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CN112786662A - 有机发光显示装置 - Google Patents

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CN112786662A
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transistor
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文知浩
朴钟宇
赵大衍
崔荣太
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本发明的实施例涉及一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括基板、第一有源图案、第一栅极电极、第二栅极电极、第三栅极电极、金属图案和有机发光二极管。第一有源图案设置在基板上，并且包括第一区域、第二区域和第三区域。第三栅极电极设置在第一栅极电极和第二栅极电极设置在其上的第一有源图案上，与第二区域重叠，并且与第一栅极电极一起形成存储电容器。金属图案设置在第一有源图案和第三栅极电极之间并且与第二区域重叠。

Description

有机发光显示装置
技术领域
本公开总体上涉及一种有机发光显示装置，并且更具体地涉及一种包括金属图案的有机发光显示装置。
背景技术
近来，有机发光显示装置作为显示装置已引起关注。通常，有机发光显示装置可以包括多个像素电路，并且每个像素电路可以包括晶体管、至少一个存储电容器和有机发光二极管。晶体管可以包括用于生成驱动电流并且将驱动电流供应给有机发光二极管的第一晶体管，以及用于响应于扫描信号而将数据电压传输到第一晶体管的第二晶体管。可以通过在发射时段和非发射时段的每一个期间分别导通或截止晶体管来驱动像素电路。
在像素电路被驱动的情况下，第二晶体管的阈值电压可能随着像素电路内部的温度升高而改变。因此，在用于使第二晶体管截止的扫描信号提供给第二晶体管的情况下，可能生成流过第二晶体管的漏电流。例如，在第二晶体管截止的非发射时段期间，提供给第二晶体管的数据电压(例如，与黑色图像对应的黑色数据电压)可以提供给第一晶体管。数据电压可能干扰通过第一晶体管生成驱动电流的操作，使得在常规有机发光显示装置上可能显示不期望的水平线。
将理解的是，此背景技术部分部分地旨在为理解技术提供有用的背景。然而，此背景技术部分也可以包括不是相关领域的普通技术人员在本文中公开的主题的对应有效申请日之前已知或理解的思想、概念或认识的一部分的思想、概念或认识。
发明内容
本发明的一些实施例提供了一种包括金属图案的有机发光显示装置。
根据一实施例的一方面，一种有机发光显示装置包括基板、第一有源图案、第一栅极电极、第二栅极电极、第三栅极电极、金属图案和有机光发光二极管。第一有源图案设置在基板上，并且包括第一区域、第二区域和第三区域。第一栅极电极设置在第一有源图案上，与第一有源图案的一部分重叠，并且与第一区域和第二区域一起形成第一晶体管。第二栅极电极设置在第一有源图案上，并且与第二区域和第三区域一起形成第二晶体管。第一栅极电极和第二栅极电极设置在同一层上。第三栅极电极设置在第一栅极电极上，与第二区域重叠，并且与第一栅极电极一起形成存储电容器。金属图案设置在第一有源图案和第三栅极电极之间并且与第二区域重叠。有机发光二极管电连接到第一晶体管、第二晶体管和存储电容器。
在一实施例中，金属图案可以屏蔽第二区域，使得在第二区域和第三栅极电极之间不生成寄生电容器。
在一实施例中，第一晶体管可以包括驱动晶体管，以及数据电压提供给第二区域。
在一实施例中，金属图案可以沿着第二区域的平面形状设置。
在一实施例中，金属图案可以与第一栅极电极和第二栅极电极分隔开。
在一实施例中，可以不向金属图案提供电压。
在一实施例中，金属图案与第一栅极电极和第二栅极电极可以设置在同一层上。
在一实施例中，第一区域、第二区域和第三区域可以与第一栅极电极和第二栅极电极不重叠。第二区域可以设置在第一区域和第三区域之间。数据电压可以通过第二晶体管提供给第二区域，并且提供给第二区域的数据电压可以提供给第一晶体管。
在一实施例中，第一晶体管和第二晶体管可以是PMOS晶体管。
在一实施例中，第一有源图案可以包括硅半导体。
在一实施例中，离子可以注入到第一区域、第二区域和第三区域中。
在一实施例中，有机发光显示装置还可以包括：第一栅极绝缘层，设置在基板上并且覆盖第一有源图案；第二栅极绝缘层，设置在第一栅极绝缘层上并且覆盖第一栅极电极和第二栅极电极；以及第一层间绝缘层，设置在第二栅极绝缘层上并且覆盖第三栅极电极。
在一实施例中，有机发光显示装置还可以包括：第二有源图案，设置在第一层间绝缘层上并且包括第四区域、第五区域和第六区域；第二层间绝缘层，设置在第一层间绝缘层上并且覆盖第二有源图案；第四栅极电极，设置在第二层间绝缘层上，与第二有源图案的一部分重叠，并且与第四区域和第五区域一起形成第三晶体管；以及第五栅极电极，设置在第二层间绝缘层上，与第二有源图案的一部分重叠并且与第五区域和第六区域一起形成第四晶体管。
在一实施例中，金属图案可以与第四栅极电极的一部分重叠。
在一实施例中，金属图案可以与第二有源图案和第五栅极电极不重叠。
在一实施例中，第二有源图案可以与第一有源图案不重叠。
在一实施例中，第一有源图案可以包括硅半导体，并且第二有源图案可以包括氧化物半导体。
在一实施例中，第一晶体管和第二晶体管可以是PMOS晶体管，并且第三晶体管和第四晶体管可以是NMOS晶体管。
在一实施例中，第一有源图案还可以包括第七区域、第八区域和第九区域。有机发光显示装置还可以包括：第六栅极电极，设置在第一有源图案上，与第一有源图案的一部分重叠并且与第二区域和第七区域一起形成第五晶体管；第七栅极电极，设置在第一有源图案上，与第一有源图案的一部分重叠并且与第一区域和第八区域一起形成第六晶体管；以及第八栅极电极，设置在第一有源图案上，与第一有源图案的一部分重叠并且与第八区域和第九区域一起形成第七晶体管。第一栅极电极、第二栅极电极、第六栅极电极、第七栅极电极和第八栅极电极可以设置在同一层上。
在一实施例中，第六栅极电极和第七栅极电极可以彼此电连接。
根据本发明的实施例的一种有机发光显示装置包括第一有源图案、第一栅极电极、第二栅极电极、第三栅极电极和金属图案。第一有源图案包括第一区域、第二区域和第三区域。第一栅极电极设置在第一有源图案上，与第一有源图案的一部分重叠，并且与第一区域和第二区域一起形成第一晶体管。第二栅极电极设置在第一有源图案上，并且与第二区域和第三区域一起形成第二晶体管。第一栅极电极和第二栅极电极设置在同一层上。第三栅极电极设置在第一栅极电极上，与第二区域重叠，并且与第一栅极电极一起形成存储电容器。金属图案设置在第一有源图案和第三栅极电极之间并且与第二区域重叠。
有机发光显示装置可以包括金属图案，使得抑制了第三栅极电极和第二区域之间的寄生电容器的生成。由于金属图案抑制了寄生电容器的生成，因此金属图案可以有助于保持第一栅极电极的电压电平并且可以允许第一晶体管稳定地生成驱动电流。因此，在有机发光显示装置上可以不显示不期望的水平线。
本发明的另一优点是，有机发光显示装置可以不需要保持在高电压电平施加的扫描信号的高电压以抑制第二晶体管的漏电流的生成。因此，可以减少有机发光显示装置的功耗，并且可以确保扫描信号的电压裕度。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明的实施例，根据本发明的实施例的附加理解将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据一示例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
图2是示出包括在图1的有机发光显示装置中的像素电路的示意性电路图；
图3、图4、图5、图6、图7和图8是示出图1的有机发光显示装置的示意性布局图；
图9是沿着图8的线I-I'截取的示意性截面图；
图10是沿着图8的线II-II'截取的示意性截面图；
图11、图12和图13是示出根据另一实施例的有机发光显示装置的平面图；以及
图14是沿着图13的线III-III'截取的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中将参考附图描述本发明的实施例。尽管本发明可以以各种方式修改并且可以具有附加实施例，但是实施例在附图中示出并且将在说明书中进行描述。然而，本发明的范围不限于附图和说明书中的实施例，并且应该被解释为包括本发明的精神和范围中包括的所有改变、等同和替换。
在附图中，为了清楚起见并且易于描述元件，可以放大元件的尺寸和厚度。然而，本发明不限于所示的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层、膜、面板、区域和其它元件的厚度。在附图中，为了更好地理解和易于描述，可能夸大一些层和区的厚度。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”是指当从上观察物体部分时，以及短语“在截面图中”是指当从侧面观察通过竖直切割物体部分而截取的截面时。
当层、膜、区域、基板或区被称为“在”另一层、另一膜、另一区域、另一基板或另一区“上”时，层、膜、区域、基板或区可以直接在另一层、另一膜、另一区域、另一基板或另一区上，或者在它们之间可以存在中间层、中间膜、中间区域、中间基板或中间区。此外，当层、膜、区域、基板或区被称为“在”另一层、另一膜、另一区域、另一基板或另一区“之下”时，层、膜、区域、基板或区可以直接在另一层、另一膜、另一区域、另一基板或另一区之下，或者在它们之间可以存在中间层、中间膜、中间区域、中间基板或中间区。此外，“在……上方”或“在……上”可以包括定位在物体上或之下，并且不一定意指基于重力的方向。
如在本文中所使用的术语“与……重叠”可以包括分层、堆叠、面对(face或facing)、在……上方延伸、覆盖或部分覆盖、或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。如在本文中所使用的术语“与……不重叠”可以包括“与……分隔开”、“与……分离”、“与……偏离”、或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的等同物。
在整个说明书中，当元件被称为“连接”到另一元件时，该元件可以“直接连接”到另一元件，或“电连接”到另一元件，一个或多个中间元件介于该元件和另一元件之间。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括(comprises，comprising)”和/或“包含(includes，including)”时，它们或它可以明确指示存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其任何组合。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”或“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开，或者用于方便对其的描述和解释。例如，当在描述中讨论“第一区域”时，在权利要求中“第一区域”也可以命名为“第二区域”或“第三区域”，并且“第二区域”和“第三区域”可以按类似方式命名而不脱离本文中的教导。
除非另有定义，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在说明书中明确定义，否则诸如在常用词典中定义的术语的术语应被解释为具有与在相关领域的上下文中它们的含义一致的含义，并且将不被理想的或过于形式化的意义地被解释。
图1是示出根据一实施例的有机发光显示装置的平面图。图2是示出包括在图1的有机发光显示装置中的像素电路的示意性电路图。
参考图1和图2，有机发光显示装置1000可以包括设置在显示区DA中的显示面板DPN和设置在非显示区NDA中的面板驱动器。
显示面板DPN可以包括像素结构10、数据线DL、栅极线GL、发射控制线EML、驱动电压线PL和初始化电压线。数据线DL、栅极线GL、发射控制线EML、驱动电压线PL和初始化电压线可以连接到像素结构10。栅极线GL可以包括第一扫描线、第二扫描线、初始化控制线和旁路线。当像素电路11被驱动时，像素结构10可以生成光。
数据线DL可以连接到数据驱动器DDV，并且可以沿着第二方向D2延伸。数据线DL可以将数据电压DATA从数据驱动器DDV传输到像素电路11。数据驱动器DDV可以生成与每个发射时段和/或每个非发射时段对应的数据电压DATA，并且可以将数据电压DATA提供给像素电路11。
栅极线GL可以连接到栅极驱动器GDV，并且可以沿着与第二方向D2交叉的第一方向D1延伸。栅极线GL可以将扫描信号从栅极驱动器GDV传输到像素电路11。
发射控制线EML可以连接到发射控制器EDV，并且可以沿着与栅极线GL平行的第一方向D1延伸。发射控制线EML可以将发射控制信号EM从发射控制器EDV传输到像素电路11。像素结构10的发射时段可以是发射控制信号EM的激活时段，并且像素结构10的非发射时段可以是发射控制信号EM的非激活时段。
驱动电压线PL可以连接到焊盘部分PD，并且可以沿着与数据线DL平行的第二方向D2延伸。驱动电压线PL可以将高功率电压ELVDD从焊盘部分PD传输到像素电路11。低功率电压ELVSS可以被共同地提供给有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极电极)。
面板驱动器可以包括栅极驱动器GDV、数据驱动器DDV、发射控制器EDV和焊盘部分PD。面板驱动器可以包括时序控制器，并且时序控制器可以控制栅极驱动器GDV、数据驱动器DDV和发射控制器EDV。
栅极驱动器GDV可以通过使用通过焊盘部分PD提供的电压来生成扫描信号。扫描信号可以包括使晶体管截止的第一电压和使晶体管导通的第二电压，并且可以通过栅极线GL提供给像素电路11。扫描信号可以包括第一扫描信号GW_P、第二扫描信号GW_N、初始化控制信号GI和旁路信号GB。在一实施例中，栅极驱动器GDV可以分别通过初始化控制线和旁路线将初始化控制信号GI和旁路信号GB提供给像素电路11。
尽管图1示出了栅极驱动器GDV和发射控制器EDV分别设置在有机发光显示装置1000的左侧和右侧上，但是本发明不限于此。在一实施例中，两个栅极驱动器GDV和两个发射控制器EDV可以分别设置在有机发光显示装置1000的左侧和右侧上。在另一实施例中，可以省略发射控制器EDV。
尽管图1示出了数据驱动器DDV安装在有机发光显示装置1000的非显示区NDA中，但是本发明不限于此。例如，数据驱动器DDV可以设置在单独的柔性印刷电路板上，并且焊盘部分PD可以电连接到柔性印刷电路板上。
像素电路11可以包括有机发光二极管OLED、第一晶体管T1(例如，驱动晶体管)、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和存储电容器CST。
有机发光二极管OLED可以包括第一端子(例如，阳极端子)和第二端子(例如，阴极端子)，有机发光二极管OLED的第一端子可以通过第六晶体管T6连接到第一晶体管T1，使得第一端子被提供有驱动电流，并且第二端子可以被提供有低功率电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以生成具有与驱动电流对应的亮度的光。
存储电容器CST可以包括第一端子和第二端子。存储电容器CST的第一端子可以连接到第一晶体管T1，并且存储电容器CST的第二端子可以被提供有高功率电压ELVDD。存储电容器CST可以在扫描信号GW_P的非激活时段期间保持第一晶体管T1的栅极端子的电压电平。因此，第一晶体管T1可以稳定地生成驱动电流。
第一晶体管T1可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)和第二端子(例如，漏极端子)。第一晶体管T1的栅极端子可以连接到存储电容器CST的第一端子。第一晶体管T1的第一端子可以连接到第二晶体管T2，使得将数据电压DATA提供给第一晶体管T1。第一晶体管T1的第二端子可以通过第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED，使得第一晶体管T1提供驱动电流。第一晶体管T1可以基于栅极端子和第一端子之间的电压差来生成驱动电流。
由于提供给第一晶体管T1的第一端子的数据电压DATA(例如，与黑色图像对应的黑色数据电压)，在存储电容器CST的第一端子和第一晶体管T1的第一端子之间可能生成寄生电容器CSE。因此，在存储电容器CST的第一端子与第一晶体管T1的栅极端子之间生成的电容的电压电平(或存储在存储电容器CST中的电容的电压电平)可能变得不稳定。因此，在第一扫描信号GW_P的非激活时段期间(特别地，在第一扫描信号GW_P的非激活时段的像素结构10的非发射时段期间)，第一晶体管T1的栅极端子可能不稳定地保持电压电平。因此，第一晶体管T1可能不稳定地生成驱动电流，并且在常规有机发光显示装置上可能显示不期望的水平线。
然而，根据下文描述的本发明的实施例的有机发光显示装置1000可以抑制寄生电容器CSE的生成。因此，有机发光显示装置1000可以稳定地保持在存储电容器CST的第一端子与第一晶体管T1的栅极端子之间生成的电容的电压电平。因此，存储电容器CST可以保持第一晶体管T1的栅极端子的电压电平。
第二晶体管T2可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)和第二端子(例如，漏极端子)。第二晶体管T2的栅极端子可以通过栅极线GL被提供有第一扫描信号GW_P。
第二晶体管T2可以响应于第一扫描信号GW_P而导通或截止。例如，在第二晶体管T2是PMOS晶体管的情况下，第二晶体管T2可以在第一扫描信号GW_P具有正电压电平的情况下截止，并且可以在第一扫描信号GW_P具有负电压电平的情况下导通。第二晶体管T2的第一端子可以通过数据线DL被提供有数据电压DATA。当第二晶体管T2导通时，第二晶体管T2的第二端子可以将数据电压DATA提供给第一晶体管T1的第一端子。
第三晶体管T3可以响应于第二扫描信号GW_N而导通或截止。例如，在第三晶体管T3是NMOS晶体管的情况下，第三晶体管T3可以在第二扫描信号GW_N具有正电压电平的情况下导通，并且可以在第二扫描信号GW_N具有负电压电平的情况下截止。
在第三晶体管T3响应于第二扫描信号GW_N而导通的时段期间，第三晶体管T3可以将第一晶体管T1的栅极端子与第一晶体管T1的第二端子连接(即，第一晶体管T1的二极管连接)。由于第一晶体管T1是二极管连接的，因此在第一晶体管T1的栅极端子和第一晶体管T1的第一端子之间可以出现等于第一晶体管T1的阈值电压的电压差。因此，当第三晶体管T3导通时，等于提供给第一晶体管T1的第一端子的数据电压DATA和第一晶体管T1的阈值电压之和的电压可以提供给第一晶体管T1的栅极端子。因此，第三晶体管T3可以补偿第一晶体管T1的阈值电压。
第四晶体管T4可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)和第二端子(例如，漏极端子)。第四晶体管T4的栅极端子可以被提供有初始化控制信号GI。第四晶体管T4的第一端子可以被提供有初始化电压VINT。第四晶体管T4的第二端子可以连接到第一晶体管T1的栅极端子。
第四晶体管T4可以响应于初始化控制信号GI而导通或截止。例如，在第四晶体管T4是NMOS晶体管的情况下，第四晶体管T4可以在初始化控制信号GI具有正电压电平的情况下导通，并且在初始化控制信号GI具有负电压电平的情况下截止。
在第四晶体管T4响应于初始化控制信号GI而导通的时段期间，可以将初始化电压VINT提供给第一晶体管T1的栅极端子。因此，第四晶体管T4可以利用初始化电压VINT来初始化第一晶体管T1的栅极端子。
第五晶体管T5可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)和第二端子(例如，漏极端子)。第五晶体管T5的栅极端子可以被提供有发射控制信号EM。第五晶体管T5的第一端子可以被提供有高功率电压ELVDD。第五晶体管T5的第二端子可以连接到第一晶体管T1的第一端子。在第五晶体管T5响应于发射控制信号EM而导通的情况下，第五晶体管T5可以将高功率电压ELVDD提供给第一晶体管T1。
第六晶体管T6可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)和第二端子(例如，漏极端子)。第六晶体管T6的栅极端子可以被提供有发射控制信号EM。第六晶体管T6的第一端子可以连接到第一晶体管T1的第二端子。第六晶体管T6的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。在第六晶体管T6响应于发射控制信号EM而导通的情况下，第六晶体管T6可以将由第一晶体管T1生成的驱动电流提供给有机发光二极管OLED。因此，有机发光二极管OLED可以生成光。
第七晶体管T7可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)和第二端子(例如，漏极端子)。第七晶体管T7的栅极端子可以被提供有旁路信号GB。第七晶体管T7的第一端子可以被提供有初始化电压VINT。第七晶体管T7的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。在第七晶体管T7响应于旁路信号GB而导通的情况下，第七晶体管T7可以将初始化电压VINT提供给有机发光二极管OLED。因此，第七晶体管T7可以利用初始化电压VINT来初始化有机发光二极管OLED。
注意，图2中示出的像素电路11的连接结构是示例性的，并且可以以许多方式改变连接结构。例如，在像素电路11不包括第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的情况下，可以改变像素电路11的连接结构以形成包括在像素电路11中的元件(例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2、存储电容器CST和有机发光二极管OLED)之间的连接结构。
图3、图4、图5、图6、图7和图8是示出图1的有机发光显示装置的示意性布局图，图9是沿着图8的线I-I'截取的示意性截面图，以及图10是沿着图8的线II-II'截取的示意性截面图。
参考图1、图2、图3和图9，有机发光显示装置1000可以包括沿着第一方向D1重复布置的像素结构10。像素结构10可以包括基板100、缓冲层110、第一有源图案200、第一栅极绝缘层130、第一栅极电极310、第二栅极电极330、金属图案350、第三栅极电极370、第四栅极电极390、第二栅极绝缘层150、第五栅极电极410、初始化电压线430、第一层间绝缘层170、第二有源图案500、第二层间绝缘层190、第六栅极电极630、第七栅极电极610和有机发光二极管OLED(也参考图5、图6、图7、图8和图10)。
基板100可以包括玻璃基板、石英基板和塑料基板。在一实施例中，基板100可以包括塑料基板，使得有机发光显示装置1000是柔性显示装置。基板100可以具有至少一个有机膜层和至少一个阻挡层交替堆叠的结构。例如，可以使用诸如聚酰亚胺的有机材料形成有机膜层，并且可以使用无机材料形成阻挡层。
缓冲层110可以设置在基板100上。缓冲层110可以防止金属原子或杂质从基板100扩散到第一有源图案200中。缓冲层110可以在用于形成第一有源图案200的结晶工艺期间调节传热速率，使得第一有源图案200可以均匀地形成。
第一有源图案200可以设置在缓冲层110上。第一有源图案200可以包括第一区域210、第二区域220、第三区域230、第四区域240、第五区域250、第六区域260、第七区域270和第八区域280(也参考图3、图4、图6、图7和图8)。在一实施例中，第一有源图案200可以包括硅半导体。硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅等。
在一实施例中，可以将离子注入到第一有源图案200的第二区域220、第三区域230、第五区域250、第六区域260、第七区域270和第八区域280中。例如，在第一晶体管T1和第二晶体管T2是PMOS晶体管的情况下，可以将离子注入到第二区域220、第三区域230和第五区域250中。因此，位于第二区域220和第三区域230之间的第一区域210以及位于第二区域220和第五区域250之间的第四区域240可以是沟道区域。
第一栅极绝缘层130可以设置在基板100上并且可以覆盖第一有源图案200。第一栅极绝缘层130可以包括绝缘材料。例如，第一栅极绝缘层130可以包括氧化硅、氮化硅、氧化钛或氧化钽等。
参考图1、图2、图4和图9，第一栅极电极310可以设置在第一栅极绝缘层130上，并且可以与第二区域220和第三区域230一起形成(或构成)第一晶体管T1。例如，第一栅极电极310可以与第一区域210重叠，并且可以与第二区域220和第三区域230不重叠。第一栅极电极310可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。
第一晶体管T1可以与参考图2描述的第一晶体管T1基本上相同。因此，第一栅极电极310、第二区域220和第三区域230可以分别对应于参考图2描述的第一晶体管的栅极端子、第一端子和第二端子。
下文描述的第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以分别与参考图2描述的第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7基本上相同。因此，参考图2描述的栅极端子、第一端子和第二端子可以基本上对应于下文描述的栅极电极和有源图案的区域。尽管下文没有详细描述它们之间的对应关系，但是对于本领域普通技术人员而言将是显而易见的。
第二栅极电极330和第一栅极电极310可以设置在同一层上。第二栅极电极330可以与第二区域220和第五区域250一起形成(或构成)第二晶体管T2。例如，第二栅极电极330可以与第四区域240重叠并且可以与第二区域220和第五区域250不重叠。第二栅极电极330可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。
第三栅极电极370与第一栅极电极310和第二栅极电极330可以设置在同一层上。第三栅极电极370的一部分可以与第一有源图案200重叠，使得第三栅极电极370的一部分与第三区域230和第六区域260一起形成(或构成)第六晶体管T6。第三栅极电极370的另一部分可以与第一有源图案200重叠，使得第三栅极电极370的另一部分与第二区域220和第八区域280一起形成(或构成)第五晶体管T5。第四栅极电极390与第一栅极电极310、第二栅极电极330和第三栅极电极370可以设置在同一层上。第四栅极电极390可以与第一有源图案200重叠，使得第四栅极电极390与第六区域260和第七区域270一起形成(或构成)第七晶体管T7。
第二栅极绝缘层150可以设置在第一栅极绝缘层130上，并且可以覆盖第一栅极电极310、第二栅极电极330、第三栅极电极370和第四栅极电极390。第二栅极绝缘层150可以包括绝缘材料。
参考图1、图2、图5、图6和图9，第五栅极电极410可以设置在第二栅极绝缘层150上，并且可以与第一栅极电极310一起形成(或构成)存储电容器CST。例如，第五栅极电极410可以包括与第一栅极电极310重叠的孔H。第五栅极电极410可以与第二区域220重叠。
金属图案350可以设置在第一有源图案200和第五栅极电极410之间，并且可以与第二区域220重叠。在一实施例中，金属图案350与第一栅极电极310和第二栅极电极330可以设置在同一层上。金属图案350可以由相同的材料同时形成。在另一实施例中，金属图案350可以与第二区域220重叠并且可以沿着第二区域220的平面形状设置。在又一实施例中，金属图案350可以设置在岛结构中或设置为岛结构，使得金属图案350不接收任何电压。例如，金属图案350可以与第一栅极电极310和第二栅极电极330分隔开。
第一晶体管T1可以通过第二晶体管T2被提供有数据电压DATA。具体地，可以通过设置在第二晶体管T2和第一晶体管T1之间的第二区域220将数据电压DATA提供给第一晶体管T1。
在像素电路11被驱动的情况下，第二晶体管T2的阈值电压可以随着像素电路11内部的温度升高而改变。因此，在用于使第二晶体管T2截止的第一扫描信号GW_P提供给第二晶体管T2的情况下，可能生成流过第二晶体管T2的漏电流。例如，在第二晶体管T2截止的非发射时段期间提供给第二晶体管T2的数据电压DATA(例如，与黑色图像对应的黑色数据电压)可以提供给第一晶体管T1的第一端子(例如，第二区域220)。因此，寄生电容器CSE可能在与第二区域220重叠的第五栅极电极410和第二区域220之间生成。由于生成了寄生电容器CSE，因此在第一栅极电极310和与第一栅极电极310重叠的第五栅极电极410之间生成的电容的电压电平(或存储在存储电容器CST中的电容的电压电平)可能变得不稳定。因此，第一栅极电极310的电压电平可能变化，并且第一晶体管T1可能不稳定地生成驱动电流，使得在常规有机发光显示装置上可能显示不期望的水平线。
根据本发明的实施例的有机发光显示装置1000的金属图案350可以设置在第一有源图案200和第五栅极电极410之间，使得金属图案350屏蔽第二区域220。因此，金属图案350可以抑制寄生电容器CSE的生成。换句话说，金属图案350可以防止提供给第二区域220的数据电压DATA被提供给第五栅极电极410。因此，可以不生成寄生电容器CSE，使得保持第一栅极电极310的电压电平。因此，第一晶体管T1可以稳定地生成驱动电流。因此，在有机发光显示装置1000上可以不显示不期望的水平线。
有机发光显示装置1000可以不需要保持在高电压电平施加的第一扫描信号GW_P的高电压以抑制第二晶体管T2的漏电流的生成。因此，可以减少有机发光显示装置1000的功耗，并且可以确保第一扫描信号GW_P的电压裕度。
初始化电压线430和第五栅极电极410可以设置在同一层上。初始化电压线430可以将初始化电压VINT提供给像素电路11。
参考图1、图2、图7、图8和图10，第一层间绝缘层170可以设置在第二栅极绝缘层150上并且可以覆盖第五栅极电极410。第一层间绝缘层170可以包括绝缘材料。
第二有源图案500可以设置在第一层间绝缘层170上。第二有源图案500可以包括第一区域510、第二区域520和第三区域530。
在一实施例中，第二有源图案500和第一有源图案200可以形成在不同的层上并且可以彼此不重叠。因此，第二有源图案500可以与第一有源图案200分开形成。例如，第一有源图案200可以包括硅半导体，并且第二有源图案500可以包括氧化物半导体。例如，像素结构10可以包括为硅基半导体元件的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7，以及为氧化物基半导体元件的第三晶体管T3和第四晶体管T4。
第二层间绝缘层190可以设置在第一层间绝缘层170上并且可以覆盖第二有源图案500。第二层间绝缘层190可以包括绝缘材料。
第六栅极电极630可以设置在第二层间绝缘层190上，可以与第二有源图案500的一部分重叠，并且可以与第一区域510和第二区域520一起形成(或构成)第三晶体管T3。第七栅极电极610和第六栅极电极630可以设置在同一层上。第七栅极电极610可以与第二有源图案500的一部分重叠，并且可以与第二区域520和第三区域530一起形成(或构成)第四晶体管T4。
如上所述，由于第二有源图案500与第一有源图案200分开形成，因此第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是与第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的类型不同类型的晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是NMOS晶体管，并且第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以是PMOS晶体管。
在一实施例中，金属图案350可以与第六栅极电极630的一部分重叠，并且可以与第二有源图案500和第七栅极电极610不重叠。
暴露第一有源图案200的第六区域260的接触孔可以形成在形成第六晶体管T6的第一有源图案200的第六区域260中。可以通过接触孔形成电极(例如，漏极电极)，并且第六晶体管T6的第二端子可以通过电极连接到有机发光二极管OLED的第一端子。
图11、图12和图13是示出根据另一实施例的有机发光显示装置的平面图，以及图14是沿着图13的线III-III'截取的示意性截面图。
参考图2、图11、图12、图13和图14，像素结构20可以包括基板1100、缓冲层1110、第一有源图案1200、第一栅极绝缘层1130、第一栅极电极1310、第二栅极电极1330、第三栅极电极1350、第四栅极电极1370、第二栅极绝缘层1150、第五栅极电极1410、第一层间绝缘层1170、第二有源图案1500、第二层间绝缘层1190、第六栅极电极1630、第七栅极电极1610和有机发光二极管OLED。像素结构20可以包括(多条)初始化电压线1430。第一有源图案1200可以包括第一区域1210、第二区域1220、第三区域1230、第四区域1240、第五区域1250和第六区域1280。与参考图8、图9和图10描述的像素结构10相比，像素结构20可以不包括金属图案(例如，图8的金属图案350)，并且可以具有与第五栅极电极1410的形状不同的形状。除了这些不同之外，像素结构20与参考图8、图9和图10描述的像素结构10基本上相同。下文讨论上述差异。
第一栅极电极1310可以设置在第一栅极绝缘层1130上，并且可以与第二区域1220和第三区域1230一起形成(或构成)第一晶体管T1。例如，第一栅极电极1310可以与第一区域1210重叠并且可以与第二区域1220和第三区域1230不重叠。
第五栅极电极1410可以设置在第二栅极绝缘层1150上，并且可以与第一栅极电极1310一起形成(或构成)存储电容器CST。例如，第五栅极电极1410可以包括与第一栅极电极1310重叠的孔H。
第五栅极电极1410可以与第一有源图案1200的第二区域1220不重叠。因此，在生成第二晶体管T2的漏电流的情况下，在第五栅极电极1410和第二区域1220之间可以不生成上述寄生电容器CSE。因此，保持了第一栅极电极1310的电压电平，并且第一晶体管T1可以稳定地生成驱动电流。因此，在根据另一实施例的有机发光显示装置1000上可以不显示不期望的水平线。
有机发光显示装置1000可以不需要保持在高电压电平施加的第一扫描信号GW_P的高电压以抑制第二晶体管T2的漏电流的生成。因此，可以减少有机发光显示装置1000的功耗，并且可以确保第一扫描信号GW_P的电压裕度。
本发明构思可以应用于有机发光显示装置和使用有机发光显示装置的电子装置。例如，本发明构思可以应用于移动电话、智能电话、视频电话、智能板、智能手表、平板PC、汽车导航系统、电视、计算机监视器、膝上型计算机等。
前文说明示例性实施例，并且将不被解释为对示例性实施例的限制。尽管已经描述了一些示例性实施例，但是本领域普通技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明构思的新颖教导和优点的情况下，在示例性实施例中的许多修改是可能的。因此，所有这样的修改旨在包括在如权利要求中所限定的本发明构思的范围内。因此，将理解的是，前文说明各种示例性实施例，并且将不被解释为限于所公开的特定示例性实施例，并且对所公开的示例性实施例的修改以及其它示例性实施例旨在包括在本发明构思的范围内。

Claims (10)

1.一种有机发光显示装置，其中，所述有机发光显示装置包括：
第一有源图案，设置在基板上并且包括第一区域、第二区域和第三区域；
第一栅极电极，设置在所述第一有源图案上，与所述第一有源图案的一部分重叠，并且与所述第一区域和所述第二区域一起形成第一晶体管；
第二栅极电极，设置在所述第一有源图案上并且与所述第二区域和所述第三区域一起形成第二晶体管，其中，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极设置在同一层上；
第三栅极电极，设置在所述第一栅极电极上，与所述第二区域重叠，并且与所述第一栅极电极一起形成存储电容器；
金属图案，设置在所述第一有源图案和所述第三栅极电极之间并且与所述第二区域重叠；以及
有机发光二极管，电连接到所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述存储电容器。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述金属图案屏蔽所述第二区域，使得在所述第二区域和所述第三栅极电极之间不生成寄生电容器。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述金属图案沿着所述第二区域的平面形状设置。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述金属图案与所述第一栅极电极和所述第二栅极电极分隔开。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，不向所述金属图案提供电压。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述金属图案与所述第一栅极电极和所述第二栅极电极设置在同一层上。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光显示装置还包括：
第一栅极绝缘层，设置在所述基板上并且覆盖所述第一有源图案；
第二栅极绝缘层，设置在所述第一栅极绝缘层上并且覆盖所述第一栅极电极和所述第二栅极电极；以及
第一层间绝缘层，设置在所述第二栅极绝缘层上并且覆盖所述第三栅极电极。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光显示装置还包括：
第二有源图案，设置在所述第一层间绝缘层上并且包括第四区域、第五区域和第六区域；
第二层间绝缘层，设置在所述第一层间绝缘层上并且覆盖所述第二有源图案；
第四栅极电极，设置在所述第二层间绝缘层上，与所述第二有源图案的一部分重叠，并且与所述第四区域和所述第五区域一起形成第三晶体管；以及
第五栅极电极，设置在所述第二层间绝缘层上，与所述第二有源图案的一部分重叠，并且与所述第五区域和所述第六区域一起形成第四晶体管。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述金属图案与所述第四栅极电极的一部分重叠。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述金属图案与所述第二有源图案和所述第五栅极电极不重叠。
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