+

DE19703780A1 - Trinomial transistor for switching and amplifying electronically - Google Patents

Trinomial transistor for switching and amplifying electronically

Info

Publication number
DE19703780A1
DE19703780A1 DE1997103780 DE19703780A DE19703780A1 DE 19703780 A1 DE19703780 A1 DE 19703780A1 DE 1997103780 DE1997103780 DE 1997103780 DE 19703780 A DE19703780 A DE 19703780A DE 19703780 A1 DE19703780 A1 DE 19703780A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
states
switching
see
trinomial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE1997103780
Other languages
German (de)
Inventor
Thomas Frohberg
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE1997103780 priority Critical patent/DE19703780A1/en
Publication of DE19703780A1 publication Critical patent/DE19703780A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H03K19/0823Multistate logic

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

The transistor has doped semiconducting elements. Its logic is based on the number 3 instead of the number 2. A resistor can be connected after the transistor component to enable three states to be achieved by current level addition. Alternatively, the transistor element can be connected to an AC source, possibly with a variable multivibrator circuit, in order to achieve the three states. A fourth doped layer can be introduced to enable the three states to be achieved internally.

Description

1. Beschreibung des bekannten Standes der Technik1. Description of the known prior art

Aus der Druckschrift (Vgl. pmd, S. 6) ist die Grundbauform von Transistoren bekannt. Diese Bauform basiert auf binärer Logik. Transistoren bilden für die u. a. für die Rechentechnik eines der grundlegenden Bauelemente. Im Sinne immer vervollkommneter Miniaturisierung wird es angestrebt, die Strukturen so zu verbessern, daß höchste Packdichte in integrierten Schaltkreisen erreicht wird. Der Transistor ist heute ein nicht mehr wegzudenkendes Bauelement in allen elektrotechnischen und elektronischen Anwendungsgebieten.From the document (see pmd, p. 6), the basic design of transistors is known. These Design based on binary logic. Transistors form for the u. a. for the Computing technology one of the basic components. In the sense always perfected miniaturization, it is aimed to structure so too improve that highest packing density is achieved in integrated circuits. The Today, transistor is an indispensable component in all electrotechnical and electronic fields of application.

2. Nachteile des Standes der Technik2. Disadvantages of the prior art

Der vorangehend beschriebene Stand der Technik hat den Nachteil, mit zunehmender Miniaturisierung inzwischen an physikalische Grenzen zu stoßen, in denen sich die herkömmliche Bauweise nicht mehr unverändert weiterführen läßt. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß integrierte Schaltungen nur in der Ebene, d. h. zweidimensional, realisierbar sind, obwohl räumliche, d. h. dreidimensionale Schaltungen weit weniger Platz in Anspruch nehmen würden.The prior art described above has the disadvantage with increasing miniaturization is now reaching physical limits, in where the conventional construction can no longer continue unchanged. Another disadvantage is that integrated circuits only in the plane, d. H. two-dimensional, realizable, although spatial, d. H. three-dimensional Circuits would take up far less space.

3. Aufgabe der Erfindung3. Object of the invention

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, den Miniaturisierungsgrad elektronischer Schaltungen zu erhöhen, den Materialaufwand zu senken und die Umwelt zu schonen.The object of the invention is the degree of miniaturization of electronic Increase circuits, reduce material costs and protect the environment conserve.

4. Lösung der Aufgabe4. Solution of the task

Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die unten skizzierte Bauform auf trinominaler (d. h. auf der Zahl 3 basierender) Logik aufbaut. Nachfolgender Exkurs soll verdeutlichen, daß dieses Zahlensystem sinnreich und das Ökonomischste ist.This object is achieved in that the sketched below design trinominal (i.e., number 3 based) logic. Subsequent excursion should clarify that this number system is ingenious and the most economical.

Exkursforay

Im Laufe der computergeschichtlichen Entwicklung wurde mit verschiedenen Zahlensystemen experimentiert, Beispiele hierfür sind der ENIAC mit einem dekadischen System oder frühe Computer mit einem oktalen System (vgl. Voltz, S. 158). Das schon von Konrad Zuse prädestinierte (vgl. Voltz, S. 43) binäre System setzte sich jedoch aufgrund seiner einfachen schalttechnischen Umsetzung durch. Dies ist jedoch bedingt durch die evolutionäre Entwicklung der Rechentechnik. In der Tat läßt sich für die Lochkartenkodierung (vgl. Voltz, S. 42) kein anderes als das binäre System anwenden.In the course of computer historical development has been with various Number systems experimented, examples of which are the ENIAC with a decadal system or early computer with an octal system (see Voltz, p. The However, predestined by Konrad Zuse (see Voltz, p. 43) binary system sat down due its simple switching technology implementation by. However, this is due to the evolutionary development of computing technology. In fact, for the Punch card coding (see Voltz, p. 42) do not use any other than the binary system.

Mathematische BetrachtungenMathematical considerations 1. Ökonomie von Zahlensystemen1. Economics of number systems

Der wesentliche Inhalt der Meßbarkeit der Ö. ist, möglichst viele Elemente mit möglichst wenigen Zuständen weniger Schalter darzustellen. Beim Binärsystem werden 128 Elemente bekanntlich mit je zwei Zuständen von 7 Schaltern dargestellt (vgl. Gates, S. 47).The essential content of the measurability of Ö. is to include as many elements as possible as few states as possible to represent fewer switches. With the binary system 128 elements are known, each with two states of 7 switches (see Gates, p.

Mittels der Formel
By means of the formula

läßt sich die Ökonomie der Zahlensysteme messen. Nachstehende Wertetabelle soll dies veranschaulichen.the economics of number systems can be measured. The following table of values is intended to illustrate this.

Zur Beachtung:
Please note:

  • → die Zahl k = 12 ist das kleinste gemeinsame Vielfache der Zahlen 2, 3, 4 und 6 (zu Vergleichszwecken), jede andere reelle Zahl führt zum gleichen Ergebnis
    n nˆ(k/n) 1 1 2 64 3 81 4 64 6 36 12 12 16 8 verbal: mit 12/n Schaltern lassen sich für 2 also 64 Elemente, für 3 sogar 81 Elemente darstellen, die 4 ist genauso effektiv wie die 2 (zwei Bits ließen sich hier ja auch zu einem Doppel-Bit zusammenziehen).
    → the number k = 12 is the least common multiple of the numbers 2, 3, 4 and 6 (for comparison purposes), every other real number leads to the same result
    n n (k / n) 1 1 2 64 3 81 4 64 6 36 12 12 16 8th verbal: with 12 / n switches can be for 2 so 64 elements, for 3 even 81 elements represent, the 4 is just as effective as the 2 (two bits could be here even to a double-bit contract).
2. Die Eulersche Zahl2. The Euler number

Erweitert man den Definitionsbereich auf R (Menge der reellen Zahlen), so ergibt sich die Formel
If you extend the domain to R (set of real numbers), you get the formula

Das Maximum dieser Funktion liegt bei e = 2,718, . . ., also nahe der 3. Damit ergibt sich folgende grafische Darstellung:
The maximum of this function is e = 2.718,. , ., so close to the 3. This results in the following graphical representation:

Es ist auch zu erkennen, daß die y-Werte für 2 und 4 gleich sind. Das gleiche Ergebnis läßt sich mittels Kurvenscharen mit unterschiedlicher Parametrisierung sowie mit der Integralrechnung erzielen. Darauf soll hier aber verzichtet werden.It can also be seen that the y-values for 2 and 4 are the same. The same result can be by means of curves with different Parameterization and with the integral calculus achieve. But it should be waived.

So ergibt sich, neben den bereits bekannten Herleitungen der Zahl e
Thus, in addition to the already known derivations of the number e

unt. Annäherung (vgl. Gilde/Altrichter, S. 101)
unt. rapprochement (see Guild / Altrichter, p.

ob. Annäherung
ob. approach

direkte Berechnung (vgl. Gilde/Altrichter, S. 101 → Taylorscher Entwicklungssatz)
direct calculation (see Guild / Altrichter, p. 101 → Taylor's theorem)

eine weitere Art der Darstellung:
another type of presentation:

verbal: e liegt dort, wo die Funktion
verbal: e is where the function

maximal ist
Ende des Exkurses
is maximum
End of the excursion

Oben erklärtes trinominales System wird im 3-Transistor durch Einführung eines weiteren Schaltzustandes eingesetzt. Dies läßt sich durch Addition von Stromstärken (vgl. Voltz, S. 151) realisieren. Es gibt zwei Möglichkeiten:
The above-explained trinominal system is used in the 3-transistor by introducing a further switching state. This can be realized by adding current intensities (see Voltz, p. There are two possibilities:

0,1,2 (Stromstärken)
0,1,-1 (Stromrichtungen).
0,1,2 (currents)
0.1, -1 (current directions).

So muß der Transistor entsprechend schaltungstechnisch erweitert werden:
Thus, the transistor must be extended accordingly circuit technology:

  • - Nachschaltung eines Widerstandes- Downstream of a resistor
  • - Anschluß an Wechselstromquelle- Connection to AC source
  • - neues Transistordesign- new transistor design
5. Vorteile der Erfindung5. Advantages of the invention

Die Erfindung hat den Vorteil, aufgrund höherer logischer Ökonomie spezifisch geringere Gehäuseabmessungen als die herkömmlichen Bauformen zu ermöglichen. Darüber hinaus ermöglicht sie es, die Umweltbelastung zu vermindern und vor allem die Rechengeschwindigkeit zu erhöhen, womit gegebenenfalls höhere Entwicklungs­ kosten relativiert werden. Man kann Daten kompakter speichern, Bauelemente noch dichter packen und eventuell eine 3-D-Bauweise forcieren. Weiterhin stehen für die Entwicklung optischer oder biochemischer Rechentechnik Möglichkeiten offen. Man könnte so auch höhere Kosten für alternative Grundstoffe (GaAs) oder Methoden vermeiden. Während einerseits an Ressourcen gespart werden kann, indem man z. B. den ASCII-Zeichenvorrat vermindert, besteht andererseits die Möglichkeit, bei gleichem Ressourcenaufwand deutlich mehr Elemente zu verschlüsseln:
z. B. 18 Zustände:
The invention has the advantage of allowing smaller housing dimensions than the conventional designs due to higher logical economy. In addition, it makes it possible to reduce the impact on the environment and, above all, to increase the computing speed, whereby, if necessary, higher development costs are put into perspective. It is possible to store data more compactly, pack components even more tightly and possibly force a 3-D design. Furthermore, there are possibilities for the development of optical or biochemical computing technology. You could also avoid higher costs for alternative materials (GaAs) or methods. While on the one hand resources can be saved by z. If, for example, the ASCII character set is reduced, there is the possibility of significantly more elements to be encrypted with the same amount of resources:
z. Eg 18 states:

9 Bit 512 Elemente
6 "Trit" 729 Elemente (Trit=trinominal digit).
9 bits 512 elements
6 "Trit" 729 elements (Trit = trinominal digit).

In Hinblick auf die ständige Miniaturisierung der Computertechnik, die mittlerweile auf quantenmechanische Probleme (vgl. bdwp, S. 29) stößt, öffnen grundsätzlich andere Lösungen weitere Horizonte. Das 3er-System ist aufgrund seiner mathematischen Allgemeingültigkeit vor allem auch auf andere (u. a. nichttechnische) Fachgebiete anwendbar, die sich mit Entscheidungsproblemen (vgl. Boolesche Algebra, Fuzzy Logic) beschäftigen.In view of the constant miniaturization of computer technology, meanwhile On quantum mechanical problems (see bdwp, p. 29), open in principle, other solutions other horizons. The 3-system is due to its mathematical General validity especially in other (and non-technical) fields applicable, dealing with decision problems (see Boolean algebra, Fuzzy Logic).

6. Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung6. Description of embodiments of the invention

Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Zeichnungen beschrieben.The invention will be described with reference to drawings.

Fig. 1 zeigt die Bauform, wie in 4. beschrieben: Nachschaltung eines Widerstandes: In den parallel geschalteten Kollektorstromkreis wird in ein Widerstand R zwischen­ geschaltet. Somit werden die unterschiedlich hohen Ströme gefiltert und es gibt drei Zustände der Form: 00, 0B und AB, wobei 0<A<B und B(0B)<B(AB) ist (Monotonie). Fig. 1 shows the design, as described in 4. Following: Residual of a resistor: In the parallel-connected collector circuit is connected in a resistor R between. Thus, the different high currents are filtered and there are three states of the form: 00, 0B and AB, where 0 <A <B and B (0B) <B (AB) (monotonicity).

Fig. 2 zeigt die Bauform, wie in 4. beschrieben: Anschluß an Wechselstromquelle: Herkömmlichen Transistor an Wechselspannung anschließen, so daß Emitter und Kollektor ständig vertauscht werden. Ist dieser Wechsel zu schnell, läßt sich auch eine, je nach gewünschtem Effekt andersgeartete Multivibratorschaltung (vgl. rft, S. 2) einbauen. Fig. 2 shows the design as described in 4. Connection to AC source: Connect conventional transistor to AC voltage, so that the emitter and collector are constantly reversed. If this change is too fast, it is also possible to install a different type of multivibrator circuit (see rft, page 2), depending on the desired effect.

Fig. 3 zeigt die Bauform, wie in 4. beschrieben: neues Transistordesign:
An den Kollektor wird eine offene Wechselspannungsquelle (zu Wechselgeschwindigkeiten siehe Multivibratorschaltung (vgl. rft, S. 2)) sowie ein weiteres Gebiet mit der gleichen Dotierung wie die Basis ("Zusatzkollektor")angeschlossen.
Fig. 3 shows the design as described in 4: new transistor design:
An open AC voltage source is connected to the collector (for switching speeds see Multivibrator circuit (cf rft, p. 2)) and another area with the same doping as the base ("additional collector").

Liegt nun Plus an, fließen die Elektronen (ausgehend von c) vom Kollektor nach a, bei einem Minus fließt der Strom entsprechend von a nach d (teils auch zur Basis, durch Überangebot an Elektronen wird Mehrzahl jedoch in den "Zusatzkollektor" gedrückt). Dabei unterscheiden sich jeweils nicht nur die Stromrichtungen, sondern auch die Stromstärken, bedingt durch die Position der Zusatzleitung im Kollektor.If plus is present, the electrons (starting from c) flow from the collector to a, in the case of a minus, the current flows accordingly from a to d (partly also to the base, however, due to an oversupply of electrons, a majority is placed in the "additional collector" pressed). In each case not only the current directions differ, but also also the current strengths, due to the position of the additional line in the collector.

Fig. 4 zeigt eine abgewandelte Version von Fig. 3. Bei Minus ist die Sperrichtung bei a geschaltet, der Transistor funktioniert wie gehabt, bei Plus fließt ein Teil des Stromes von c nach a. Ggf. ist die Kollektorschicht dünner zu gestalten, um den Durchlaß nach a zu erhöhen. FIG. 4 shows a modified version of FIG. 3. In the case of minus, the blocking direction is switched at a, the transistor functions as usual, with plus a part of the current flows from c to a. Possibly. the collector layer is made thinner to increase the passage to a.

7. Literaturverzeichnis7. Bibliography

  • 1. Martin u. a.: Tafelwerk, Volk und Wissen Verlag, Berlin, 19911. Martin u. a .: Tafelwerk, Volk und Wissen Verlag, Berlin, 1991
  • 2. Hannspeter Voltz: Menschen und Computer, Markt & Technik Verlag, München, 19932. Hannspeter Voltz: People and Computers, Markt & Technik Verlag, Munich, 1993
  • 3. F. Leuschner: Halbleiter, Polytechnisches Museum Dresden, Dresden 19923. F. Leuschner: Semiconductor, Polytechnic Museum Dresden, Dresden 1992
  • 4. Anleitung zum Halbleiter-Bastlerbtl. 6 und 7, RFT Halbleiterwerk Frankfurt/O., 19724. Instructions for the semiconductor-Bastlerbtl. 6 and 7, RFT semiconductor plant Frankfurt / O., 1972
  • 5. Kaltenbach u. a.: Taschenlexikon der Computerwelt, Markt & Technik Verlag, München, 19885. Kaltenbach u. a .: Taschenlexikon der Computerwelt, Markt & Technik Verlag, Munich, 1988
  • 6. Follmann u. a.: Lexikon, Bassermann, Niedernhausen, 19916. Follmann u. a .: Encyclopedia, Bassermann, Niedernhausen, 1991
  • 7. Gilde/Altrichter: Mehr Spaß mit dem Taschenrechner, Leipzig, 19827. Guild / Altrichter: More fun with the Calculator, Leipzig, 1982
  • 8. bild der wissenschaft plus: Forschungsstandort Deutschland, Nachdruck der Philip-Morris-Stiftung, 19948. bild der wissenschaft plus: Research location Germany, reprint of the Philip Morris Foundation, 1994
  • 9. Gates: Der Weg nach vorn, Hoffmann und Campe, 1995.9. Gates: The Way Forward, Hoffmann and Campe, 1995.

Claims (4)

1. Vorrichtung/Verfahren zur Schaltung/Verstärkung in elektrischen und elektronischen Schaltkreisen, aus dotiertem Halbleiterelement, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltlogik statt auf der Zahl 2 auf der Zahl 3 beruht.1. Device / method for switching / amplification in electrical and electronic circuits, of doped semiconductor element, characterized in that the switching logic is based on the number 3 instead of the number 3. 2. Vorrichtung/Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Transistorbauelement ein Widerstand nachgeschaltet wird, um durch Stromstärken-addition drei Zustände erreichen zu können.2. Device / method according to claim 1, characterized in that the Transistor device, a resistor is connected downstream to Amperage addition to reach three states. 3. Vorrichtung/Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Transistorelement an eine Wechselspannungsquelle, ggf. mit variierbarer Multivibratorschaltung, angeschlossen wird, um drei Zustände (0),(+) und (-) zu erreichen.3. A device / method according to claim 1, characterized in that the Transistor element to an AC voltage source, possibly with variable Multivibrator circuit, connected to three states (0), (+) and (-) to to reach. 4. Vorrichtung/Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine vierte dotierte Schicht hinzugefügt wird, so daß sich das Schaltverhalten innerhalb des Bauelementes verändert, um so drei Zustände zu erreichen.4. Apparatus / method according to claim 1, characterized in that a fourth doped layer is added, so that the switching behavior within the Modified component, so as to achieve three states.
DE1997103780 1997-02-01 1997-02-01 Trinomial transistor for switching and amplifying electronically Withdrawn DE19703780A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1997103780 DE19703780A1 (en) 1997-02-01 1997-02-01 Trinomial transistor for switching and amplifying electronically

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1997103780 DE19703780A1 (en) 1997-02-01 1997-02-01 Trinomial transistor for switching and amplifying electronically

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19703780A1 true DE19703780A1 (en) 1998-08-06

Family

ID=7819024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1997103780 Withdrawn DE19703780A1 (en) 1997-02-01 1997-02-01 Trinomial transistor for switching and amplifying electronically

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19703780A1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1207010B (en) * 1963-02-01 1965-12-16 Ibm Surface transistor with a semiconductor body with four zones of alternately opposite conductivity type, method for manufacturing and switching such surface transistors
DE1207014B (en) * 1960-05-02 1965-12-16 Texas Instruments Inc Method for producing a semiconductor integrated circuit arrangement
DE2412917A1 (en) * 1973-03-19 1974-09-26 Ericsson Telefon Ab L M MONOLITHIC CONSTRUCTION FOR TRANSISTORS AND ADDITIONAL SWITCHING ELEMENTS
DE4135798A1 (en) * 1991-10-30 1993-05-06 Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising, De Integrated NPN transistor - has base emitter and collector zone connections without rectification effects and with integrated Schottky diode

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1207014B (en) * 1960-05-02 1965-12-16 Texas Instruments Inc Method for producing a semiconductor integrated circuit arrangement
DE1207010B (en) * 1963-02-01 1965-12-16 Ibm Surface transistor with a semiconductor body with four zones of alternately opposite conductivity type, method for manufacturing and switching such surface transistors
DE2412917A1 (en) * 1973-03-19 1974-09-26 Ericsson Telefon Ab L M MONOLITHIC CONSTRUCTION FOR TRANSISTORS AND ADDITIONAL SWITCHING ELEMENTS
DE4135798A1 (en) * 1991-10-30 1993-05-06 Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising, De Integrated NPN transistor - has base emitter and collector zone connections without rectification effects and with integrated Schottky diode

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IEEE Jorn. of Solid-State Circuits, Vol. IC-4, H. 3, 1969, S.175-178 *
SAHNER,Gerald: Digitale Meßverfahren, VEB Verlag Technik, Berlin, 1990, S.15-17 *
SEIFART,Manfred: Digitale Schaltungen, Dr. Alfred Hüthig Verlag, Heidelberg, 1988, S.80,81 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60009322T2 (en) Output buffer with constant switching current
DE2625007C3 (en) Address buffer circuit for semiconductor memories
DE3888863T2 (en) BIFET logic circuit.
DE2421583A1 (en) PROCEDURE AND ARRANGEMENT FOR STORAGE, INTEGRATION AND MULTIPLICATION OF ANALOG SIGNALS
DE2510604A1 (en) INTEGRATED DIGITAL CIRCUIT
DE4222844C2 (en) Mosfet analog multiplier
DE2038515A1 (en) Hysteresis circuits with metal oxide semiconductors (MOS)
DE102021113011A1 (en) CONTROL OF A SiC GATE CONTROL WITH DITCH FETS WITH HIGH dV / dT AT DRAIN SOURCE
DE1942420C3 (en) Antivalence / equivalence circuit with field effect transistors
DE2925331C2 (en) Integrated circuit with reusable connections
DE2061943C3 (en) Differential amplifier
DE2616773A1 (en) ELECTRONIC SWITCHING DEVICE
DE19703780A1 (en) Trinomial transistor for switching and amplifying electronically
DE19838657A1 (en) Load current detection circuit e.g. for power field effect transistor (IGFET)
DE2036840B2 (en) ELECTRONIC, CONTACTLESS SWITCHING DEVICE
DE2435454A1 (en) DYNAMIC BINARY COUNTER
DE2609714B2 (en) STORAGE CELL ARRANGEMENT
DE3032703A1 (en) FEEDBACK AMPLIFIER OR THRESHOLD SWITCH FOR A POWERED DIFFERENTIAL LEVEL
CH684665A5 (en) MOSFET controlled multiplier.
DE3784090T2 (en) INTEGRATED CIRCUIT CONTAINING A DRIVER WITH OPEN COLLECTOR AND HIGH VOLTAGE CHANGE.
DE1271178C2 (en) CIRCUIT ARRANGEMENT OF AN ASYMETRIC, BISTABLE, ELECTRONIC MEMORY ELEMENT
DE2262719A1 (en) PULSE GENERATOR CIRCUIT
DE1774527C3 (en) Circuit arrangement for forming the amount of an electrical time function
DE1210912B (en) Memory circuit with internal payment system
DE3538552C1 (en) Circuit arrangement for controlling a capacitive load

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee
点击 这是indexloc提供的php浏览器服务,不要输入任何密码和下载