送すること
を特徴としている。
め、本発明に係るＩＣチップ搬送システムは、能動面を
有するＩＣチップを搬送するＩＣチップ搬送システムで
あって、前記ＩＣチップの前記能動面に突起部を形成す
る突起部形成手段と、所定の区間内を移動可能に設けら
れ、前記突起部形成手段により前記ＩＣチップに形成さ
れた前記突起部に接触して前記ＩＣチップを吸引するこ
とにより前記ＩＣチップを保持する搬送手段とを具備し
ており、前記搬送手段が前記ＩＣチップを保持した状態
で移動することにより、前記ＩＣチップを搬送すること
を特徴としている。
【０００８】また、上記構成において、前記突起部形成
手段が、前記ＩＣチップの前記能動面に一直線状にない
３箇所に突起部を形成するようにしてもよい。
手段が、前記ＩＣチップの前記能動面に一直線状にない
３箇所に突起部を形成するようにしてもよい。
【０００９】また、本発明に係るＩＣチップ実装システ
ムは、能動面を有するＩＣチップを基板に実装するＩＣ
チップ実装システムであって、前記ＩＣチップの前記能
動面に突起部を形成する突起部形成手段と、前記ＩＣチ
ップを受け取る受取位置と、前記基板に前記ＩＣチップ
を実装する実装位置との間を移動可能に設けられ、前記
突起部形成手段により前記突起部が形成された前記ＩＣ
チップを前記受取位置で受け取って保持した後、前記実
装位置まで移動し、前記実装位置において当該ＩＣチッ
プを前記基板に実装する実装手段とを具備しており、前
記実装手段は、前記突起部形成手段により前記ＩＣチッ
プに形成された前記突起部に接触して前記ＩＣチップを
吸引することにより前記ＩＣチップを保持することを特
徴としている。
ムは、能動面を有するＩＣチップを基板に実装するＩＣ
チップ実装システムであって、前記ＩＣチップの前記能
動面に突起部を形成する突起部形成手段と、前記ＩＣチ
ップを受け取る受取位置と、前記基板に前記ＩＣチップ
を実装する実装位置との間を移動可能に設けられ、前記
突起部形成手段により前記突起部が形成された前記ＩＣ
チップを前記受取位置で受け取って保持した後、前記実
装位置まで移動し、前記実装位置において当該ＩＣチッ
プを前記基板に実装する実装手段とを具備しており、前
記実装手段は、前記突起部形成手段により前記ＩＣチッ
プに形成された前記突起部に接触して前記ＩＣチップを
吸引することにより前記ＩＣチップを保持することを特
徴としている。
【００１０】また、本発明に係るＩＣチップ実装システ
ムは、能動面を有するＩＣチップを基板にフリップチッ
プ実装するＩＣチップ実装システムであって、前記ＩＣ
チップの前記能動面に突起部を形成する突起部形成手段
と、前記ＩＣチップの前記能動面に電極として使用され
る電極バンプを形成する電極バンプ形成手段と、前記Ｉ
Ｃチップを受け取る受取位置と、前記基板に前記ＩＣチ
ップを実装する実装位置との間を移動可能に設けられ、
前記突起部形成手段により前記突起部が形成された前記
ＩＣチップを前記受取位置で受け取って保持した後、前
記実装位置まで移動し、前記能動面が前記基板と対向す
るように前記基板に前記ＩＣチップを実装する実装手段
とを具備しており、前記実装手段は、前記突起部形成手
段により前記ＩＣチップに形成された前記突起部に接触
して前記ＩＣチップを吸引することにより前記ＩＣチッ
プを保持することを特徴としている。
ムは、能動面を有するＩＣチップを基板にフリップチッ
プ実装するＩＣチップ実装システムであって、前記ＩＣ
チップの前記能動面に突起部を形成する突起部形成手段
と、前記ＩＣチップの前記能動面に電極として使用され
る電極バンプを形成する電極バンプ形成手段と、前記Ｉ
Ｃチップを受け取る受取位置と、前記基板に前記ＩＣチ
ップを実装する実装位置との間を移動可能に設けられ、
前記突起部形成手段により前記突起部が形成された前記
ＩＣチップを前記受取位置で受け取って保持した後、前
記実装位置まで移動し、前記能動面が前記基板と対向す
るように前記基板に前記ＩＣチップを実装する実装手段
とを具備しており、前記実装手段は、前記突起部形成手
段により前記ＩＣチップに形成された前記突起部に接触
して前記ＩＣチップを吸引することにより前記ＩＣチッ
プを保持することを特徴としている。
【００１１】また、上記構成のＩＣチップ実装システム
において、前記突起部形成手段が、前記電極バンプ形成
手段によって形成された前記電極バンプの前記能動面か
らの高さよりも大きい高さに前記突起部を形成するよう
にしてもよい。
において、前記突起部形成手段が、前記電極バンプ形成
手段によって形成された前記電極バンプの前記能動面か
らの高さよりも大きい高さに前記突起部を形成するよう
にしてもよい。
【００１２】また、上記構成のＩＣチップ実装システム
において、前記基板に凹部を形成する凹部形成手段をさ
らに具備するようにし、前記実装手段が、前記凹部形成
手段によって前記基板に形成された前記凹部に前記突起
部が配置されるように前記ＩＣチップを前記基板に実装
するようにしてもよい。
において、前記基板に凹部を形成する凹部形成手段をさ
らに具備するようにし、前記実装手段が、前記凹部形成
手段によって前記基板に形成された前記凹部に前記突起
部が配置されるように前記ＩＣチップを前記基板に実装
するようにしてもよい。
【００１３】また、上記構成のＩＣチップ実装システム
において、前記突起部形成手段が、前記電極バンプ形成
手段によって形成された前記電極バンプよりも融点の低
い材料で前記突起部を形成するようにしてもよい。
において、前記突起部形成手段が、前記電極バンプ形成
手段によって形成された前記電極バンプよりも融点の低
い材料で前記突起部を形成するようにしてもよい。
【００１４】また、上記構成のＩＣチップ実装システム
において、前記突起部形成手段が、前記能動面とほぼ直
交する方向からの押圧力を受けた場合に、前記電極バン
プ形成手段によって形成された前記電極バンプよりも潰
れやすい形状に前記突起部を形成するようにしてもよ
い。
において、前記突起部形成手段が、前記能動面とほぼ直
交する方向からの押圧力を受けた場合に、前記電極バン
プ形成手段によって形成された前記電極バンプよりも潰
れやすい形状に前記突起部を形成するようにしてもよ
い。
【００１５】また、前記突起部が、前記能動面とほぼ直
交する方向からの押圧力を受けた場合に、前記電極バン
プ形成手段によって形成された前記電極バンプよりも潰
れやすい材質で形成するようにしてもよい。
交する方向からの押圧力を受けた場合に、前記電極バン
プ形成手段によって形成された前記電極バンプよりも潰
れやすい材質で形成するようにしてもよい。
【００１６】また、上記構成のＩＣチップ実装システム
において、前記突起部形成手段が、前記ＩＣチップの前
記能動面に一直線状にない３箇所にバンプを形成するよ
うにしてもよい。
において、前記突起部形成手段が、前記ＩＣチップの前
記能動面に一直線状にない３箇所にバンプを形成するよ
うにしてもよい。
【００１７】また、本発明に係るＩＣチップ搬送方法
は、能動面を有するＩＣチップを搬送するＩＣチップ搬
送方法であって、前記ＩＣチップの前記能動面に突起部
を形成する突起部形成ステップと、前記突起部形成ステ
ップにより前記ＩＣチップに形成された前記突起部に接
触して前記ＩＣチップを吸引することにより前記ＩＣチ
ップを保持する保持ステップと、前記保持ステップによ
り保持された前記ＩＣチップを移動させる搬送ステップ
とを具備することを特徴としている。
は、能動面を有するＩＣチップを搬送するＩＣチップ搬
送方法であって、前記ＩＣチップの前記能動面に突起部
を形成する突起部形成ステップと、前記突起部形成ステ
ップにより前記ＩＣチップに形成された前記突起部に接
触して前記ＩＣチップを吸引することにより前記ＩＣチ
ップを保持する保持ステップと、前記保持ステップによ
り保持された前記ＩＣチップを移動させる搬送ステップ
とを具備することを特徴としている。
【００１８】また、本発明に係るＩＣチップ実装方法
は、能動面を有するＩＣチップを基板にワイヤーボンデ
ィング実装するＩＣチップ実装方法であって、前記ＩＣ
チップの前記能動面に突起部を形成する突起部形成ステ
ップと、前記突起部形成ステップにより前記ＩＣチップ
に形成された前記突起部に接触して前記ＩＣチップを吸
引することにより前記ＩＣチップを保持する保持ステッ
プと、前記保持ステップにより保持された前記ＩＣチッ
プを前記基板への実装位置に移動させる搬送ステップ
と、前記搬送ステップにより移動させられた前記ＩＣチ
ップを前記基板に実装する実装ステップとを具備するこ
とを特徴としている。
は、能動面を有するＩＣチップを基板にワイヤーボンデ
ィング実装するＩＣチップ実装方法であって、前記ＩＣ
チップの前記能動面に突起部を形成する突起部形成ステ
ップと、前記突起部形成ステップにより前記ＩＣチップ
に形成された前記突起部に接触して前記ＩＣチップを吸
引することにより前記ＩＣチップを保持する保持ステッ
プと、前記保持ステップにより保持された前記ＩＣチッ
プを前記基板への実装位置に移動させる搬送ステップ
と、前記搬送ステップにより移動させられた前記ＩＣチ
ップを前記基板に実装する実装ステップとを具備するこ
とを特徴としている。
【００１９】また、本発明に係るＩＣチップ実装方法
は、能動面を有するＩＣチップを基板にフリップチップ
実装するＩＣチップ実装方法であって、前記ＩＣチップ
の前記能動面に突起部を形成する突起部形成ステップ
と、前記ＩＣチップの前記能動面に電極として使用され
る電極バンプを形成する電極バンプ形成ステップと、前
記突起部形成ステップにより前記ＩＣチップに形成され
た前記突起部に接触して前記ＩＣチップを吸引すること
により前記ＩＣチップを保持する保持ステップと、前記
保持ステップにより保持された前記ＩＣチップを前記基
板への実装位置に移動させる搬送ステップと、前記搬送
ステップにより移動させられた前記ＩＣチップを前記基
板に実装する実装ステップとを具備することを特徴とし
ている。
は、能動面を有するＩＣチップを基板にフリップチップ
実装するＩＣチップ実装方法であって、前記ＩＣチップ
の前記能動面に突起部を形成する突起部形成ステップ
と、前記ＩＣチップの前記能動面に電極として使用され
る電極バンプを形成する電極バンプ形成ステップと、前
記突起部形成ステップにより前記ＩＣチップに形成され
た前記突起部に接触して前記ＩＣチップを吸引すること
により前記ＩＣチップを保持する保持ステップと、前記
保持ステップにより保持された前記ＩＣチップを前記基
板への実装位置に移動させる搬送ステップと、前記搬送
ステップにより移動させられた前記ＩＣチップを前記基
板に実装する実装ステップとを具備することを特徴とし
ている。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。 Ａ．第１実施形態 Ａ−１．構成 まず、図３は本発明の第１実施形態に係るＩＣチップ実
装システムの構成を示すブロック図である。同図に示す
ように、このＩＣチップ実装システム１０は、ダミーバ
ンプ形成部（突起部形成手段）１１と、ボンディング部
（搬送手段、実装手段）１２とを備えた構成となってい
る。
施形態について説明する。 Ａ．第１実施形態 Ａ−１．構成 まず、図３は本発明の第１実施形態に係るＩＣチップ実
装システムの構成を示すブロック図である。同図に示す
ように、このＩＣチップ実装システム１０は、ダミーバ
ンプ形成部（突起部形成手段）１１と、ボンディング部
（搬送手段、実装手段）１２とを備えた構成となってい
る。
【００２１】ダミーバンプ形成部１１は、ＩＣチップ製
造装置１４から供給されるＩＣチップの能動面にダミー
バンプ（突起部）を形成するものである。ボンディング
部１２は、後述する吸着コレットを有しており、ダミー
バンプ形成部１１によってダミーバンプが形成されたＩ
Ｃチップをダミーバンプ形成部１１から受け取った後、
受け取ったＩＣチップを基板に実装するものである。
造装置１４から供給されるＩＣチップの能動面にダミー
バンプ（突起部）を形成するものである。ボンディング
部１２は、後述する吸着コレットを有しており、ダミー
バンプ形成部１１によってダミーバンプが形成されたＩ
Ｃチップをダミーバンプ形成部１１から受け取った後、
受け取ったＩＣチップを基板に実装するものである。
【００２２】Ａ−２．ＩＣチップ実装方法 次に、上記構成のＩＣチップ実装システム１０によるＩ
Ｃチップの基板への実装方法について図４を用いて説明
する。まず、ＩＣチップ製造装置１４からダミーバンプ
形成部１１にＩＣチップが供給される。ここでは、図４
（ａ）に示すように、プラスチック薄膜シート４０上に
ウェハカットされた複数のＩＣチップ４１が配置された
状態でダミーバンプ形成部１１に供給されるようになっ
ている。
Ｃチップの基板への実装方法について図４を用いて説明
する。まず、ＩＣチップ製造装置１４からダミーバンプ
形成部１１にＩＣチップが供給される。ここでは、図４
（ａ）に示すように、プラスチック薄膜シート４０上に
ウェハカットされた複数のＩＣチップ４１が配置された
状態でダミーバンプ形成部１１に供給されるようになっ
ている。
【００２３】図４（ｂ）に示すように、ダミーバンプ形
成部１１においては、上述したように供給された各ＩＣ
チップ４１の能動面４２上にダミーバンプ４３が形成さ
れる。ここで、ダミーバンプ４３としては、通常のバン
プ（突起電極）と同様にはんだ等の金属材料を用いて、
通常のバンプと同様に転写バンプ法やメッキ法などによ
り形成される。なお、本発明において、ダミーバンプ
は、電極としての機能を有する必要がないため、導電性
を有しない材料で形成するようにしてもよい。
成部１１においては、上述したように供給された各ＩＣ
チップ４１の能動面４２上にダミーバンプ４３が形成さ
れる。ここで、ダミーバンプ４３としては、通常のバン
プ（突起電極）と同様にはんだ等の金属材料を用いて、
通常のバンプと同様に転写バンプ法やメッキ法などによ
り形成される。なお、本発明において、ダミーバンプ
は、電極としての機能を有する必要がないため、導電性
を有しない材料で形成するようにしてもよい。
【００２４】ここで、図５は、ダミーバンプ形成部１１
によってダミーバンプ４１が形成されたＩＣチップ４１
を示す正面図である。同図に示すように、ＩＣチップ４
１の能動面４２上の３箇所にダミーバンプ４３が形成さ
れている。ここで、３つのダミーバンプ４３は、一直線
上に位置しないように配置されている。
によってダミーバンプ４１が形成されたＩＣチップ４１
を示す正面図である。同図に示すように、ＩＣチップ４
１の能動面４２上の３箇所にダミーバンプ４３が形成さ
れている。ここで、３つのダミーバンプ４３は、一直線
上に位置しないように配置されている。
【００２５】このようにダミーバンプ４３が形成された
ＩＣチップ４１は、図４（ｃ）に示すように、吸着コレ
ット４４によってプラスチック薄膜シート４０から取り
出され、吸着コレット４４の移動に伴って基板４５の上
方まで移動させられる。
ＩＣチップ４１は、図４（ｃ）に示すように、吸着コレ
ット４４によってプラスチック薄膜シート４０から取り
出され、吸着コレット４４の移動に伴って基板４５の上
方まで移動させられる。
【００２６】ここで、図６は、吸着コレット４４による
ＩＣチップ４１の保持状態を示す図である。同図に示す
ように、筒状に形成された吸着コレット４４の下端部４
４ａは、ＩＣチップ４１に形成された３つのダミーバン
プ４３と接触しており、この状態でＩＣチップ４１を上
方に吸引することによりＩＣチップ４１を保持してい
る。従って、ＩＣチップ４１の能動面４２は、吸着コレ
ット４４と接触しないようになされている。このとき、
下端部４４ａと能動面４２との間には、ダミーバンプ４
３の高さの分だけ微小の隙間ができることになるが、こ
の隙間は、実際には２０μｍ程度の大きさであり、吸着
コレット４４が十分な吸引力でＩＣチップ４１を吸引し
ているので問題とはならず、ＩＣチップ４１を吸着でき
るようになっている。
ＩＣチップ４１の保持状態を示す図である。同図に示す
ように、筒状に形成された吸着コレット４４の下端部４
４ａは、ＩＣチップ４１に形成された３つのダミーバン
プ４３と接触しており、この状態でＩＣチップ４１を上
方に吸引することによりＩＣチップ４１を保持してい
る。従って、ＩＣチップ４１の能動面４２は、吸着コレ
ット４４と接触しないようになされている。このとき、
下端部４４ａと能動面４２との間には、ダミーバンプ４
３の高さの分だけ微小の隙間ができることになるが、こ
の隙間は、実際には２０μｍ程度の大きさであり、吸着
コレット４４が十分な吸引力でＩＣチップ４１を吸引し
ているので問題とはならず、ＩＣチップ４１を吸着でき
るようになっている。
【００２７】吸着コレット４４がＩＣチップ４１を保持
した状態で、基板４５における実装位置の上方に移動し
た後、図４（ｄ）に示すように、吸着コレット４４が基
板４５に向けて下降し、基板４５上の所定の位置にＩＣ
チップ４１が実装される。このようにＩＣチップ４１が
基板４５上に実装された後、図４（ｅ）に示すように、
基板４５上に形成された図示せぬ配線パターンと能動面
４２上の図示せぬ電極とがワイヤ４６によって接続され
る。従って、本実施形態においては、ボンディング部１
２はワイヤーボンディング法によってＩＣチップ４１を
基板４５に実装している。
した状態で、基板４５における実装位置の上方に移動し
た後、図４（ｄ）に示すように、吸着コレット４４が基
板４５に向けて下降し、基板４５上の所定の位置にＩＣ
チップ４１が実装される。このようにＩＣチップ４１が
基板４５上に実装された後、図４（ｅ）に示すように、
基板４５上に形成された図示せぬ配線パターンと能動面
４２上の図示せぬ電極とがワイヤ４６によって接続され
る。従って、本実施形態においては、ボンディング部１
２はワイヤーボンディング法によってＩＣチップ４１を
基板４５に実装している。
【００２８】本実施形態に係るＩＣチップ実装システム
によるＩＣチップ実装方法では、プラスチック薄膜シー
ト４０からＩＣチップ４１を取り出して基板４５に実装
するまでのＩＣチップ４１の搬送時に、吸着コレット４
４とＩＣチップ４１の能動面４２とが接触しないように
なされている。従って、吸着コレット４４と能動面４２
との接触による能動面４２の損傷や静電気破壊などが防
止される。
によるＩＣチップ実装方法では、プラスチック薄膜シー
ト４０からＩＣチップ４１を取り出して基板４５に実装
するまでのＩＣチップ４１の搬送時に、吸着コレット４
４とＩＣチップ４１の能動面４２とが接触しないように
なされている。従って、吸着コレット４４と能動面４２
との接触による能動面４２の損傷や静電気破壊などが防
止される。
【００２９】また、ＩＣチップ４１の能動面４２上に形
成されたダミーバンプ４３と接触可能な形状の吸着コレ
ット４４を用いれば、ＩＣチップ４１のサイズ毎に吸着
コレットを用意する必要がない。従って、ＩＣチップ実
装システムの設備コストを低減することができる。
成されたダミーバンプ４３と接触可能な形状の吸着コレ
ット４４を用いれば、ＩＣチップ４１のサイズ毎に吸着
コレットを用意する必要がない。従って、ＩＣチップ実
装システムの設備コストを低減することができる。
【００３０】また、上述したようにダミーバンプ４３
は、一直線上に配列されていないため、下端部４４ａと
能動面４２とが接触してしまうことが確実に防止でき
る。これは、図７（ａ）に示すように、ダミーバンプ４
３を２箇所（一直線上に配置される）に形成した場合に
は、図７（ｂ）に示すように、能動面４２に対して吸着
コレット４４が傾いた状態でＩＣチップ４１を保持して
まうこともあり、この場合、図示のように下端部４４ａ
が能動面４２と接触してしまうからである。
は、一直線上に配列されていないため、下端部４４ａと
能動面４２とが接触してしまうことが確実に防止でき
る。これは、図７（ａ）に示すように、ダミーバンプ４
３を２箇所（一直線上に配置される）に形成した場合に
は、図７（ｂ）に示すように、能動面４２に対して吸着
コレット４４が傾いた状態でＩＣチップ４１を保持して
まうこともあり、この場合、図示のように下端部４４ａ
が能動面４２と接触してしまうからである。
【００３１】なお、２箇所にダミーバンプ４３を形成し
た場合にも、図８に示すように、吸着コレット４４の下
端部４４ａが能動面４２ではなくＩＣチップ４１の辺の
部分４２ａに接触した状態でＩＣチップ４１を保持する
ようにすれば、ダミーバンプ４３を２箇所に形成するよ
うにしてもよい。また、形成するダミーバンプ４３が１
つであっても、吸着コレット４４がＩＣチップ４１を吸
着する時に、吸着コレット４４と能動面４２との接触を
防止できるものであればよい。また、能動面４２上にス
ペースがあれば、４箇所以上にダミーバンプ４３を設け
るようにしてもよい。
た場合にも、図８に示すように、吸着コレット４４の下
端部４４ａが能動面４２ではなくＩＣチップ４１の辺の
部分４２ａに接触した状態でＩＣチップ４１を保持する
ようにすれば、ダミーバンプ４３を２箇所に形成するよ
うにしてもよい。また、形成するダミーバンプ４３が１
つであっても、吸着コレット４４がＩＣチップ４１を吸
着する時に、吸着コレット４４と能動面４２との接触を
防止できるものであればよい。また、能動面４２上にス
ペースがあれば、４箇所以上にダミーバンプ４３を設け
るようにしてもよい。
【００３２】Ｂ．第２実施形態 次に、図９は、本発明の第２実施形態に係るＩＣチップ
実装システムの構成を示す。なお、第２実施形態におい
て、第１実施形態と共通する構成要素には、同一の符号
を付けて、その説明を省略する。
実装システムの構成を示す。なお、第２実施形態におい
て、第１実施形態と共通する構成要素には、同一の符号
を付けて、その説明を省略する。
【００３３】図９に示すように、第２実施形態に係るＩ
Ｃチップ実装システム１００は、第１実施形態に係るＩ
Ｃチップ実装システム１０に、ダミーバンプ形成部１１
によってダミーバンプが形成されたＩＣチップに電極と
して機能するバンプを形成する電極バンプ形成部（電極
バンプ形成手段）１１１を加えた構成となっている。
Ｃチップ実装システム１００は、第１実施形態に係るＩ
Ｃチップ実装システム１０に、ダミーバンプ形成部１１
によってダミーバンプが形成されたＩＣチップに電極と
して機能するバンプを形成する電極バンプ形成部（電極
バンプ形成手段）１１１を加えた構成となっている。
【００３４】このような構成のＩＣチップ実装システム
１００によるＩＣチップ実装方法について図１０を用い
て説明する。まず、図１０（ａ）に示すように、第１実
施形態と同様にＩＣチップ製造装置１４からダミーバン
プ形成部１１にＩＣチップが供給される。
１００によるＩＣチップ実装方法について図１０を用い
て説明する。まず、図１０（ａ）に示すように、第１実
施形態と同様にＩＣチップ製造装置１４からダミーバン
プ形成部１１にＩＣチップが供給される。
【００３５】図１０（ｂ）に示すように、第１実施形態
と同様にダミーバンプ形成部１１においては、上述した
ように供給された各ＩＣチップ４１の能動面４２上にダ
ミーバンプ４３が形成される。この後、プラスチック薄
膜シート４０上に配置されたＩＣチップ４１が電極バン
プ形成部１１１に移動させられる。そして、図１０
（ｃ）に示すように、電極バンプ形成部１１１によって
電極として使用される導電性材料からなるバンプ１０１
が能動面４２上の所定の位置に形成される。
と同様にダミーバンプ形成部１１においては、上述した
ように供給された各ＩＣチップ４１の能動面４２上にダ
ミーバンプ４３が形成される。この後、プラスチック薄
膜シート４０上に配置されたＩＣチップ４１が電極バン
プ形成部１１１に移動させられる。そして、図１０
（ｃ）に示すように、電極バンプ形成部１１１によって
電極として使用される導電性材料からなるバンプ１０１
が能動面４２上の所定の位置に形成される。
【００３６】ここで、図１１は、ダミーバンプ４３およ
びバンプ１０１が形成されたＩＣチップ４１を示す図で
ある。同図に示すように、ダミーバンプ４３はバンプ１
０１よりも高く形成されている。また、第２実施形態で
は、ダミーバンプ形成部１１によって形成されるダミー
バンプ４３の材料は、電極バンプ形成部１１１によって
形成されるバンプ１０１よりも融点の低いものが用いら
れている。例えば、ダミーバンプ４３およびバンプ１０
１ともにはんだで形成する場合には、バンプ１０１より
も融点の低いはんだを用いてダミーバンプ４３を形成す
るようにすればよい。
びバンプ１０１が形成されたＩＣチップ４１を示す図で
ある。同図に示すように、ダミーバンプ４３はバンプ１
０１よりも高く形成されている。また、第２実施形態で
は、ダミーバンプ形成部１１によって形成されるダミー
バンプ４３の材料は、電極バンプ形成部１１１によって
形成されるバンプ１０１よりも融点の低いものが用いら
れている。例えば、ダミーバンプ４３およびバンプ１０
１ともにはんだで形成する場合には、バンプ１０１より
も融点の低いはんだを用いてダミーバンプ４３を形成す
るようにすればよい。
【００３７】このようにしてダミーバンプ４３およびバ
ンプ１０１が形成されたＩＣチップ４１は、図１０
（ｄ）に示すように、吸着コレット４４によってプラス
チック薄膜シート４０から取り出される。そして、吸着
コレット４４の移動に伴って基板４５の上方に移動させ
られる。
ンプ１０１が形成されたＩＣチップ４１は、図１０
（ｄ）に示すように、吸着コレット４４によってプラス
チック薄膜シート４０から取り出される。そして、吸着
コレット４４の移動に伴って基板４５の上方に移動させ
られる。
【００３８】ここで、図１２は吸着コレット４４による
ＩＣチップ４１の保持状態を示す図である。同図に示す
ように、筒状に形成された吸着コレット４４の下端部４
４ａは、ＩＣチップ４１に形成された３つのダミーバン
プ４３と接触しており、この状態でＩＣチップ４１を上
方に吸引することによりＩＣチップ４１を保持してい
る。上述したようにダミーバンプ４３がバンプ１０１よ
りも高く形成されているため、ＩＣチップ４１の能動面
４２およびバンプ１０１が吸着コレット４４と接触しな
いようになっている。
ＩＣチップ４１の保持状態を示す図である。同図に示す
ように、筒状に形成された吸着コレット４４の下端部４
４ａは、ＩＣチップ４１に形成された３つのダミーバン
プ４３と接触しており、この状態でＩＣチップ４１を上
方に吸引することによりＩＣチップ４１を保持してい
る。上述したようにダミーバンプ４３がバンプ１０１よ
りも高く形成されているため、ＩＣチップ４１の能動面
４２およびバンプ１０１が吸着コレット４４と接触しな
いようになっている。
【００３９】このように基板４５の上方まで搬送された
ＩＣチップ４１は、図示せぬ実装装置によってバンプ１
０１が形成された能動面４２と基板４５が対向するよう
に上下面が反転される。そして、図１０（ｅ）に示すよ
うに、基板４５上に形成された図示せぬ配線パターンと
電極であるバンプ１０１とが接続されるように実装され
る。従って、第２実施形態において、ボンディング部１
２はフリップチップ法によってＩＣチップ４１を基板４
５上に実装している。
ＩＣチップ４１は、図示せぬ実装装置によってバンプ１
０１が形成された能動面４２と基板４５が対向するよう
に上下面が反転される。そして、図１０（ｅ）に示すよ
うに、基板４５上に形成された図示せぬ配線パターンと
電極であるバンプ１０１とが接続されるように実装され
る。従って、第２実施形態において、ボンディング部１
２はフリップチップ法によってＩＣチップ４１を基板４
５上に実装している。
【００４０】ここで、図１３はＩＣチップ４１を反転さ
せた後に基板４５上に実装する時の様子を示す図であ
る。ＩＣチップ４１の実装工程においては、図１３
（ａ）に示すように、ＩＣチップ４１が基板４５上に位
置決めされると、ＩＣチップ４１が加熱・加圧されて基
板４５上にＩＣチップ４１が実装されるようになってい
る。上述したようにダミーバンプ４３はバンプ１０１よ
りも融点の低い材料が使用されているため、図１３
（ｂ）に示すように、加熱・加圧されることによりダミ
ーバンプ４３が融けて潰れるようになっている。このよ
うにバンプ１０１よりも高く形成されたダミーバンプ４
３が潰れることによって、基板４５上の配線パターンと
バンプ１０１とを接続することができるようになってい
る。
せた後に基板４５上に実装する時の様子を示す図であ
る。ＩＣチップ４１の実装工程においては、図１３
（ａ）に示すように、ＩＣチップ４１が基板４５上に位
置決めされると、ＩＣチップ４１が加熱・加圧されて基
板４５上にＩＣチップ４１が実装されるようになってい
る。上述したようにダミーバンプ４３はバンプ１０１よ
りも融点の低い材料が使用されているため、図１３
（ｂ）に示すように、加熱・加圧されることによりダミ
ーバンプ４３が融けて潰れるようになっている。このよ
うにバンプ１０１よりも高く形成されたダミーバンプ４
３が潰れることによって、基板４５上の配線パターンと
バンプ１０１とを接続することができるようになってい
る。
【００４１】なお、融点の低い材料でダミーバンプ４３
を形成する以外にも、図１４に示すように、ダミーバン
プ４３を細長い形状に形成するようにしてもよい。この
ようにすれば、図１５に示すように、基板４５上にＩＣ
チップ４１を加熱・加圧した時に、加圧力によってダミ
ーバンプ４３が潰れてバンプ１０１と基板４５上の配線
パターンを接続することができる。ここで、ダミーバン
プ４３は、図１４に示した形状のものに限定されるわけ
ではなく、実装時に加圧力が加わった場合に、バンプ１
０１よりも潰れやすい形状であればよい。また、ダミー
バンプ４３をバンプ１０１よりも潰れやすい材質のもの
を用いて形成するようにしてもよい。
を形成する以外にも、図１４に示すように、ダミーバン
プ４３を細長い形状に形成するようにしてもよい。この
ようにすれば、図１５に示すように、基板４５上にＩＣ
チップ４１を加熱・加圧した時に、加圧力によってダミ
ーバンプ４３が潰れてバンプ１０１と基板４５上の配線
パターンを接続することができる。ここで、ダミーバン
プ４３は、図１４に示した形状のものに限定されるわけ
ではなく、実装時に加圧力が加わった場合に、バンプ１
０１よりも潰れやすい形状であればよい。また、ダミー
バンプ４３をバンプ１０１よりも潰れやすい材質のもの
を用いて形成するようにしてもよい。
【００４２】また、図１６に示すように、基板４５に凹
部１６０を形成する凹部形成部を設けるようにし、ＩＣ
チップ４１に形成されたダミーバンプ４３が凹部１６０
に配置されるようにＩＣチップ４１を実装するようにし
てもよい。このようにした場合にも、図１７に示すよう
に、ダミーバンプ４３が凹部１６０に侵入することによ
り、バンプ１０１と基板４５上の配線パターンを接続す
ることが可能となる。また、基板４５に形成された凹部
１６０にダミーバンプ４３が配置されるようにＩＣチッ
プ４１を実装すればよいので、実装時のＩＣチップ４１
の位置決めが容易となる。
部１６０を形成する凹部形成部を設けるようにし、ＩＣ
チップ４１に形成されたダミーバンプ４３が凹部１６０
に配置されるようにＩＣチップ４１を実装するようにし
てもよい。このようにした場合にも、図１７に示すよう
に、ダミーバンプ４３が凹部１６０に侵入することによ
り、バンプ１０１と基板４５上の配線パターンを接続す
ることが可能となる。また、基板４５に形成された凹部
１６０にダミーバンプ４３が配置されるようにＩＣチッ
プ４１を実装すればよいので、実装時のＩＣチップ４１
の位置決めが容易となる。
【００４３】また、図１８に示すように、バンプ１０１
よりも低くダミーバンプ４３を形成するようにしてもよ
い。この場合、図示のようにダミーバンプ４３に接触す
る下端部４４ａのみが下方に延出した形状の吸着コレッ
ト４４を用いてＩＣチップ４１を吸着させれば、吸着コ
レット４４が能動面４２およびバンプ１０１との接触を
防止できる。
よりも低くダミーバンプ４３を形成するようにしてもよ
い。この場合、図示のようにダミーバンプ４３に接触す
る下端部４４ａのみが下方に延出した形状の吸着コレッ
ト４４を用いてＩＣチップ４１を吸着させれば、吸着コ
レット４４が能動面４２およびバンプ１０１との接触を
防止できる。
【００４４】第２実施形態に係るＩＣチップ実装システ
ムによるＩＣチップ実装方法では、プラスチック薄膜シ
ート４０からＩＣチップ４１を取り出して基板４５に実
装するまでのＩＣチップ４１の搬送時に、吸着コレット
４４とＩＣチップ４１の能動面４２およびバンプ１０１
とが接触しないようになされている。従って、能動面４
２およびバンプ１０１と吸着コレット４４が接触するこ
とに起因する損傷や静電気による破壊などが防止され
る。
ムによるＩＣチップ実装方法では、プラスチック薄膜シ
ート４０からＩＣチップ４１を取り出して基板４５に実
装するまでのＩＣチップ４１の搬送時に、吸着コレット
４４とＩＣチップ４１の能動面４２およびバンプ１０１
とが接触しないようになされている。従って、能動面４
２およびバンプ１０１と吸着コレット４４が接触するこ
とに起因する損傷や静電気による破壊などが防止され
る。
【００４５】また、第１実施形態と同様にＩＣチップ４
１の能動面４２上に形成されたダミーバンプ４３と接触
可能な形状の吸着コレット４４を用いれば、ＩＣチップ
４１のサイズ毎に吸着コレットを用意する必要がない。
１の能動面４２上に形成されたダミーバンプ４３と接触
可能な形状の吸着コレット４４を用いれば、ＩＣチップ
４１のサイズ毎に吸着コレットを用意する必要がない。
【００４６】Ｃ．変形例 なお、上述した第１ないし第２実施形態においては、Ｉ
Ｃチップ４１を吸着コレット４４で搬送して基板４５上
に実装するＩＣチップ実装システムについて説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ＩＣチッ
プを搬送するＩＣチップ搬送システムに適用するように
してもよい。
Ｃチップ４１を吸着コレット４４で搬送して基板４５上
に実装するＩＣチップ実装システムについて説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ＩＣチッ
プを搬送するＩＣチップ搬送システムに適用するように
してもよい。
【００４７】例えば、図１９に示すように、プラスチッ
ク薄膜シート４０上にウェハカットされたＩＣチップ４
１をトレイ１８０に移載するＩＣチップ搬送システムに
適用するようにしてもよい。同図に示すように、このＩ
Ｃチップ搬送システムでは、プラスチック薄膜シート４
０上にウェハカットされたＩＣチップ４１に不良品があ
るか否をチェックし、良品のみをプラスチック薄膜シー
ト４０から取り出してトレイ１８０上に移載している。
この移載動作の前に上述した実施形態と同様にＩＣチッ
プ４１の能動面４２上にダミーバンプ４３を形成し、吸
着コレット４４と能動面４２とが接触しない状態でＩＣ
チップ４１を保持してプラスチック薄膜シート４０から
トレイ１８０に移載している。このように良品のみをト
レイ１８０に移載した後、上述した第１ないし第２実施
形態に示したボンディング部１２がトレイ１８０からＩ
Ｃチップ４１を取り出して基板４５上に実装するように
してもよい。
ク薄膜シート４０上にウェハカットされたＩＣチップ４
１をトレイ１８０に移載するＩＣチップ搬送システムに
適用するようにしてもよい。同図に示すように、このＩ
Ｃチップ搬送システムでは、プラスチック薄膜シート４
０上にウェハカットされたＩＣチップ４１に不良品があ
るか否をチェックし、良品のみをプラスチック薄膜シー
ト４０から取り出してトレイ１８０上に移載している。
この移載動作の前に上述した実施形態と同様にＩＣチッ
プ４１の能動面４２上にダミーバンプ４３を形成し、吸
着コレット４４と能動面４２とが接触しない状態でＩＣ
チップ４１を保持してプラスチック薄膜シート４０から
トレイ１８０に移載している。このように良品のみをト
レイ１８０に移載した後、上述した第１ないし第２実施
形態に示したボンディング部１２がトレイ１８０からＩ
Ｃチップ４１を取り出して基板４５上に実装するように
してもよい。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
簡易な構成でありながら、搬送時などにおいて、ＩＣチ
ップの能動面とＩＣチップを保持する部分とが接触する
ことが防止され、ＩＣチップの能動面の損傷を低減する
ことができる。
簡易な構成でありながら、搬送時などにおいて、ＩＣチ
ップの能動面とＩＣチップを保持する部分とが接触する
ことが防止され、ＩＣチップの能動面の損傷を低減する
ことができる。
【図１】 従来のＩＣチップ搬送ツールのＩＣチップ保
持状態を示す図である。
持状態を示す図である。
【図２】 従来の他のＩＣチップ搬送ツールのＩＣチッ
プ保持状態を示す図である。
プ保持状態を示す図である。
【図３】 本発明の第１実施形態に係るＩＣチップ実装
システムの構成を示すブロック図である。
システムの構成を示すブロック図である。
【図４】 第１実施形態に係るＩＣチップ実装システム
によるＩＣチップ実装方法を説明するための図である。
によるＩＣチップ実装方法を説明するための図である。
【図５】 第１実施形態に係るＩＣチップ実装システム
によりダミーバンプが形成されたＩＣチップを示す正面
図である。
によりダミーバンプが形成されたＩＣチップを示す正面
図である。
【図６】 第１実施形態に係るＩＣチップ実装システム
の吸着コレットがＩＣチップを保持しているときの様子
を示す図である。
の吸着コレットがＩＣチップを保持しているときの様子
を示す図である。
【図７】 前記吸着コレットによる不適切なＩＣチップ
保持状態を説明するための図である。
保持状態を説明するための図である。
【図８】 第１実施形態に係るＩＣチップ実装システム
の前記吸着コレットによるＩＣチップの保持状態の他の
例を示す図である。
の前記吸着コレットによるＩＣチップの保持状態の他の
例を示す図である。
【図９】 本発明の第２実施形態に係るＩＣチップ実装
システムの構成を示すブロック図である。
システムの構成を示すブロック図である。
【図１０】 第２実施形態に係るＩＣチップ実装システ
ムによるＩＣチップ実装方法を説明するための図であ
る。
ムによるＩＣチップ実装方法を説明するための図であ
る。
【図１１】 第２実施形態に係るＩＣチップ実装システ
ムによりダミーバンプおよびバンプが形成されたＩＣチ
ップを示す図である。
ムによりダミーバンプおよびバンプが形成されたＩＣチ
ップを示す図である。
【図１２】 第２実施形態に係るＩＣチップ実装システ
ムの吸着コレットがＩＣチップを保持しているときの様
子を示す図である。
ムの吸着コレットがＩＣチップを保持しているときの様
子を示す図である。
【図１３】 第２実施形態に係るＩＣチップ実装システ
ムによる基板へのＩＣチップ実装時の状態を説明するた
めの図である。
ムによる基板へのＩＣチップ実装時の状態を説明するた
めの図である。
【図１４】 第２実施形態に係るＩＣチップ実装システ
ムによってＩＣチップに形成された他のダミーバンプの
形状を説明するための図である。
ムによってＩＣチップに形成された他のダミーバンプの
形状を説明するための図である。
【図１５】 図１４に示すＩＣチップを基板に実装した
状態を示す図である。
状態を示す図である。
【図１６】 第２実施形態に係るＩＣチップ実装システ
ムによる基板へのＩＣチップの他の実装例を説明するた
めの図である。
ムによる基板へのＩＣチップの他の実装例を説明するた
めの図である。
【図１７】 図１６に示すＩＣチップが基板に実装され
た状態を示す図である。
た状態を示す図である。
【図１８】 第２実施形態に係るＩＣチップ実装システ
ムの吸着コレットの変形例によってＩＣチップが保持さ
れた状態を示す図である。
ムの吸着コレットの変形例によってＩＣチップが保持さ
れた状態を示す図である。
【図１９】 本発明に係るＩＣチップ搬送システムの動
作を説明するための図である。
作を説明するための図である。
１０……ＩＣチップ実装システム、１１……ダミーバン
プ形成部（突起部形成手段）、１２……ボンディング部
（実装手段、搬送手段）、１４……ＩＣチップ製造装
置、４０……プラスチック薄膜シート、４１……ＩＣチ
ップ、４２……能動面、４３……ダミーバンプ（突起
部）、４４……吸着コレット、４５……基板、１００…
…ＩＣチップ実装システム、１０１……バンプ、１１１
……電極バンプ形成部（電極バンプ形成手段）、１６０
……凹部、１８０……トレイ
プ形成部（突起部形成手段）、１２……ボンディング部
（実装手段、搬送手段）、１４……ＩＣチップ製造装
置、４０……プラスチック薄膜シート、４１……ＩＣチ
ップ、４２……能動面、４３……ダミーバンプ（突起
部）、４４……吸着コレット、４５……基板、１００…
…ＩＣチップ実装システム、１０１……バンプ、１１１
……電極バンプ形成部（電極バンプ形成手段）、１６０
……凹部、１８０……トレイ
Claims (13)
- 【請求項１】 能動面を有するＩＣチップを搬送するＩ
Ｃチップ搬送システムであって、 前記ＩＣチップの前記能動面に突起部を形成する突起部
形成手段と、 所定の区間内を移動可能に設けられ、前記突起部形成手
段により前記ＩＣチップに形成された前記突起部に接触
して前記ＩＣチップを吸引することにより前記ＩＣチッ
プを保持する搬送手段とを具備しており、 前記搬送手段が前記ＩＣチップを保持した状態で移動す
ることにより、前記ＩＣチップを搬送することを特徴と
するＩＣチップ搬送システム。 - 【請求項２】 前記突起部形成手段は、前記ＩＣチップ
の前記能動面に一直線状にない３箇所に突起部を形成す
ることを特徴とする請求項１に記載のＩＣチップ搬送シ
ステム。 - 【請求項３】 能動面を有するＩＣチップを基板に実装
するＩＣチップ実装システムであって、 前記ＩＣチップの前記能動面に突起部を形成する突起部
形成手段と、 前記ＩＣチップを受け取る受取位置と、前記基板に前記
ＩＣチップを実装する実装位置との間を移動可能に設け
られ、前記突起部形成手段により前記突起部が形成され
た前記ＩＣチップを前記受取位置で受け取って保持した
後、前記実装位置まで移動し、前記実装位置において当
該ＩＣチップを前記基板に実装する実装手段とを具備し
ており、 前記実装手段は、前記突起部形成手段により前記ＩＣチ
ップに形成された前記突起部に接触して前記ＩＣチップ
を吸引することにより前記ＩＣチップを保持することを
特徴とするＩＣチップ実装システム。 - 【請求項４】 能動面を有するＩＣチップを基板にフリ
ップチップ実装するＩＣチップ実装システムであって、 前記ＩＣチップの前記能動面に突起部を形成する突起部
形成手段と、 前記ＩＣチップの前記能動面に電極として使用される電
極バンプを形成する電極バンプ形成手段と、 前記ＩＣチップを受け取る受取位置と、前記基板に前記
ＩＣチップを実装する実装位置との間を移動可能に設け
られ、前記突起部形成手段により前記突起部が形成され
た前記ＩＣチップを前記受取位置で受け取って保持した
後、前記実装位置まで移動し、前記能動面が前記基板と
対向するように前記基板に前記ＩＣチップを実装する実
装手段とを具備しており、 前記実装手段は、前記突起部形成手段により前記ＩＣチ
ップに形成された前記突起部に接触して前記ＩＣチップ
を吸引することにより前記ＩＣチップを保持することを
特徴とするＩＣチップ実装システム。 - 【請求項５】 前記突起部形成手段は、前記電極バンプ
形成手段によって形成された前記電極バンプの前記能動
面からの高さよりも大きい高さに前記突起部を形成する
ことを特徴とする請求項４に記載のＩＣチップ実装シス
テム。 - 【請求項６】 前記基板に凹部を形成する凹部形成手段
をさらに具備し、 前記実装手段は、前記凹部形成手段によって前記基板に
形成された前記凹部に前記突起部が配置されるように前
記ＩＣチップを前記基板に実装することを特徴とする請
求項５に記載のＩＣチップ実装システム。 - 【請求項７】 前記突起部形成手段は、前記電極バンプ
形成手段によって形成された前記電極バンプよりも融点
の低い材料で前記突起部を形成することを特徴とする請
求項４または５に記載のＩＣチップ実装システム。 - 【請求項８】 前記突起部形成手段は、前記能動面とほ
ぼ直交する方向からの押圧力を受けた場合に、前記電極
バンプ形成手段によって形成された前記電極バンプより
も潰れやすい形状に前記突起部を形成することを特徴と
する請求項４または５に記載のＩＣチップ実装システ
ム。 - 【請求項９】 前記突起部は、前記能動面とほぼ直交す
る方向からの押圧力を受けた場合に、前記電極バンプ形
成手段によって形成された前記電極バンプよりも潰れや
すい材質で形成されていることを特徴とする請求項４ま
たは５に記載のＩＣチップ実装システム。 - 【請求項１０】 前記突起部形成手段は、前記ＩＣチッ
プの前記能動面に一直線状にない３箇所にバンプを形成
することを特徴とする請求項３ないし９のいずれかに記
載のＩＣチップ実装システム。 - 【請求項１１】 能動面を有するＩＣチップを搬送する
ＩＣチップ搬送方法であって、 前記ＩＣチップの前記能動面に突起部を形成する突起部
形成ステップと、 前記突起部形成ステップにより前記ＩＣチップに形成さ
れた前記突起部に接触して前記ＩＣチップを吸引するこ
とにより前記ＩＣチップを保持する保持ステップと、 前記保持ステップにより保持された前記ＩＣチップを移
動させる搬送ステップとを具備することを特徴とするＩ
Ｃチップ搬送方法。 - 【請求項１２】 能動面を有するＩＣチップを基板に実
装するＩＣチップ実装方法であって、 前記ＩＣチップの前記能動面に突起部を形成する突起部
形成ステップと、 前記突起部形成ステップにより前記ＩＣチップに形成さ
れた前記突起部に接触して前記ＩＣチップを吸引するこ
とにより前記ＩＣチップを保持する保持ステップと、 前記保持ステップにより保持された前記ＩＣチップを前
記基板への実装位置に移動させる搬送ステップと、 前記搬送ステップにより移動させられた前記ＩＣチップ
を前記基板に実装する実装ステップとを具備することを
特徴とするＩＣチップ実装方法。 - 【請求項１３】 能動面を有するＩＣチップを基板にフ
リップチップ実装するＩＣチップ実装方法であって、 前記ＩＣチップの前記能動面に突起部を形成する突起部
形成ステップと、 前記ＩＣチップの前記能動面に電極として使用される電
極バンプを形成する電極バンプ形成ステップと、 前記突起部形成ステップにより前記ＩＣチップに形成さ
れた前記突起部に接触して前記ＩＣチップを吸引するこ
とにより前記ＩＣチップを保持する保持ステップと、 前記保持ステップにより保持された前記ＩＣチップを前
記基板への実装位置に移動させる搬送ステップと、 前記搬送ステップにより移動させられた前記ＩＣチップ
を前記基板に実装する実装ステップとを具備することを
特徴とするＩＣチップ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6916099A JP3733777B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | Ｉｃチップ実装システムおよびｉｃチップ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6916099A JP3733777B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | Ｉｃチップ実装システムおよびｉｃチップ実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269239A true JP2000269239A (ja) | 2000-09-29 |
| JP3733777B2 JP3733777B2 (ja) | 2006-01-11 |
Family
ID=13394679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6916099A Expired - Fee Related JP3733777B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | Ｉｃチップ実装システムおよびｉｃチップ実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3733777B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10250778B3 (de) * | 2002-10-30 | 2004-03-04 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zum Bestücken eines Schaltungsträgers beim Herstellen des elektronischen Bauteils |
| JP2005327971A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品供給ヘッド装置、部品供給装置、及び部品実装装置 |
| JP2007141998A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | 半導体チップの製造装置及び半導体チップの製造方法 |
| KR20190072464A (ko) | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 픽업 유닛 |
Citations (6)
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| JPH09232506A (ja) * | 1996-02-20 | 1997-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH10189653A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Toshiba Corp | 半導体素子およびこの半導体素子を有する回路モジュール |
| JPH10303249A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-03-15 JP JP6916099A patent/JP3733777B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
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| US6906428B2 (en) | 2002-10-30 | 2005-06-14 | Infineon Technologies Ag | Electronic component having a semiconductor chip and method for populating a circuit carrier during the production of the electronic component |
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| WO2005112537A1 (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 部品供給ヘッド装置及び部品実装ヘッド装置 |
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| KR20190072464A (ko) | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 픽업 유닛 |
| JP2019107779A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | ピックアップユニット |
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