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DE68927535T2 - Verstärker - Google Patents

Verstärker

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Verstärker. Insbesondere, jedoch nicht ausschließlich, betrifft die Erfindung einen hohen Steuerstrom liefernde integrierte Verstärker.
  • Verstärker, die imstande sind, Ausgangsströme zu liefern, die sehr viel höher als ihre Ruheströme sind, zeigen die Tendenz, komplexe Schaltungen zu beinhalten, einschließlich zusätzlicher Verstärkerstufen innerhalb der Hauptverstärkerschleifen zur Steuerung der Ruheströme. Diese zusätzlichen Verstärkerstufen bringen ihre eigenen Geschwindigkeits- und Stabilitätsprobleme ein, da sie separat zu stabilisieren sind, und jedwede Offsets innerhalb dieser zusätzlichen Verstärkerstufen können zu schlecht definierten Ruheströmen im Hauptverstärker führen.
  • Eine Anordnung zur Verwirklichung von Ruheströmen in Verstärkerausgangsstufen ist beispielsweise in der veröffentlichten Europäischen Patentanmeldung Nr. 0155717 offenbart, in der eine Gegenkopplungsspannung von einem Paar Transistoren, deren Eingänge jeweils eine gemeinsame Verbindung mit denjenigen eines Paares von Ausgangstransistoren aufweisen, d.h. gemeinsam mit denjenigen Eingängen des Paares von Ausgangstransistoren verbunden sind, dazu verwendet wird, die Ruheströme in diesen Ausgangstransistoren bereitzustellen. Andere Anordnungen mit vergleichbaren Gegenständen sind in der US-Patentschrift Nr. 4,480,230 und der veröffentlichen Europäischen Patentanmeldung Nr. 0217431 offenbart.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt ein integrierter komplementärsymmetrischer Metalloxid (CMOS) Halbleiter-Gegentaktverstärker eine Ausgangsstufe, die ein Paar Feldeffekttransistoren entgegengesetzter Leitfähigkeit aufweist, deren Source-Drainstrompfade in Serie über eine Spannungsversorgung bzw. Energiequelle gelegt sind, ein zweites Paar Feldeffekttransistoren, deren Eingänge jeweils eine gemeinsame Verbindung mit denjenigen des ersten Paares Transistoren aufweisen, bzw. jeweils gemeinsam mit denjenigen des ersten Paares von Transistoren verbunden sind, und eine erste und zweite Eingangsschaltungseinrichtung, die Eingangssignalspannungen auf die Eingänge der Transistoren des ersten und zweiten Paares gibt, wobei der Verstärker dadurch gekennzeichnet ist, daß ein Steuerstrompfad vorgesehen ist, der zwischen die erste und zweite Eingangsschaltungseinrichtung gelegt ist, daß die den Eingängen der Transistoren des ersten und zweiten Paares zugeführten Eingangssignalspannungen zumindest teilweise vom Wert des Stromflusses durch den Steuerstrompfad abhängen, und eine Rückkopplungseinrichtung vorgesehen ist, die mit dem Steuerstrompfad verbunden ist und die in Abhängigkeit von den Werten des Stromflusses in den Source-Drainstrompfaden des zweiten Paares von Transistoren den Wert des Stromflusses durch den Steuerstrompfad im wesentlichen konstant hält und im wesentlichen einen vorbestimmten minimalen Wert eines Stromflusses gemeinsam durch die Source-Drainpfade des ersten Transistorpaares bewirkt.
  • Vorzugsweise umfaßt der Steuerstrompfad ein drittes Paar Feldeffekttransistoren entgegengesetzter Leitfähigkeit, deren Source-Drainstrompfade in Serie in den Streuerstrompfad zwischen die erste und zweite Eingangsschaltungseinrichtung gelegt sind. Die Mittel zur Bewirkung eines im wesentlichen vorbestimmten Stromflußwerts gemeinsam durch die Source- Drainpfade des ersten Transistorpfades können ein viertes Paar Feldeffekttransistoren entgegengesetzter Leitfähigkeit umfassen, deren jeweilige Gate- und Drainelektroden zusammengeschaltet sind und deren Source-Drainstrompfade in Serie zwischen die Gateelektroden des dritten Transistorpaares gelegt sind.
  • Ein Verstärker gemäß der vorliegenden Erfindung wird nun beispielhalber unter Bezugnahme auf die beiliegenden zeichnungen erläutert, in denen:
  • Fig. 1 die Schaltung des Verstärkers in schematischer Weise zeigt,
  • Fig. 2 einen Teil der Schaltung der Fig. 1 als Schaltungsdiagramm zeigt und
  • Fig. 3 im wesentlichen die gesamte Schaltung des Verstärkers als Schaltungsdiagramm zeigt.
  • Gemäß Fig. 1, auf die zuerst Bezug genommen wird, ist der Verstärker als integrierter CMOS-Verstärker gezeigt, obgleich die Erfindung gleichermaßen auf bipolare Transistorverstärkerschaltungen anwendbar ist. Der Verstärker umfaßt ein komplementäres Paar Ausgangstransistoreinrichtungen 1 und 2, die so angeordnet sind, daß sie Ausgangsströme quellen- oder senkenartig zu oder von einer (nicht dargestellten) Last, die mit einem Ausgangspfad 3 verbunden ist, abhängig von Eingangssignalspannungen hinleiten oder ableiten, die zwischen Eingangsanschlüssen 4 und 5 nach Differentialart angelegt sind. Spannungsverstärker 6 und 7 sind so ausgelegt, daß sie Steuerspannungen abhängig von diesen Eingangssignalspannungen an jeweilige Ausgangseinrichtungen 1 und 2 legen, wobei die Steuerspannung oder Antriebsspannung, die vom Verstärker 6 vorgesehen wird, gemeinsam an die Gateelektrode der Ausgangsvorrichtung 1 und diejenige eines Stromlesetransistors oder Strom gebenden bzw. Strom fühlenden Transistors 8 gelegt wird und die Steuerspannung, die vom Verstärker 7 geliefert wird, gemeinsam (durch gemeinsame zuführungsleitung) an die Gateelektrode der Ausgangsvorrichtung 2 und diejenige eines Strom gebenden oder Stromlesetransistors 9 gelegt wird. Individuelle Kompensationskondensatoren 10 und 11 sind zwischen dem Ausgangspfad 3 und den Ausgangsschaltungen der Verstärker 6 und 7 vorgesehen.
  • Eine in Fig. 2 als Schaltungsdiagramm dargestellte Ruhestromsteuerschaltung 12 ist so ausgelegt, daß sie einen Strom eines vorbestimmten Werts zwischen einem Punkt in der Ausgangsschaltung des Verstärkers 6 und einem entsprechenden Punkt in der Ausgangsschaltung des Verstärkers 7 zieht, wobei der vorbestimmte Stromwert dazu dient, die Ruhestrompegel in den Ausgangsvorrichtungen 1 und 2 und den jeweiligen Stromlesetransistoren 8 und 9 einzustellen.
  • Die Schaltung 12 umfaßt einen P-Kanaltransistor 13, dessen Source-Drainpfad zwischen die Drainelektrode des P-Kanallesetransistors 8 und eine negative Speisespannungsleitung 14 gelegt ist, und einen N-Kanaltransistor 15, dessen Source- Drainpfad zwischen die Drainelektrode des N-Kanallesetransistors 9 und eine positive Speisespannungsleitung 16 gelegt ist, wobei die Gateelektroden der Transistoren 13 und 15 mit Masse verbunden sind. Die Sourceelektrode des Transistors 13 ist mit der Gateelektrode eines N-Kanaltransistors 17 verbunden und die Sourceelektrode des Transistors 15 ist mit der Gateelektrode eines P-Kanaltransistors 18 verbunden, wobei die Drain-Source- und die Source-Drainpfade dieser Transistoren 17 und 18 jeweils den Pfad für den oben erwähnten Strom vorbestimmten Werts vorsehen. Ein N-Kanaltransistor 19 und ein P-Kanaltransistor 20 sind mit ihren Sourceelektroden zusammengeschaltet, wobei die Gate- und Drainelektroden des Transistors 19 zusammengeschaltet sind und mit der Sourceelektrode des Transistors 13 verbunden sind, und die Gateund Drainelektroden vom Transistor 20 zusammengeschaltet und mit der Sourceelektrode des Transistors 15 verbunden sind.
  • Gemaß Fig. 3, auf die nun Bezug genommen wird, sind die Verstärker 6 und 7 von gleichem Aufbau, wobei jedoch die Polarität ihrer sämtlichen Transistoren umgekehrt ist. So umfaßt der Verstärker 6 ein Differenz-Paar aus P-Kanaltransistoren 21 und 22, deren Sourceelektroden mit einer Konstantstromquelle verbunden sind, die einen Transistor 23 umfaßt, und deren Drainelektroden mit einer aktiven Last in Form einer Stromspiegelschaltung 24 verbunden sind. Ein Ausgangssignal von der Drainelektrode des Transistors 22 wird auf die Gateelektroden der Transistoren 8 und 1 über in Kaskode geschaltete Transistoren 25 und 26 gegeben wird, die zwischen die negative und positive Speisespannungsleitung 14 und 16 jeweils über Konstantstrom-Senken- und Quellentransistoren 27 und 28 gelegt sind. Der Strompfad durch die Transistoren 17 und 18 ist zwischen die Drainelektrode des Transistors 22 und den entsprechenden Punkt im Verstärker 7 gelegt, während der kompensierende Kondensator 10 mit der Sourceelektrode des Transistors 26 verbunden ist. Ein vergleichbarer Strompfad ist zwischen der Drainelektrode des Transistors 21 und dem entsprechenden Punkt im Verstärker 7 mittels eines komplementären Paares Transistoren 29 und 30 vorgesehen.
  • Die Stromlesetransistoren 8 und 9 sind sehr viel kleiner als die jeweiligen Ausgangstransistoren 1 und 2 und ziehen entsprechend geringere Ströme. Da jedoch sämtliche vier Transistoren im allgemeinen im Sättigungsbereich arbeiten, sind im Betriebseinsatz die Drainströme der Lesetransistoren 8 und 9 proportional zu deren Gatesteuerspannungen, sowie dies auch für die Drainströme der jeweiligen Ausgangstransistoren 1 und 2 zutrifft. Die durch die Leseverstärker 8 und 9 fließenden Ströme fließen generell teilweise gemeinsam durch die Transistoren 19 und 20 und teilweise durch die jeweiligen Transistoren 13 und 15. Die Summe aus Gate/Sourcespannungen liefert zusammen mit dem Stromfluß in diesen Transistoren 13 und 15, 19 und 20 eine Vorspannung oder Durchlaßvorspannung zwischen den Gateelektroden der Transistoren 17 und 18.
  • Falls die Steuerspannung in einen der Ausgangstransistoren 1 oder 2 ansteigt, so daß der Strom in diesem Transistor und in dem entsprechenden Lesetransistor 8 oder 9 ansteigt, tendiert die Vorspannung (Forward-Bias) zwischen den Gateelektroden der Transistoren 17 und 18 dazu, anzusteigen, wie dies für den Stromfluß durch diese Transistoren zutrifft. Jedweder solche Anstieg im Stromfluß in den Transistoren 17 und 18 wird dazu führen, daß ein geringerer Prozentsatz des konstanten Stromflusses durch, sagen wir, den Transistor 27 verbleibt, der durch die Kaskoden-Transistoren 25 und 26 gezogen wird, wodurch so die Steuerspannung in die Transistoren 8 und 1 reduziert wird. Die Meßsignalrückführung oder das Rückkopplungsvorzeichen in dieser Schleife wird daher dazu führen, daß die Spannung über den Transistoren 19 und 20 und der Strom durch die Transistoren 17 und 18 im wesentlichen konstant gehalten wird.
  • Bei Fehlen von Eingangssignalspannungen zwischen den Anschlüssen 4 und 5 bestimmt die Stromrückkopplungsschleife im wesentlichen gleiche Ruhestromwerte in den Ausgangstransistoren 1 und 2 und in den zugeordneten Stromleseverstärkern 8 und 9. Falls die Transistoren 13 und 15, 17 und 18 und 19 und 20 von gleicher Größe sind, wird der durch die Lesetransistoren 8 und 9 fließende Ruhestrom dazu tendieren, sich gleichmäßig aufzuteilen und dabei zur Hälfte durch die Transistoren 13 bzw. 15 und zur Hälfte gemeinsam durch die Transistoren 19 und 20 (d.h. durch beide Transistoren 19 und 20) zu fließen.
  • Bei Vorliegen einer ansteigenden Eingangssignalspannung zwischen den Anschlüssen 4 und 5 wird der abnehmende Wert der Steuerspannung in die, sagen wir Transistoren 9 und 2, dazu tendieren, den Wert des Stroms herabzusetzen, der im Lesetransistor 9 fließt, und denjenigen im Lesetransistor 8 zu steigern, und zwar bis zu dem Punkt, zu dem der Stromfluß im Transistor 15 dazu tendiert, abgeschnitten zu werden. Jedoch wird fortgesetzt ein Strom der Hälfte des Ruhewerts durch die Transistoren 19 und 20 fließen, dessen Wert durch die Stromrückkopplungsschleife aufrechterhalten wird, so daß die Steuerspannung, die tatsächlich an die Gateelektroden der Transistoren 9 und 2 geliefert wird, mittels der Stromrückkopplungsschleife und der Auslegung der Ausgangsschaltungen der Verstärker 6 und 7 den Stromfluß durch den Leseverstärker 9 niemals, sagen wir auf weniger als die Hälfte des Ruhewerts reduzieren kann.
  • Da die Ruhestromsteuerschaltung 12 als Eingangs- und Ausgangsgrößen Ströme ohne eine interne Spannungsverstärkung oder hohe Impedanzknoten aufweist, ist innerhalb der Schaltung keine Kompensation erforderlich. Wegen der hohen Steuerspannungen, die in den Ausgangsstufen der Verstärker 6 und 7 aufbaubar sind, sind hohe Ausgangsströme möglich. Jedwede Offsets zwischen den Verstärkern werden durch die Ruhestromsteuerschaltung 12 korrigiert.
  • Damit der Verstärker insgesamt stabil ist, wenn er große Ausgangsströme steuert, sollten die Spannungen über den Kompensationskondensatoren 10 und 11 nicht mit dem Ausgangsstrom variieren. Dies wird dadurch erzielt, daß jeder dieser Kondensatoren mit einem Knoten geringer Impedanz in der Kaskoden-Ausgangsschaltung des jeweiligen Verstärkers 6 oder 7 verbunden ist.
  • Der Kaskodentransistor 26 ist mit seiner Gateelektrode mit Masse verbunden, wodurch die Versorgungsspannungsunterdrükkung verbessert ist, indem die Spannung über dem Kompensationskondensator 10 weniger abhängig von der Versorgungsspannung gestaltet wird.
  • Die Transistoren 29 und 30 sind so ausgelegt, daß sie zwischen der Drainelektrode des Tansistors 21 im Verstärker 6 und dem entsprechenden Punkt im Verstärker 7 einen Strom ziehen, um den durch die Transistoren 17 und 18 gezogenen Strom im wesentlichen auszugleichen und zu symmetrisieren.
  • Es sind weitere Transistoren 31 bis 34 vorgesehen, um den Verstärker "herunterzuspannen", d.h. um die Ausgangstransistoren 1 und 2 durch vorspannungsmäßiges Abschalten der Kaskoden-Ausgangsstufen der Verstärker 6 und 7 auszuschalten.

Claims (3)

1. Integrierter komplementärsymmetrischer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) -Gegentaktverstärker, aufweisend eine Ausgangsstufe, die ein Paar Feldeffekttransistoren (1, 2) entgegengesetzter Leitfähigkeit aufweist, deren Source-Drainstrompfade in Serie über eine Energiequelle gelegt sind, ein zweites Paar Feldeffekttransistoren (8, 9), deren Eingange jeweils eine gemeinsame Verbindung mit denjenigen des ersten Paares Transistoren (1, 2) aufweisen, und eine erste und zweite Eingangsschaltungseinrichtung (6, 7), die Eingangssignalspannungen auf die Eingänge der Transistoren des ersten und zweiten Paares (1, 2 und 8, 9) gibt, dadurch gekennzeichnet, daß ein Steuerstrompfad (17, 18) vorgesehen ist, der zwischen die erste und zweite Eingangsschaltungseinrichtung (6, 7) geschaltet ist, daß Eingangssignalspannungen, die auf die Eingänge der Transistoren des ersten und zweiten Paares (1, 2 und 8, 9) gelegt sind, zumindest teilweise vom Wert des Stromflusses durch den Steuerstrompfad (17, 18) abhängen, und eine Rückkopplungseinrichtung (13, 15, 19 und 20) vorgesehen ist, die mit dem Stromsteuerpfad verbunden ist und die abhängig von den Werten des Stromflusses in den Source-Drainstrompfaden des zweiten Transistorpaares (8, 9) den Stromflußwert durch den Steuerstrompfad (17, 18) im wesentlichen konstant hält und durch die SourceDrainpfade des ersten Transistorpaares (1, 2) gemeinsam im wesentlichen einen vorbestimmten minimalen Stromflußwert bewirkt.
2. Integrierter Gegentaktverstärker nach Anspruch 1, in welchem der Steuerstrompfad ein drittes Paar Feldeffekttransistoren (17, 18) entgegengesetzter Leitfähigkeit aufweist, deren Source-Drainstrompfade in Serie im Steuerstrompfad zwischen der ersten und zweiten Eingangsschaltungseinrichtung (6, 7) geschaltet sind.
3. Integrierter Gegentaktverstärker nach Anspruch 2, in welchem die Einrichtung zur Bewirkung eines im wesentlichen vorbestimmten Stromflußwerts gemeinsam durch die Source-Drainpfade des ersten Paares von Transistoren ein viertes Paar Feldeffekttransistoren (19, 20) entgegengesetzter Leitfähigkeit aufweist, deren jeweilige Gate- und Drainelektroden zusammengeschaltet sind und deren Source-Drainstrompfade zwischen den Gateelektroden des dritten Transistorpaares (17,18) in Serie geschaltet sind.
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